專(zhuān)利名稱(chēng)：陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
在液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域中，因高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super DimensionSwitch，AD-SDS，簡(jiǎn)稱(chēng)ADS)型陣列基板具有視角寬等優(yōu)點(diǎn)，所以得到廣泛的使用。ADS技術(shù)主要是通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并増大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)ロ率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
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如圖I和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，ADS型陣列基板包括多個(gè)像素単元，每ー個(gè)像素単元中，在玻璃基板上首先制作有根據(jù)圖形由柵極層做出的柵極線(xiàn)(Gate) 05，在柵極層的上方為均勻沉積的柵絕緣層(Gate Insulator) 03，柵絕緣層03的上方設(shè)有具有設(shè)定圖形結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層(active) 07，在半導(dǎo)體層07的上方為制作具有預(yù)定圖形結(jié)構(gòu)的源極(Source) 08和漏極(Drain) 010的源漏極金屬層，在上述源漏極金屬層上方設(shè)有具有制作像素電極01(即板狀電極)的第一透明金屬層(由于第一透明金屬層通常采用ITO材料，因此第一透明金屬層也可稱(chēng)為1st IT0)，在第一透明金屬層的上方為均勻沉積的鈍化層(PVX，SiNx保護(hù)層)04，而在鈍化層04上方為制作具有預(yù)定圖形的公共電極02 (即狹縫電極)的第二透明金屬層(也稱(chēng)為2nd IT0)，其中公共電極02上形成有多個(gè)狹縫結(jié)構(gòu)。ー塊液晶面板存在多個(gè)像素單元，位于液晶面板成像區(qū)域的每ー個(gè)像素單元顯示區(qū)域的像素電極01被后來(lái)制作的多層結(jié)構(gòu)覆蓋，無(wú)法進(jìn)行TFT半導(dǎo)體特性的測(cè)試，因此現(xiàn)有技術(shù)中在整個(gè)液晶面板的邊緣部位設(shè)有專(zhuān)門(mén)用于測(cè)試的檢測(cè)模塊。這些檢測(cè)模塊僅僅生產(chǎn)至像素電極層，位于像素電極上方的多層結(jié)構(gòu)并未制作，因此可以用測(cè)試裝置測(cè)量這些檢測(cè)模塊的像素電極；測(cè)試時(shí)，對(duì)檢測(cè)模塊的像素電極與像素單元的像素電極施加相同的電壓以及電流等條件，通過(guò)測(cè)試檢測(cè)模塊像素電極的半導(dǎo)體特性來(lái)推斷其它像素単元中像素電極的半導(dǎo)體特性。但是，由于檢測(cè)模塊與其它各個(gè)像素単元之間存在電阻等差異因素，通過(guò)測(cè)試檢測(cè)模塊的像素電極得出的測(cè)試結(jié)果與各個(gè)像素単元像素電極的實(shí)際特性有很大差異，不利于對(duì)TFT深入的分析和研討，有時(shí)候甚至無(wú)法確切掌握所設(shè)計(jì)TFT的實(shí)際工作情況到底如何，造成很大的不確定隱患。因此，如何提供一種陣列基板，以提高對(duì)每ー個(gè)單獨(dú)的像素區(qū)域中像素電極測(cè)試的精確性，是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種陣列基板，該陣列基板能夠?qū)γ恳粋€(gè)像素単元的像素電極進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，所以能夠提高對(duì)每ー個(gè)單獨(dú)的像素區(qū)域中像素電極測(cè)試的精確性。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案一種陣列基板，包括多個(gè)像素単元，每ー個(gè)所述像素単元包括第一透明金屬層和第二透明金屬層，所述第一透明金屬層形成像素電極，所述第二透明金屬層形成公共電極，且所述第二透明金屬層位于所述像素単元表面，所述第一透明金屬層與所述第二透明金屬層之間設(shè)有絕緣防護(hù)層；每一個(gè)所述像素単元的像素電極延伸出測(cè)試部，所述第二透明金屬層還形成有與所述測(cè)試部對(duì)應(yīng)的測(cè)試塊，所述測(cè)試塊與所述公共電極相互隔離，所述絕緣防護(hù)層位于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部之間的部分設(shè)有至少ー個(gè)過(guò)孔，所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部通過(guò)所述過(guò)孔電連接。優(yōu)選地，所述過(guò)孔為至少兩個(gè)。優(yōu)選地，所述過(guò)孔內(nèi)填充有連接部，所述連接部與所述測(cè)試塊具有沉積而成的一·體式結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述測(cè)試部與測(cè)試塊所在區(qū)域位于像素単元的顯示區(qū)域之外。優(yōu)選地，所述像素単元中包含有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用頂柵型結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，每ー個(gè)所述像素単元中形成于基板上的數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極，所述源極與相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)電連接；形成于所述基板上、以及所述源極和所述漏極之間的溝道內(nèi)的第一絕緣層；形成于所述源極和漏極上的具有預(yù)定圖形結(jié)構(gòu)的有源層；形成于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述有源層上的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有過(guò)孔；形成于所述第二絕緣層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述第二絕緣層上的過(guò)孔與所述漏極電連接，且所述像素電極延伸出的所述測(cè)試部位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的上方；形成于所述第二絕緣層的第一絕緣防護(hù)層，所述第一絕緣防護(hù)層與所述像素電極同層設(shè)置；形成于所述第一絕緣防護(hù)層上的柵極層；形成于所述柵極層以及所述像素電極上的第二絕緣防護(hù)層，所述第二絕緣防護(hù)層具有過(guò)孔；形成于所述第二透明金屬層上的公共電極以及所述測(cè)試塊，所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部通過(guò)設(shè)置于所述第二絕緣防護(hù)層的過(guò)孔內(nèi)的連接部電連接。優(yōu)選地，所述公共電極為具有狹縫狀結(jié)構(gòu)的透明電極；所述像素電極為板狀的透明電極。優(yōu)選地，所述第一透明金屬層與所述第二透明金屬層的制作材料相同。優(yōu)選地，所述第一透明金屬層具有由氧化銦錫制作而成的板狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中提到的任一種陣列基板。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括在基板上制作源漏極金屬層，并形成相應(yīng)圖形的源極和漏扱，以及形成相應(yīng)圖形的數(shù)據(jù)線(xiàn)；在源漏極金屬層上制作第一絕緣層，并形成相應(yīng)的圖形；在源漏極金屬層上制作有源層； 在有源層上制作第二絕緣層；
在所述第二絕緣層與所述漏極對(duì)應(yīng)位置制作過(guò)孔；在第二絕緣層上制作第一透明金屬層，井形成相應(yīng)圖形的像素電極，所述像素電極與所述漏極通過(guò)第二絕緣層設(shè)置的過(guò)孔電連接，且所述像素電極延伸出測(cè)試部；在第二絕緣層上沉積第一絕緣防護(hù)層；在第一絕緣防護(hù)層上制作柵極層，并形成相應(yīng)圖形的柵線(xiàn)；在柵極層上均勻沉積第二絕緣防護(hù)層；第二絕緣防護(hù)層與數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)應(yīng)位置制作過(guò)孔；在第二絕緣防護(hù)層上制作第二透明金屬層，井形成相應(yīng)圖形的公共電極，以及長(zhǎng)條狀的測(cè)試塊，所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部通過(guò)第二絕緣防護(hù)層設(shè)置的過(guò)孔電連接。
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本發(fā)明提供的陣列基板，包括多個(gè)像素単元，每ー個(gè)所述像素単元包括第一透明金屬層和第二透明金屬層，所述第一透明金屬層形成像素電極，所述第二透明金屬層形成公共電極，且所述第二透明金屬層位于所述像素単元表面，所述第一透明金屬層與所述第ニ透明金屬層之間設(shè)有絕緣防護(hù)層；每一個(gè)所述像素単元均設(shè)有測(cè)試區(qū)域，所述像素電極設(shè)有延伸至所述測(cè)試區(qū)域的測(cè)試部，所述第二透明金屬層在所述測(cè)試區(qū)域還形成有與所述測(cè)試部對(duì)應(yīng)的測(cè)試塊，所述測(cè)試塊與所述公共電極相互隔離，所述絕緣防護(hù)層位于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部之間的部分設(shè)有至少ー個(gè)過(guò)孔，所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部通過(guò)所述過(guò)孔電連接。本發(fā)明提供的陣列基板中，像素電極通過(guò)測(cè)試部與第二透明金屬層的測(cè)試塊之間的過(guò)孔連接將像素電極的測(cè)試點(diǎn)引至陣列基板表面，在具體測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試裝置可以通過(guò)測(cè)試每ー個(gè)像素単元中位于測(cè)試區(qū)域內(nèi)的測(cè)試塊便可得到該像素単元中位于顯示區(qū)域的像素電極的半導(dǎo)體特性。所以，本發(fā)明提供的陣列基板能夠?qū)γ恳粋€(gè)像素単元的像素電極進(jìn)行単獨(dú)測(cè)試，所以能夠提高對(duì)每ー個(gè)單獨(dú)的像素區(qū)域中像素電極測(cè)試的精確性。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中ADS型陣列基板中一個(gè)像素単元的顯示區(qū)域的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板中的像素単元的平面示意圖；圖3為本發(fā)明提供的ADS型陣列基板中的像素單元的顯示區(qū)域的一種側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明提供的陣列基板中的像素単元的平面示意圖；圖5為本發(fā)明提供的陣列基板中的像素単元中測(cè)試區(qū)域的截面圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)結(jié)合圖3參考圖4和圖5，其中，圖3為本發(fā)明提供的ADS型陣列基板中ー個(gè)像素単元的顯示區(qū)域的ー種側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明提供的陣列基板的一個(gè)像素単元中各部分的分布示意圖；圖5為本發(fā)明提供的陣列基板的一個(gè)像素単元中測(cè)試區(qū)域的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明提供的陣列基板，包括多個(gè)像素単元，每ー個(gè)像素単元包括第一透明金屬層和第二透明金屬層2，第一透明金屬層形成像素電極1，第二透明金屬層2形成公共電極20，第二透明金屬層2位于像素単元表面，第一透明金屬層與第二透明金屬層2之間設(shè)有絕緣防護(hù)層；每ー個(gè)像素単元均設(shè)有測(cè)試區(qū)域A，如圖4中所示測(cè)試區(qū)域A，像素電極I設(shè)有延伸至測(cè)試區(qū)域A的測(cè)試部102，第二透明金屬層2在測(cè)試區(qū)域A形成與測(cè)試部102對(duì)應(yīng)的測(cè)試塊4，測(cè)試塊4與公共電極20相互隔離，絕緣防護(hù)層位于測(cè)試塊4與測(cè)試部102之間的部分設(shè)有至少ー個(gè)過(guò)孔3，測(cè)試塊4與測(cè)試部102通過(guò)過(guò)孔3電連接，如圖4和圖5所示。如圖3和圖4所示，在本實(shí)施例中，公共電極20為具有狹縫狀結(jié)構(gòu)的透明電極，像素電極I為板狀的透明電極。
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本發(fā)明提供的陣列基板中，像素電極I通過(guò)測(cè)試部102與第二透明金屬層2的測(cè)試塊4之間的過(guò)孔3連接將像素電極I的測(cè)試點(diǎn)引至陣列基板表面，在具體測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試裝置8的探針81可以通過(guò)測(cè)試每一個(gè)像素単元中位于測(cè)試區(qū)域A內(nèi)的測(cè)試塊4便可得到該像素單元中位于顯示區(qū)域D的像素電極I的半導(dǎo)體特性。所以，本發(fā)明提供的陣列基板能夠?qū)γ恳粋€(gè)像素単元的像素電極I進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，所以能夠提高對(duì)每ー個(gè)單獨(dú)的像素區(qū)域中像素電極I測(cè)試的精確性。進(jìn)ー步地，為了保證測(cè)試塊4與測(cè)試部102之間電連接的穩(wěn)定性，上述技術(shù)方案中提到的絕緣防護(hù)層13位于測(cè)試塊4與測(cè)試部102之間的部分設(shè)置的過(guò)孔3為至少兩個(gè)，測(cè)試塊4與測(cè)試部102之間通過(guò)每ー個(gè)過(guò)孔3電連接。過(guò)孔3設(shè)置為至少兩個(gè)，可以預(yù)防測(cè)試塊4與測(cè)試部102之間的電連接出現(xiàn)虛接的不良，只要至少兩個(gè)過(guò)孔3中的一個(gè)連接良好則可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試塊4與測(cè)試部102之間的電連接。如圖4和圖5所示，具體的，上述過(guò)孔3內(nèi)填充有連接部21，連接部21與測(cè)試部102和測(cè)試塊4具有沉積而成的一體式結(jié)構(gòu)。測(cè)試部102與測(cè)試塊4之間通過(guò)與兩者具有沉積而生的一體式結(jié)構(gòu)的連接部21電連接，增加了測(cè)試部102與測(cè)試塊4電連接的穩(wěn)定性。更近一歩地，測(cè)試區(qū)域A與每ー個(gè)像素単元的顯示區(qū)域D不重疊，如圖4中所示測(cè)試區(qū)域A和顯示區(qū)域D，即測(cè)試部102與測(cè)試塊4位于像素単元的顯示區(qū)域D之外；這樣能夠避免測(cè)試區(qū)域A對(duì)顯示區(qū)域D的影響，從而保證陣列基板中每ー個(gè)像素単元的顯示效果。優(yōu)選地，上述陣列基板的像素単元內(nèi)包含有薄膜晶體管，且所述薄膜晶體管采用頂柵型結(jié)構(gòu)?；谏鲜黾夹g(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例提供了 ADS陣列基板的ー種具體結(jié)構(gòu)，如圖3、圖4和圖5所示，陣列基板的每ー個(gè)像素単元中形成于基板9上的數(shù)據(jù)線(xiàn)6、源極10和漏極11，源極10與相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)6電連接；形成于基板9上、以及源極10和漏極11之間的溝道填內(nèi)的第一絕緣層14;形成于源極10和漏極11上的具有預(yù)定圖形結(jié)構(gòu)的有源層7;形成于數(shù)據(jù)線(xiàn)6和有源層7上的為第二絕緣層12，第二絕緣12層具有過(guò)孔；
形成于第二絕緣層12上的像素電極I，像素電極I通過(guò)第二絕緣層12上的過(guò)孔與漏極11電連接，且像素電極I延伸出的測(cè)試部102位于數(shù)據(jù)線(xiàn)6的上方；形成于第二絕緣層12的第一絕緣防護(hù)層132，第一絕緣防護(hù)層132與像素電極I同層設(shè)置；形成于第一絕緣防護(hù)層132上的柵極層5 ；形成于柵極層5以及像素電極I上的第二絕緣防護(hù)層131，第二絕緣防護(hù)層131具有過(guò)孔3 ；形成于第二絕緣防護(hù)層131上的公共電極20以及測(cè)試塊4，測(cè)試塊4與測(cè)試部102通過(guò)設(shè)置于第二絕緣防護(hù)層131設(shè)置的過(guò)孔2內(nèi)的連接部21電連接。上述技術(shù)方案中，柵極層5位于第一絕緣防護(hù)層132和第二絕緣防護(hù)層131之間，·從而保證柵極層5與像素電極I、數(shù)據(jù)線(xiàn)6等之間的絕緣性，且第一透明金屬層形成的像素電極I、以及由像素電極I延伸出的測(cè)試部102位于第二絕緣防護(hù)層131下方，第二透明金屬層2形成的公共電極20以及與上述測(cè)試部102相対的測(cè)試塊4位于第二絕緣防護(hù)層131上方，測(cè)試部102與測(cè)試塊4通過(guò)填充于第二絕緣防護(hù)層131形成的過(guò)孔3中的連接部21電連接，因此，上述結(jié)構(gòu)的陣列基板中，像素電極I通過(guò)測(cè)試部102與第二透明金屬層2的測(cè)試塊4之間的過(guò)孔3連接，將像素電極I的測(cè)試點(diǎn)引至陣列基板表面，在具體測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試裝置8的探針81可以通過(guò)測(cè)試每一個(gè)像素単元中位于測(cè)試區(qū)域A內(nèi)的測(cè)試塊4便可得到該像素単元中位于顯示區(qū)域D的像素電極I的半導(dǎo)體特性。優(yōu)選地，第一透明金屬層與第二透明金屬層2的制作材料相同。第一透明金屬層與第二通明金屬層2具有相同的材料，所以，像素電極I的測(cè)試部102與第二透明絕緣層2形成的測(cè)試塊4之間的電阻較小，進(jìn)ー步提高了像素電極I測(cè)試的精確性。更優(yōu)選地，第一透明金屬層具有由氧化銦錫制作而成的板狀結(jié)構(gòu)。即第一透明金屬層和第二透明金屬層2的制作材料均為氧化銦錫。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案中提到的任一種陣列基板。該顯示裝置可以是液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括在基板9上制作源漏極金屬層，井形成相應(yīng)圖形的源極10和漏極11，以及形成相應(yīng)圖形的數(shù)據(jù)線(xiàn)6;在源漏極金屬層上制作第一絕緣層14，并形成相應(yīng)的圖形；在源漏極金屬層上制作有源層7 ；在有源層7上制作第二絕緣層12 ；在第二絕緣層12與漏極11對(duì)應(yīng)位置制作過(guò)孔；在第二絕緣層12上制作第一透明金屬層，并形成相應(yīng)圖形的像素電極1，像素電極I與漏極11通過(guò)第二絕緣層12設(shè)置的過(guò)孔電連接，且像素電極I延伸出測(cè)試部102 ；在第二絕緣層12上沉積第一絕緣防護(hù)層132 ；在第一絕緣防護(hù)層132上制作柵極層5，并形成相應(yīng)圖形的柵線(xiàn)；在柵極層5上均勻沉積第二絕緣防護(hù)層131 ；第二絕緣防護(hù)層131與數(shù)據(jù)線(xiàn)6對(duì)應(yīng)位置制作過(guò)孔3 ；
在第二絕緣防護(hù)層131上制作第二透明金屬層2，并形成相應(yīng)圖形的公共電極20，以及長(zhǎng)條狀的測(cè)試塊4，測(cè)試塊4與測(cè)試部102通過(guò)第二絕緣防護(hù)層131設(shè)置的過(guò)孔3電連接。通過(guò)上述方法制作的陣列基板中，柵極層5位于第一絕緣防護(hù)層132和第二絕緣防護(hù)層131之間，從而保證柵極層5與像素電極I、數(shù)據(jù)線(xiàn)6等之間的絕緣性，且第一透明金屬層形成的像素電極I、以及由像素電極I延伸出的測(cè)試部102位于第二絕緣防護(hù)層131下方，第二透明金屬層2形成的公共電極20以及與上述測(cè)試部102相対的測(cè)試塊4位于第ニ絕緣防護(hù)層131上方，測(cè)試部102與測(cè)試塊4通過(guò)填充于第二絕緣防護(hù)層131形成的過(guò)孔3中的連接部21電連接，因此，上述結(jié)構(gòu)的陣列基板中，像素電極I通過(guò)測(cè)試部102與第ニ透明金屬層2的測(cè)試塊4之間的過(guò)孔3連接，將像素電極I的測(cè)試點(diǎn)引至陣列基板表面，在具體測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試裝置8的探針81可以通過(guò)測(cè)試每一個(gè)像素単元中位于測(cè)試區(qū)域A內(nèi)的測(cè)試塊4便可得到該像素單元中位于顯示區(qū)域D的像素電極I的半導(dǎo)體特性。
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顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括多個(gè)像素單元，每一個(gè)所述像素單元包括第一透明金屬層和第二透明金屬層，所述第一透明金屬層形成像素電極，所述第二透明金屬層形成公共電極，且所述第二透明金屬層位于所述像素單元表面，所述第一透明金屬層與所述第二透明金屬層之間設(shè)有絕緣防護(hù)層；其特征在于，每一個(gè)所述像素單元的像素電極延伸出測(cè)試部，所述第二透明金屬層還形成有與所述測(cè)試部對(duì)應(yīng)的測(cè)試塊，所述測(cè)試塊與所述公共電極相互隔離，所述絕緣防護(hù)層位于所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部之間的部分設(shè)有至少一個(gè)過(guò)孔，所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部通過(guò)所述過(guò)孔電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述過(guò)孔為至少兩個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述過(guò)孔內(nèi)填充有連接部，所述連接部與所述測(cè)試塊具有沉積而成的一體式結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述測(cè)試部與測(cè)試塊所在區(qū)域位于像素單元的顯示區(qū)域之外。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元中包含有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用頂柵型結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，每一個(gè)所述像素單元中 形成于基板上的數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極，所述源極與相鄰的數(shù)據(jù)線(xiàn)電連接； 形成于所述基板上、以及所述源極和所述漏極之間的溝道內(nèi)的第一絕緣層； 形成于所述源極和漏極上的具有預(yù)定圖形結(jié)構(gòu)的有源層； 形成于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述有源層上的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有過(guò)孔； 形成于所述第二絕緣層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述第二絕緣層上的過(guò)孔與所述漏極電連接，且所述像素電極延伸出的所述測(cè)試部位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的上方； 形成于所述第二絕緣層的第一絕緣防護(hù)層，所述第一絕緣防護(hù)層與所述像素電極同層設(shè)置； 形成于所述第一絕緣防護(hù)層上的柵極層； 形成于所述柵極層以及所述像素電極上的第二絕緣防護(hù)層，所述第二絕緣防護(hù)層具有過(guò)孔； 形成于所述第二透明金屬層上的公共電極以及所述測(cè)試塊，所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部通過(guò)設(shè)置于所述第二絕緣防護(hù)層的過(guò)孔內(nèi)的連接部電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極為具有狹縫狀結(jié)構(gòu)的透明電極；所述像素電極為板狀的透明電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明金屬層與所述第二透明金屬層的制作材料相同。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 在基板上制作源漏極金屬層，并形成相應(yīng)圖形的源極和漏極，以及形成相應(yīng)圖形的數(shù)據(jù)線(xiàn)； 在源漏極金屬層上制作第一絕緣層，并形成相應(yīng)的圖形； 在源漏極金屬層上制作有源層； 在有源層上制作第二絕緣層；在所述第二絕緣層與所述漏極對(duì)應(yīng)位置制作過(guò)孔； 在第二絕緣層上制作第一透明金屬層，并形成相應(yīng)圖形的像素電極，所述像素電極與所述漏極通過(guò)第二絕緣層設(shè)置的過(guò)孔電連接，且所述像素電極延伸出測(cè)試部； 在第二絕緣層上沉積第一絕緣防護(hù)層； 在第一絕緣防護(hù)層上制作柵極層，并形成相應(yīng)圖形的柵線(xiàn)； 在柵極層上均勻沉積第二絕緣防護(hù)層； 第二絕緣防護(hù)層與數(shù)據(jù)線(xiàn)對(duì)應(yīng)位置制作過(guò)孔； 在第二絕緣防護(hù)層上制作第二透明金屬層，并形成相應(yīng)圖形的公共電極，以及長(zhǎng)條狀的測(cè)試塊，所述測(cè)試塊與所述測(cè)試部通過(guò)第二絕緣防護(hù)層設(shè)置的過(guò)孔電連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板，該陣列基板的像素單元設(shè)有測(cè)試區(qū)域，該像素單元的像素電極在測(cè)試區(qū)域內(nèi)通過(guò)過(guò)孔連接與位于陣列基板表面的第二透明金屬層形成的測(cè)試塊電連接，從而將像素單元的像素電極的測(cè)試點(diǎn)引至陣列基板的表面，測(cè)試裝置可以通過(guò)測(cè)試每一個(gè)像素單元中位于測(cè)試區(qū)域內(nèi)的測(cè)試塊便可得到該像素單元中位于顯示區(qū)域的像素電極的半導(dǎo)體特性，所以本發(fā)明提供的陣列基板能夠?qū)γ恳粋€(gè)像素單元的像素電極進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，所以能夠提高對(duì)每一個(gè)單獨(dú)的像素區(qū)域中像素電極測(cè)試的精確性。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，以及一種包括上述陣列基板的顯示裝置。
文檔編號(hào)H01L23/544GK102790051SQ201210265530
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月27日
發(fā)明者吳昊, 尹巖巖, 王磊, 陳雅娟 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司