專利名稱：半導體設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體設備，特別涉及具有多個腔室的半導體設備。
背景技術：
隨著半導體制造技術的發(fā)展，為了提高產能，半導體設備從單個工藝腔室發(fā)展為多個工藝腔室。通常，多個工藝腔室公用排氣系統(tǒng)(包括排氣泵)，以減少半導體設備的成本。具體地，請結合圖I所示的現(xiàn)有的半導體設備的結構示意圖。半導體設備包括兩個工藝腔室，分別是第一工藝腔室10和第二工藝腔室20，所述半導體設備為灰化(ash)設備。所述第一工藝腔室10具有與之相連接的第一排氣管311，所述第一排氣管311用于將第一工藝腔室10中的廢氣排出腔室；所述第二工藝腔室20具有與之相連接的第二排氣管312。所述第二排氣管312用于將第二工藝腔室20中的廢氣排出。為了降低設備的成本并且簡化半導體設備的結構，現(xiàn)有的第一工藝腔室10和第二工藝腔室20公用一套公共排氣裝置。請結合圖1，所述公共排氣裝置包括第一公共排氣管32、第二公共排氣管33，、第三公共排氣管34、自動壓力控制閥(APC valve) 40、ISO閥50和真空泵60，其中，所述第一公共排氣管32的一端連接第一排氣管311和第二排氣管312，所述第一公共排氣管32的另一端與自動壓力控制閥40相連接，所述自動壓力控制閥40與第二公共排氣管33的一端相連接，所述第二公共排氣管33的另一端與ISO閥50相連接，所述ISO閥50與第三公共排氣管34的一端相連接。所述第三公共排氣管34的另一端與真空泵60相連接。在實際中發(fā)現(xiàn)，上述半導體設備的第一工藝腔室或第二工藝腔室發(fā)生泄露(process chamber leak issue)時,本領域技術人員無法快速獲得具體是哪個工藝腔室發(fā)生泄露，需要花費大量的時間去對每一腔室進行真空檢測，增加了維修時間，從而降低了半導體設備的利用率。
發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供了一種半導體設備，解決了現(xiàn)有技術中工藝腔室泄露時無法快速確認泄露腔室、維修時間偏長的問題，提高了半導體設備的利用率。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導體設備，包括至少兩個工藝腔室，每一工藝腔室具有對應的腔室排氣管，所述排氣管連接至公共排氣裝置，至少一個工藝腔室的排氣管上設置有手動閥。 可選地，每一工藝腔室的排氣管上設置有手動閥。可選地，所述半導體設備為灰化設備?？蛇x地，所述公共排氣裝置包括公共排氣管，與所述排氣管和手動閥相連接；真空泵，與所述公共排氣管相連接，所述真空泵與所述公共排氣管之間設置有自動壓力控制閥和ISO閥。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的半導體設備包括至少兩個工藝腔室，并且至少一個工藝腔室中設置有手動閥，當發(fā)現(xiàn)半導體設備有泄露問題時，利用該手動閥能夠將與之相連接的工藝腔室進行隔離，從而對半導體設備進行排查，有利于盡快查處發(fā)生泄露的工藝腔室，縮短維修時間，提高半導體設備的利用率。
圖I是現(xiàn)有的半導體設備的結構示意圖；圖2是本發(fā)明一個實施例的半導體設備的結構示意圖。
具體實施例方式發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于現(xiàn)有的半導體設備包括多個工藝腔室，多個工藝腔室公用一套公共排氣裝置，當半導體設備中一個或多個工藝腔室發(fā)生泄露時，無法快速確定發(fā)生泄露的工藝腔室，使得現(xiàn)有的半導體設備的維修時間偏長，半導體設備的利用率偏低。 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導體設備，包括至少兩個工藝腔室，每一工藝腔室具有對應的腔室排氣管，所述排氣管連接至公共排氣裝置，至少一個工藝腔室的排氣管上設置有手動閥。下面結合實施例對本發(fā)明的技術方案進行詳細地說明。為了更好地說明本發(fā)明的技術方案，請結合圖2所示的本發(fā)明的一個實施例的半導體設備的結構示意圖。所述半導體設備可以為刻蝕設備、沉積設備、光刻設備等各種具有兩個以上工藝腔室的半導體設備。本實施例中，所述半導體設備為刻蝕設備，所述半導體設備為灰化設備。作為一個實施例，所述半導體設備包括兩個工藝腔室，分別是第一工藝腔室100和第二工藝腔室200。在其他的實施例中，所述半導體設備也可以包括3個或更多的工藝腔室。所述第一工藝腔室100和第二工藝腔室200分別具有與之對應相連接的排氣管路。如圖2所示，第一工藝腔室100與第一排氣管路3111相連接，第二工藝腔室200與第二排氣管路31112相連接。作為優(yōu)選的實施例，所述第一排氣管路3111上設置有第一手動閥700。在半導體設備發(fā)生泄露，需要對各個工藝腔室進行檢測時，所述第一手動閥700用于將第一工藝腔室100與半導體設備的其他工藝腔室進行隔離。所述第二排氣管路3112上設置有第二手動閥800，在半導體設備發(fā)生泄露，需要對各個工藝腔室進行檢測時，所述第二手動閥800用于將第二工藝腔室200與半導體設備的其他工藝腔室進行隔離。作為一個實施例，也可以僅在第一工藝腔室100或第二工藝腔室200中的一個上設置手動閥。仍然參考圖2，所述第一排氣管路3111和第二排氣管路3112分別與公共排氣裝置相連接。作為一個實施例，所述公共排氣裝置包括公共排氣管，所述公共排氣管包括第一公共排氣管320、第二公共排氣管330、第三公共排氣管340、自動壓力控制閥400、ISO閥500、真空泵600。如圖所示，作為一個實施例，。第一公共排氣管320的一端與第一排氣管路3111及對應的第一手動閥700、第二排氣管路3112及對應的第二手動閥800相連接，所述第一公共排氣管320的另一端與自動壓力控制閥400相連接，所述自動壓力控制閥400和ISO閥500通過第二公共排氣管330相連接，所述ISO閥500通過第三公共排氣管340與真空泵600相連接。在其他的實施例中，所述自動壓力控制閥400與所述ISO閥的順序可以相互調換。本發(fā)明所述的真空泵600為干泵(dry pump)。在其他的實施例中,所述真空泵600也可以為其他類型的泵。在實際中，當發(fā)現(xiàn)半導體設備有腔室泄露問題時，可以利用與工藝腔室對應相連接的手動閥將該工藝腔室從半導體設備中隔離，再對半導體設備進行真空檢測，若將該工藝腔室隔離后，半導體設備的泄露問題消除，則說明該工藝腔室存在泄露；若將該工藝腔室隔離后，半導體設備的泄露問題依然存在，則說明該工藝腔室不存在泄露問題，需要采用相同的方法對其他的工藝腔室進行測試。綜上，本發(fā)明提供的半導體設備包括至少兩個工藝腔室，并且至少一個工藝腔室 中設置有手動閥，當發(fā)現(xiàn)半導體設備有泄露問題時，利用該手動閥能夠將與之相連接的工藝腔室進行隔離，從而對半導體設備進行排查，有利于盡快查處發(fā)生泄露的工藝腔室，縮短維修時間，提高半導體設備的利用率。因此，上述較佳實施例僅為說明本發(fā)明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發(fā)明的內容并據以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據本發(fā)明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種半導體設備，包括至少兩個工藝腔室，每一工藝腔室具有對應的腔室排氣管，所述排氣管連接至公共排氣裝置，其特征在于，至少一個工藝腔室的排氣管上設置有手動閥。
2.如權利要求I所述的半導體設備，其特征在于，每一工藝腔室的排氣管上設置有手動閥。
3.如權利要求I所述的半導體設備，其特征在于，所述半導體設備為灰化設備。
4.如權利要求I所述的半導體設備，其特征在于，所述公共排氣裝置包括公共排氣管，與所述排氣管和手動閥相連接； 真空泵，與所述公共排氣管相連接，所述真空泵與所述公共排氣管之間設置有自動壓力控制閥和ISO閥。
全文摘要
本發(fā)明解決的問題是提供了一種半導體設備，包括至少兩個工藝腔室，每一工藝腔室具有對應的腔室排氣管，所述排氣管連接至公共排氣裝置，至少一個工藝腔室的排氣管上設置有手動閥。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術中工藝腔室泄露時無法快速確認泄露腔室、維修時間偏長的問題，提高了半導體設備的利用率。
文檔編號H01L21/67GK102751219SQ20121026190
公開日2012年10月24日 申請日期2012年7月26日 優(yōu)先權日2012年7月26日
發(fā)明者張程, 王旭東 申請人:上海宏力半導體制造有限公司