專利名稱：Sot89-5l封裝引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝的技術(shù)領(lǐng)域，具體為S0T89-5L封裝引線框架。
背景技術(shù)：
標(biāo)準(zhǔn)的S0T89-3L封裝型式的引線框架見圖1，其為一個基島I、四只管腳2構(gòu)成，芯片安放到基島I上，塑封后基島I與塑封體結(jié)合氣密性不強(qiáng)，在高溫潮濕環(huán)境下，水汽會侵入塑封體內(nèi)部芯片上，致使芯片表面焊線球氧化，引起脫落或是接觸不良，電性能早期失效。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，本發(fā)明提供了 S0T89-5L封裝引線框架，其增強(qiáng)塑封體的氣密性，提高了性能穩(wěn)定性和可靠性，延長了器件的使用壽命。S0T89-5L封裝引線框架，其技術(shù)方案是這樣的其包括S0T89-5L框架，所述S0T89-5L框架包括一個基島、四只管腳，其特征在于所述基島的背面設(shè)置有凹槽。其進(jìn)一步特征在于八個所述凹槽分別排列于所述基島的背面的兩側(cè)，所述凹槽·靠近所述基島的背面的邊緣布置。采用本發(fā)明后，由于S0T89-5L框架的基島的背面設(shè)置有凹槽，其使得塑封時增加了塑封體與基島的接觸面積，從而提高塑封體的密封性能，增強(qiáng)塑封體的氣密性，提高了性能穩(wěn)定性和可靠性，延長了器件的使用壽命；此外，設(shè)置的凹槽減少了銅材質(zhì)，降低制造成本。


圖I是現(xiàn)有的S0T89-5L封裝引線框架的背面結(jié)構(gòu)示意 圖2是本發(fā)明的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式見圖2，其包括S0T89-5L框架，S0T89-5L框架包括一個基島I、四只管腳2，基島I的背面設(shè)置有凹槽3，八個凹槽3分別排列于基島I的背面的兩側(cè)，凹槽3靠近基島I的背面的邊緣布置。
權(quán)利要求
1.S0T89-5L封裝引線框架，其包括S0T89-5L框架，所述S0T89-5L框架包括一個基島、四只管腳，其特征在于所述基島的背面設(shè)置有凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的S0T89-5L封裝引線框架，其特征在于八個所述凹槽分別排列于所述基島的背面的兩側(cè)，所述凹槽靠近所述基島的背面的邊緣布置。
全文摘要
本發(fā)明提供了SOT89-5L封裝引線框架，其增強(qiáng)塑封體的氣密性,提高了性能穩(wěn)定性和可靠性，延長了器件的使用壽命。其包括SOT89-5L框架，所述SOT89-5L框架包括一個基島、四只管腳，其特征在于所述基島的背面設(shè)置有凹槽。
文檔編號H01L23/495GK102790036SQ20121027404
公開日2012年11月21日 申請日期2012年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月3日
發(fā)明者侯友良 申請人:無錫紅光微電子有限公司