監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，包括：步驟1、對芯片做表面處理；步驟2、用聚焦離子束暴露出需要做橋聯(lián)的監(jiān)測節(jié)點A；步驟3、通過版圖檢查，找出距離所述監(jiān)測節(jié)點A最近的不相關(guān)焊盤B點位置并將所述監(jiān)測節(jié)點A和所述焊盤B進行橋聯(lián)；步驟4、實現(xiàn)所述監(jiān)測節(jié)點A和所述焊盤B之間橋聯(lián)以后，采用聚焦離子束切除焊盤B的負載，使所述焊盤B處于浮空狀態(tài)；步驟5、進行打線操作，把所述焊盤B引至封裝端并連接到測試儀，進行動態(tài)信號或者多通道信號測量。本發(fā)明能在現(xiàn)有調(diào)查中推進使用，可以小成本快速排除設(shè)計問題或者工藝問題。
【專利說明】監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路工藝方法，特別是涉及一種監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在新產(chǎn)品導(dǎo)入以及量產(chǎn)品失效調(diào)查中，經(jīng)常需要設(shè)計聚焦離子束(FIB)方案監(jiān)測芯片內(nèi)部節(jié)點信號。尤其在新產(chǎn)品導(dǎo)入過程中，客戶需要檢查其設(shè)計哪里出了問題，從而進行改版，但是往往不會提前想到要設(shè)置一個探測節(jié)點。常規(guī)做法是用聚焦離子束(FIB)墊焊盤(pad)，然后進行探針量測或者進行打線后再量測。而這兩種方法均存在很大問題:
[0003]1、采用探針量測的缺點:鉬金焊盤(Pt pad)比較脆弱，不能進行多次扎針，可靠性不穩(wěn)定；扎針量測只能在半導(dǎo)體參數(shù)測試儀()等直流測試機臺上進行，使用范圍比較窄，不能進行多通道或者動態(tài)信號施加。
[0004]2、采用打線后量測的辦法的缺點:鉬金焊盤打線成功率非常低。只要一次沒有打成功，這個樣品就報廢了。而制作一個有鉬金焊盤的聚焦離子束(FIB)樣品，需要大量的機時和鉬金的耗材。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，能在現(xiàn)有調(diào)查中推進使用，可以小成本快速排除(debug)設(shè)計問題或者工藝問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的一種監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，包括:
[0007]步驟1、對芯片做表面處理；
[0008]步驟2、用聚焦離子束暴露出需要做橋聯(lián)的監(jiān)測節(jié)點A ；
[0009]步驟3、通過版圖檢查，找出距離所述監(jiān)測節(jié)點A最近的不相關(guān)焊盤B點位置并將所述監(jiān)測節(jié)點A和所述焊盤B進行橋聯(lián)；
[0010]步驟4、實現(xiàn)所述監(jiān)測節(jié)點A和所述焊盤B之間橋聯(lián)以后，采用聚焦離子束切除焊盤B的負載，使所述焊盤B處于浮空狀態(tài)；
[0011]步驟5、進行打線操作，把所述焊盤B引至封裝端并連接到測試儀，進行動態(tài)信號或者多通道信號測量。
[0012]進一步的，步驟3中所述將所述監(jiān)測節(jié)點A和所述焊盤B進行橋聯(lián)，采用鉬金屬線條橋聯(lián)。
[0013]進一步的，所述鉬金屬線條寬度為1-2微米，厚度為0.8-1微米。
[0014]進一步的，步驟5中所述把所述焊盤B引至封裝端并連接到測試儀，為采用轉(zhuǎn)接板連接到測試儀。
[0015]進一步的，步驟5中所述把所述焊盤B引至封裝端并連接到測試儀，為采用直接連線到測試儀。[0016]進一步的，步驟3中所述將所述監(jiān)測節(jié)點A和所述焊盤B進行橋聯(lián)，采用聚焦離子束機臺束流生長鉬金屬進行橋聯(lián)。
[0017]采用本發(fā)明方法，有益效果為:
[0018]1、采用本發(fā)明鉬金焊盤不用進行多次扎針，可靠性穩(wěn)定并且扎針量測不僅限在半導(dǎo)體參數(shù)測試儀等直流測試機臺上進行，使用范圍寬，可以進行多通道或者動態(tài)信號施加。
[0019]2、采用本發(fā)明鉬金焊盤打線成功率高并且可以再現(xiàn)有調(diào)查中推進使用，可以可以小成本快速排除設(shè)計問題或者工藝問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0021]圖1是本發(fā)明監(jiān)測節(jié)點示意圖；
[0022]圖2是本發(fā)明監(jiān)測節(jié)點尋找最近不相關(guān)焊盤位置示意圖；
[0023]圖3是本發(fā)明監(jiān)測節(jié)點最近不相關(guān)焊盤浮空狀態(tài)示意圖。
【具體實施方式】
[0024]為使貴審查員對本發(fā)明的目的、特征及功效能夠有更進一步的了解與認識，以下茲請配合附圖詳述如后:
[0025]本發(fā)明方法步驟如下:
[0026]步驟1、對芯片做表面處理,去除聚酰亞胺(Polyimide)等會影響后續(xù)聚焦離子束(FIB)的表面物質(zhì)。
[0027]步驟2、用FIB暴露出需要做橋聯(lián)的監(jiān)測節(jié)點，稱為A點，如圖1所示。
[0028]步驟3、通過版圖檢查，找出距離A點最近的不相關(guān)焊盤位置，如圖2所示，其中焊盤B點位置最近。將A點及焊盤B點進行橋聯(lián)；其中，可以采用FIB機臺束流生長出寬度為1-2微米，厚度為0.8-1微米的鉬金屬線條，長度根據(jù)具體情況選定。采用這樣范圍的厚度及寬度，一方面不會耗費太長時間，另一方面足夠保證高低起伏時不至于斷線。
[0029]步驟4、實現(xiàn)A點和焊盤B點之間橋聯(lián)以后，采用聚焦離子束(FIB)切除焊盤B點的負載(loading)使焊盤B處于浮空狀態(tài)，如圖3所示。此處所述的負載，包括電阻、對電源對地的保護管以及輸入驅(qū)動等。
[0030]步驟5、進行打線(boding)操作，把焊盤B引至封裝端，采用轉(zhuǎn)接板或者直接連線等，連接到測試儀，進行動態(tài)信號或者多通道信號測量。
[0031]以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，其特征在于，包括: 步驟1、對芯片做表面處理； 步驟2、用聚焦離子束暴露出需要做橋聯(lián)的監(jiān)測節(jié)點(A)； 步驟3、通過版圖檢查，找出距離所述監(jiān)測節(jié)點(A)最近的不相關(guān)焊盤(B)點位置并將所述監(jiān)測節(jié)點(A)和所述焊盤(B)進行橋聯(lián)； 步驟4、實現(xiàn)所述監(jiān)測節(jié)點(A)和所述焊盤(B)之間橋聯(lián)以后，采用聚焦離子束切除焊盤(B)的負載，使所述焊盤(B)處于浮空狀態(tài)； 步驟5、進行打線操作，把所述焊盤(B)引至封裝端并連接到測試儀，進行動態(tài)信號或者多通道信號測量。
2.如權(quán)利要求1所述監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，其特征在于:步驟3中所述將所述監(jiān)測節(jié)點(A)和所述焊盤(B)進行橋聯(lián)，采用鉬金屬線條橋聯(lián)。
3.如權(quán)利要求2所述的監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，其特征在于:所述鉬金屬線條寬度為1-2微米，厚度為0.8-1微米。
4.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，其特征在于:步驟5中所述把所述焊盤(B)引至封裝端并連接到測試儀，為采用轉(zhuǎn)接板連接到測試儀。
5.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，其特征在于:步驟5中所述把所述焊盤(B)引至封裝端并連接到測試儀，為采用直接連線到測試儀。
6.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測芯片內(nèi)部電位的聚焦離子束方法，其特征在于:步驟3中所述將所述監(jiān)測節(jié)點(A)和所述焊盤(B)進行橋聯(lián)，采用聚焦離子束機臺束流生長鉬金屬進行橋聯(lián)。
【文檔編號】H01L21/66GK103579034SQ201210262421
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月27日
【發(fā)明者】馬香柏, 芮志賢, 張君 申請人:上海華虹Nec電子有限公司