專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法和液晶顯示器。
背景技術(shù)：
在平板顯不技術(shù)中，TFT-LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)具有功耗低、制造成本相對(duì)較低、和無(wú)輻射的特點(diǎn)，因此在平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD是由TFT (薄膜晶體管)陣列基板和彩膜基板對(duì)盒形成的。目前主流的非晶硅TFT陣列基板5-Mask (5_掩膜)工藝，每一次工藝都包括沉積、曝光、顯影、刻蝕、剝離等。通過(guò)各次構(gòu)圖在基板上依次形成柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、數(shù)據(jù)線和源、漏極、鈍化層、以及像素電極層。
在目前的TFT陣列基板中，由于TFT大多是縱向?qū)盈B結(jié)構(gòu)，因此盒厚較厚，降低了液晶響應(yīng)速度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板及其制作方法和液晶顯示器，減小了薄膜場(chǎng)效應(yīng)管的厚度。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案—方面，提供了一種薄膜晶體管，包括基板；在所述基板上形成有柵極；覆蓋所述柵極的柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有半導(dǎo)體有源層，像素電極層、源極和漏極；其中，所述像素電極層位于所述源極和漏極下方，與所述源極和漏極相接觸；且所述源極及其下方的像素電極層的疊層、漏極及其及下方的像素電極層的疊層位于所述半導(dǎo)體有源層的同一層；所述源極及其下方的像素電極層的疊層、所述漏極及其下方的像素電極層的疊層被所述半導(dǎo)體有源層斷開(kāi)；在所述源極、漏極、像素電極層和半導(dǎo)體有源層上形成有鈍化層。所述源極及其下方的像素電極層的疊層的厚度、所述漏極及其下方的像素電極層的疊層的厚度與所述半導(dǎo)體有源層的厚度相同。一方面，提供一種陣列基板，包括縱橫交叉的柵線、數(shù)據(jù)線及存儲(chǔ)電容底電極，所述柵線和數(shù)據(jù)線圍成像素單元，所述像素單元包括上述的薄膜晶體管。在所述存儲(chǔ)電容底電極和所述數(shù)據(jù)線之間的交疊處形成有隔墊半導(dǎo)體層；和/或，在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間的交疊處形成有隔墊半導(dǎo)體層。還包括位于所述像素單元邊緣與所述存儲(chǔ)電容底電極和所述柵線同層的擋光條。所述數(shù)據(jù)線下方形成有所述像素電極層。一方面，提供一種液晶顯示器，包括上述的任一陣列基板。一方面，提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括在基板上形成一層金屬薄膜通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極；在所述基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層并通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到位于所述柵極上方的半導(dǎo)體有源層；在所述基板上先后形成一層像素電極層和一層金屬薄膜； 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成源極和漏極并去除所述半導(dǎo)體有源層上方的所述像素電極層和金屬薄膜；在以此得到的所述整個(gè)基板上形成鈍化層。一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括在基板上形成一層金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線、柵極、存儲(chǔ)電容底電極；在所述基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層并通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到位于所述柵極上方的半導(dǎo)體有源層；在所述基板上先后形成一層像素電極層和一層金屬薄膜；通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極并去除所述半導(dǎo)體有源層上方的所述像素電極層和金屬薄膜；在以此得到的所述整個(gè)基板上形成鈍化層。通過(guò)形成所述柵線、柵極、存儲(chǔ)電容底電極構(gòu)圖工藝同時(shí)形成擋光條。通過(guò)形成所述柵極上方的半導(dǎo)體有源層的構(gòu)圖工藝同時(shí)形成位于所述存儲(chǔ)電容底電極和所述數(shù)據(jù)線之間的交疊處的隔墊半導(dǎo)體層，和/或位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間的交疊處的隔墊半導(dǎo)體層。本發(fā)明提供的薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，其中薄膜晶體管的源極、漏極位于像素電極層之上，且被半導(dǎo)體有源層斷開(kāi)，源極、漏極以及其下的像素電極層和半導(dǎo)體有源層位于同層，且厚度相同；這樣，相比現(xiàn)有技術(shù)中層疊結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管更薄，因此采用該薄膜晶體管的陣列基板更薄，進(jìn)而做成的面板盒厚較薄，從而提高了液晶響應(yīng)速度。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作方法流程示意圖；圖3為制造本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖一；圖4為制造本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖二；
圖5為制造本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖三；圖6為制造本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖四；圖7為制造本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖五；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為圖8的AA向截面圖；圖10為本發(fā)明的實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，如圖I所示，包括基板201 ;在基板201上形成有柵極202 ;覆蓋柵極202的柵絕緣層203 ;在柵絕緣層203上形成有半導(dǎo)體有源層207，像素電極層204、源極208和漏極206 ;其中，像素電極層204位于源極208和漏極206下方，與源極208和漏極206相接觸；且源極208及其下方的像素電極層204的疊層、漏極206及其下方的像素電極層204的疊層位于半導(dǎo)體有源層207的同一層；源極208及其下方的像素電極層204的疊層、漏極206及其下方的像素電極層204的疊層被半導(dǎo)體有源層207斷開(kāi)；在源極208、漏極206、像素電極層204和半導(dǎo)體有源層207上形成有鈍化層209。優(yōu)選的，源極208及其下方的像素電極層204的疊層的厚度、漏極206及其下方的像素電極層204的疊層的厚度與半導(dǎo)體有源層207的厚度相同。本發(fā)明提供的薄膜晶體管的源極、漏極位于像素電極層之上，且被半導(dǎo)體有源層斷開(kāi)，源極、漏極以及其下的像素電極層和半導(dǎo)體有源層位于同層，且厚度相同；這樣，相比現(xiàn)有技術(shù)中層疊結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管更薄，因此采用該薄膜晶體管的陣列基板更薄，進(jìn)而做成的面板盒厚較薄，從而提高了液晶響應(yīng)速度。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制造方法，參照?qǐng)D2 7所示，包括以下步驟S101、如圖3所示，在基板201上形成一層金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝處理形成柵極202?？梢允褂么趴貫R射方法，在基板上制備一層厚度在1000人至7000A的金屬薄膜。制作金屬薄膜的金屬材料通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模版通過(guò)曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝處理，在基板的一定區(qū)域上形成柵極202 ;其中，柵極202成膜即金屬薄膜的成膜方法具體可以為等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法。S102、如圖4所示，在基板201上形成柵極絕緣層203。然后可以利用化學(xué)汽相沉積法在基板上連續(xù)沉積厚度為]OGG人至6GGG人的柵絕緣層薄膜；柵絕緣層的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等，柵絕緣層的成膜方法可以采用沉積方式、旋涂方式或滾涂方式。S103、如圖5所示，在柵極絕緣層203上形成有源層并通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到位于柵極202上方的半導(dǎo)體有源層207。可以在柵絕緣層上利用化學(xué)汽相沉積法沉積厚度為ιοοοΑ至6000人的非晶硅薄膜和η+非晶硅薄膜，也可以是在柵絕緣層薄膜之上沉積金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜；用有源層的掩模版對(duì)非晶硅薄膜進(jìn)行曝光，之后對(duì)該非晶硅薄膜進(jìn)行干法刻蝕，在柵極的上方形成有源層。此外，如果是在柵絕緣層薄膜之上沉積金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜作為有源層，則對(duì)金屬氧化物薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝即可形成有源層，即在光刻膠涂覆后，用普通的掩模版對(duì)基板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕形成半導(dǎo)體有源層即可。S104、如圖6所不,在基板上先后形成一層像素電極層30和一層金屬薄膜40。S105、如圖7所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源極208、漏極206同時(shí)，去除掉半導(dǎo)體有源層207上方的像素電極層30和金屬薄膜40。使得源極208及其下方的像素電極層204的疊層、漏極206及其下方的像素電極層204的疊層被半導(dǎo)體有源層207斷開(kāi)。此時(shí)，源極208及其下方的像素電極層204的疊層、漏極206以及其下的像素電極 層204的疊層位于半導(dǎo)體有源層207的同一層，優(yōu)選的，源極208及其下方的像素電極層204的疊層的厚度、漏極206及其下方的像素電極層204的疊層的厚度與半導(dǎo)體有源層207的厚度相同?？梢圆捎煤椭谱鳀艠O類(lèi)似的工藝，在基板上先后沉積透明像素電極層和30 —層金屬薄膜40，通過(guò)刻蝕去除半導(dǎo)體有源層207上方的像素電極層30和金屬薄膜40。S106、在整個(gè)基板201上形成鈍化層209，如圖I所示。在已形成的源極、漏極、半導(dǎo)體有源層區(qū)域的圖形上，采用化學(xué)氣相沉積(PECVD)或其他成膜方法，沉積厚度為700 A 2000 A的保護(hù)層，保護(hù)層可以選用氧化物、氮化物或氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的混合氣體。本發(fā)明提供的薄膜晶體管制造方法，使得源極、漏極位于像素電極層之上，且被半導(dǎo)體有源層斷開(kāi)，源極、漏極以及其下的像素電極層和半導(dǎo)體有源層位于同層，且厚度相同；這樣，相比現(xiàn)有技術(shù)中層疊結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，采用本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管制造方法制作的薄膜晶體管更薄，因此采用該薄膜晶體管的陣列基板更薄，進(jìn)而做成的面板盒厚較薄，從而提聞了液晶響應(yīng)速度。參照?qǐng)D8和9所示，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板進(jìn)行說(shuō)明。該陣列基板包括縱橫交叉的柵線11、數(shù)據(jù)線14及存儲(chǔ)電容底電極13，柵線11和數(shù)據(jù)線14圍成像素單元，像素單元包括上述實(shí)施例提供的TFT。具體的該陣列基板包括基板201 ;在基板201上形成有柵線11、柵極202、以及存儲(chǔ)電容底電極13 ;在柵線11、柵極202、存儲(chǔ)電容底電極13和基板201上形成有柵絕緣層203 ;在柵絕緣層203上形成有半導(dǎo)體有源層207，像素電極層204和數(shù)據(jù)線14、源極208、漏極206。優(yōu)選的，該陣列基板還可以包括位于像素單元邊緣與存儲(chǔ)電容底電極和柵線同層的擋光條12，以防止漏光及相鄰像素單元間的光串?dāng)_現(xiàn)象發(fā)生。在本實(shí)施例中，如圖9所示，像素電極層204位于數(shù)據(jù)線(圖9中未表示)、源極208、漏極206下方，與數(shù)據(jù)線、源極208、漏極206相接觸。在薄膜晶體管區(qū)域，源極208、漏極206及其下方的像素電極層204位于半導(dǎo)體有源層207的同一層，優(yōu)選的，源極208及其下方的像素電極層204的疊層的厚度、漏極206及其下方的像素電極層204的疊層的厚度與半導(dǎo)體有源層207的厚度相同，源極208及其下方的像素電極層204的疊層、漏極206及其下方的像素電極層204的疊層被半導(dǎo)體有源層207斷開(kāi)。
本發(fā)明提供的陣列基板，在陣列基板的薄膜晶體管區(qū)域，源極、漏極位于像素電極層之上，且被半導(dǎo)體有源層斷開(kāi)，源極、漏極以及其下的像素電極層和半導(dǎo)體有源層位于同層，且厚度相同。這樣，相比現(xiàn)有技術(shù)中層疊結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管更薄，因此該薄膜晶體管陣列基板更薄，進(jìn)而做成的面板盒厚較薄，從而提高了液晶響應(yīng)速度。進(jìn)一步的，如圖8所示，在本實(shí)施例中，在形成半導(dǎo)體有源層207的同時(shí)，可以在柵線11和數(shù)據(jù)線14之間的交疊處形成有隔墊半導(dǎo)體層2071 ;和/或，在存儲(chǔ)電容底電極13和數(shù)據(jù)線14之間的交疊處形成隔墊半導(dǎo)體層2072。這樣一來(lái)，增加了數(shù)據(jù)線和柵線的交疊處，數(shù)據(jù)線和存儲(chǔ)電容底電極的交疊處的層高，避免了交疊處的金屬線層間端差過(guò)大導(dǎo)致的液晶旋轉(zhuǎn)異?，F(xiàn)象的發(fā)生。同時(shí)，減少了柵線和數(shù)據(jù)線間發(fā)生靜電擊穿，以及數(shù)據(jù)線發(fā)生斷裂的概率。另外，當(dāng)存儲(chǔ)電容底電極發(fā)生斷裂時(shí)，可以用激光將存儲(chǔ)電容底電極和像素電極連接，通過(guò)像素電極來(lái)傳輸公共電極信號(hào)，同時(shí)需要將該像素變成暗點(diǎn)。由于有源層的存在，使得連接面積加大，成功率更高。 結(jié)合本發(fā)明的實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制造方法本發(fā)明還本實(shí)施例提供了陣列基板的具體的制作方法，參照?qǐng)D10所示，包括以下流程S201、在基板201上形成一層金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝處理形成柵線、柵極202、存儲(chǔ)電容底電極13。當(dāng)然，可選的在該步驟中還可以形成擋光條12。S202、在基板201上形成柵極絕緣層203。S203、在柵極絕緣層203上方形成有源層并通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到位于柵極202上方的半導(dǎo)體有源層207?？蛇x的在該步驟中還可以同時(shí)形成位于存儲(chǔ)電容底電極13和數(shù)據(jù)線14之間的交疊處的隔墊半導(dǎo)體層2072，和/或位于柵線11和數(shù)據(jù)線14之間的交疊處的隔墊半導(dǎo)體層2071。S204、在基板上先后形成一層像素電極層和30 —層金屬薄膜40。S205、通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到數(shù)據(jù)線、源極208、漏極206和像素電極204，同時(shí)，去除掉半導(dǎo)體有源層207上方的像素電極層30和金屬薄膜40。使得源極208及其下方的像素電極層204、漏極206及其下方的像素電極層204被半導(dǎo)體有源層207斷開(kāi)。此時(shí)，源極208、漏極206以及其下的像素電極層204位于半導(dǎo)體有源層207同一層，優(yōu)選的，源極208及其下方的像素電極層204的疊層的厚度、漏極206以及其下的像素電極層204的疊層的厚度與半導(dǎo)體有源層207厚度相同。這樣像素單元中用于控制液晶偏轉(zhuǎn)的像素電極可以與薄膜晶體管中源極及漏極下方的像素電極層同時(shí)形成且直接與漏極電連接，與現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)過(guò)孔連接像素電極和漏極的方式相比可以減少制作工藝節(jié)約成本。S206、在整個(gè)基板201上形成鈍化層209。其中，以上步驟中的具體制作流程可參照薄膜晶體管的制作流程此處不再贅述。本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法，在陣列基板的薄膜晶體管區(qū)域，源極、漏極位于像素電極層之上，且被半導(dǎo)體有源層斷開(kāi)，源極、漏極以及其下的像素電極層和半導(dǎo)體有源層位于同層，且厚度相同。這樣，相比現(xiàn)有技術(shù)中層疊結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管更薄，因此該薄膜晶體管陣列基板更薄，進(jìn)而做成的面板盒厚較薄，從而提聞了液晶響應(yīng)速度。本發(fā)明提供的液晶顯示器可以為采用上述陣列基板，其基板的結(jié)構(gòu)與上一實(shí)施例相同，在此不再贅述。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括 基板； 在所述基板上形成有柵極； 覆蓋所述柵極的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成有半導(dǎo)體有源層，像素電極層、源極和漏極；其中，所述像素電極層位于所述源極和漏極下方，與所述源極和漏極相接觸；且所述源極及其下方的像素電極層的疊層、漏極及其及下方的像素電極層的疊層位于所述半導(dǎo)體有源層的同一層；所述源極及其下方的像素電極層的疊層、所述漏極及其下方的像素電極層的疊層被所述半導(dǎo)體有源層斷開(kāi)； 在所述源極、漏極、像素電極層和半導(dǎo)體有源層上形成有鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極及其下方的像素電極層的疊層的厚度、所述漏極及其下方的像素電極層的疊層的厚度與所述半導(dǎo)體有源層的厚度相同。
3.一種陣列基板，包括縱橫交叉的柵線、數(shù)據(jù)線，及存儲(chǔ)電容底電極，所述柵線和數(shù)據(jù)線圍成像素單元，其特征在于，所述像素單元包括權(quán)利要求I或2所述的薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述存儲(chǔ)電容底電極和所述數(shù)據(jù)線之間的交疊處形成有隔墊半導(dǎo)體層； 和/或，在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間的交疊處形成有隔墊半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述像素單元邊緣的與所述存儲(chǔ)電容底電極以及所述柵線同層的擋光條。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線下方形成有所述像素電極層。
7.一種液晶顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求3 6所述的任一陣列基板。
8.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括 在基板上形成一層金屬薄膜通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極； 在所述基板上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成有源層并通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到位于所述柵極上方的半導(dǎo)體有源層； 在所述基板上先后形成一層像素電極層和一層金屬薄膜； 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成源極和漏極并去除所述半導(dǎo)體有源層上方的所述像素電極層和金屬薄膜； 在以此得到的所述整個(gè)基板上形成鈍化層。
9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括 在基板上形成一層金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線、柵極、存儲(chǔ)電容底電極； 在所述基板上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成有源層并通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到位于所述柵極上方的半導(dǎo)體有源層； 在所述基板上先后形成一層像素電極層和一層金屬薄膜； 通過(guò)構(gòu)圖工藝處理得到數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極并去除所述半導(dǎo)體有源層上方的所述像素電極層和金屬薄膜； 在以此得到的所述整個(gè)基板上形成鈍化層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包括 通過(guò)形成所述柵線、柵極、存儲(chǔ)電容底電極的構(gòu)圖工藝同時(shí)形成擋光條。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，還包括 通過(guò)形成所述柵極上方的半導(dǎo)體有源層的構(gòu)圖工藝同時(shí)形成位于所述存儲(chǔ)電容底電極和所述數(shù)據(jù)線之間的交疊處的隔墊半導(dǎo)體層，和/或位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間的交疊處的隔墊半導(dǎo)體層。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，涉及液晶面板制造領(lǐng)域，可以減小薄膜晶體管的厚度。該薄膜晶體管，包括基板；在基板上形成有柵極；覆蓋柵極的柵絕緣層；在柵絕緣層上形成有半導(dǎo)體有源層，像素電極層、源極和漏極；其中，所述像素電極層位于所述源極和漏極下方，與所述源極和漏極相接觸；且所述源極及其下方的像素電極層的疊層、漏極及其及下方的像素電極層的疊層位于所述半導(dǎo)體有源層的同一層；所述源極及其下方的像素電極層的疊層、所述漏極及其下方的像素電極層的疊層被所述半導(dǎo)體有源層斷開(kāi)；在所述源極、漏極、像素電極層和半導(dǎo)體有源層上形成有鈍化層。本發(fā)明的實(shí)施例用于液晶顯示器制造。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102810558SQ201210279838
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月7日
發(fā)明者張彌 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司