專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Diode Display,OLED)又稱為有機(jī)電致發(fā)光二極管，是自20世紀(jì)中期發(fā)展起來的一種新型顯示技術(shù)。與液晶顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光二極管具有全固態(tài)、主動發(fā)光、高亮度、高對比度、超薄、低成本、低功耗、快速響應(yīng)、寬視角、工作溫度范圍寬、易于柔性顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)電致發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)一般包括基板、陽極、陰極和有機(jī)功能層，其發(fā)光原理是通過陽極和陰極間蒸鍍的非常薄的多層有機(jī)材料，由正負(fù)載流子注入有機(jī)半導(dǎo)體薄膜后復(fù)合產(chǎn)生發(fā) 光。有機(jī)電致發(fā)光二極管的有機(jī)功能層，一般由三個(gè)功能層構(gòu)成，分別為空穴傳輸功能層(Hole Transmittion Layer, HTL)、發(fā)光功能層(Emissive Layer, EML)、電子傳輸功能層(Electron Transmittion Layer, ETL)。每個(gè)功能層可以是一層，或者一層以上，例如空穴傳輸功能層，有時(shí)可以細(xì)分為空穴注入層和空穴傳輸層；電子傳輸功能層，可以細(xì)分為電子傳輸層和電子注入層，但其功能相近，故統(tǒng)稱為空穴傳輸功能層，電子傳輸功能層。目前，全彩有機(jī)電致發(fā)光二極管的制作方法以紅綠藍(lán)(RGB)三色并列獨(dú)立發(fā)光法、白光加彩色濾光片法、色轉(zhuǎn)換法三種方式為主，其中紅綠藍(lán)三色并列獨(dú)立發(fā)光法最有潛力，實(shí)際應(yīng)用最多。在以紅綠藍(lán)三色并列獨(dú)立發(fā)光法制作有機(jī)電致發(fā)光二極管的制作過程中，需要使用金屬掩模板來達(dá)到對玻璃基板上發(fā)光層的發(fā)光像素部分區(qū)域蒸鍍有機(jī)材料以實(shí)現(xiàn)彩色顯不。金屬掩模板的開口大小取決于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管玻璃基板的發(fā)光層的大小，蒸鍍前位于玻璃基板下方的磁盤吸附金屬掩模板使其完全平貼玻璃基板上，進(jìn)而避免陰影效應(yīng)(shadow effect)的產(chǎn)生而影響蒸鍍質(zhì)量。然而，由于金屬掩模板的開口有效區(qū)塊與無效區(qū)塊質(zhì)量不同，導(dǎo)致磁力吸附金屬掩模板時(shí)造成質(zhì)量不同的區(qū)塊吸附先后順序不一，使掩模板開口未能有效平貼于固定指定位置。而且，隨著有機(jī)電致發(fā)光二極管的發(fā)展，尤其是主動矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AM0LED)的發(fā)展，有機(jī)電致發(fā)光二極管產(chǎn)品尺寸及玻璃基板尺寸都在不斷增加，這就要求蒸鍍金屬掩模板的尺寸不斷增大，但是金屬掩模板一般都很薄(一般不超過50um)，而且有機(jī)電致發(fā)光二極管蒸鍍工藝要求金屬掩模板和玻璃基板之間要有很高的對位精度(金屬掩模板單元器件與玻璃基板的像素單元之間對位誤差在-3um +3um)，因此，隨著有機(jī)電致發(fā)光二極管大尺寸化的生產(chǎn)，往往會產(chǎn)生由于金屬掩模板與玻璃基板之間對位不準(zhǔn)導(dǎo)致有機(jī)材料蒸鍍到其他區(qū)域，造成產(chǎn)品不良，極大影響了生產(chǎn)效率和生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，所述裝置的掩模板無效區(qū)通過設(shè)置開口使該無效區(qū)質(zhì)量和所述掩模板有效區(qū)質(zhì)量不存在差異，從而解決了磁盤吸附時(shí)因掩模板有效區(qū)和無效區(qū)的質(zhì)量不同造成的吸附順序差異，及由此產(chǎn)生的像素位置偏移的問題，并通過設(shè)置掩蓋板避免了有機(jī)材料附著于基板的非蒸鍍區(qū)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，包括一掩?？蚣堋惭b于該掩?？蚣芟鄬蛇吙虺蛘翦兠?zhèn)鹊难谏w板及貼合于該掩蓋板上的掩模板，所述掩?？蚣艹示匦?，其中間設(shè)有矩形的容置口，通過調(diào)整掩蓋板的安裝位置調(diào)整所述容置口的大小，所述掩模板上均勻布滿數(shù)個(gè)開口。所述掩蓋板由無磁性材料制成,所述掩模板由磁吸性材料制成。所述掩蓋板由不銹鋼制成。所述掩蓋板焊接固定安裝于所述掩?？蚣苌?。所述掩模板為一整張網(wǎng)板或由數(shù)張網(wǎng)板拼接而成。 所述容置口的大小等于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上的發(fā)光層的大小。還包括設(shè)于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上方的磁盤，該磁盤對應(yīng)所述掩?？蚣茉O(shè)置，且該磁盤的大小大于或等于所述掩?？蚣艿拇笮　Ｋ鲩_口具有相同的結(jié)構(gòu)與大小，其對應(yīng)待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上的發(fā)光層像素單元的子像素點(diǎn)設(shè)置。所述開口為縫隙型開口。所述開口為插槽型開口。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置的掩模板的質(zhì)量分布較均勻，從而避免磁力吸附掩模板時(shí)造成質(zhì)量不同區(qū)塊吸附先后順序不一，導(dǎo)致像素位置偏移的問題；所述掩模裝置的掩模板的成本降低，效率提高；所述掩模裝置避免了有機(jī)材料附著于基板的非蒸鍍區(qū)，降低有機(jī)電致發(fā)光二極管的生產(chǎn)成本，提高其生產(chǎn)效率，還有利于大尺寸有機(jī)電致發(fā)光二極管的蒸鍍技術(shù)的發(fā)展。為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。附圖中，圖I為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I所述的掩模裝置中的掩蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為圖I所述的掩模裝置中的掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。請參閱圖I至圖3，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，包括一掩?？蚣?、安裝于該掩模框架2相對兩邊框朝向蒸鍍面?zhèn)鹊难谏w板4及貼合于該掩蓋板4上的掩模板6。所述掩?？蚣?呈矩形，其中間設(shè)有矩形的容置口 20，該容置口 20的大小對應(yīng)蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的基板的發(fā)光層的大小設(shè)置。所述掩蓋板4固定安裝于所述掩?？蚣?上，其由非磁性材料制成，優(yōu)選不銹鋼(SUS)，蒸鍍時(shí)，可通過調(diào)整掩蓋板4安裝于掩?？蚣?的位置來調(diào)整該容置口 20的大小， 以配合待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板的發(fā)光層的大小，并避免有機(jī)材料附著于基板的非蒸鍍區(qū)。所述掩模板6由磁吸性材料制成(如，鐵等)，上均勻布滿數(shù)個(gè)開口 62，在本實(shí)施例中，所述開口 62為縫隙型開口。所述開口 62具有相同的結(jié)構(gòu)與大小，其對應(yīng)待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上的發(fā)光層像素單元的子像素點(diǎn)設(shè)置。在本實(shí)施例中，所述掩模板6為一整張網(wǎng)板。本發(fā)明提供有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置還包括一設(shè)于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上方的磁盤(未圖不)，該磁盤對應(yīng)所述掩?？蚣?設(shè)置，用于將掩模板6吸附于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板的待蒸鍍面上，并吸附掩?？蚣?以壓緊所述掩模板6。優(yōu)選的，該磁盤的大小大于或等于所述掩模框架2的大小。由于所述掩模板6上均勻布滿開口 62,使得整個(gè)掩模板6的質(zhì)量分布較均勻,磁盤在吸附掩模板6將同時(shí)吸附，進(jìn)而避免現(xiàn)有技術(shù)中因有效區(qū)和無效區(qū)的質(zhì)量差別較大而造成的吸附順序差異，及由此產(chǎn)生的像素位置偏移的現(xiàn)象。蒸鍍時(shí)，所述磁盤吸附所述掩模板6于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板的待蒸鍍面上，并將掩模框架2及掩蓋板4吸附于所述掩模板6上，這時(shí)，所述掩?？蚣?與掩蓋板4緊密貼合于掩模板6上，進(jìn)而在掩模板6上形成蒸鍍有效區(qū)及蒸鍍無效區(qū)，以實(shí)現(xiàn)蒸鍍制程。請參閱圖4為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，所述掩模板6’上的開口 62’為插槽型開口，所述開口 62’具有相同的結(jié)構(gòu)與大小，其對應(yīng)待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上的發(fā)光層像素單元的子像素點(diǎn)設(shè)置。請參閱圖5為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，所述掩模板6”由兩張網(wǎng)板拼接而成，所述掩模板6”上的開口 62’為插槽型開口，該些開口 62’具有相同的結(jié)構(gòu)與大小，其對應(yīng)待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上的發(fā)光層像素單元的子像素點(diǎn)設(shè)置，所述兩網(wǎng)板具有相同的結(jié)構(gòu)與大小，其之間的間隙寬度等于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上的發(fā)光層像素單元的子像素點(diǎn)的寬度，進(jìn)而在該間隙處形成一整條的子像素點(diǎn)，該整條的子像素點(diǎn)可為R、G、B三色子像素中的任意一個(gè)。
綜上所述，本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置的掩模板的質(zhì)量分布均勻，從而避免磁力吸附掩模板時(shí)造成質(zhì)量不同區(qū)塊吸附先后順序不一，導(dǎo)致像素位置偏移的問題；所述掩模裝置避免了有機(jī)材料附著于基板的非蒸鍍區(qū)，降低有機(jī)電致發(fā)光二極管的生產(chǎn)成本，提高其生產(chǎn)效率，還有利于大尺寸有機(jī)電致發(fā)光二極管的蒸鍍技術(shù)的發(fā)展。
以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，包括一掩模框架、安裝于該掩?？蚣芟鄬蛇吙虺蛘翦兠?zhèn)鹊难谏w板及貼合于該掩蓋板上的掩模板，所述掩?？蚣艹示匦?，其中間設(shè)有矩形的容置口，通過調(diào)整掩蓋板的安裝位置調(diào)整所述容置口的大小，所述掩模板上均勻布滿數(shù)個(gè)開口。
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述掩蓋板由無磁性材料制成，所述掩模板由磁吸性材料制成。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述掩蓋板由不銹鋼制成。
4.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述掩蓋板焊接固定安裝于所述掩?？蚣苌稀?br> 5.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述掩模板為一整張網(wǎng)板或由數(shù)張網(wǎng)板拼接而成。
6.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述容置口的大小等于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上的發(fā)光層的大小。
7.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，還包括設(shè)于待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上方的磁盤，該磁盤對應(yīng)所述掩?？蚣茉O(shè)置，且該磁盤的大小大于或等于所述掩模框架的大小。
8.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述開口具有相同的結(jié)構(gòu)與大小，其對應(yīng)待蒸鍍的有機(jī)電致發(fā)光二極管的玻璃基板上的發(fā)光層像素單元的子像素點(diǎn)設(shè)置。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述開口為縫隙型開口。
10.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，其特征在于，所述開口為插槽型開口。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置，包括一掩?？蚣?、安裝于該掩模框架相對兩邊框朝向蒸鍍面?zhèn)鹊难谏w板及貼合于該掩蓋板上的掩模板，所述掩?？蚣艹示匦?，其中間設(shè)有矩形的容置口，通過調(diào)整掩蓋板的安裝位置調(diào)整所述容置口的大小，所述掩模板上均勻布滿數(shù)個(gè)開口。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光二極管有機(jī)材料蒸鍍用掩模裝置的掩模板的質(zhì)量分布均勻，從而避免磁力吸附掩模板時(shí)造成質(zhì)量不同區(qū)塊吸附先后順序不一，導(dǎo)致像素位置偏移的問題；所述掩模裝置避免了有機(jī)材料附著于基板的非蒸鍍區(qū)，降低有機(jī)電致發(fā)光二極管的生產(chǎn)成本，提高其生產(chǎn)效率，還有利于大尺寸有機(jī)電致發(fā)光二極管的蒸鍍技術(shù)的發(fā)展。
文檔編號H01L51/56GK102776473SQ20121028491
公開日2012年11月14日 申請日期2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月10日
發(fā)明者吳元均, 吳泰必 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司