軟性基材的封裝工藝及其結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種軟性基材的封裝工藝及其結(jié)構(gòu)，利用前工藝、裝載、封裝、卸載、激光等步驟完成軟性基材的封裝工藝，其主要是借由裝載步驟在軟性基材上接著承載補(bǔ)強(qiáng)板，使得軟性基材在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，有效提升芯片封裝工藝的良品率，使成本降低；而本發(fā)明所述軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)主要具有由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材上接著有芯片，且覆蓋有熱固性材料。
【專利說(shuō)明】軟性基材的封裝工藝及其結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種軟性基材的封裝工藝及其結(jié)構(gòu)，特別是指一種利用前工藝、裝載、封裝、卸載、激光等步驟完成軟性基材的封裝工藝，其主要是借由裝載步驟在軟性基材上接著承載補(bǔ)強(qiáng)板，使得軟性基材在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，有效提升芯片封裝工藝的良品率，使成本降低的軟性基材的封裝工藝及其結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展與信息產(chǎn)品的擴(kuò)增，對(duì)半導(dǎo)體電子元件的需求日益殷切，因此，在科技進(jìn)步及市場(chǎng)需求下，半導(dǎo)體元件的封裝技術(shù)進(jìn)步迅速，主要是將銅箔經(jīng)由沖切、蝕刻、沖壓等工藝制作而成導(dǎo)線基材，并在導(dǎo)線基材上進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)的封裝技術(shù)，迄今，導(dǎo)線基材的封裝技術(shù)已漸趨成熟。
[0003]而公知較常見(jiàn)的導(dǎo)線架基材的封裝技術(shù)為球狀矩陣(Ball Grid Array,以下簡(jiǎn)稱BGA)封裝技術(shù)，而公知BGA封裝技術(shù)根據(jù)使用導(dǎo)線基材材料的不同，分為塑料球柵陣列(Plastic BGA，以下簡(jiǎn)稱PBGA)、卷帶球柵陣列(Tape BGA，以下簡(jiǎn)稱TBGA)等封裝技術(shù)。
[0004]請(qǐng)參閱圖1，圖1為公知卷帶球柵陣列封裝技術(shù)的封裝結(jié)構(gòu)；由圖可知，所述導(dǎo)線基材4是由電鍍層40、導(dǎo)電材41以及軟性載板42所組合而成，所述導(dǎo)電材41上、下方分別形成有電鍍層40，所述導(dǎo)電材41上方的電鍍層40上形成有粘著層C，所述導(dǎo)電材41下方的電鍍層40上接著有軟性載板42，所述軟性載板42穿置有錫球A，所述導(dǎo)線基材4中間斷開(kāi)處連接有絕緣層B，在絕緣層B上設(shè)置有芯片E，于芯片E兩側(cè)形成有絕緣層B，且于芯片E上方覆蓋有熱固性材料F，其中，于粘著層C、熱固性材料F上方覆蓋有散熱層D。
[0005]所述導(dǎo)線基材4的導(dǎo)電材41為銅箔，而所述軟性載板42為酰胺化合物(Polyimide, PI)，因此，導(dǎo)線基材4既輕且薄，能夠較以往完成更小間距的封裝尺寸，因此被廣泛應(yīng)用于內(nèi)存或通訊IC或高附加價(jià)值的IC上。
[0006]然，由于TBGA封裝技術(shù)是采用可撓性的卷帶式基板(如前述由電鍍層40、導(dǎo)電材41以及軟性載板42所組合而成的導(dǎo)線基材4)，因此，在利用TBGA封裝技術(shù)進(jìn)行芯片封裝時(shí)，可撓性的卷帶式基板常有翹曲、變形的情況發(fā)生，降低封裝工藝的良品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種利用前工藝、裝載、封裝、卸載、激光等步驟完成軟性基材的封裝工藝，主要借由裝載步驟在軟性基材上接著承載補(bǔ)強(qiáng)板，使得軟性基材在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，有效提升芯片封裝工藝的良品率，使成本降低的軟性基材的封裝工藝及其結(jié)構(gòu)。
[0008]根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種軟性基材的封裝工藝，大致包含有前工藝、裝載、激光及封裝等步驟；該前工藝主要是將一由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材經(jīng)過(guò)薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，其中，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與一為酰胺化合物(Polyimide, PI)的軟性載板上下相互接著而成，而在導(dǎo)線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆。
[0009]接著，在軟性基材的外框架上方、外框架下方的軟性載板、或者同時(shí)在軟性基材的外框架上方及外框架下方的軟性載板上接著承載補(bǔ)強(qiáng)板，以增加軟性基材的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
[0010]接續(xù)，在軟性載板上進(jìn)行激光鉆孔作業(yè)，使得軟性載板上形成有與導(dǎo)線相互連通的導(dǎo)孔，而在軟性載板上可依需求設(shè)置與焊墊相連通的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔，其中，在與導(dǎo)孔相連通的導(dǎo)線及焊墊表面鍍有金屬保護(hù)層；續(xù)再于芯片基材上進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)。
[0011]最后，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進(jìn)行封膠作業(yè)；其中，所述激光及封裝步驟可依使用者需求而變換順序，倘若激光步驟在封裝步驟之后，則在與導(dǎo)孔相連通的導(dǎo)線及焊墊表面不形成有金屬保護(hù)層；此外，當(dāng)軟性載板下方為完全接著承載補(bǔ)強(qiáng)板時(shí)，使用者必須在激光步驟前先進(jìn)行卸載步驟移除軟性載板下方的承載補(bǔ)強(qiáng)板，以維持激光質(zhì)量；據(jù)此，本發(fā)明可借由承載補(bǔ)強(qiáng)板增加軟性基材的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，有效地提升芯片封裝工藝的良品率，同時(shí)使成本降低。
[0012]因此，依據(jù)前述的封裝工藝可知，本發(fā)明所述軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，主要是具有由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，其中，所述軟性載板內(nèi)形成有連通導(dǎo)線的導(dǎo)孔以及連通焊墊的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔，在焊墊上接著有芯片，所述芯片上是以錫球或金屬線與導(dǎo)線接著導(dǎo)通，而在接著有芯片的芯片基材上覆蓋有熱固性材料；而所述軟性基材的外框架上方、或外框架下方的軟性載板上、或者同時(shí)在軟性基材的外框架上方及對(duì)應(yīng)外框架下方的軟性載板上接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板。
[0013]本發(fā)明所述軟性基材的封裝工藝及其結(jié)構(gòu)，具有如下有益效果:
1、使用者可依據(jù)軟性載板上所接著的承載補(bǔ)強(qiáng)板，而依需求選擇激光及封裝得先后順
序;
2、借由軟性基材的外框架上方及軟性載板上所接著的承載補(bǔ)強(qiáng)板，使得軟性基材在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，提升芯片封裝工藝的良品率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為公知卷帶球柵陣列封裝技術(shù)的封裝結(jié)構(gòu)；
圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖3為本發(fā)明實(shí)施例2的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖4為本發(fā)明實(shí)施例3的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖5為本發(fā)明實(shí)施例4的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖6為本發(fā)明實(shí)施例5的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖7為本發(fā)明實(shí)施例6的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖8為本發(fā)明實(shí)施例7的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖9為本發(fā)明實(shí)施例8的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖10為本發(fā)明實(shí)施例9的流程及其結(jié)構(gòu)圖；
圖11為本發(fā)明實(shí)施例10的流程及其結(jié)構(gòu)圖； 圖12A為本發(fā)明實(shí)施例11的流程及其結(jié)構(gòu)圖一； 圖12B為本發(fā)明實(shí)施例11的流程及其結(jié)構(gòu)圖二。
[0015]附圖標(biāo)記說(shuō)明
1軟性基材的封裝工藝
10前工藝
11裝載
12激光
13封裝
14卸載
2軟性基材
20外框架
21芯片基材
210焊墊 2100導(dǎo)孔
211導(dǎo)線
212軟性載板 2120導(dǎo)孔
213芯片
214金屬線
215熱固性材料
216錫球
22錫球
23金屬保護(hù)層
24熱球
25防焊漆
3承載補(bǔ)強(qiáng)板
4導(dǎo)線基材
40電鍍層
41導(dǎo)電材
42軟性載板 A錫球
B絕緣層
C粘著層
D散熱層
E芯片
F熱固性材料
G導(dǎo)電材
GO第一導(dǎo)電材
Gl第二導(dǎo)電材?！揪唧w實(shí)施方式】
[0016]為便于對(duì)本發(fā)明的目的、效果以與構(gòu)造特征能有更詳細(xì)明確的了解，列舉出如下所述的較佳實(shí)施例并結(jié)合附圖進(jìn)行說(shuō)明。
[0017]實(shí)施例1 請(qǐng)參閱圖2。
[0018]由圖可知，本發(fā)明所述軟性基材的封裝工藝1，其包含有下列步驟:
前工藝10:將一由導(dǎo)電材G及軟性載板212上下接著而成的軟性基材2經(jīng)過(guò)薄膜、光罩、蝕刻工藝后形成有外框架20，所述軟性基材2的外框架20內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材21，所述芯片基材21是由一焊墊210及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線211與軟性載板212上下相互接著而成；其中，所述軟性載板212為酰胺化合物(Polyimide，PD，所述焊墊210及導(dǎo)線211是由第一導(dǎo)電材GO及第二導(dǎo)電材Gl上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材GO為銅箔，而所述第二導(dǎo)電材Gl可為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
[0019]裝載11:所述裝載11步驟主要是在軟性基材2的外框架20上方接著承載補(bǔ)強(qiáng)板3(其中，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板3為鋁或不銹鋼等的金屬材質(zhì)，也可為聚對(duì)苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate, PET)或聚萘二 甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphthalate, PEN)或酰胺化合物(Polyimide, PI)),借以間接增加軟性基材2的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
[0020]激光12:在軟性載板212上進(jìn)行激光鉆孔作業(yè)，使得軟性載板212上形成有與導(dǎo)線211相互連通的導(dǎo)孔2120，而在軟性載板212上可依需求設(shè)置與焊墊210相連通的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔2100 (本發(fā)明圖2是以兩個(gè)導(dǎo)孔2100為較佳實(shí)施)，其中，在分別與導(dǎo)孔2120及導(dǎo)孔2100相連通的導(dǎo)線211及焊墊210表面鍍有可為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成金屬保護(hù)層23。
[0021]封裝13:在芯片基材21上進(jìn)行芯片213的封裝作業(yè)，主要是在焊墊210上接著芯片213后，再進(jìn)行焊線作業(yè)，使得芯片213通過(guò)金屬線214或是錫球(圖中未示)與芯片基材21的導(dǎo)線211連接導(dǎo)通，接續(xù)，再利用為環(huán)氧樹脂、硅膠或陶瓷的熱固性材料215在軟性載板212上方及焊墊210與導(dǎo)線211之間進(jìn)行封膠作業(yè)，以令芯片213和外界隔絕，避免金屬線214被破壞，同時(shí)可防止?jié)駳膺M(jìn)入接觸芯片213，避免芯片213遭到腐蝕，也可避免不必要的信號(hào)干擾，并且能有效地將芯片213運(yùn)作時(shí)所產(chǎn)生的熱氣排出到外界，提升芯片213散熱效果。
[0022]因此，本發(fā)明是將為酰胺化合物(Polyimide，PI)的軟性載板212來(lái)當(dāng)作軟性基材2的組成之一，借以間接增加軟性基材2的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，可精確的在軟性基材2進(jìn)行激光12及封裝13步驟，徒增利用軟性基材2進(jìn)行芯片213封裝工藝的良品率，使成本降低。
[0023]而依據(jù)前述的封裝工藝可知，本發(fā)明實(shí)施例1所述軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，主要是具有由導(dǎo)電材及軟性載板212上下接著的軟性基材2，所述軟性基材形成有外框架20，在外框架20內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材21，所述芯片基材21是由一焊墊210及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線211與為酰胺化合物(Polyimide，PI)的軟性載板212上下相互接著而成，而所述軟性基材2的外框架20上方額外接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板3，其中，所述軟性載板212內(nèi)形成有連通導(dǎo)線211的導(dǎo)孔2120以及連通焊墊210的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔2100，在焊墊210上接著有芯片213，所述芯片213上是以錫球或金屬線214與導(dǎo)線211接著導(dǎo)通，而在接著有芯片213的芯片基材21上覆蓋有為環(huán)氧樹脂、硅膠或陶瓷材質(zhì)的熱固性材料 215。
[0024]實(shí)施例2
請(qǐng)參閱圖3。
[0025]由圖可知，本發(fā)明實(shí)施例2大致上同于實(shí)施例1，其主要差異在于，本發(fā)明實(shí)施例2可依需求在前工藝10步驟及裝載11步驟后，先進(jìn)行封裝13步驟再進(jìn)行激光12步驟，倘若激光12步驟在封裝13步驟之后，則在分別與導(dǎo)孔2120及導(dǎo)孔2100相連通的導(dǎo)線211及焊墊210表面不形成有金屬保護(hù)層(圖中未示)。
[0026]而本發(fā)明實(shí)施例2同樣可在外框架20上接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板3的軟性基材2上精確的進(jìn)行芯片213的封裝工藝，而其所能達(dá)成的功效如同實(shí)施例1，在此不再贅述。
[0027]實(shí)施例3
請(qǐng)參閱圖4。
[0028]由圖可知，本發(fā)明實(shí)施例3大致上同于實(shí)施例1，其主要差異在于，本發(fā)明實(shí)施例3的前工藝10步驟后的裝載11步驟所使用的承載補(bǔ)強(qiáng)板3接著在軟性基材2的對(duì)應(yīng)外框架20下方的軟性載板212上，同樣可間接增加軟性基材2的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，以精確的進(jìn)行激光12及封裝13步驟，徒增利用軟性基材2進(jìn)行芯片213封裝工藝的良品率。
[0029]而依據(jù)實(shí)施例3的封裝工藝可知，本發(fā)明實(shí)施例3的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)差異在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板3接著于軟性基材2的外框架20下方的軟性載板212上。
[0030]實(shí)施例4 請(qǐng)參閱圖5。
[0031]由圖可知，本發(fā)明實(shí)施例4大致上同于實(shí)施例2，其主要差異在于，本發(fā)明實(shí)施例4可依需求在前工藝10步驟及裝載11步驟后，先進(jìn)行封裝13步驟再進(jìn)行激光12步驟，同樣可在接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板3的軟性基材2上精確的進(jìn)行芯片213的封裝工藝，而其所能達(dá)成的功效如同實(shí)施例2，在此不再贅述。
[0032]實(shí)施例5 請(qǐng)參閱圖6。
[0033]由圖可知，本發(fā)明實(shí)施例5大致上同于實(shí)施例1及實(shí)施例3，其主要差異在于，本發(fā)明實(shí)施例5的前工藝10步驟后的裝載11步驟主要是在軟性基材2的外框架20上方及對(duì)應(yīng)外框架20下方的軟性載板212上同時(shí)接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板3，大幅提升軟性基材2的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，可精確的進(jìn)行激光12及封裝13步驟，徒增利用軟性基材2進(jìn)行芯片213封裝工藝的良品率及產(chǎn)率，使成本降低。
[0034]而依據(jù)實(shí)施例5的封裝工藝可知，本發(fā)明實(shí)施例5的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)差異在于，所述軟性基材2的外框架20上方及對(duì)應(yīng)外框架20下方的軟性載板212上分別接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板3。
[0035]實(shí)施例6 請(qǐng)參閱圖7。[0036]由圖可知,本發(fā)明實(shí)施例6大致上同于實(shí)施例5,其主要差異在于,本發(fā)明實(shí)施例6可依需求在前工藝10步驟及裝載11步驟后，先進(jìn)行封裝13步驟再進(jìn)行激光12步驟，同樣可利用承載補(bǔ)強(qiáng)板3大幅提升軟性基材2的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，而其封裝工藝所能達(dá)成的功效如同實(shí)施例5，在此不再贅述。
[0037]實(shí)施例7 請(qǐng)參閱圖8。
[0038]由圖可知，本發(fā)明實(shí)施例7大致上同于實(shí)施例4，其主要差異在于，本發(fā)明實(shí)施例7的前工藝10步驟的裝載11步驟，其主要是在軟性載板212下方完全接著承載補(bǔ)強(qiáng)板3，使得軟性基材2借由承載補(bǔ)強(qiáng)板3而在封裝工藝中減少翹曲、變形，因此，可精確進(jìn)行芯片213的封裝13作業(yè)；而當(dāng)芯片基材21完成封裝13步驟后，先進(jìn)一步進(jìn)行卸載14步驟，其主要是用以移除軟性載板212下方的承載補(bǔ)強(qiáng)板3，使得軟性載板212在進(jìn)行激光12作業(yè)時(shí)，不會(huì)有任何的承載補(bǔ)強(qiáng)板3碎屑?xì)埩簦Ｓ行酒?13運(yùn)作的質(zhì)量，免除承載補(bǔ)強(qiáng)板3碎屑有阻礙芯片基材21后續(xù)與基板(圖中未示)導(dǎo)通的虞慮，有效的維持激光質(zhì)量，提升芯片封裝工藝的良品率。
[0039]實(shí)施例8 請(qǐng)參閱圖9。
[0040]由圖可知，本發(fā)明實(shí)施例8大致上同于實(shí)施例7，其主要差異在于，本發(fā)明實(shí)施例8在前工藝10步驟后的裝載11步驟時(shí)，除了在軟性載板212下方完全接著承載補(bǔ)強(qiáng)板3之夕卜，同時(shí),在軟性基材2的外框架20上方也同時(shí)接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板3，同樣使得軟性基材2借由承載補(bǔ)強(qiáng)板3而在封裝工藝中減少翹曲、變形，可精確進(jìn)行后續(xù)芯片213的封裝工藝，而其封裝工藝所能達(dá)成的功效如同實(shí)施例7，在此不再贅述。
[0041]實(shí)施例9
請(qǐng)參閱圖10,并配合參閱圖2至圖9。
[0042]由圖可知，本發(fā)明實(shí)施例9所述軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)是依據(jù)前述軟性基材的封裝工藝所得的軟性基材2成品中的芯片基材21的截面視角來(lái)當(dāng)作較佳實(shí)施例，其中，所述芯片213是以焊線方式與導(dǎo)線211相互接著導(dǎo)通。
[0043]而所述具有導(dǎo)孔2120的芯片基材21可進(jìn)行后續(xù)的植球作業(yè)，使得芯片基材21上的芯片213可借由錫球22與基板(圖中未示)接著導(dǎo)通。
[0044]實(shí)施例10 請(qǐng)參閱圖11。
[0045]由圖可知，本發(fā)明實(shí)施例10大致上同于實(shí)施例9，其主要差異在于，實(shí)施例10所述芯片基材21上的導(dǎo)線211可為環(huán)繞在焊墊210周緣呈矩形陣列形態(tài)，使得芯片213可利用復(fù)數(shù)條金屬線214分別連接各個(gè)導(dǎo)線211，以連結(jié)多個(gè)導(dǎo)通信號(hào)。
[0046]此外，為了防止芯片213運(yùn)作時(shí)有溫度過(guò)高的情況發(fā)生，可以在焊墊210下方額外設(shè)置導(dǎo)孔2100，并且在導(dǎo)孔2100上植上熱球24，以利用熱球24傳導(dǎo)、逸散芯片213的熱量，延長(zhǎng)芯片213的使用壽命。
[0047]實(shí)施例11
請(qǐng)參閱圖12A及圖12B。
[0048]由圖12A可知，本發(fā)明實(shí)施例11所述軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)大致上同于實(shí)施例9及實(shí)施例10，其主要差異在于，所述芯片基材21上的兩個(gè)以上的導(dǎo)孔2120是環(huán)繞在焊墊210周緣呈矩形陣列形態(tài)，且所述兩個(gè)以上的導(dǎo)線211的一端分別連結(jié)兩個(gè)以上的導(dǎo)孔2120，而兩個(gè)以上的導(dǎo)線211另一端則與芯片213連接導(dǎo)通。
[0049]再由圖12B可知，所述芯片是以錫球216而分別與復(fù)數(shù)條導(dǎo)線211及焊墊210相互接著，芯片通過(guò)錫球216與復(fù)數(shù)條導(dǎo)線211相互導(dǎo)通，以連結(jié)多個(gè)信號(hào)；其中，所述焊墊210及兩個(gè)以上的導(dǎo)線211是由第一導(dǎo)電材GO及第二導(dǎo)電材Gl相互接著而成。
[0050]此外，為了維持兩個(gè)以上的導(dǎo)線211有良好的導(dǎo)電性，可依需求在芯片213外圍的芯片基材21上表面涂布防焊漆25，接著，再于芯片213上以熱固型材料215進(jìn)行封膠作業(yè)。
[0051]又，為了防止芯片213運(yùn)作時(shí)有溫度過(guò)高的情況發(fā)生，可以在焊墊210下方額外設(shè)置導(dǎo)孔2100，并且在導(dǎo)孔2100上植上熱球24，以利用熱球24傳導(dǎo)、逸散芯片213的熱量，延長(zhǎng)芯片213的使用壽命。
[0052]而借由上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例11的芯片基材21可借由導(dǎo)孔2120進(jìn)行后續(xù)的植球作業(yè)，使得芯片基材21上的芯片213可借由錫球22與基板(圖中未示)接著導(dǎo)通。
[0053]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材經(jīng)過(guò)薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，而在導(dǎo)線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆； 裝載:在軟性基材的外框架上方接著承載補(bǔ)強(qiáng)板； 激光:在軟性載板上進(jìn)行激光鉆孔作業(yè)，使得軟性載板上形成有與導(dǎo)線相互連通的導(dǎo)孔，而在軟性載板上可依需求設(shè)置與焊墊相連通的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔，在與導(dǎo)孔相連通的導(dǎo)線及焊墊表面鍍有金屬保護(hù)層； 封裝:在芯片基材上進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進(jìn)行封膠作業(yè)。
2.如權(quán)利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
3.如權(quán)利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導(dǎo)線是由一第一導(dǎo)電材及一第二導(dǎo)電材上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材為銅箔，所述第二導(dǎo)電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成，而所述金屬保護(hù)層為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
4.如權(quán)利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料為環(huán)氧樹月旨、硅膠或陶瓷。
5.如權(quán)利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時(shí)，在對(duì)應(yīng)外框架下方的軟性載板上同時(shí)接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板。`
6.如權(quán)利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為金屬材質(zhì)。
7.如權(quán)利要求1所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為聚對(duì)苯二甲酸乙二或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
8.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材經(jīng)過(guò)薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，而在導(dǎo)線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆； 裝載:在對(duì)應(yīng)外框架下方的軟性載板上接著承載補(bǔ)強(qiáng)板； 激光:在軟性載板上進(jìn)行激光鉆孔作業(yè)，使得軟性載板上形成有與導(dǎo)線相互連通的導(dǎo)孔，而在軟性載板上可依需求設(shè)置與焊墊相連通的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔，在與導(dǎo)孔相連通的導(dǎo)線及焊墊表面鍍有金屬保護(hù)層； 封裝:在芯片基材上進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進(jìn)行封膠作業(yè)。
9.如權(quán)利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
10.如權(quán)利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導(dǎo)線是由一第一導(dǎo)電材及一第二導(dǎo)電材上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材為銅箔，所述第二導(dǎo)電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成，而所述金屬保護(hù)層為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
11.如權(quán)利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料環(huán)氧樹月旨、硅膠或陶瓷。
12.如權(quán)利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時(shí)，在外框架上方同時(shí)接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板。
13.如權(quán)利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為金屬材質(zhì)。
14.如權(quán)利要求8所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為聚對(duì)苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
15.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材經(jīng)過(guò)薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，而在導(dǎo)線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆； 裝載:在軟性基材的外框架上方接著承載補(bǔ)強(qiáng)板； 封裝:在芯片基材上進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進(jìn)行封膠作業(yè)； 激光:在軟性載板上進(jìn)行激光鉆孔作業(yè)，使得軟性載板上形成有與導(dǎo)線相互連通的導(dǎo)孔，而在軟性載板上可依需求設(shè)置與焊墊相連通的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔。
16.如權(quán)利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
17.如權(quán)利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導(dǎo)線是由一第一導(dǎo)電材及一第二導(dǎo)電材上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材為銅箔，而所述第二導(dǎo)電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
18.如權(quán)利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料為環(huán)氧樹脂、硅膠或陶瓷。
19.如權(quán)利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時(shí)，在對(duì)應(yīng)外框架下方的軟性載板上同時(shí)接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板。
20.如權(quán)利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為金屬材質(zhì)。
21.如權(quán)利要求15所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為聚對(duì)苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
22.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材經(jīng)過(guò)薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，而在導(dǎo)線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆；裝載:在對(duì)應(yīng)外框架下方的軟性載板上接著承載補(bǔ)強(qiáng)板； 封裝:在芯片基材上進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進(jìn)行封膠作業(yè)； 激光:在軟性載板上進(jìn)行激光鉆孔作業(yè)，使得軟性載板上形成有與導(dǎo)線相互連通的導(dǎo)孔，而在軟性載板上可依需求設(shè)置與焊墊相連通的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔。
23.如權(quán)利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
24.如權(quán)利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導(dǎo)線是由一第一導(dǎo)電材及一第二導(dǎo)電材上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材為銅箔，而所述第二導(dǎo)電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
25.如權(quán)利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料為環(huán)氧樹脂、硅膠或陶瓷。
26.如權(quán)利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時(shí)，在外框架上方同時(shí)接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板。
27.如權(quán)利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為金屬材質(zhì)。
28.如權(quán)利要求22所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為聚對(duì)苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
29.一種軟性基材的封裝工藝，其特征在于，其包含有下列步驟: 前工藝:將一由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材經(jīng)過(guò)薄膜、光罩、蝕刻工藝而形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，而在導(dǎo)線及軟性載板上方可依需求涂布防焊漆； 裝載:在軟性載板下方接著承載補(bǔ)強(qiáng)板； 封裝:在芯片基材上進(jìn)行芯片的封裝作業(yè)，接著，再利用熱固性材料在接著有芯片的芯片基材上進(jìn)行封膠作業(yè)； 卸載:移除軟性載板下方的承載補(bǔ)強(qiáng)板； 激光:在軟性載板上進(jìn)行激光鉆孔作業(yè)，使得軟性載板上形成有與導(dǎo)線相互連通的導(dǎo)孔，而在軟性載板上可依需求設(shè)置與焊墊相連通的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔。
30.如權(quán)利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
31.如權(quán)利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述焊墊及導(dǎo)線是由一第一導(dǎo)電材及一第二導(dǎo)電材上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材為銅箔，而所述第二導(dǎo)電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
32.如權(quán)利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述熱固性材料為環(huán)氧樹脂、硅膠或陶瓷。
33.如權(quán)利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，在裝載步驟時(shí)，在外框架上方同時(shí)接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板。
34.如權(quán)利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為金屬材質(zhì)。
35.如權(quán)利要求29所述的軟性基材的封裝工藝，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為聚對(duì)苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
36.一種軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，主要是具有由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，而所述軟性基材的外框架上接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板，其特征在于， 所述軟性載板內(nèi)形成有連通導(dǎo)線的導(dǎo)孔以及連通焊墊的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔，在焊墊上接著有芯片，而在接著有芯片的芯片基材上覆蓋有熱固性材料。
37.如權(quán)利要求36所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
38.如權(quán)利要求36所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊墊及導(dǎo)線是由一第一導(dǎo)電材及一第二導(dǎo)電材上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材為銅箔，而所述第二導(dǎo)電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
39.如權(quán)利要求36所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熱固性材料為環(huán)氧樹脂、硅膠或陶瓷。
40.如權(quán)利要求36所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為金屬材質(zhì)。
41.如權(quán)利要求36所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為聚對(duì)苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
42.如權(quán)利要求36所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在與導(dǎo)孔相連通的導(dǎo)線及焊墊表面鍍有為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成的金屬保護(hù)層。
43.如權(quán)利要求36所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片是以金屬線與所述導(dǎo)線接著導(dǎo)通。
44.如權(quán)利要求36所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片是以錫球與所述導(dǎo)線接著導(dǎo)通。
45.一種軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，主要是具有由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，而所述外框架下方的軟性載板上接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板，其特征在于， 所述軟性載板內(nèi)形成有連通導(dǎo)線的導(dǎo)孔以及連通焊墊的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔，在焊墊上接著有芯片，而在接著有芯片的芯片基材上覆蓋有熱固性材料。
46.如權(quán)利要求45所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物。
47.如權(quán)利要求45所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊墊及導(dǎo)線是由一第一導(dǎo)電材及一第二導(dǎo)電材上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材為銅箔，而所述第二導(dǎo)電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
48.如權(quán)利要求45所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熱固性材料為環(huán)氧樹脂、硅膠或陶瓷。
49.如權(quán)利要求45所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為金屬材質(zhì)。
50.如權(quán)利要求45所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為聚對(duì)苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
51.如權(quán)利要求45所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在與導(dǎo)孔相連通的導(dǎo)線及焊墊表面鍍有為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成的金屬保護(hù)層。
52.如權(quán)利要求45所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片是以金屬線與所述導(dǎo)線接著導(dǎo)通。
53.如權(quán)利要求45所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片是以錫球與所述導(dǎo)線接著導(dǎo)通。
54.一種軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，主要是具有由導(dǎo)電材及軟性載板上下接著的軟性基材，所述軟性基材形成有外框架，在外框架內(nèi)形成有由兩個(gè)以上呈矩形陣列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊墊及兩個(gè)以上相互斷開(kāi)的導(dǎo)線與軟性載板上下相互接著而成，而所述軟性基材的外框架上方與對(duì)應(yīng)外框架下方的軟性載板分別接著有承載補(bǔ)強(qiáng)板，其特征在于， 所述軟性載板內(nèi)形成有連通導(dǎo)線的導(dǎo)孔以及連通焊墊的整數(shù)個(gè)導(dǎo)孔，在焊墊上接著有芯片，而在接著有芯片的芯片基材上覆蓋有熱固性材料。
55.如權(quán)利要求54所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述軟性載板為酰胺化合物 Polyimide, PI。
56.如權(quán)利要求54所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊墊及導(dǎo)線是由一第一導(dǎo)電材及一第二導(dǎo)電材 上下接著而成，所述第一導(dǎo)電材為銅箔，而所述第二導(dǎo)電材為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成。
57.如權(quán)利要求54所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熱固性材料為環(huán)氧樹脂、硅膠或陶瓷。
58.如權(quán)利要求54所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為金屬材質(zhì)。
59.如權(quán)利要求54所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載補(bǔ)強(qiáng)板為聚對(duì)苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
60.如權(quán)利要求54所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在與導(dǎo)孔相連通的導(dǎo)線及焊墊表面鍍有可為銅、銀、鎳、鈀或金的單一組合或多重組合而成的金屬保護(hù)層。
61.如權(quán)利要求54所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片是以金屬線與所述導(dǎo)線接著導(dǎo)通。
62.如權(quán)利要求54所述的軟性基材的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片是以錫球與所述導(dǎo)線接著導(dǎo)通。
【文檔編號(hào)】H01L21/50GK103594425SQ201210289832
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月15日
【發(fā)明者】黃嘉能, 楊順卿, 陳子仁 申請(qǐng)人:長(zhǎng)華電材股份有限公司