一種晶圓級(jí)芯片的封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明一般涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法，更確切的說，本發(fā)明旨在提供一種在晶圓級(jí)芯片的封裝步驟中獲得較薄的芯片以及提高晶圓機(jī)械強(qiáng)度的封裝方法。先在芯片的金屬焊盤上焊接金屬凸塊，然后形成一圓形的第一塑封層覆蓋在晶圓的正面，并研磨減薄第一塑封層，之后在第一塑封層上實(shí)施切割以形成相應(yīng)的切割槽。在晶圓的背面實(shí)施研磨以形成一圓柱形凹槽，在晶圓暴露在圓柱形凹槽內(nèi)的底面上沉積一層金屬層，然后將晶圓的周邊部分切割掉并沿切割槽對(duì)第一塑封層、晶圓、金屬層實(shí)施切割。
【專利說明】一種晶圓級(jí)芯片的封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法，更確切的說，本發(fā)明旨在提供一種在晶圓級(jí)芯片的封裝步驟中獲得較薄的芯片以及提高晶圓機(jī)械強(qiáng)度的封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)技術(shù)中，整片晶圓生產(chǎn)完成后可以直接對(duì)晶圓進(jìn)行封裝，之后再將多個(gè)單顆晶粒從晶圓上予以分離，所以最終獲得的芯片的尺寸幾乎等同于原晶粒的大小。當(dāng)前的晶圓級(jí)封裝技術(shù)也廣泛應(yīng)用在功率類的半導(dǎo)體器件中，我們都知道，功率器件中因?yàn)樾酒陨淼碾娮柰际潜容^大的，尤其是垂直器件，所以會(huì)導(dǎo)致器件具有較大的通態(tài)電阻Rdson。改善襯底電阻的一個(gè)有效手段是盡量減薄晶圓，但隨著晶圓愈來(lái)愈薄的趨勢(shì)，一個(gè)顯著的問題又凸顯出來(lái):借助當(dāng)前已知技術(shù)的保護(hù)措施仍然不足以讓晶圓在各個(gè)制程環(huán)節(jié)中獲得較高強(qiáng)度的物理保護(hù)，無(wú)論是在運(yùn)輸過程還是在制備流程中，晶圓極易崩裂的這一問題仍需解決。
[0003]此外，依常規(guī)的芯片封裝工藝，一般是直接沿著晶圓正面的劃片道對(duì)晶圓進(jìn)行切割即可，能很順利的將芯片從晶圓上分離下來(lái)。但是在一些特殊的封裝工藝中也有例外，例如為了加強(qiáng)晶圓的機(jī)械強(qiáng)度以便能獲取足夠薄的晶圓，卻是先行利用塑封材料將晶圓的正面予以塑封，然后才對(duì)晶圓進(jìn)行減薄。盡管這一手段對(duì)防止晶圓碎裂極為有效，但同時(shí)卻致使劃片道被塑封層包覆而不可見，因?yàn)橥ǔＫ捎玫乃芊獠牧喜⒎鞘峭该魑镔|(zhì)，所以如何使切割刀對(duì)準(zhǔn)位于晶圓正面的劃片道就成了一個(gè)棘手的問題。
[0004]正是基于該等問題而提出了本申請(qǐng)的下述各種優(yōu)選實(shí)施方式。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種晶圓級(jí)芯片的封裝方法，其中在晶圓所包含的芯片的正面設(shè)置有多個(gè)金屬焊盤，包括以下步驟:
在任意一個(gè)所述的金屬焊盤上至少焊接一個(gè)金屬凸塊；
形成一圓形的第一塑封層覆蓋在晶圓的正面并將所述金屬凸塊包覆住，其中，第一塑封層的半徑小于晶圓的半徑從而在晶圓的正面形成一未被第一塑封層覆蓋的環(huán)形帶區(qū)域，并且，任意一條位于相鄰芯片間的切割線的兩端均從第一塑封層下方延伸到環(huán)形帶區(qū)域內(nèi)；
研磨減薄所述第一塑封層并將金屬凸塊從第一塑封層中予以外露；
沿著切割線兩端所構(gòu)成的直線在第一塑封層上實(shí)施切割以形成相應(yīng)的切割槽；
在晶圓的背面實(shí)施研磨，以形成從晶圓的背面凹陷至晶圓內(nèi)的一圓柱形凹槽，并形成位于晶圓邊緣與圓柱形凹槽側(cè)壁之間的一環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)；
在所述晶圓的暴露在圓柱形凹槽內(nèi)的底面上沉積一層金屬層；
將晶圓的周邊部分切割掉；
沿切割槽對(duì)第一塑封層、晶圓、金屬層實(shí)施切割，將多個(gè)所述芯片從晶圓上分離下來(lái)，同時(shí)任意一個(gè)芯片的正面均覆蓋有因切割第一塑封層而形成的頂部塑封層及其背面均覆蓋有因切割金屬層而形成的底部金屬層；并且
所述的金屬凸塊均從所述頂部塑封層中予以外露。
[0006]上述的方法，所述切割槽具有向下延伸至接觸晶圓正面的深度。
[0007]上述的方法，將晶圓的周邊部分切割掉的步驟中，還包括將所述環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)切割掉的步驟。
[0008]上述的方法，所述圓柱形凹槽的內(nèi)徑小于第一塑封層的半徑以便所述環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)與第一塑封層交疊；以及
在切割掉所述環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)的步驟中，第一塑封層周邊的與環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)交疊的部分也同時(shí)被切割掉。
[0009]上述的方法，沉積所述金屬層之前，還包括從晶圓暴露在圓柱形凹槽內(nèi)的底面向晶圓的底部注入重?fù)诫s的摻雜物的步驟。
[0010]上述的方法，所述圓柱形凹槽是利用一半徑小于晶圓半徑的研磨輪在晶圓的背面實(shí)施研磨而形成的。
[0011]上述的方法，在將晶圓的周邊部分切割掉之后，還包括在所述金屬層上覆蓋一層第二塑封層的步驟；以及
沿切割槽對(duì)第一塑封層、晶圓、金屬層實(shí)施切割的同時(shí)，還對(duì)所述第二塑封層實(shí)施切害I]，以形成覆蓋在所述底部金屬層上的底部塑封層。
[0012]上述的方法，在所述金屬層上形成所述第二塑封層的步驟中，先將帶有所述第一塑封層、金屬層的晶圓設(shè)置在一加熱的預(yù)熱板之上預(yù)熱一段時(shí)間，且第一塑封層面向所述預(yù)熱板而金屬層背離預(yù)熱板；
然后再在所述金屬層上形成所述第二塑封層。
[0013]上述的方法，在所述金屬層上形成所述第二塑封層的步驟中，先將帶有所述第一塑封層、金屬層的晶圓設(shè)置在一加熱的預(yù)熱板所具有的圓柱形槽體結(jié)構(gòu)之中預(yù)熱一段時(shí)間，且第一塑封層面向圓柱形槽體結(jié)構(gòu)的底部而金屬層背離圓柱形槽體結(jié)構(gòu)的底部；
然后再在所述金屬層上形成所述第二塑封層。
[0014]上述的方法，所述晶圓、第一塑封層、金屬層的總厚度與該圓柱形槽體結(jié)構(gòu)具有的深度相同；以及
圓柱形槽體結(jié)構(gòu)的半徑與切割掉周邊部分之后的晶圓的半徑相同。
[0015]本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀以下較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明，并參照附圖之后，本發(fā)明的這些和其他方面的優(yōu)勢(shì)無(wú)疑將顯而易見。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明范圍的限制。
[0017]圖1A是晶圓正面的俯視示意圖。
[0018]圖1B是芯片的金屬焊盤焊接金屬凸塊示意圖。
[0019]圖2A-2B是將第一塑封層覆蓋在晶圓正面的不意圖。
[0020]圖3A-3B是研磨減薄第一塑封層并在第一塑封層上形成切割槽的示意圖。[0021]圖4是研磨減薄晶圓的示意圖。
[0022]圖5是在減薄后的晶圓的底面上沉積金屬層的示意圖。
[0023]圖6是切割掉晶圓周邊部分的不意圖。
[0024]圖7是切割晶圓形成多個(gè)單顆晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0025]圖8A-8B是在金屬層上形成第二塑封層的另一實(shí)施方式。
[0026]圖9A-9C是在一個(gè)實(shí)施方式中形成第二塑封層的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]參見圖1A所示的俯視圖，晶圓100通常包含有大量鑄造連接在一起的芯片101，圖中示意出的多條縱橫交叉的切割線(Scribe line)位于晶圓100正面,它們界定了相鄰芯片之間的邊界，同時(shí)也可以沿著切割線將芯片101從晶圓100上切割分離下來(lái)。通常，任意一個(gè)芯片101的正面均預(yù)先制備有數(shù)個(gè)金屬焊盤(圖中未示意出)作為芯片接電源、接地的電極，或是與外界電路進(jìn)行信號(hào)傳輸?shù)亩俗拥?，因這些技術(shù)特征已經(jīng)為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，所以不再贅述。
[0028]參見圖1B所示，先在任意一個(gè)芯片101正面的任意一個(gè)金屬焊盤上相對(duì)應(yīng)地至少焊接一個(gè)金屬凸塊110，該金屬凸塊110的種類可以有多種選擇，常見的如銅、金、銀、鋁等或其他未列舉的金屬材料均適用，也可以是它們的合金。而且金屬凸塊110的形貌也有多種選擇，典型的如球形，或橢球形、正(長(zhǎng))方體、圓柱形、楔形等。
[0029]參見圖2A所示，利用環(huán)氧樹脂之類的塑封材料，形成一圓形的具有一定厚度的第一塑封層120覆蓋在晶圓100的正面，起始階段第一塑封層120同時(shí)還將所有的金屬凸塊110包覆住了。較佳的狀態(tài)是第一塑封層120的軸心與晶圓100的軸心重合。為了更清晰的理解第一塑封層120的圓形形狀，可以參見圖2B所示的俯視圖，須注意的是，本發(fā)明極為重要的一點(diǎn)，就是要求第一塑封層120不能將晶圓100的正面完全覆蓋住，例如限定其第一塑封層120的半徑略小于晶圓100的半徑，便可在晶圓100的正面形成一個(gè)靠近晶圓邊緣的而又未被第一塑封層120所覆蓋住的環(huán)形帶區(qū)域103，該環(huán)形帶區(qū)域103在晶圓徑向上的寬度值即為晶圓100的半徑減去第一塑封層120的半徑。
[0030]參見圖3A所示，對(duì)第一塑封層120實(shí)施研磨減薄以獲得預(yù)期的厚度，在此研磨步驟中還需將金屬凸塊Iio從第一塑封層120中外露出來(lái)。值得一提的是，雖然理論上認(rèn)為金屬凸塊110為焊錫球或者類似的含錫材料并無(wú)不妥，但實(shí)際操作中，研磨輪一旦研磨至焊錫球并與之直接接觸時(shí)，焊錫材料卻極易粘附在研磨輪上以致產(chǎn)生不期望的污染物，或?qū)е碌谝凰芊鈱?20的研磨表面的粗糙度不一致，為了消弭此類缺陷，作為一種選擇，金屬凸塊110可以優(yōu)選為銅。在圖3A中，減薄第一塑封層120之后還要對(duì)其實(shí)施初步的切割步驟，以便在第一塑封層120中形成多條切割槽121。參考圖2B，第一塑封層120的半徑小于晶圓100的半徑的這一限制條件，可保障任意一條切割線102的兩端不被第一塑封層120覆蓋住，并從第一塑封層120下方延伸到環(huán)形帶區(qū)域103內(nèi)。依同一平面的兩點(diǎn)可確定一條直線的原則，切割刀可沿著由切割線102的延伸到環(huán)形帶區(qū)域103內(nèi)的兩端所確定的直線來(lái)在第一塑封層120中劃出切割槽121。從垂直于晶圓100所在平面的方向來(lái)觀察，任意一條切割槽121必然相對(duì)應(yīng)地與位于其正下方的一條切割線102上下重合，如圖3B所示。同時(shí)，切割槽121的切割深度可以進(jìn)行調(diào)控，在一個(gè)較佳的實(shí)施例中，它可以貫穿整個(gè)第一塑封層120的厚度，即具有向下延伸至接觸晶圓100正面的深度。
[0031]參見圖4，鑒于組合在晶圓100上第一塑封層120強(qiáng)化了晶圓100的機(jī)械強(qiáng)度，便可據(jù)此對(duì)晶圓100進(jìn)行研磨減薄以獲得預(yù)期厚度的晶圓。在通常的研磨技術(shù)中，一般是直接將晶圓100整體性的進(jìn)行減薄，但本發(fā)明卻未這樣做，而是將晶圓背面的靠近晶圓邊緣的一個(gè)環(huán)形部分予以保留。具體而言，可參考圖3A至圖4的步驟，可利用一半徑小于晶圓100半徑的研磨輪(未示意出)在晶圓100的背面實(shí)施研磨，從而形成從晶圓100的背面凹陷至晶圓100內(nèi)的一個(gè)圓柱形凹槽130。較佳的只要保證研磨輪的軸心與晶圓100的軸心重合，就可使凹槽130的軸心與晶圓100的軸心重合，并使凹槽130的半徑盡量大，這對(duì)降低晶圓邊緣附近的芯片的浪費(fèi)是有益的。在此步驟中，同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生位于晶圓100邊緣與圓柱形凹槽130側(cè)壁之間的一環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)104，該環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)104在晶圓徑向上的寬度即為晶圓100的半徑值與圓柱形凹槽130的半徑值之差。在此步驟中，晶圓100的期望厚度可以通過凹槽130的深度來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié):凹槽130愈深，晶圓100的最終厚度就愈薄。本發(fā)明保留背面的環(huán)形部分的一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于，在未研磨晶圓100之前以及在形成圓柱形凹槽130之后，帶有第一塑封層120的晶圓100的機(jī)械強(qiáng)度的前后變化幅度幾乎很小，這得益于環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)104的物理支撐作用，即便晶圓100被研磨得再薄也不至碎裂。相反，如果晶圓100是整體性的被減薄，是無(wú)法獲得圖4這樣近乎極限厚度值的超薄晶圓。在一個(gè)較佳的實(shí)施方式中，為了在減薄晶圓的同時(shí)能進(jìn)一步保持晶圓100的機(jī)械強(qiáng)度，要求所形成的圓柱形凹槽130的半徑小于第一塑封層120的半徑，以便環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)104能具有與第一塑封層120交疊的部分，從而進(jìn)一步地弱化晶圓100的機(jī)械強(qiáng)度降低的程度。
[0032]參見圖5所示，從晶圓100暴露在圓柱形凹槽130內(nèi)的底面向減薄后的晶圓100的底部注入重?fù)诫s的摻雜物(此步驟未示意出)并退火擴(kuò)散，然后再在該底面上沉積一層金屬層140，以便金屬層140能較好的與晶圓100的底面形成歐姆接觸。接著便執(zhí)行如圖5至圖6所示的步驟，將晶圓100的周邊部分105切割掉，環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)104在此切割步驟中也被切割掉，并且第一塑封層120周邊的與環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)104交疊的部分122也一并被切割掉。其中，被切割掉的周邊部分105在晶圓徑向上的寬度等于或略大于環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)104的寬度。在一個(gè)可選實(shí)施方式中，執(zhí)行如圖6至圖7所示的步驟，利用一切割刀180沿切割槽121對(duì)第一塑封層120、晶圓100、金屬層130實(shí)施切割，將芯片101從晶圓100上切割分離下來(lái)，同時(shí)第一塑封層120被切割成多個(gè)頂部塑封層1200、金屬層140被切割成多個(gè)底部金屬層1400，以獲得多個(gè)晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200A。在封裝結(jié)構(gòu)200A中，一個(gè)頂部塑封層1200相對(duì)應(yīng)的覆蓋在一個(gè)芯片101的正面，一個(gè)底部金屬層1400相對(duì)應(yīng)的覆蓋在一個(gè)芯片101的背面，并且金屬凸塊110均從頂部塑封層1200中予以外露從而作為封裝結(jié)構(gòu)200A與外部電路進(jìn)行電氣連接的接觸端子。在一個(gè)實(shí)施方式中，該芯片101為垂直式的M0SFET，電流由其正面流向背面或反之，其正面的多個(gè)金屬焊盤中至少包含構(gòu)成源極的焊盤和構(gòu)成柵極的焊盤，而底部金屬層1400則構(gòu)成其漏極。由于芯片101的厚度等于晶圓100的最終厚度，所以芯片101因自身厚度引起的電阻值可大為降低。
[0033]在另一個(gè)實(shí)施方式中，參見圖8A-8B所示的流程圖，為具有底部塑封層1500的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200B的制備方法。此實(shí)施方式包含了圖1A至圖6示意出的所有步驟，但區(qū)別在于:完成圖6所示的步驟之后，需要先在金屬層140上覆蓋一層第二塑封層150 (圖8A示出的步驟)，然后才對(duì)第一塑封層120、晶圓100、金屬層130、第二塑封層150實(shí)施切割，從而將芯片101從晶圓100上切割分離下來(lái)，同時(shí)第一塑封層120被切割成多個(gè)頂部塑封層1200、金屬層130被切割成多個(gè)底部金屬層1400以及第二塑封層150被切割成多個(gè)底部塑封層1500，以獲得多個(gè)晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)200B。在封裝結(jié)構(gòu)200B中，除了頂部塑封層1200覆蓋在芯片101的正面，底部金屬層1400覆蓋在芯片101的背面，還有底部塑封層1500覆蓋在底部金屬層1400上。同樣,金屬凸塊110均從頂部塑封層1200中予以外露從而作為封裝結(jié)構(gòu)200B與外部電路進(jìn)行電氣連接的接觸端子。與封裝結(jié)構(gòu)200A不同，此實(shí)施方式中底部金屬層1400被底部塑封層1500包覆住了，所以底部金屬層1400不能直接用作連接外部電路的接觸端。作為一種選擇但非限制，該芯片101同樣也可以是垂直式的MOSFET，只不過其正面的多個(gè)金屬焊盤中除了包含構(gòu)成源極的焊盤和構(gòu)成柵極的焊盤之外，還至少包含一個(gè)通過設(shè)置在芯片內(nèi)的金屬互連結(jié)構(gòu)(未示意出)而電性連接到構(gòu)成漏極的底部金屬層1400上的焊盤。
[0034]參見圖9A所示，在形成第二塑封層150之前，因晶圓100被研磨的極薄，而且晶圓100與金屬層140、第一塑封層120之間存在著應(yīng)力匹配度的問題，往往會(huì)導(dǎo)致它們出現(xiàn)如圖所示的翹曲或扭曲等異常的變形現(xiàn)象。為了避免這一困境，如圖9B所示，可以選取合適的預(yù)熱溫度，先將帶有金屬層140、第一塑封層120的晶圓100設(shè)置在一預(yù)熱板300之上預(yù)先加熱一段時(shí)間，其間該第一塑封層120面向預(yù)熱板300而金屬層140背離預(yù)熱板300，待因受熱而使它們的應(yīng)力逐漸松弛并恢復(fù)到完全平整狀態(tài)之后，再在金屬層140上形成一層第二塑封層150。此外，圖9C還示意出了另一種形成第二塑封層的方式，在預(yù)熱板310上形成有一個(gè)剛好能容納帶有金屬層140、第一塑封層120的晶圓100的圓柱形的槽體結(jié)構(gòu)311，該槽體結(jié)構(gòu)311的半徑大致上等于(實(shí)際會(huì)略大于)切割掉周邊部分105后的晶圓100的半徑，并將帶有金屬層140、第一塑封層120的晶圓100放置在槽體結(jié)構(gòu)311內(nèi)并對(duì)預(yù)熱板300持續(xù)加熱一段時(shí)間，之后才在金屬層140上形成第二塑封層150。同樣第一塑封層120面向槽體結(jié)構(gòu)311的底部而金屬層140則背離槽體結(jié)構(gòu)311的底部。槽體結(jié)構(gòu)311的深度大致上等于金屬層140、第一塑封層120、晶圓100的厚度之和。
[0035]因封裝工藝還需通過激光或印刷等手段在封裝結(jié)構(gòu)上標(biāo)注出特定的商標(biāo)、編號(hào)、芯片類別等諸多標(biāo)志，也即執(zhí)行印字的步驟，在本申請(qǐng)中，印字工藝可以在實(shí)施圖8B的切割步驟之前進(jìn)行，也可以在實(shí)施圖8B的切割步驟之后進(jìn)行，這些標(biāo)志最終將形成在底部塑封層1500上。
[0036]以上，通過說明和附圖，給出了【具體實(shí)施方式】的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例，上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，但這些內(nèi)容并不作為局限。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無(wú)疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓級(jí)芯片的封裝方法，其中在晶圓所包含的芯片的正面設(shè)置有多個(gè)金屬焊盤，其特征在于，包括以下步驟: 在任意一個(gè)所述的金屬焊盤上至少焊接一個(gè)金屬凸塊； 形成一圓形的第一塑封層覆蓋在晶圓的正面并將所述金屬凸塊包覆住，其中，第一塑封層的半徑小于晶圓的半徑從而在晶圓的正面形成一未被第一塑封層覆蓋住的環(huán)形帶區(qū)域，并且，任意一條位于相鄰芯片間的切割線的兩端均從第一塑封層下方延伸到該環(huán)形帶區(qū)域內(nèi)； 研磨減薄所述第一塑封層并將金屬凸塊從第一塑封層中予以外露； 沿著切割線兩端所構(gòu)成的直線在第一塑封層上實(shí)施切割以形成相應(yīng)的切割槽； 在晶圓的背面實(shí)施研磨，以形成從晶圓的背面凹陷至晶圓內(nèi)的一圓柱形凹槽，并形成位于晶圓邊緣與圓柱形凹槽側(cè)壁之間的一環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)； 在所述晶圓的暴露在圓柱形凹槽內(nèi)的底面上沉積一層金屬層； 將晶圓的周邊部分切割掉； 沿切割槽對(duì)第一塑封層、晶圓、金屬層實(shí)施切割，將多個(gè)所述芯片從晶圓上分離下來(lái)，且任意一個(gè)芯片的正面均覆蓋有因切割第一塑封層而形成的頂部塑封層及其背面均覆蓋有因切割金屬層而形成的 底部金屬層；以及 所述的金屬凸塊均從所述頂部塑封層中予以外露。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割槽具有向下延伸至接觸晶圓正面的深度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將晶圓的周邊部分切割掉的步驟中，還包括將所述環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)切割掉。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述圓柱形凹槽的內(nèi)徑小于第一塑封層的半徑以便所述環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)與第一塑封層交疊；以及 在切割掉所述環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)的步驟中，第一塑封層周邊的與環(huán)形支撐結(jié)構(gòu)交疊的部分也同時(shí)被切割掉。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述金屬層之前，還包括從晶圓暴露在圓柱形凹槽內(nèi)的底面向晶圓的底部注入重?fù)诫s的摻雜物的步驟。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圓柱形凹槽是利用一半徑小于晶圓半徑的研磨輪在晶圓的背面實(shí)施研磨而形成的。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在將晶圓的周邊部分切割掉之后，還包括在所述金屬層上覆蓋一層第二塑封層的步驟；以及 沿切割槽對(duì)第一塑封層、晶圓、金屬層實(shí)施切割的同時(shí)，還對(duì)所述第二塑封層實(shí)施切害I]，以形成覆蓋在所述底部金屬層上的底部塑封層。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述金屬層上形成所述第二塑封層的步驟中，先將帶有所述第一塑封層、金屬層的晶圓設(shè)置在一加熱的預(yù)熱板之上預(yù)熱一段時(shí)間，且第一塑封層面向所述預(yù)熱板而金屬層背離預(yù)熱板； 然后再在所述金屬層上形成所述第二塑封層。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述金屬層上形成所述第二塑封層的步驟中，先將帶有所述第一塑封層、金屬層的晶圓設(shè)置在一加熱的預(yù)熱板所具有的一個(gè)圓柱形槽體結(jié)構(gòu)之中預(yù)熱一段時(shí)間，且第一塑封層面向圓柱形槽體結(jié)構(gòu)的底部而金屬層背離圓柱形槽體結(jié)構(gòu)的底部； 然后再在所述金屬層上形成所述第二塑封層。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述晶圓、第一塑封層、金屬層的總厚度與該圓柱形槽體結(jié)構(gòu)具有的深度相同；以及 圓柱形槽體結(jié)構(gòu)的半徑與 切割掉周邊部分之后的晶圓的半徑相同。
【文檔編號(hào)】H01L21/56GK103579020SQ201210279093
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月7日
【發(fā)明者】薛彥迅, 哈姆扎·耶爾馬茲, 何約瑟, 魯軍, 黃平, 石磊, 段磊, 龔玉平 申請(qǐng)人:萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司