專利名稱：多晶硅tft、多晶硅陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及ー種多晶硅TFT、多晶硅陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,以下簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗較低、制造成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，在當(dāng)前平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。其中采用低溫多晶娃(LowTemperature Poly-Silicon,以下簡(jiǎn)稱 LTPS)的 TFT,因?yàn)長(zhǎng)TPS的遷移率較高等優(yōu)點(diǎn)，可以進(jìn)一歩降低成 本，降低不良率，并且可以提高TFT的性能。但是在現(xiàn)有技術(shù)中，在制備LTPS-TFT的過程中，為保證所制備的N型和P型的LTPS-TFT的性能良好，需要進(jìn)行至少7-9次的曝光顯影過程，這樣ー來，不僅增加了制備LTPS-TFT的流程，還增加了需要準(zhǔn)備掩膜版的數(shù)量，エ藝流程過于復(fù)雜且成本過高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供ー種エ藝簡(jiǎn)單，成本較低的多晶硅TFT、多晶硅陣列基板及其制備方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一方面，本發(fā)明提供了ー種多晶硅TFT的制備方法，所述多晶硅TFT包括摻雜區(qū)域，包括如下步驟在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖エ藝形成有源層；形成第一絕緣層；采用構(gòu)圖エ藝在以后步驟中形成源電極和漏電極的預(yù)設(shè)位置形成露出有源層的過孔；采用摻雜エ藝通過所述過孔對(duì)所述有源層進(jìn)行摻雜，形成摻雜區(qū)域；形成源漏金屬層，采用構(gòu)圖エ藝形成源電極和漏電極。上述多晶硅TFT的制備方法，還包括形成柵金屬層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極；在形成柵極的基板上形成第二絕緣層。具體地，所述多晶硅TFT為N-TFT，所述摻雜區(qū)域?yàn)镹型摻雜區(qū)域。優(yōu)選地，所述摻雜元素為磷、神、銻中ー種或幾種混合。具體地，所述多晶硅TFT為P-TFT，所述摻雜區(qū)域?yàn)镻型摻雜區(qū)域。優(yōu)選地，所述摻雜元素為硼、銦中的ー種或兩種混合。本發(fā)明還提供一種采用上述制備方法得到的多晶硅TFT。本發(fā)明還提供一種多晶硅陣列基板，包括上述的多晶硅TFT。本發(fā)明還提供一種多晶硅陣列基板的制備方法，所述多晶硅陣列基板包括N-TFT和P-TFT，所述N-TFT包括N型摻雜區(qū)域，所述P-TFT包括P型摻雜區(qū)域，包括如下步驟在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖エ藝形成有源層，通過第一次摻雜エ藝對(duì)N-TFT或P-TFT的有源層進(jìn)行摻雜，形成N型摻雜區(qū)域或P型摻雜區(qū)域；形成第一絕緣層；采用構(gòu)圖エ藝在以后步驟中形成的N-TFT的源電極和漏電極、P-TFT的源電極和漏電極的預(yù)設(shè)位置形成過孔；采用第二次摻雜エ藝通過所述過孔對(duì)露出的有 源層區(qū)域進(jìn)行摻雜，形成P型摻雜區(qū)域或N型摻雜區(qū)域，所述第二次摻雜エ藝的元素?fù)诫s量小于第一次摻雜エ藝中的元素?fù)?br> 雜量;形成源漏金屬層，采用構(gòu)圖エ藝形成源電極和漏電極。具體地，還包括形成柵金屬層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極；在形成柵極的基板上形成第二絕緣層。優(yōu)選地，第二次摻雜エ藝的元素?fù)诫s量為第一次摻雜エ藝中的元素?fù)诫s量的1/3 2/3。優(yōu)選地，第二次摻雜エ藝的元素?fù)诫s量為第一次摻雜エ藝中的元素?fù)诫s量的1/2。優(yōu)選地，在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖エ藝形成有源層，通過第一次摻雜エ藝對(duì)N-TFT或P-TFT的有源層進(jìn)行摻雜，形成N型摻雜區(qū)域或P型摻雜區(qū)域的步驟中，所述構(gòu)圖エ藝包括半色調(diào)掩膜エ藝、灰階掩膜エ藝或單狹縫掩膜エ藝。優(yōu)選地,上述方法還包括形成第三絕緣層，采用構(gòu)圖エ藝在以后步驟中形成像素電極與TFT的漏極預(yù)設(shè)的連接位置形成過孔。優(yōu)選地,上述方法還包括形成透明導(dǎo)電層，采用構(gòu)圖エ藝形成像素電極。優(yōu)選地，在形成多晶硅層之前還包括在基板上形成緩沖層。優(yōu)選地，所述N-TFT的N型摻雜區(qū)域的摻雜元素為磷、神、銻中ー種或幾種混合。優(yōu)選地，所述P-TFT的P型摻雜區(qū)域的摻雜元素為硼、銦中的ー種或兩種混合。本發(fā)明還提供一種采用上述制備方法得到的多晶硅陣列基板。本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的多晶硅陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的ー種多晶硅TFT、多晶硅陣列基板及其制備方法，通過過孔進(jìn)行摻雜エ藝，形成有源層兩側(cè)的摻雜區(qū)域，以形成對(duì)應(yīng)的TFT，從而避免了需要設(shè)置專用的掩膜版進(jìn)行摻雜エ藝，減少了制備TFT陣列基板時(shí)所使用的掩膜版的數(shù)量，降低了生產(chǎn)成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的ー些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的多晶硅TFT的制備方法的流程圖；圖2 圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的多晶硅TFT各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另ー種多晶硅TFT的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種多晶硅陣列基板的制備方法的流程圖；圖11 圖20為本發(fā)明實(shí)施例提供的多晶硅陣列基板各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例TFT陣列 基板、顯示裝置及TFT陣列基板制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例Iー種多晶硅TFT的制備方法，如圖I所示，包括如下步驟SI、在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖エ藝形成有源層。構(gòu)圖エ藝一般包括光刻膠涂覆、采用掩膜エ藝進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕等エ藝。在進(jìn)行TFT陣列基板的制備之前，首先對(duì)基板I進(jìn)行清洗，從而除凈基板I上的灰塵，以避免灰塵造成所制備的TFT的性能的變差等，所述基板I可以為塑料基板或玻璃基板，其中玻璃基板可用于制備硬質(zhì)陣列基板，塑料基板可以用于制備軟質(zhì)陣列基板。清洗完成后，在基板上形成多晶硅層，多晶硅層可以通過在基板上直接形成多晶硅層的方法，也可采用先在基板上形成非晶硅(a-Si)層，然后再對(duì)非晶硅層進(jìn)行晶化處理以得到多晶硅層。直接形成多晶硅層或非晶硅層的方法具體可以采用化學(xué)氣相沉積等。形成多晶硅層后，采用構(gòu)圖エ藝形成有源層2。該構(gòu)圖エ藝具體包括以下步驟S101、在形成有多晶硅層的基板上涂覆光刻膠；S102、采用掩膜エ藝對(duì)所述涂覆有光刻膠的基板進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻完全膠保留區(qū)域和光刻膠完全不保留區(qū)域；S103、采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū)域的多晶硅層進(jìn)行刻蝕，形成多晶硅TFT的有源層2。S104、去除剩余的光刻膠。形成的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。S2、形成第一絕緣層3。在形成有源層的基板上形成第一絕緣層3，該第一絕緣層3可以采用旋涂、化學(xué)氣相沉積等方法制備。形成的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示。S3、形成柵金屬層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極4。采用化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射法在形成第一絕緣層的基板上形成柵金屬層。采用構(gòu)圖エ藝形成柵極4，該構(gòu)圖エ藝具體包括以下步驟S301、在柵金屬層上涂覆光刻膠；S302、對(duì)所述涂覆有光刻膠的基板進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全不保留區(qū)域；S303、采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū)域的柵金屬層進(jìn)行刻蝕，形成柵極4。S304、去除剩余的光刻膠。形成的結(jié)構(gòu)示意圖如圖4所示。S4、形成第二絕緣層5。在經(jīng)過S3步驟的基板上形成第二絕緣層5，該第二絕緣層5可采用旋涂、化學(xué)氣相沉積等エ藝制備。形成的結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示。S5、采用構(gòu)圖エ藝在以后步驟中形成源電極和漏 電極的預(yù)設(shè)位置形成露出有源層的過孔。在經(jīng)過S4步驟的基板上采用構(gòu)圖エ藝形成過孔6，該構(gòu)圖エ藝具體包括以下步驟S501、在經(jīng)過S4步驟的基板上涂覆光刻膠；S502、采用掩膜エ藝對(duì)所述涂覆有光刻膠的基板進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全不保留區(qū)域；S503、采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū)域的第一絕緣層3和第二絕緣層5進(jìn)行刻蝕，形成過孔6，該過孔貫穿所述第一絕緣層3和第二絕緣層5。S504、去除剩余的光刻膠。形成的結(jié)構(gòu)示意圖如圖6所示。S6、采用摻雜エ藝通過過孔對(duì)所述有源層進(jìn)行摻雜，形成摻雜區(qū)域201。本步驟中的摻雜エ藝具體可以采用離子注入等方法實(shí)現(xiàn)。摻雜后形成的結(jié)構(gòu)如圖7所示。S7、形成源漏金屬層，采用構(gòu)圖エ藝形成源電極和漏電極。在經(jīng)過摻雜エ藝的基板上形成源漏金屬層，具體可以采用濺射等方法實(shí)現(xiàn)。之后采用構(gòu)圖エ藝形成源電極和漏電極，該源電極和漏電極通過步驟S5中形成的過孔與有源層的摻雜區(qū)域連接。該構(gòu)圖エ藝具體包括S701、在形成源漏金屬層的基板上涂覆光刻膠；S702、采用掩膜エ藝對(duì)所述涂覆有光刻膠的基板進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全不保留區(qū)域；S703、采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成源電極7和漏電極8。上述多晶硅TFT可以是N-TFT或P-TFT。當(dāng)為N-TFT時(shí)，摻雜區(qū)域?yàn)镹型摻雜區(qū)域，摻雜元素具體可以采用磷、神、銻中ー種或幾種混合；當(dāng)為P-TFT時(shí)，摻雜區(qū)域?yàn)镻型摻雜區(qū)域，摻雜元素具體可以采用為硼、銦中的ー種或兩種混合。S704、去除剩余的光刻膠。形成的結(jié)構(gòu)示意圖如圖8所示。本發(fā)明提供的實(shí)施例，也可先制備TFT的源電極和漏電極，之后再制備柵極和第ニ絕緣層，具體的制備方法與上述步驟中相同，在此不再贅述，形成的結(jié)構(gòu)如圖9所示。另外，本發(fā)明還提供了一種通過上述多晶硅TFT的制備方法得到的多晶硅TFT，多晶硅TFT的結(jié)構(gòu)如圖8或圖9所示。
與上述多晶硅TFT對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明還提供ー種包括上述多晶硅TFT的多晶硅陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的ー種多晶硅TFT的制備方法和多晶硅TFT，通過過孔進(jìn)行摻雜エ藝，形成有源層兩側(cè)的摻雜區(qū)域，以形成對(duì)應(yīng)的TFT，從而避免了需要設(shè)置專用的掩膜版進(jìn)行摻雜エ藝，減少了制備TFT陣列基板時(shí)所使用的掩膜版的數(shù)量，降低了生產(chǎn)成本。實(shí)施例2與上述ー種多晶硅TFT的制備方法相對(duì)應(yīng)，本發(fā)明還提供了一種多晶硅陣列基板的制備方法，所述多晶硅陣列基板包括N-TFT和P-TFT，所述N-TFT包括N型摻雜區(qū)域，所述P-TFT包括P型摻雜區(qū)域，具體的，在像素區(qū)域2和周邊驅(qū)動(dòng)區(qū)域3，分別可以形成N-TFT或P-TFT，像素區(qū)域2和周邊驅(qū)動(dòng)區(qū)域3可形成相同類型的多晶 硅TFT，也可形成不同類型的多晶硅TFT。在本應(yīng)用場(chǎng)景中，在周邊驅(qū)動(dòng)區(qū)域3形成P-TFT，在像素區(qū)域2形成N-TFT，但可以根據(jù)實(shí)際需要調(diào)整形成的TFT類型和位置，在此不作限定。如圖10所示，包括如下步驟Al、在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖エ藝形成有源層，通過第一次摻雜エ藝對(duì)N-TFT或P-TFT的有源層進(jìn)行摻雜，形成N型摻雜區(qū)域或P型摻雜區(qū)域。在基板I上形成多晶硅層的方法可以采用在基板上直接形成多晶硅層的方法，也可采用先在基板上形成非晶硅(a-Si)層，然后再對(duì)非晶硅進(jìn)行晶化處理以得到多晶硅層。采用構(gòu)圖エ藝形成有源層，該構(gòu)圖エ藝具體包括AlOI、在形成多晶硅層的基板上涂覆光刻膠；A102、對(duì)涂覆有光刻膠的基板采用掩膜エ藝進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域403、光刻膠部分保留區(qū)域402和光刻膠完全不保留區(qū)域401，采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū)域401的多晶硅層進(jìn)行刻蝕，形成N-TFT的有源層201和P-TFT的有源層301，如圖11所示。步驟A102中掩膜エ藝具體可以采用半色調(diào)掩膜エ藝、灰階掩膜エ藝或單狹縫掩膜エ藝實(shí)現(xiàn)。A103、去除部分保留區(qū)域402的光刻膠，具體可以采用灰化工藝實(shí)現(xiàn)。A104、采用摻雜エ藝對(duì)步驟A103中去除光刻膠部分保留區(qū)域402后露出的有源層進(jìn)行摻雜，形成摻雜區(qū)域202。具體摻雜エ藝可以采用離子注入等方法。若先形成N型摻雜區(qū)域，則該步驟中的摻雜元素可以是磷、神、銻中ー種或幾種混合；若先形成P型摻雜區(qū)域，則該步驟中的摻雜元素可以是硼、銦中的ー種或兩種混合。P型摻雜區(qū)域和N型摻雜區(qū)域的形成順序?qū)Ρ緦?shí)施例提供的方法沒有影響，只需將摻雜元素?fù)Q成與摻雜區(qū)域?qū)?yīng)的元素即可，在此不再贅述，以下各步驟的介紹均以先形成N-TFT的N型摻雜區(qū)域?yàn)槔M(jìn)行說明。如圖12所示。A105、去除剩余的光刻膠，形成帶有N型摻雜區(qū)域202的N-TFT的有源層201和P-TFT的有源層301。形成的結(jié)構(gòu)如圖13所示。A2、形成第一絕緣層。在形成有源層的基板上形成第一絕緣層5，該第一絕緣層5可以采用旋涂、化學(xué)氣相沉積等方法制備。形成的結(jié)構(gòu)示意圖如圖14所示。
A3、形成柵金屬層，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極。在形成第一絕緣層5的基板上形成柵金屬層，形成柵金屬層的方法具體可以采用濺射或化學(xué)氣相沉積等。形成柵金屬層后，采用構(gòu)圖エ藝形成柵極，該構(gòu)圖エ藝具體包括以下步驟A301、在形成有柵金屬層的基板上涂覆光刻膠；A302、采用掩膜エ藝對(duì)涂覆有光刻膠的基板進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全不保留區(qū)域。A303、采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū) 域的柵金屬層進(jìn)行刻蝕，形成柵極203、303。形成的結(jié)構(gòu)如圖15所示。A4、形成第二絕緣層。在形成柵極的基板上形成第二絕緣層6，該第二絕緣層6可以采用旋涂等方法制備。形成的結(jié)構(gòu)如圖16所示。A5、采用構(gòu)圖エ藝在以后步驟中形成N-TFT的源電極和漏電極、P-TFT的源電極和漏電極的預(yù)設(shè)位置形成過孔，所述N-TFT的源電極和漏電極通過所述過孔與所述N-TFT的有源層連接，所述P-TFT的源電極和漏電極通過所述過孔與所述P-TFT的有源層連接；該構(gòu)圖エ藝具體包括如下步驟A501、在形成有第二絕緣層的基板上涂覆光刻膠；A502、采用掩膜エ藝對(duì)涂覆有光刻膠的基板進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全不保留區(qū)域；A503、采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū)域的第一絕緣層和第二絕緣層進(jìn)行刻蝕，在以后步驟中形成N-TFT的源電極和漏電極、P-TFT的源電極和漏電極的預(yù)設(shè)位置形成過孔204、205、304和305。N-TFT的源電極和漏電極通過過孔204和205與N-TFT的有源層連接；P_TFT的源電極和漏電極通過過孔304和305與P-TFT的有源層。A504、去除剩余的光刻膠。形成的結(jié)構(gòu)如圖17所示。A6、采用第二次摻雜エ藝通過所述過孔對(duì)所述有源層進(jìn)行摻雜，形成P型摻雜區(qū)域或N型摻雜區(qū)域；形成的結(jié)構(gòu)如圖18所示。本步驟的介紹以在Al步驟中形成的是N型摻雜區(qū)域，本步驟中形成P型摻雜區(qū)域?yàn)槔M(jìn)行說明。第二次摻雜エ藝具體可以采用離子注入等方法實(shí)現(xiàn)。利用第一絕緣層5、第二絕緣層6和柵極203、303的阻擋作用，在沒有掩膜版的條件下，通過過孔304、305對(duì)P-TFT的有源層進(jìn)行摻雜，形成P型摻雜區(qū)域302。P型摻雜區(qū)域302的摻雜元素具體可以采用為硼、銦中的ー種或兩種混合。在進(jìn)行第二次摻雜エ藝時(shí)，由于N-TFT的N型摻雜區(qū)域202上也存在有過孔204和205，在摻雜時(shí)P型摻雜元素也會(huì)通過過孔204和205進(jìn)入N型摻雜區(qū)域202，因此在進(jìn)行第二次摻雜エ藝時(shí)，P型摻雜元素的摻雜量要小于第一次摻雜エ藝中N型摻雜元素的摻雜量，摻雜量的控制具體可以通過控制摻雜エ藝的條件(如電壓、離子束分布等)來實(shí)現(xiàn)。在此條件下，盡管P型摻雜元素會(huì)進(jìn)入N型摻雜區(qū)域202，與N型摻雜區(qū)域202中的N型摻雜元素發(fā)生中和，但由于其摻雜量小于N型摻雜元素，因此，在摻雜區(qū)域202還是呈現(xiàn)N型半導(dǎo)體特性。優(yōu)選第二次摻雜エ藝的摻雜量為第一次摻雜エ藝摻雜量的1/3 2/3，更為優(yōu)選地，第二次摻雜エ藝的摻雜量為第一次摻雜エ藝摻雜量的1/2。在此優(yōu)選條件下，既節(jié)省了エ藝流程，省去了掩膜版的費(fèi)用，又可以保證N型摻雜區(qū)域和P型摻雜區(qū)域的半導(dǎo)體特性良好。A7、形成源漏金屬層，采用構(gòu)圖エ藝形成源電極和漏電極。在經(jīng)過步驟A6的基板上形成源漏金屬層，形成源漏金屬層的方法具體可以采用濺射法、化學(xué)氣相沉積法等。對(duì)形成有源漏金屬層的基 板采用構(gòu)圖エ藝形成源電極和漏電扱。該構(gòu)圖エ藝具體包括以下步驟A701、在形成源漏金屬層的基板上涂覆光刻膠；A702、采用掩膜エ藝對(duì)涂覆有光刻膠的基板進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全不保留區(qū)域；A703、采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成N-TFT和 P-TFT 的源電極 206、306，N-TFT 和 P-TFT 的漏電極 207、307。A704、去除剩余的光刻膠。形成的結(jié)構(gòu)如圖19所示。本發(fā)明提供的多晶硅陣列基板的制備方法，也可先制備N-TFT和P-TFT的源電極和漏電極，之后再制備第二絕緣層，在第二絕緣層上再制備柵極，也可達(dá)到相同的效果。上述陣列基板的制備方法還包括AS、形成透明導(dǎo)電層，采用構(gòu)圖エ藝形成像素電極。在形成有源電極和漏電極的基板上形成透明導(dǎo)電層，形成透明導(dǎo)電層的方法具體可以采用濺射、化學(xué)氣相沉積等。透明導(dǎo)電層的材料可以選擇IT0、IZ0等，優(yōu)選ITO材料制備。采用構(gòu)圖エ藝形成像素電極，該構(gòu)圖エ藝具體包括以下步驟A801、在形成有透明導(dǎo)電層的基板上涂覆光刻膠；A802、采用掩膜エ藝對(duì)涂覆有光刻膠的基板進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全不保留區(qū)域；A803、采用刻蝕エ藝對(duì)光刻膠完全不保留區(qū)域的透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，形成像素電極。A804、去除完全保留區(qū)域的光刻膠。形成的結(jié)構(gòu)如圖20所示。在制備像素電極之前，可選擇性的在N-TFT和P-TFT的源電極和漏電極上制備ー層絕緣層，以保護(hù)源漏電極，防止源漏電極在制備像素電極的過程中受到影響。制備絕緣層后，在絕緣層上形成過孔，像素電極通過過孔與P-TFT的漏電極相連接。優(yōu)選地，在制備多晶硅層之前，還包括AO、在基板上形成緩沖層。通過在基板上制備ー層緩沖層，可以防止基板中的雜質(zhì)進(jìn)入到多晶硅層，從而影響TFT的性能。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種采用上述方法制備的多晶硅陣列基板。
本發(fā)明實(shí)施例提供的多晶硅陣列基板的制備方法、多晶硅陣列基板、顯示面板和顯示裝置，通過過孔進(jìn)行摻雜エ藝，形成有源層兩側(cè)的摻雜區(qū)域，以形成對(duì)應(yīng)的TFT，從而避免了需要設(shè)置專用的掩膜版進(jìn)行摻雜エ藝，減少了制備TFT陣列基板時(shí)所使用的掩膜版的數(shù)量，降低了生產(chǎn)成本。與上述多晶硅陣列基板相對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明還提供ー種包括上述多晶硅陣列基板的顯示面板。與上述顯示面板相對(duì)應(yīng)的，本發(fā)明還提供ー種包括上述顯示面板的顯示裝置。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易 想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種多晶硅TFT的制備方法，所述多晶硅TFT包括摻雜區(qū)域，其特征在于，包括如下步驟 在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖工藝形成有源層； 形成第一絕緣層； 采用構(gòu)圖工藝在以后步驟中形成源電極和漏電極的預(yù)設(shè)位置形成露出有源層的過孔； 采用摻雜工藝通過所述過孔對(duì)所述有源層進(jìn)行摻雜，形成摻雜區(qū)域； 形成源漏金屬層，采用構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅TFT的制備方法，其特征在于， 還包括 形成柵金屬層，采用構(gòu)圖工藝形成柵極； 在形成柵極的基板上形成第二絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求廣2任一所述的多晶硅TFT的制備方法，其特征在于，所述多晶硅TFT為N-TFT，所述摻雜區(qū)域?yàn)镹型摻雜區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅TFT的制備方法，其特征在于，所述摻雜元素為磷、砷、鋪中一種或幾種混合。
5.根據(jù)權(quán)利要求廣2任一所述的多晶硅TFT的制備方法，其特征在于，所述多晶硅TFT為P-TFT，所述摻雜區(qū)域?yàn)镻型摻雜區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅TFT的制備方法，其特征在于，所述摻雜元素為硼、銦中的一種或兩種混合。
7.一種采用權(quán)利要求f 6任一所述的制備方法得到的多晶硅TFT。
8.一種多晶硅陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的多晶硅TFT。
9.一種多晶硅陣列基板的制備方法，所述多晶硅陣列基板包括N-TFT和P-TFT，所述N-TFT包括N型摻雜區(qū)域，所述P-TFT包括P型摻雜區(qū)域，其特征在于，包括如下步驟 在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖工藝形成有源層，通過第一次摻雜工藝對(duì)N-TFT或P-TFT的有源層進(jìn)行摻雜，形成N型摻雜區(qū)域或P型摻雜區(qū)域； 形成第一絕緣層； 采用構(gòu)圖工藝在以后步驟中形成的N-TFT的源電極和漏電極、P-TFT的源電極和漏電極的預(yù)設(shè)位置形成過孔； 采用第二次摻雜工藝通過所述過孔對(duì)露出的有源層區(qū)域進(jìn)行摻雜，形成P型摻雜區(qū)域或N型摻雜區(qū)域，所述第二次摻雜工藝的元素?fù)诫s量小于第一次摻雜工藝中的元素?fù)诫s量; 形成源漏金屬層，采用構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括 形成柵金屬層，采用構(gòu)圖工藝形成柵極； 在形成柵極的基板上形成第二絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，第二次摻雜工藝的元素?fù)诫s量為第一次摻雜工藝中的元素?fù)诫s量的1/3 2/3。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，第二次摻雜工藝的元素?fù)诫s量為第一次摻雜工藝中的元素?fù)诫s量的1/2。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖工藝形成有源層，通過第一次摻雜工藝對(duì)N-TFT或P-TFT的有源層進(jìn)行摻雜，形成N型摻雜區(qū)域或P型摻雜區(qū)域的步驟中，所述構(gòu)圖工藝包括半色調(diào)掩膜工藝、灰階掩膜工藝或單狹縫掩膜工藝。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括 形成第三絕緣層，采用構(gòu)圖工藝在以后步驟中形成像素電極與TFT的漏極預(yù)設(shè)的連接位置形成過孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括 形成透明導(dǎo)電層，采用構(gòu)圖工藝形成像素電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，在形成多晶硅層之前還包括 在基板上形成緩沖層。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述N-TFT的N型摻雜區(qū)域的摻雜元素為磷、砷、銻中一種或幾種混合。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述P-TFT的P型摻雜區(qū)域的摻雜元素為硼、銦中的一種或兩種混合。
19.一種采用權(quán)利要求擴(kuò)18任一所述制備方法得到的多晶硅陣列基板。
20.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求19所述的多晶硅陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅TFT、多晶硅陣列基板及其制備方法、顯示裝置，屬于液晶顯示領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有技術(shù)中掩膜版數(shù)量過多，工藝復(fù)雜且成本過高的問題而設(shè)計(jì)。一種多晶硅TFT的制備方法，所述多晶硅TFT包括摻雜區(qū)域，包括如下步驟在基板上形成多晶硅層，采用構(gòu)圖工藝形成有源層；形成第一絕緣層；采用構(gòu)圖工藝形成露出有源層的過孔，源電極和漏電極通過所述過孔與有源層連接；采用摻雜工藝通過所述過孔對(duì)所述有源層進(jìn)行摻雜，形成摻雜區(qū)域；形成源漏金屬層，采用構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。
文檔編號(hào)H01L21/266GK102789971SQ201210270680
公開日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月31日
發(fā)明者張方振 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司