一種焊盤(pán)結(jié)構(gòu)及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種焊盤(pán)結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括：提供具有頂部金屬層和頂部通孔的疊層；在所述疊層上沉積第一鈍化層；蝕刻所述第一鈍化層，形成第一開(kāi)口以露出所述頂部金屬層；沉積焊盤(pán)金屬層，通過(guò)所述第一開(kāi)口與頂部金屬層相連；平坦化所述焊盤(pán)金屬層；蝕刻所述焊盤(pán)金屬層的兩側(cè)部分，以露出所述第一鈍化層；沉積第二鈍化層；蝕刻所述第二鈍化層形成第二開(kāi)口，以露出所述焊盤(pán)金屬層。本發(fā)明中在沉積焊盤(pán)金屬材料層時(shí)，增加所述焊盤(pán)金屬材料層的厚度，然后執(zhí)行一平坦化步驟，使所述焊盤(pán)金屬材料層的表面更加平整，在進(jìn)行結(jié)合線焊接過(guò)程中，所述焊接線球與所述焊盤(pán)金屬材料層表面的接觸面積變大，粘合力更強(qiáng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種焊盤(pán)結(jié)構(gòu)及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種焊盤(pán)結(jié)構(gòu)及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]焊接線結(jié)合技術(shù)是一種廣泛使用的方法，用于將具有電路的半導(dǎo)體管芯連接到原件封裝上的引腳。由于半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，半導(dǎo)體的幾何尺寸不斷縮小，因此線結(jié)合焊盤(pán)的尺寸變得較小。在40nm以及小于該尺寸的器件中，越來(lái)越小的焊盤(pán)尺寸給焊線結(jié)合以及封裝過(guò)程帶來(lái)挑戰(zhàn)。
[0003]例如目前焊盤(pán)結(jié)構(gòu)的制備方法為:首先在介電質(zhì)102中形成頂部金屬層104，以及位于頂部金屬層104下方的頂部通孔103，如圖1a所示，在所述介電質(zhì)以及所述頂部金屬層104上方形成第一鈍化層101，然后蝕刻所述第一鈍化層101中間部位形成開(kāi)口，以露出所述頂部金屬層，如圖1b所示，沉積焊盤(pán)金屬層105并通過(guò)所述第一鈍化層101上的開(kāi)口與所述頂部金屬層104連通，如圖1c所示，蝕刻所述焊盤(pán)金屬層105，保留位于頂部金屬層104上方的焊盤(pán)金屬層105，去除兩側(cè)的部分，如圖1d所示，沉積第二鈍化層106，如圖1e所示，蝕刻所述第二鈍化層，以露出所述焊盤(pán)金屬層105，如圖1f所示。
[0004]在半導(dǎo)體器件尺寸較大時(shí)，結(jié)合線和Al焊盤(pán)的粘合不存在技術(shù)問(wèn)題，因?yàn)橐酝骷约昂副P(pán)的尺寸足夠大，所以結(jié)合線和焊盤(pán)之間的相接觸、粘合的面積較大，較大的面積產(chǎn)生的粘合力可以滿足焊接線結(jié)合以及封裝的需要，但是隨著器件尺寸的縮小，結(jié)合線和Al焊盤(pán)的粘合已經(jīng)達(dá)到極限程度，特別是器件尺寸發(fā)展到28nm級(jí)別時(shí)，結(jié)合線和焊盤(pán)相互接觸的面積變的很小，如圖1g所示，目前焊盤(pán)金屬層例如是Al層的表面層為一定弧度的凹形，導(dǎo)致焊接線球與Al焊盤(pán)之間的接觸面積以及粘合力進(jìn)一步降低，焊接線球很容易從焊盤(pán)表面脫落，使封裝過(guò)程的穩(wěn)定性降低。
[0005]因此，隨著器件尺寸的不斷縮小，如何克服結(jié)合線與焊盤(pán)金屬層之間接觸面積小，粘合力小，焊接線球容易脫落的問(wèn)題，成為器件封裝過(guò)程中必須要解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]本發(fā)明為了克服目前在制備集成電路封裝過(guò)程中所述焊盤(pán)容易發(fā)生裂紋以及損害的問(wèn)題，提供了 一種焊盤(pán)結(jié)構(gòu)的制備方法，包括:
[0008]提供具有頂部金屬層和頂部通孔的疊層；
[0009]在所述疊層上沉積第一鈍化層；
[0010]蝕刻所述第一鈍化層，形成第一開(kāi)口以露出所述頂部金屬層；
[0011]沉積焊盤(pán)金屬層，通過(guò)所述第一開(kāi)口與頂部金屬層相連；
[0012]平坦化所述焊盤(pán)金屬層；[0013]蝕刻所述焊盤(pán)金屬層的兩側(cè)部分，以露出所述第一鈍化層；
[0014]沉積第二鈍化層；
[0015]蝕刻所述第二鈍化層形成第二開(kāi)口，以露出所述焊盤(pán)金屬層。
[0016]作為優(yōu)選，所述第一鈍化層包括依次層疊的PESIN層、PETEOS層、SiN層和TEOS層。
[0017]作為優(yōu)選，所述PESIN層的厚度為650-850埃，所述PETEOS層的厚度為3800-4200埃，所述SiN層的厚度為650-850埃，所述TEOS層的厚度為2400-2600埃。
[0018]作為優(yōu)選，所述PESIN層的厚度為750埃，所述PETEOS層的厚度為4000埃，所述SiN層的厚度為750埃，所述TEOS層的厚度為2500埃。
[0019]作為優(yōu)選，所述第一鈍化層的沉積方法為化學(xué)氣相沉積法。
[0020]作為優(yōu)選，所述焊盤(pán)金屬層包括三層，自下而上依次為T(mén)aN層，第一 Al層，第二 Al層。
[0021 ] 作為優(yōu)選，所述TaN層的厚度為600-800埃，第一 Al層的厚度為7.5-9.5千埃，第二 Al層的厚度為7.5-9.5千埃。
[0022]作為優(yōu)選，所述TaN層的厚度為700埃，第一 Al層的厚度為8.5千埃，第二 Al層的厚度為8.5千埃。
[0023]作為優(yōu)選，所述焊盤(pán)金屬層的沉積方法為物理氣相沉積法。
[0024]作為優(yōu)選，所述焊盤(pán)金屬層的厚度比目標(biāo)厚度多800-2000埃。
[0025]作為優(yōu)選，所述焊盤(pán)金屬層的厚度比目標(biāo)厚度多1000埃
[0026]作為優(yōu)選，所述平坦化所述焊盤(pán)金屬層的過(guò)程中去除800-2000埃厚度的Al層。
[0027]作為優(yōu)選，所述平坦化所述焊盤(pán)金屬層的過(guò)程中去除1000埃厚度的Al層。
[0028]作為優(yōu)選，所述第二鈍化層包括依次層疊的PETEOS層和SiN層。
[0029]作為優(yōu)選，所述PETEOS層厚度為5000-6000埃，所述SiN層的厚度為5000-7000埃。
[0030]作為優(yōu)選，所述PETEOS層厚度為4000埃，所述SiN層的厚度為6000埃。
[0031]作為優(yōu)選，所述第二鈍化層的沉積方法為化學(xué)氣相沉積法。
[0032]本發(fā)明還提供了一種上述方法制備得到的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二鈍化層中第二開(kāi)口所露出的焊盤(pán)金屬層的表面為平面。
[0033]本發(fā)明中在沉積焊盤(pán)金屬材料層時(shí)，增加所述焊盤(pán)金屬材料層的厚度，然后執(zhí)行一平坦化步驟，去除沉積過(guò)程中多余的焊盤(pán)金屬材料層，得到想要的厚度，同時(shí)使所述焊盤(pán)金屬材料層的表面更加平整，在進(jìn)行結(jié)合線焊接過(guò)程中，所述焊接線球與所述焊盤(pán)金屬材料層表面的接觸面積變大，粘合力更強(qiáng)，在封裝過(guò)程中不再發(fā)生焊接線球脫落的現(xiàn)象，使得封裝過(guò)程更加穩(wěn)定，效率更高。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0035]圖la-g為現(xiàn)有技術(shù)中制備焊盤(pán)結(jié)構(gòu)過(guò)程示意圖；
[0036]圖2為本發(fā)明制備焊盤(pán)結(jié)構(gòu)流程示意圖；[0037]圖3a_f為本發(fā)明制備焊盤(pán)結(jié)構(gòu)過(guò)程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0039]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的描述，以說(shuō)明本發(fā)明所述焊盤(pán)結(jié)構(gòu)以及制備方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0040]應(yīng)予以注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0041]現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，這些示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施例的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對(duì)它們的描述。
[0042]本發(fā)明提供一種焊盤(pán)的制作方法。圖2為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制作焊盤(pán)的工藝流程圖，圖3a_f為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式來(lái)制作焊盤(pán)工藝過(guò)程中各步驟所獲得的器件的剖視圖。
[0043]首先執(zhí)行步驟201，形成具有頂部金屬層和頂部通孔的疊層；
[0044]具體地，首先提供包含頂部金屬層305和頂部通孔303的疊層，所述頂部金屬層305和頂部通孔303下方可以為金屬層和通孔形成的另一疊層，所述疊層最下方與所述器件的基板相連，所述部分并不是本發(fā)明的改進(jìn)部分，因此在圖3a中并沒(méi)有畫(huà)出。具體地，在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中該疊層的形成方式可以為頂部通孔303下的金屬層疊層形成后在所述介電質(zhì)絕緣層302中形成頂部通孔303，然后在所述介電質(zhì)絕緣層302中形成頂部金屬層305，具體步驟包括首先以特定的圖案為掩膜蝕刻所述介電質(zhì)絕緣層以形成溝槽開(kāi)口，利用金屬材料填充開(kāi)口以及進(jìn)行平坦化工藝，即形成所述的頂部金屬層305。需要說(shuō)明的是，所述頂部金屬層305和頂部通孔303的形成方法僅僅是示例性的，并不局限于所述方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇。
[0045]執(zhí)行步驟202在所述疊層上沉積第一鈍化層，然后蝕刻所述第一鈍化層，露出所述頂部金屬層；
[0046]具體地，在所述疊層上方沉積第一鈍化層301，所述鈍化層包括等離子增強(qiáng)氮化硅層PESIN層、等離子增強(qiáng)正硅酸乙酯PETEOS層、SiN層以及正硅酸乙酯TE0S，層中的一種或多種的組合，在本發(fā)明中，所述第一鈍化層301為上述各種材料的組合，所述第一鈍化層包括依次層疊的PESIN層、PETEOS層、SiN層和TEOS層，作為優(yōu)選，所述PESIN層的厚度為650-850埃，所述PETEOS層的厚度為3800-4200埃，所述SiN層的厚度為650-850埃，所述TEOS層的厚度為2400-2600埃；作為進(jìn)一步優(yōu)選，所述PESIN層的厚度為750埃，所述PETEOS (Plasma Enhanced TE0S)層的厚度為4000埃，所述SiN層的厚度為750埃，所述TEOS層的厚度為2500埃。作為優(yōu)選，所述第一鈍化層301的沉積方法可以選用化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及選擇外延生長(zhǎng)(SEG)中的一種。本發(fā)明中優(yōu)選化學(xué)氣相沉積(CVD)法。
[0047]蝕刻所述第一鈍化層301形成第一開(kāi)口以露出所述頂部金屬層305，具體地，在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中，在所述第一鈍化層301上方形成光刻膠圖案,然后在光刻膠兩側(cè)部位涂覆抗蝕劑，進(jìn)行曝光在所述第一鈍化層301上方形成光刻膠圖案，所述圖案位于第一鈍化層的中間部位，以所述光刻膠圖案為掩膜進(jìn)行蝕刻，將圖案轉(zhuǎn)移至所述第一鈍化層301上，同時(shí)露出所述頂部金屬層305，所述蝕刻方法并不僅僅局限于上述事例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇，在此不再贅述。
[0048]執(zhí)行步驟203然后沉積焊盤(pán)金屬材料層；
[0049]沉積焊盤(pán)金屬材料層304，所述通過(guò)所述開(kāi)口與所述所述頂部金屬層305相連，具體地，所述焊盤(pán)金屬層可以為Al層，在本發(fā)明中所述焊盤(pán)金屬層比現(xiàn)有技術(shù)中的金屬層厚度要大，比現(xiàn)有技術(shù)中的焊盤(pán)金屬層要厚1000埃左右，作為優(yōu)選，所述焊盤(pán)金屬層的厚度比目標(biāo)厚度多800-2000埃；作為優(yōu)選，所述焊盤(pán)金屬層的厚度比目標(biāo)厚度多1000埃，以便于后面的平坦化步驟。在本發(fā)明一種【具體實(shí)施方式】中，所述焊盤(pán)金屬層包括三層，自下而上依次為T(mén)aN層，第一 Al層，第二 Al層，作為優(yōu)選，所述TaN層的厚度為600-800埃，第一 Al層的厚度為7.5-9.5千埃，第二 Al層的厚度為7.5-9.5千埃。作為優(yōu)選，所述TaN層的厚度為700埃，第一 Al層的厚度為8.5千埃，第二 Al層的厚度為8.5千埃。如圖3a所示，其中所述虛線部分為兩次沉積的示意圖。作為優(yōu)選，所述焊盤(pán)金屬材料層304的沉積方法可以為化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及選擇外延生長(zhǎng)(SEG)中的一種，在本發(fā)明中優(yōu)選為物理氣相沉積(PVD)法，其中在上述沉積過(guò)程中，第三次沉積所述厚度為6千埃的Al層時(shí)延長(zhǎng)所述沉積時(shí)間。
[0050]執(zhí)行步驟204平坦化所述焊盤(pán)金屬材料層；
[0051]具體地，平坦化所述焊盤(pán)金屬材料層304，以形成平坦的表面，所述平坦化步驟選用化學(xué)機(jī)械平坦化方法(CMP)，平坦化過(guò)程中去除所述步驟203中多沉積焊盤(pán)金屬材料層304，作為優(yōu)選，所述平坦化所述焊盤(pán)金屬層的過(guò)程中去除800-2000埃厚度的Al層，作為優(yōu)選，所述平坦化所述焊盤(pán)金屬層的過(guò)程中去除1000埃厚度的Al層，在該步驟中去除800-2000埃厚度的焊盤(pán)金屬材料層304，以得到目標(biāo)厚度的焊盤(pán)金屬材料層304，當(dāng)然本發(fā)明中并局限于所述示例性厚度。經(jīng)過(guò)所述平坦化，所述焊盤(pán)金屬材料層304的表面為平面，如圖3b所示，而不再是具有弧度“凹面”，在沉積、蝕刻第二鈍化層后形成的凹槽的底面更加平整，在進(jìn)行結(jié)合線焊接時(shí)所述焊接線球與所述平面的接觸面積更大，粘合力更強(qiáng)，在封裝過(guò)程中不再發(fā)生焊接線球脫落的現(xiàn)象，使得封裝過(guò)程更加穩(wěn)定，效率更高。
[0052]執(zhí)行步驟205蝕刻所述焊盤(pán)金屬材料層304，以露出所述第一鈍化層301 ；[0053]具體地，蝕刻所述焊盤(pán)金屬材料層304，去除位于兩側(cè)的金屬層，保留其中間部位，在本發(fā)明的一具體實(shí)施例中，可以在所述焊盤(pán)金屬材料層304的中間部位形成光刻膠圖案，以所述的光刻膠圖案為掩膜進(jìn)行蝕刻，將圖案轉(zhuǎn)移至所述焊盤(pán)金屬材料層304，形成島型的焊盤(pán)金屬層，露出所述第一鈍化層301，如圖3c所示，最后去除所述光刻膠圖案，去除方法可以選用本領(lǐng)域常用方法，例如高溫氧化灰化法去除。
[0054]執(zhí)行步驟206沉積第二鈍化層；
[0055]具體地，沉積第二鈍化層306覆蓋所述剩余焊盤(pán)金屬材料層304和露出的所述第一鈍化層301，如圖3d所示，所述第二鈍化層可以包含兩層，可以選用PESIN層、PETEOS層、SiN層以及TEOS層中的任意兩種，作為優(yōu)選，在本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】中，所述第二鈍化層306包括依次層疊的PETEOS層和SiN層。作為優(yōu)選，所述PETEOS層厚度為5000-6000埃，所述SiN層的厚度為5000-7000埃。作為優(yōu)選，所述PETEOS層厚度為4000埃，所述SiN層的厚度為6000埃。所述第二鈍化層的沉積方法可以選用化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)以及選擇外延生長(zhǎng)(SEG)中的一種，在本發(fā)明中優(yōu)選為化學(xué)氣相沉積(CVD)法。
[0056]執(zhí)行步驟207蝕刻所述第二鈍化層，形成第二開(kāi)口，以露出所述焊盤(pán)金屬材料層304 ；
[0057]具體地，在本發(fā)明一【具體實(shí)施方式】中可以在所述第二鈍化層306上形成光刻膠層，在中間部分涂覆抗蝕劑，曝光在所述第二鈍化層306中間部分形成光刻膠圖案，然后以所述光刻膠圖案為掩膜進(jìn)行蝕刻，將圖案轉(zhuǎn)移至第二鈍化層上，同時(shí)露出所述焊盤(pán)金屬材料層304，作為焊接線結(jié)合的表面，最后去除所述光刻膠圖案。
[0058]需要說(shuō)明的是在本發(fā)明所述方法中多次涉及蝕刻步驟，所述蝕刻步驟可以選擇本領(lǐng)域常用方法，例如干法、濕法蝕刻等，并沒(méi)有嚴(yán)格限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要進(jìn)行選擇，其中優(yōu)選與蝕刻層和位于蝕刻層上方或者下方的材料層具有較大選擇率的蝕刻方法。
[0059]本發(fā)明中在沉積焊盤(pán)金屬材料層時(shí)，增加所述焊盤(pán)金屬材料層的厚度，然后執(zhí)行一平坦化步驟，去除沉積過(guò)程中多余的焊盤(pán)金屬材料層，得到想要的厚度，同時(shí)使所述焊盤(pán)金屬材料層的表面更加平整，在進(jìn)行結(jié)合線焊接過(guò)程中，所述焊接線球與所述焊盤(pán)金屬材料層表面的接觸面積變大，粘合力更強(qiáng)，在封裝過(guò)程中不再發(fā)生焊接線球脫落的現(xiàn)象，使得封裝過(guò)程更加穩(wěn)定，效率更高。
[0060]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種焊盤(pán)結(jié)構(gòu)的制備方法，包括: 提供具有頂部金屬層和頂部通孔的疊層； 在所述疊層上沉積第一鈍化層； 蝕刻所述第一鈍化層，形成第一開(kāi)口以露出所述頂部金屬層； 沉積焊盤(pán)金屬層，通過(guò)所述第一開(kāi)口與頂部金屬層相連； 平坦化所述焊盤(pán)金屬層； 蝕刻所述焊盤(pán)金屬層的兩側(cè)部分，以露出所述第一鈍化層； 沉積第二鈍化層； 蝕刻所述第二鈍化層形成第二開(kāi)口，以露出所述焊盤(pán)金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一鈍化層包括依次層疊的PESIN層、PETEOS 層、SiN 層和 TEOS 層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述PESIN層的厚度為650-850埃，所述PETEOS層的厚度為380 0-4200埃，所述SiN層的厚度為650-850埃，所述TEOS層的厚度為2400-2600 埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述PESIN層的厚度為750埃，所述PETEOS層的厚度為4000埃，所述SiN層的厚度為750埃，所述TEOS層的厚度為2500埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一鈍化層的沉積方法為化學(xué)氣相沉積法。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述焊盤(pán)金屬層包括三層，自下而上依次為T(mén)aN層，弟一 Al層和弟二 Al層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述TaN層的厚度為600-800埃，第一Al層的厚度為7.5-9.5千埃，第二 Al層的厚度為7.5-9.5千埃。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述TaN層的厚度為700埃，第一Al層的厚度為8.5千埃，第二 Al層的厚度為8.5千埃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述焊盤(pán)金屬層的沉積方法為物理氣相沉積法。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述焊盤(pán)金屬層的厚度比目標(biāo)厚度多800-2000 埃。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述焊盤(pán)金屬層的厚度比目標(biāo)厚度多1000 埃。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述平坦化所述焊盤(pán)金屬層的過(guò)程中去除800-2000埃厚度的Al層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述平坦化所述焊盤(pán)金屬層的過(guò)程中去除1000埃厚度的Al層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二鈍化層包括依次層疊的PETEOS層和SiN層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述PETEOS層厚度為5000-6000埃，所述SiN層的厚度為5000-7000埃。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的方法，其特征在于，所述PETEOS層厚度為4000埃，所述SiN層的厚度為6000埃。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二鈍化層的沉積方法為化學(xué)氣相沉積法。
18.—種權(quán)利要求1至17之一所述方法制備得到的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其中，所述第二鈍化層中第二開(kāi)口所露出的焊盤(pán)金屬層的·表面為平面。
【文檔編號(hào)】H01L21/48GK103579008SQ201210261996
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月26日
【發(fā)明者】彭冰清 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司