專利名稱：基板交接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對載置臺交接基板的基板交接方法。
背景技術(shù)：
FPD (Flat Panel Display :平板顯不器)制造裝置和太陽能電池制造裝置等中在處理室內(nèi)對大型的玻璃基板施加蝕刻和成膜等的等離子體處理，為此，具備用于將玻璃基板搬入處理室內(nèi)以及從處理室內(nèi)搬出的搬送裝置。該搬送裝置，通常由能夠進(jìn)退的臂支承玻璃基板，能夠在處理室內(nèi)與處理室外之間搬入搬出。處理室內(nèi)具備載置玻璃基板的載置臺，通過能夠從載置臺的基板載置面升降的升降銷，進(jìn)行進(jìn)入帶處理室內(nèi)的臂與載置臺之間的基板的交接。當(dāng)將用升降銷從臂接受的玻璃基板載置到載置臺時，若在周邊部和中央部使升降 銷為相同高度地支承，則因為玻璃基板具有可撓性，被中央部的升降銷支承的部分凹陷，當(dāng)將玻璃基板載置到載置臺時，在載置臺的基板載置面與玻璃基板之間形成有空間。為了抑制形成這樣的空間，并使基板均勻地接觸且載置到載置臺，因此在專利文獻(xiàn)I記載有以周邊部的升降銷的高度比中央部的升降銷更高的方式支承玻璃基板，將玻璃基板在朝向基板載置面突出地彎曲的狀態(tài)下，載置到載置臺的基板載置面上的技術(shù)。另外，在專利文獻(xiàn)I中，即使當(dāng)相反從載置臺升起時，也使周邊部的升降銷先突出，玻璃基板在以朝向基板載置面突出的方式彎曲的狀態(tài)下被舉起。這是為了抑制玻璃基板的搖晃。專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-60285號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，在將玻璃基板載置到載置臺上進(jìn)行等離子體處理期間，玻璃基板被載置臺所具備的靜電吸盤吸附，在等離子體處理后，在解除了靜電吸附后也不能充分除電的情況下存在玻璃基板帶電的狀況。因此，當(dāng)解除吸附并將玻璃基板從載置臺舉起時，若將玻璃基板在朝向基板載置面突出地彎曲的狀態(tài)下舉起時，則存在如下情況玻璃基板整體帶電的電荷向仍然接觸的部分移動，電荷集中在最終接觸面積減小的玻璃基板的中央部，在玻璃基板與基板載置面之間形成較大的電場，發(fā)生異常放電。本發(fā)明提供了一種基板交接方法，其能夠?qū)⒕哂锌蓳闲缘幕寰鶆虻亟佑|并載置到載置臺上，并且，接觸靜電吸盤的吸附而將基板從載置臺舉起時，基板不容易發(fā)生異常放電。本發(fā)明的一個方式的基板交接方法，是對于對具有可撓性的基板進(jìn)行等離子體處理的處理腔室內(nèi)設(shè)置的、具備通過靜電吸附而吸附上述基板的靜電吸盤的載置臺，交接上述基板的基板交接方法，上述載置臺包括載置上述基板的基板載置面、能夠?qū)τ谠摶遢d置面升降并且支承上述基板的周邊邊緣部的第一升降銷、能夠?qū)τ谏鲜龌遢d置面升降并且支承上述基板的中央部的第二升降銷，上述方法包括對于上述基板在上述基板載置面的上方，使被上述第一升降銷和比上述第一升降銷更低的位置的第二升降銷支承的上述基板下降，將上述基板從該基板的中央部載置到上述基板載置面的基板載置工序，使上述基板載置面上載置的上述基板被上述靜電吸盤吸附，對上述基板進(jìn)行等離子體處理的工序，上述等離子體處理結(jié)束后，解除上述靜電吸盤的吸附，使上述第一升降銷與上述第二升降銷為相同高度支承上述基板，使上述基板從上述基板載置面脫離的基板脫離工序。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種基板交接方法，其能夠使具有可撓性的基板均勻地接觸并載置到載置臺上，并且，解除靜電吸盤的吸附將基板從載置臺舉起時，基板不容易發(fā)生異常放電。


圖I是表示具備本發(fā)明的一個實施方式的基板載置機構(gòu)的基板處理裝置的一個例子的概要截面圖。圖2是圖I所示的基板處理裝置的平面方向的概要截面圖。圖3是概要地表示基板載置機構(gòu)的截面圖。圖4是表示一個實施方式的基板交接方法的一個例子的概要截面圖。圖5是示意地表示參考例的基板G的彎曲的示意圖。圖6是不意地表不一個實施方式的基板G的彎曲的不意圖。附圖標(biāo)記說明·G......基板2......處理腔室4......基座4c......基板載置面8a……支承周邊邊緣部的升降銷8b……支承中央部的升降銷41......靜電吸盤。
具體實施例方式以下，參照

本發(fā)明的實施方式。在所有參照的附圖中，對于相同的部分附加相同的參照附圖標(biāo)記。圖I是表示能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的一個實施方式的基板交接方法的基板處理裝置的一個例子的概要截面圖，圖2是其平面方向的概要截面圖。在本例中，作為基板處理裝置的一個例子表示等離子體蝕刻裝置。如圖I所示，等離子體蝕刻裝置I構(gòu)成對作為具有可撓性的基板例如用于FPD的制造的玻璃基板(以下簡稱為基板)G進(jìn)行蝕刻的電容耦合型平行平板等離子體蝕刻裝置。作為FPD,能夠舉例表示有液晶顯示器(LCD Liquid Crystal Display)、電致發(fā)光(ElectroLuminescence EL)顯不器、等離子體顯不面板(PDP Plasma Display Panel)等。等離子體蝕刻裝置I具備作為收納基板G的處理容器的處理腔室(以下稱為腔室)
2。腔室2例如由表面進(jìn)行了氧化鋁膜處理(陽極氧化處理)的鋁構(gòu)成，與基板G的形狀對應(yīng)地形成為長方筒形。
在腔室2內(nèi)的底壁設(shè)置有作為載置基板G的載置臺的基座4。基座4與基板G的形狀對應(yīng)地形成為長方板狀或柱狀，具有由金屬等的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的基材4a和設(shè)置在基材4a的底部與腔室2的底面之間的絕緣部件4b。基材4a與用于供給高頻電力的供電線23連接，該供電線23上連接有匹配器24和高頻電源25。從高頻電源25對基座4施加例如13. 56MHz的高頻電力，由此，基座4以起到下部電極的作用的方式構(gòu)成。另外，在基座4設(shè)置有通過靜電吸附而吸附載置的基板G的靜電吸盤41。靜電吸盤41由設(shè)置在基材4a的上部的、電介體和電介體的內(nèi)部所具備的內(nèi)部電極42構(gòu)成。內(nèi)部電極42經(jīng)由使電壓的施加接通/斷開的開關(guān)44，與對內(nèi)部電極42施加電壓的電源43連接。在腔室2的上部或者上壁，與基座4相對地設(shè)置有噴淋頭11，其對腔室2內(nèi)供給處理氣體同時起到上部電極的作用。噴淋頭11在內(nèi)部形成有使處理氣體擴散的氣體擴散空 間12，并且在下表面或該噴淋頭11與基座4的相對面上形成噴出處理氣體的多個噴出孔
13。該噴淋頭11接地，與基座4 一同構(gòu)成一對平行平板電極。在噴淋頭11的上表面設(shè)置有氣體導(dǎo)入口 14，該氣體導(dǎo)入口 14與處理氣體供給管15連接，該處理氣體供給管15經(jīng)過閥16和質(zhì)量流量控制器17，與處理氣體供給源18連接。從處理氣體供給源18供給用于蝕刻的處理氣體。作為處理氣體能夠使用鹵素類的氣體、O2氣體、Ar氣體等通常在該領(lǐng)域中所使用的氣體。腔室2的底壁與排氣管19連接，該排氣管19與排氣裝置20連接。排氣裝置20具備渦輪分子泵等真空泵，由此構(gòu)成為能夠?qū)η皇?內(nèi)夠抽真空至規(guī)定的減壓氣氛。在腔室2的側(cè)壁形成有用于搬入搬出基板G的搬入搬出口 21 (參照圖2)，并且設(shè)置開閉該搬入搬出口 21的閘閥22，搬入搬出口 21開放時，基板G在由作為搬送部件的搬送臂40 (參照圖2、圖4)從下方支承的狀態(tài)下，在搬入搬出口 21與通過閘閥22鄰接的未圖示的裝載鎖定室之間被搬送。在腔室2的底壁和基座4上，在基座4的周邊邊緣部位置和中央部位置(比周邊邊緣部位置靠內(nèi)側(cè)或靠中央側(cè)的位置)分別形成貫通該腔室2的底壁和該基座4的插通孔7a、7b。插通孔7a例如在各邊部隔開規(guī)定的間隔各2個部位共計8個部位形成，插通孔7b例如以與基座4的相對的一對邊平行地排列的方式隔開規(guī)定的間隔在2個部位形成。對基板G從下方支承并使其升降的升降銷8a (第一升降銷)、8b (第二升降銷)，分別以相對基座4的基板載置面4c能夠突出和縮回(沒入)的方式插入到插通孔7a、7b。升降銷8a、8b分別設(shè)置為突出時與基板G的周邊邊緣部和中央部抵接，通過未圖示的定位用襯套在直徑方向或?qū)挾确较蛏隙ㄎ徊⒉迦氩逋?a、7b內(nèi)。圖3是概要地表示基板載置機構(gòu)的截面圖。升降銷8a、8b分別如圖3所示，構(gòu)成為下部向腔室2的外側(cè)突出，下端部與驅(qū)動部9a、9b連接，通過該驅(qū)動部9a、9b的驅(qū)動而升降，從而對于基座4的基板載置面4c突出和縮回。驅(qū)動部9a、9b分別例如使用步進(jìn)電機構(gòu)成。在升降銷8a、8b的下部分別形成有凸緣26，各凸緣26與圍繞升降銷8a、8b設(shè)置的能夠伸縮的波紋管27的一端部(下端部)連接，該波紋管27的另一端部(上端部)與腔室2的底壁連接。由此，波紋管27隨著升降銷8a、8b的升降而伸縮，并且將插通孔7a、7b與升降銷8a、Sb的間隙密封。
驅(qū)動部9a、9b的驅(qū)動為通過具備微處理器(計算機)的控制器31個別地控制的結(jié)構(gòu)，由此，構(gòu)成為升降銷8a和升降銷Sb能夠獨立升降?？刂破?1連接有由工序管理者為了管理驅(qū)動部9a、9b的驅(qū)動而進(jìn)行命令的輸入操作等的鍵盤；由將驅(qū)動部9a、9b的驅(qū)動狀況可視化顯示的顯示器等構(gòu)成的用戶界面32，和存儲部33，其保存有記錄了用于通過控制器31的控制實現(xiàn)驅(qū)動部9a、9b的驅(qū)動的控制程序和驅(qū)動條件數(shù)據(jù)等的工藝方案。而且，根據(jù)需要，通過來自用戶界面32的指示從存儲部33調(diào)出任意的工藝方案并使其由控制器31執(zhí)行，在控制器31的控制下進(jìn)行驅(qū)動部9a、9b的驅(qū)動和停止。上述工藝方案能夠使用保存在例如CD-ROM、硬盤、閃存等計算機可讀取的存儲介質(zhì)中的狀態(tài)的工藝方案，或者，也能夠從其他裝置通過例如專用線路隨時傳輸使用?？刂破?1、用戶界面32和存儲部33構(gòu)成控制通過驅(qū)動部9a、9b進(jìn)行的升降銷8a、8b的升降的控制部,基座4、升降銷8a、8b、驅(qū)動部9a、9b和控制部構(gòu)成基板載置機構(gòu)。接著，說明一個實施方式的基板交接方法?！D4A 圖4F是表示一個實施方式的基板交接方法的一個例子的概要截面圖。首先，通過圖2所示的閘閥22開放搬入搬出口 21，通過搬送臂40將基板G從搬入搬出口 21搬入，搬送至基座4的上方。接著，使各升降銷8a、8b上升并比搬送臂40更高地突出。由此，使基板G從搬送臂40上轉(zhuǎn)移到升降銷8a、8b上。其中，各升降銷8a、8b以不與搬送臂40接觸的方式配置。此時，支承基板G的中央部的升降銷Sb的前端的位置，比支承基板G的周邊邊緣部的升降銷8a的前端的位置低。例如，在圖4A所示的例子中，升降銷Sb的前端距基板載置面4c的高度H。，比升降銷8a的前端距基板載置面4c的高度He低。這樣，在基板載置面4c的上方，使基板G在向下彎曲為凸?fàn)畹臓顟B(tài)下，被各升降銷8a、8b支承。接著，不改變升降銷8a、8b的前端的位置關(guān)系，使升降銷8a、8b下降，按照升降銷8b、升降銷8a的順序，縮回至基座4的基板載直面4c。由此，如圖4B到圖4C所不，基板G從該基板G的中央部向基板G的周邊邊緣部載置到基板載置面4c上。此時，由于基板G的負(fù)重均勻地分散到各升降銷8a、8b，所以基板G因升降銷8a、8b的支承反作用力導(dǎo)致的變形、特別是升降銷8b導(dǎo)致的中央部的變形被抑制，能夠在整個面或大致遍及整個面與基座4的基板載置面4c接觸。接著，通過閘閥22堵塞搬入搬出口 21，在基座4上載置基板G后，打開靜電吸盤41的開關(guān)44，從電源43對內(nèi)部電極42施加直流電壓，將基板G吸附在基座4上。與此同時，用排氣裝置20將腔室2內(nèi)抽真空至規(guī)定的真空度。接著，通過質(zhì)量流量控制器17對來自處理氣體供給源18的處理氣體用進(jìn)行流量調(diào)整，并將該處理氣體經(jīng)由處理氣體供給管15、氣體導(dǎo)入口 14和噴淋頭11供給至腔室2內(nèi)。接著，從高頻電源25通過匹配器24對基座4施加高頻電力，使作為下部電極的基座4與作為上部電極的噴淋頭11之間產(chǎn)生高頻電場而使腔室2內(nèi)的處理氣體等離子體化。對基板G，通過處理氣體的等離子體，例如施加蝕刻處理(參照圖4D)。接著，在基板G的蝕刻處理結(jié)束后，關(guān)閉開關(guān)44，停止對內(nèi)部電極42施加直流電壓，解除靜電吸盤41的吸附(參照圖4E)。接著，使升降銷8a的前端距基板載置面4c的高度He與升降銷Sb的前端距基板載置面4c的高度H。相同地分別從插通孔7a、7b突出，支承基板G使其從基板載置面4c脫離。之后，沒有特別圖示，將搬送臂40插入基板G的下方，使升降銷8a、8b下降。由此，通過將基板G從升降銷8a、8b轉(zhuǎn)移至搬送臂40上，完成基板G的交接。若為這樣的一個實施方式的基板交接方法，則當(dāng)將基板G從升降銷8a、8b對基板載置面4c交接時，使支承基板G的中央部的升降銷8b的前端的高度H。比支承基板G的周邊邊緣部的升降銷8a的前端的高度He低。這樣，基板G在因重力彎曲為朝向基板載置面4c突出的狀態(tài)下被升降銷8a、8b支承。由于基板G從基板載置面4c的中央部向周邊邊緣部載置，能夠防止因支承基板中央部的升降銷8b形成的基板中央部的凹陷殘留而在基板G與基板載置面4c之間產(chǎn)生空間而產(chǎn)生基板G與基板載置面4c未接觸的部分，能夠使基板G在其整個面或遍及大致整個面與基板載置面4c均勻接觸的狀態(tài)下對基板載置面4c交接。進(jìn)而，當(dāng)通過靜電吸盤41解除吸附，將基板G從基板載置面4c對升降銷8a、8b交 接時，使支承基板G的中央部的升降銷8b的前端的高度H。和支承基板G的周邊邊緣部的升降銷8a的前端的高度He相同。這樣，基板G能夠使基板G的整個面或大致整個面均等地從基板載置面4c脫離。因此，與通過升降銷8a從基板G的周邊邊緣部分向中央部分從基板載置面4c脫離的情況相比，能夠抑制與基板載置面4c的最終的接觸面積局部變小。能夠抑制最終的接觸面積局部變小的結(jié)果，能夠抑制基板G帶電的電荷集中在接觸部在基板G發(fā)生異常放電，特別是在最后與基板載置面4c接觸而帶電的電荷移動集中的基板G的中央部分發(fā)生異常放電。因此，根據(jù)一個實施方式的基板交接方法，能夠獲得能夠?qū)哂锌蓳闲缘幕錑以其與基座4的靜電吸盤41均勻接觸的方式載置，并且，解除靜電吸盤41的吸附將基板G從基座4的靜電吸盤41舉起時，不容易在基板G發(fā)生異常放電的基板交接方法。另外，當(dāng)舉起解除靜電吸附后的基板G時發(fā)生異常放電的可能性，隨著基板G的尺寸增大而提高。這是因為，基板G的尺寸越大，沒有完全除去的電荷在基板G的背面存在的絕對量越多，電荷集中到最終接觸部位時產(chǎn)生的電場越大。例如,如示意地表示參考例的基板G的彎曲的示意圖的圖5所示,將基板G從周邊邊緣部分舉起的情況下，基板G凹陷最深的中央部分的一個部位成為最終接觸部位C。因此，如果存在沒有完全除去而殘留在基板G的正反面的殘留電荷e、h的情況下，該殘留電荷e、h移動并累積到最終接觸部位C?？梢灶A(yù)測如果最終接觸部位C累積的殘留電荷的絕對量多，成為足夠放電的量，則大致會發(fā)生放電。這一點，根據(jù)一個實施方式，如圖6的示意圖所示，使升降銷8a、8b前端的高度相同地舉起基板G。所以，基板G因升降銷8a、8b的支承反作用力而在升降銷8a與Sb之間分別彎曲。即，在一個實施方式中，不是使基板G的一個部位彎曲，而是使基板G的多個部位彎曲。使基板G的多個部位彎曲的結(jié)果，最終接觸部位C能夠分散為多個部位。因此，假設(shè)即使在存在沒有完全除去而殘留的殘留電荷的情況下，殘留電荷也分散累積到多個最終接觸部位C。能夠?qū)埩綦姾衫鄯e的部位分散為多個的結(jié)果，最終接觸部位C累積的殘留電荷的絕對量與最終接觸部位C是一個部位的情況相比能夠減少。因此，根據(jù)一個實施方式，能夠減少最終接觸部位C累積的殘留電荷的絕對量，將殘留電荷的量達(dá)到足夠放電的量的概率抑制得較低。這樣，即使存在有殘留電荷的情況下，也能夠使殘留電荷分散到多個最終接觸部位C的一個實施方式，可以認(rèn)為基板G的尺寸越大，抑制異常放電的效果越高?；錑的尺寸只要是1320mmX 1500mm以上就能夠期待充分的效果。鑒于本發(fā)明的本質(zhì)不特別存在尺寸的上限，而作為實施上的上限，根據(jù)該時代的基板G的制造技術(shù)以及等離子體處理技術(shù)等其他因素決定。另外，如上所述，在現(xiàn)有技術(shù)中舉起基板G時也通過使基板彎曲為向下突出地支承來防止基板的搖晃，因此，對基板G使升降銷8a、8b的前端的高度相同地舉起基板G時，與以使升降銷8a的前端高度比升降銷8b高的方式舉起基板G的情況相比，將基板G從基板載置面4c舉起時，存在基板G的搖晃增大的可能性。
這樣的基板G的搖晃增大的可能性，能夠通過將升降銷8a、8b的上升速度抑制得較慢而消除。以上，根據(jù)一個實施方式對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于上述這一個實施方式，在不脫離發(fā)明要點的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。另外，關(guān)于本發(fā)明的實施方式，上述的一個實施方式并不是唯一的實施方式。例如，在上述一個實施方式中，支承基板G的中央部的升降銷Sb設(shè)置有多根，例如圖2所示的2根，但該升降銷Sb也可以為I根。另外，在上述一個實施方式中，對應(yīng)用于對下部電極施加高頻電力的RIE型的電容耦合性平行平板等離子體蝕刻裝置的例子進(jìn)行了說明，但是不限于此，能夠應(yīng)用于灰化、CVD成膜等另外的等離子體處理裝置，還能夠應(yīng)用于將基板載置到載置臺進(jìn)行處理的、等離子體處理裝置以外的所有基板處理裝置。進(jìn)而，在上述實施方式中對應(yīng)用于Fro使用的玻璃基板的例子進(jìn)行了說明，但還能夠應(yīng)用于Fro用的玻璃基板以外的具有可撓性的所有基板。另外，能夠進(jìn)行各種變形。
權(quán)利要求
1.一種基板交接方法，其對于設(shè)置在對具有可撓性的基板進(jìn)行等離子體處理的處理腔室內(nèi)的、具備通過靜電吸附來吸附所述基板的靜電吸盤的載置臺，交接所述基板，所述基板交接方法的特征在于 所述載置臺包括 載置所述基板的基板載置面； 第一升降銷，其能夠相對于該基板載置面突出和縮回并且支承所述基板的周緣部；和 第二升降銷，其能夠相對于所述基板載置面突出和縮回并且支承所述基板的中央部， 所述基板交接方法包括 基板載置工序，在所述基板載置面的上方，使由所述第一升降銷和位于比所述第一升降銷低的位置的第二升降銷支承的所述基板下降，從所述基板的中央部將該基板載置到所述基板載置面； 利用所述靜電吸盤吸附載置在所述基板載置面的所述基板，對所述基板進(jìn)行等離子體處理的工序；和 基板脫離工序，在所述等離子體處理結(jié)束后，解除所述靜電吸盤的吸附，使所述第一升降銷與所述第二升降銷為相同高度支承所述基板，使所述基板從所述基板載置面脫離。
2.如權(quán)利要求I所述的基板交接方法，其特征在于 所述基板脫離工序，使所述第一升降銷和所述第二升降銷為相同高度，使具有所述可撓性的所述基板在多個部位向下突出地彎曲，使所述基板從所述基板載置面脫離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板交接方法，能夠?qū)⒒迤教沟剌d置在載置臺上，且解除靜電吸盤的吸附將基板從載置臺舉起時，基板不容易發(fā)生異常放電。該基板交接方法包括基板載置工序，在基板載置面(4c)的上方，使由第一升降銷(8a)和位于比第一升降銷(8a)低的位置的第二升降銷(8b)支承的基板(G)下降，使基板(G)從基板(G)的中央部載置到基板載置面(4c)；利用靜電吸盤(41)吸附載置在基板載置面(4c)的基板(G)，對基板(G)進(jìn)行等離子體處理的工序；和基板脫離工序，在等離子體處理結(jié)束后，解除靜電吸盤(41)的吸附，使第一升降銷(8a)和第二升降銷(8b)為相同高度支承基板(G)，使基板(G)從基板載置面(4c)脫離。
文檔編號H01L21/683GK102915944SQ20121027287
公開日2013年2月6日 申請日期2012年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
發(fā)明者志村昭彥 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社