倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于有機半導(dǎo)體領(lǐng)域，其公開了一種倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法；該器件包括依次層疊的陰極基底、輔助電子傳輸層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極層；所述輔助電子傳輸層的材質(zhì)為醋酸化合物，所述輔助電子傳輸層的厚度為10~200nm。本發(fā)明提供的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，無機材料中電子傳輸速率比有機材料的電子傳輸速率要高幾個數(shù)量級，而OLED中的電子傳輸速率往往比空穴傳輸速率低2-3個數(shù)量級，因此，醋酸化合物為材質(zhì)的輔助電子傳輸層的加入可很好的提高電子的傳輸速率，大大提高器件的發(fā)光效率。
【專利說明】倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般是制備一層電子傳輸層來提高電子的傳輸速率，再制備一層電子注入層來提高電子的注入效率，而電子的傳輸速率通常比空穴的傳輸速率要低兩三個數(shù)量級，因此，通常都是將電子傳輸層進行η摻雜，也即是將電子傳輸層進行金屬摻雜，如Cs鹽摻雜到Bphen中，Li鹽摻雜到TPBi中，來提高電子傳輸速率，這種方法采用較多，且可有效提高電子傳輸速率，但是，有機物與無機物之間蒸發(fā)溫度不一致，給蒸發(fā)溫度帶來困難，且速率提高的幅度不高，另外，厚度不能做得太薄(低于40nm)，當(dāng)發(fā)光材料與金屬電極比較接近的時候，發(fā)光材料會與金屬電極產(chǎn)生耦合，對激子造成了損失(表面等離子激元波)，厚度太厚(高于100nm)，缺陷增多，則電子陷阱的存在，會使電子或空穴進入到陷阱內(nèi)，導(dǎo)致激子復(fù)合幾率降低；所有這些進而影響到電子傳輸速率的提高，也就導(dǎo)致了發(fā)光效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的問題之一在于提供一種可以提高發(fā)光效率的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件。
[0006]一種倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陰極基底、輔助電子傳輸層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極層；所述輔助電子傳輸層的材質(zhì)為醋酸化合物；所述輔助電子傳輸層的厚度為l(T20nm。
[0007]所述器件中，輔助電子傳輸層的醋酸化合物為醋酸鋅、醋酸鈣或醋酸鎂。
[0008]所述倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件中，其它各功能層的材質(zhì)及厚度如下:
[0009]所述陰極基底的材質(zhì)為銦錫氧化物玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃；
[0010]所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；該電子傳輸層的厚度為4(T80nm ；[0011]所述發(fā)光層的材料為客體材料按照質(zhì)量百分比f 20%的比例摻雜到主體材料中；所述客體材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥；所述主體材料為1，1-二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺^^以乂隊^氣卜萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺；所述發(fā)光層的厚度為為2~30nm ；[0012]所述空穴傳輸層的材料為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺；所述空穴傳輸層的厚度為2(T60nm ；
[0013]所述空穴注入層的材質(zhì)選用三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩；所述空穴注入層的厚度為20-80nm ；
[0014]所述陽極層的材質(zhì)為金屬銀、鋁、鉬或金；所述陽極層的厚度為80_250nm。
[0015]本發(fā)明所要解決的問題之二在于提供上述倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0016]S1、將陰極基底進行光刻處理，然后清洗，去除陰極基底表面的有機污染物；
[0017]S2、將質(zhì)量濃度為f 30%的醋酸化合物溶液涂覆在陰極基底表面，烘干，制得厚度為l(T20nm的輔助電子傳輸層；其中，所述輔助電子傳輸層的材質(zhì)為醋酸化合物；
[0018]S3、在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極層；
[0019]上述工藝步驟完成后，制得所述倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件。
[0020]本發(fā)明提供的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，電子傳輸層在陰極端，避免了激子與金屬電極表面等離子激元波現(xiàn)象的產(chǎn)生，同時增強光的散射，增強器件的正面發(fā)光強度，有利于器件穩(wěn)定性的提高；無機材料中電子傳輸速率比有機材料的電子傳輸速率要高幾個數(shù)量級，而OLED中的電子傳輸速率往往比空穴傳輸速率低2-3個數(shù)量級，因此，醋酸化合物為材質(zhì)的輔助電子傳輸層的加入可很好的提高電子的傳輸速率，大大提高器件的發(fā)光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明制得的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為實施例1制得的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件與對比例I制得的有機電致發(fā)光器的電壓與亮度關(guān)系圖；其中，曲線I表示實施例1制得的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件的電壓與亮度曲線；曲線2表示對比例I制得的有機電致發(fā)光器件的電壓與亮度曲線。
【具體實施方式】
[0023]本發(fā)明提供的一種倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，如圖1所示，包括依次層疊的陰極基底1、輔助電子傳輸層2、電子傳輸層3、發(fā)光層4、空穴傳輸層5、空穴注入層6和陽極層7 ;其中，輔助電子傳輸層2的材質(zhì)為醋酸化合物，該醋酸化合物為醋酸鋅(ZnAc)、醋酸鈣(CaAc)或醋酸鎂(MgAc);該輔助電子傳輸層的厚度為l(T200nm ;優(yōu)選lOOnm。
[0024]倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件中，其它各功能層的材質(zhì)和厚度如下:
[0025]陰極基底I為銦錫氧化物玻璃(IT0)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃αζο)，優(yōu)選為ιτο;其中，銦錫氧化物玻璃，簡稱ITO玻璃，玻璃為基底，ITO為導(dǎo)電陰極層，行業(yè)習(xí)慣上撰寫為ιτο ;摻鋁的氧化鋅玻璃和摻銦的氧化鋅玻璃類似；
[0026]電子傳輸層3的材質(zhì)采用4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，優(yōu)選為Bphen ;電子傳輸層3的厚度為40_80nm，優(yōu)選厚度為60nm ；
[0027]發(fā)光層4的材質(zhì)為客體材料按照質(zhì)量百分比f 20%的比例摻雜到主體材料中；其中，客體材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(11'細(xì)0)2(3。3。))或三(2-苯基吡卩定)合銥(Ir (ppy)3),主體材料為1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (1_萘基)州^，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)；發(fā)光層的厚度為2-30nm ;發(fā)光層4的材料優(yōu)選為Ir(ppy)3摻雜到中，即TCTA:1r (ppy)3,摻雜質(zhì)量百分比為15%，發(fā)光層優(yōu)選厚度為15nm ；
[0028]空穴傳輸層5的材料選用I, 1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1_萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，優(yōu)選為TCTA ;空穴傳輸層5的厚度為20_60nm，優(yōu)選厚度為40nm ；
[0029]空穴注入層6的材料為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),優(yōu)選為MoO3 ;空穴注入層6的厚度為20-80nm，厚度為30nm ；
[0030]陽極層7的材料為銀(Ag)、 鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，優(yōu)選為Ag ;陽極層7的厚度為80-250nm，優(yōu)選厚度為150nm。
[0031]本發(fā)明提供的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，以ITO玻璃等為陰極，然后旋涂輔助電子傳輸層，首先，電子傳輸層在陰極端，可使發(fā)光層靠近陽極，避免了激子與金屬電極表面等離子激元波現(xiàn)象的產(chǎn)生，同時，旋涂制備金屬氧化物的輔助電子傳輸層可增強電子的傳輸速率以外，還可以增強光的散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光集中到器件中部，增強器件的正面發(fā)光強度，而所用的金屬材料熔點較高，在高溫下不發(fā)生晶型轉(zhuǎn)變，更有利于器件穩(wěn)定性的提高，無機材料電子傳輸速率比有機材料的電子傳輸速率要高幾個數(shù)量級，而OLED中的電子傳輸速率往往比空穴傳輸速率低2-3個數(shù)量級，因此，金屬氧化物輔助電子傳輸層的加入可很好的提聞電子的傳輸速率，大大提聞發(fā)光效率。
[0032]上述倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0033]S1、先將陰極基底進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，然后清洗陰極基底，即依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇，異丙醇各超聲15min，去除陰極基底表面的有機污染物；
[0034]S2、將質(zhì)量濃度為f 30%的醋酸化合物溶液涂覆在陰極基底的導(dǎo)電陰極層表面，烘干，制得厚度為l(T20nm的輔助電子傳輸層；其中，輔助電子傳輸層的材質(zhì)為醋酸化合物，如，醋酸鋅(ZnAc )、醋酸鈣(CaAc )或醋酸鎂(MgAc )；
[0035]S3、在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極層；
[0036]上述工藝步驟完成后，制得所述倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件。
[0037]上述步驟S2中，醋酸化合物溶液是采用如下方法制得的:[0038]將氧化鋅(ZnO)、氧化I丐(CaO)或氧化鎂(MgO)溶于醋酸溶液中，配置成質(zhì)量濃度為廣30%的醋酸化合物溶液。
[0039]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進一步詳細(xì)說明。
[0040]以下各實施例和對比例中，制備與測試所用的儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2602)、電致發(fā)光光譜測試儀(美國photo research公司，型號:PR650)以及屏幕亮度計(北京師范大學(xué)，型號:ST-86LA)。
[0041]實施例1
[0042]先將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除ITO玻璃表面的有機污染物；
[0043]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將ZnO加入到醋酸中，配置質(zhì)量濃度為5%的Zn(Ac)2溶液；其次，將Zn(Ac)2溶液旋涂制備在ITO玻璃的ITO層表面上，控制厚度為IOOnm,然后在100°C烘干,制得Zn(Ac)2材質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0044]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極層；材料分別為:Bphen、TCTA:1r (ppy) 3 (表示Ir (ppy) 3作為客體材料摻雜到TCTA主體材料中，Ir(ppy)3的摻雜質(zhì)量百分比為15%)、TCTA、MoO3和Ag ;厚度分別為60nm、15nm、40nm、30nm 以及 150nm ；
[0045]最后，上述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/ITCVZn(Ac)2/Bphen/TCTA:1r (ppy) 3/TCTA/Mo03/Ag。
[0046]實施例2
[0047]先將IZO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除IZO玻璃表面的有機污染物；
[0048]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將ZnO加入到醋酸中，配置質(zhì)量濃度為30%的Zn(Ac)2溶液；其次，將Zn(Ac)2溶液旋涂制備在IZO玻璃的IZO層表面上，控制厚度為200nm,然后在100°C烘干,制得Zn (Ac) 2材質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0049]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層(材料為TPBi，厚度為80nm)、發(fā)光層(材料為Ir (MDQ)2(acac)作為客體材料摻雜到NPB主體材料中，表示為NPB:1r (MDQ)2(acac), Ir (MDQ)2 (acac)的摻雜質(zhì)量百分比為1% ;厚度為2nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為60nm)、空穴注入層(材料為WO3,厚度為20nm)和陽極層(材料為Al，厚度為 250nm)；
[0050]上述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/IZ0/Zn(Ac)2/TPBi/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /NPB/W03/A1。
[0051]實施例3
[0052]先將IZO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除IZO玻璃表面的有機污染物；
[0053]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將CaO加入到醋酸中，配置質(zhì)量濃度為1%的Ca (Ac) 2溶液；其次，將Ca (Ac) 2溶液旋涂制備在IZO玻璃的IZO層表面上，控制厚度為10nm，然后在100°C烘干，制得Ca(Ac)2M質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0054]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層(材料為Bphen，厚度為80nm);發(fā)光層(材料為Firpic作為客體材料摻雜到TAPC主體材料中，表示為TAPC: Firpic，F(xiàn)irpic的摻雜質(zhì)量百分比為18% ;厚度為30nm)、空穴傳輸層(材料為TCTA，厚度為20nm)、空穴注入層(材料為V2O5,厚度為80nm)和陽極層(材料為Au，厚度為120nm)；
[0055]述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/IZ0/Ca(Ac)2/Bphen/TAPC:Firpic/TCTA/V205/Au。
[0056]實施例4
[0057]先將AZO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除AZO玻璃表面的有機污染物；
[0058]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將MgO加入到醋酸中，配置質(zhì)量濃度為20%的Mg(Ac)2溶液；其次，將18“(:)2溶液旋涂制備在AZO玻璃的AZO層表面上，控制厚度為80nm，然后在100°C烘干，制得Mg(Ac)2M質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0059]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層(材料為TAZ，厚度為45nm);發(fā)光層(材料為Ir (ppy) 3作為客體材料摻雜到NPB主體材料中，表示為NPB:1r (ppy) 3, Ir (ppy) 3的摻雜質(zhì)量百分比為8% ;厚度為15nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為20nm)、空穴注入層(材料為WO3，厚度為80nm)和陽極層(材料為Pt，厚度為80nm)；
[0060]述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/AZO/Mg (Ac) 2/TAZ/NPB:1r (ppy) 3/NPB/W03/Pt。
[0061]實施例5
[0062]先將IZO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除IZO玻璃表面的有機污染物；
[0063]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將CaO加入醋酸中，配置質(zhì)量濃度為1%的Ca (Ac) 2溶液，其次，將Ca (Ac) 2溶液旋涂制備在IZO玻璃的IZO層表面上，控制厚度為10nm，然后在100°C烘干，制得Ca(Ac)2M質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0064]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層(材料為Bphen，厚度為80nm);發(fā)光層(材料為Ir(ppy)3作為客體材料摻雜到TAPC主體材料中，表示為TAPCiIr (ppy) 3, Ir (ppy) 3的摻雜質(zhì)量百分比為18%;厚度為30nm)、空穴傳輸層(材料為TCTA，厚度為20nm)、空穴注入層(材料為V2O5,厚度為80nm)和陽極層(材料為Au，厚度為120nm)；
[0065]述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/IZO/Ca(Ac)2/Bphen/TAPC:1r (ppy) 3/TCTA/V205/Au。
[0066]實施例6
[0067]先將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除ITO玻璃表面的有機污染物；
[0068]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將ZnO加入醋酸中，配置質(zhì)量濃度為1%的Zn (Ac) 2溶液；其次，將Zn (Ac) 2溶液旋涂制備在ITO玻璃的ITO層表面上，控制厚度為10nm，然后在100°C烘干，制得Zn(Ac)2M質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0069]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層(材料為TPBi，厚度為80nm);發(fā)光層(材料為Firpic作為客體材料摻雜到TCTA主體材料中，表示為TCTA:Firpic，F(xiàn)irpic的摻雜質(zhì)量百分比為18% ;厚度為30nm)、空穴傳輸層(材料為TCTA，厚度為20nm)、空穴注入層(材料為V2O5,厚度為80nm)和陽極層(材料為Au，厚度為120nm)；
[0070]述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/IT0/Zn(Ac)2/TPBi/TCTA:Firpic/TCTA/V205/Au。
[0071]實施例7
[0072]先將IZO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除IZO玻璃表面的有機污染物；
[0073]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將CaO加入醋酸中，配置質(zhì)量濃度為5%的Ca (Ac) 2溶液；其次，將Ca (Ac) 2溶液旋涂制備在IZO玻璃的ITO層表面上，控制厚度為10nm，然后在100°C烘干，制得Ca(Ac)2M質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0074]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層(材料為Bphen，厚度為80nm);發(fā)光層(材料為Firpic作為客體材料摻雜到NPB主體材料中，表示為NPB:Firpic，F(xiàn)irpic摻雜質(zhì)量百分比為15% ;厚度為35nm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為20nm)、空穴注入層(材料為MoO3,厚度為80nm)和陽極層(材料為Au，厚度為120nm)；
[0075]述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/IZO/Ca(Ac)2/Bphen/NPB:Firpic/NPB/Mo03/Auo
[0076]實施例8
[0077]先將AZO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除AZO玻璃表面的有機污染物；
[0078]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將MgO加入醋酸中，配置質(zhì)量濃度為2%的Mg (Ac) 2溶液；其次，將Mg (Ac) 2溶液旋涂制備在AZO玻璃的AZO層表面上，控制厚度為15nm,然后在100°C烘干，制得Mg(Ac)2M質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0079]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層(材料為TAZ，厚度為80nm);發(fā)光層(材料為Ir (MDQ)2 (acac)作為客體材料摻雜到TAPC主體材料中，表示為TAPC:1r (MDQ) 2 (acac)，Ir (MDQ) 2 (acac)的摻雜質(zhì)量百分比為8% ;厚度為10nm)、空穴傳輸層(材料為TCTA，厚度為30nm)、空穴注入層(材料為V2O5，厚度為80nm)和陽極層(材料為Au，厚度為120nm)；
[0080]述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/AZO/Mg (Ac) 2/TAZ/TAPC:1r (MDQ) 2 (acac) /TCTA/V205/Au。
[0081]實施例9
[0082]先將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除ITO玻璃表面的有機污染物；
[0083]然后，旋涂輔助電子傳輸層:首先將MgO加入醋酸中，配置質(zhì)量濃度為1%的Mg (Ac) 2溶液；其次，將Mg (Ac) 2溶液旋涂制備在ITO玻璃的ITO層表面上，控制厚度為10nm，然后在100°C烘干，制得Mg(Ac)2M質(zhì)的輔助電子傳輸層；
[0084]接著，在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層(材料為Bphen，厚度為60nm);發(fā)光層(材料為Ir (MDQ)2 (acac)作為客體材料摻雜到TCTA主體材料中，表示為TCTA:1r (MDQ)2 (acac)，Ir (MDQ) 2 (acac)的摻雜質(zhì)量百分比為5% ;厚度為30nm)、空穴傳輸層(材料為TAPC，厚度為50nm)、空穴注入層(材料為WO3,厚度為80nm)和陽極層(材料為Al，厚度為 120nm)；[0085]述工藝完成后，制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件:玻璃/IT0/Mg(AC)2/Bphen/TCTA:1r (MDQ) 2 (acac) /TAPC/W03/A1。
[0086]對比例I
[0087]先將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除ITO玻璃表面的有機污染物；
[0088]然后，在ITO玻璃的ITO層表面上依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、和陰極層；材料分別為:Mo03、TCTA、TCTA:1r (PPy)3 (表示Ir (ppy) 3作為客體材料摻雜到TCTA主體材料中，Ir(ppy)3的摻雜質(zhì)量百分比為15%)、Bphen、和Al ;厚度分別為30nm、40nm、15nm、60nm、以及 150nm ；
[0089]上述工藝完成后，制得有機電致發(fā)光器件:玻璃/ITO/MoO/TCTA/TCTA:1r (ppy)3/Bphen/Al。
[0090]圖2為實施例1制得的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件與對比例I制得的有機電致發(fā)光器的電壓與亮度關(guān)系圖；其中，曲線I表示實施例1制得的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件的電壓與亮度曲線；曲線2表示對比例I制得的有機電致發(fā)光器件的電壓與亮度曲線。
[0091]從圖2上可以看到，在不同電壓下，實施例1的制得倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件的亮度都比對比例I的要大，在IOV時，實施例1的亮度為29081cd/m2，而對比例I制得的有機電致發(fā)光器的亮度僅為17234cd/m2 ;這都說明，電子傳輸層在陰極端，避免了激子與金屬電極表面等離子激元波現(xiàn)象的產(chǎn)生，同時，旋涂制備的出算化合物還可以增強光的散射，增強器件的正面發(fā)光強度，進而提高器件的發(fā)光效率。
[0092]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對本發(fā)明專利保護范圍的限制，本發(fā)明的專利保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陰極基底、輔助電子傳輸層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極層；所述輔助電子傳輸層的材質(zhì)為醋酸化合物，所述輔助電子傳輸層的厚度為l(T200nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述醋酸化合物為醋酸鋅、醋酸鈣或醋酸鎂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極基底的材質(zhì)為銦錫氧化物玻璃、摻招的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；該電子傳輸層的厚度為4 (T80nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為客體材料按照質(zhì)量百分比廣20%的比例摻雜到主體材料中；所述客體材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥；所述主體材料為1，1-二 [^[Ν,Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1_萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺；所述發(fā)光層的厚度為為2~30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為1，1-二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺；所述空穴傳輸層的厚度為2(T60nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)選用三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩；所述空穴注入層的厚度為20-80nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極層的材質(zhì)為金屬銀、鋁、鉬或金；所述陽極層的厚度為80-250nm。
9.權(quán)利要求1至8任一所述倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: .51、將陰極基底進行光刻處理，然后清洗，去除陰極基底表面的有機污染物； .52、將質(zhì)量濃度為f30%的醋酸化合物溶液涂覆在陰極基底表面，烘干，制得厚度為.l(T20nm的輔助電子傳輸層；其中，所述輔助電子傳輸層的材質(zhì)為醋酸化合物； .53、在輔助電子傳輸層表面依次層疊蒸鍍電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極層； 上述工藝步驟完成后，制得所述倒置底發(fā)射有機電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L51/56GK103579513SQ201210264217
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月27日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司