三維晶體管的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種三維晶體管的制造方法，包括：提供一半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層；刻蝕所述犧牲層形成至少兩個間隔體；在所述半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料；刻蝕所述填充材料在所述間隔體的側(cè)壁形成填充結(jié)構(gòu)；在所述填充結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一電介質(zhì)體；去除所述間隔體形成溝槽；在所述溝槽內(nèi)形成第二電介質(zhì)體；以及將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料，形成至少四個鰭體。本發(fā)明通過在半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料，然后刻蝕填充材料在間隔體的側(cè)壁形成填充結(jié)構(gòu)，并將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料，形成至少四個鰭體，并非使用光刻工藝直接形成鰭體，降低了光刻工藝的難度。
【專利說明】三維晶體管的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種三維晶體管的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]三維(3D)晶體管(又稱為鰭式場效應(yīng)晶體管或FinFET)的出現(xiàn)，實現(xiàn)了革命性的突破，傳統(tǒng)“扁平的” 2D平面柵極被超級纖薄的、從硅基體垂直豎起的3D硅鰭狀物所代替。因為FinFET包括三面通道，電流控制是通過在鰭(Fin)體三面的每一面安裝一個柵極而實現(xiàn)的(兩側(cè)和頂部各有一個柵極)，而不是像2D平面晶體管那樣只在頂部有一個柵極。3D晶體管器件改進(jìn)了對溝道的控制，從而減小了短溝道效應(yīng)。并且更多的控制可以使晶體管在“開”的狀態(tài)下讓盡可能多的電流通過(高性能)，而在“關(guān)”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近零(低能耗)，同時還能在兩種狀態(tài)之間迅速切換(這也是為了達(dá)到高性能)，即FinFET具有非常聞的電流驅(qū)動能力和改良的反偏壓相關(guān)性。
[0003]圖1A?IE為現(xiàn)有的三維晶體管制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0004]結(jié)合圖1A所示，首先，提供一半導(dǎo)體襯底100，并在半導(dǎo)體襯底100上形成硬掩膜層110，所述硬掩膜層110例如為氮化硅(Si3N4),所述半導(dǎo)體襯底100例如為硅襯底。
[0005]結(jié)合圖1B所示，接著，在所述硬掩膜層110上涂覆光刻膠(圖中未示出)，然后通過曝光和顯影工藝將掩模版上的鰭體圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，形成圖形化的光刻膠層；接著，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層110和部分半導(dǎo)體襯底100，形成多個溝槽120以及位于溝槽120之間的鰭體130。
[0006]結(jié)合圖1C所示，在相鄰的鰭體130之間的溝槽120內(nèi)填充電介質(zhì)121，所述電介質(zhì)121例如為氧化硅，將作為后續(xù)器件的隔離。
[0007]結(jié)合圖1D所示，回刻去除所述溝槽120內(nèi)填充的部分電介質(zhì)121。
[0008]結(jié)合圖1E所示，去除所述硬掩膜層110，隨后采用退火工藝處理所述鰭體130。接著，在所述鰭體130中形成溝道，在所述溝道上形成柵介質(zhì)，圍繞所述鰭體形成柵電極，并形成源、漏區(qū)。
[0009]結(jié)合圖1E所示，在納米技術(shù)節(jié)點的器件中，例如22nm技術(shù)節(jié)點上，鰭體寬度W可能為l(Tl5nm范圍，理想的鰭體高度H是寬度W的兩倍或更多，因為增加鰭的高度可以提高晶體管的集成密度，以在更小的占位面積上形成更大的有效柵寬。然而，更窄更高的鰭體隨之對光刻工藝提出了更高的要求，使得現(xiàn)有的光刻工藝難以完成如此尺寸的器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種新的三維晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，并非使用光刻工藝直接形成鰭體，降低了光刻工藝的難度。
[0011]本發(fā)明的另一目的在于，利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝實現(xiàn)對鰭體高度的精確控制。
[0012]為實現(xiàn)上述目的，提供一種三維晶體管的制造方法，包括:提供一半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層；刻蝕所述犧牲層形成至少兩個間隔體；在所述半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料；刻蝕所述填充材料在所述間隔體的側(cè)壁形成填充結(jié)構(gòu)；在所述填充結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一電介質(zhì)體；去除所述間隔體形成溝槽；在所述溝槽內(nèi)形成第二電介質(zhì)體；以及將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料，形成至少四個鰭體。
[0013]可選地，采用激光分子束外延生長工藝將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料。
[0014]可選地，所述激光分子束外延生長工藝的溫度為200°C飛00°C，時間為5秒飛小時。
[0015]可選地，采用固相外延生長工藝將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料。
[0016]可選地，所述固相外延生長工藝的溫度為600°C、00°C，時間為I小時~90小時。
[0017]可選地，在所述填充結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一電介質(zhì)體的步驟，包括:在所述半導(dǎo)體襯底、間隔體和填充結(jié)構(gòu)上沉積第一電介質(zhì)材料；以及利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述間隔體和填充結(jié)構(gòu)上的電介質(zhì)材料，以在所述填充結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一電介質(zhì)體。
[0018]可選地，采用干法刻蝕所述犧牲層形成至少兩個間隔體。
[0019]可選地，在所述半導(dǎo)體襯底和所述間隔體上形成填充結(jié)構(gòu)的步驟包括:利用低壓化學(xué)氣相淀積方法，在所 述半導(dǎo)體襯底和間隔體上沉積填充材料，沉積溫度為3000C ^lOOO0C ;以及采用干法刻蝕磨去除所述半導(dǎo)體襯底上方的填充材料。
[0020]可選地，在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層之后在所述犧牲層上形成硬掩膜層，在刻蝕所述犧牲層之前先刻蝕所述硬掩膜層。
[0021]可選地，在所述溝槽內(nèi)形成第二電介質(zhì)體的步驟，包括在所述溝槽內(nèi)以及第一電介質(zhì)體、填充結(jié)構(gòu)上形成第二電介質(zhì)材料；以及利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述填充結(jié)構(gòu)、第一電介質(zhì)體上的第二電介質(zhì)材料，以在所述溝槽內(nèi)形成第二電介質(zhì)體。
[0022]可選地，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，所述犧牲層為鍺硅材料。
[0023]可選地，所述填充材料為多晶硅和無定形硅材料。
[0024]可選地，利用低壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料，所述化學(xué)氣相淀積工藝的沉積溫度為300°C~1000°C。
[0025]可選地，干法刻蝕所述填充材料形成填充結(jié)構(gòu)。
[0026]可選地，形成至少四個鰭體之后，對所述鰭體進(jìn)行退火工藝。
[0027]可選地，所述退火工藝所采用的氣體為氫氣或氬氣，所述退火工藝的溫度范圍為800 0C ~1000。。。
[0028]可選地，形成至少四個鰭體之后，還包括:回刻去除部分所述第一電介質(zhì)體和第二電介質(zhì)體。
[0029]可選地，形成至少四個鰭體之后，還包括:在所述鰭體中形成鰭形溝道區(qū)；以及形成圍繞所述鰭形溝道區(qū)的柵極。
[0030]本發(fā)明還保護(hù)根據(jù)上述制造方法形成的三維晶體管器件，包括半導(dǎo)體襯底；形成于所述半導(dǎo)體襯底上的第一電介質(zhì)和第二電介質(zhì)體；以及形成于所述第一電介質(zhì)和第二電介質(zhì)體之間的鰭體。
[0031]如上所述，本發(fā)明的三維晶體管的制造方法，具有以下有益效果:本發(fā)明通過在半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料，然后刻蝕填充材料在間隔體的側(cè)壁形成填充結(jié)構(gòu)，并將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料，形成至少四個鰭體，并非使用光刻工藝直接形成鰭體，降低了光刻工藝的難度；其次，利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝實現(xiàn)對鰭體高度的精確控制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1A至IE為現(xiàn)有的三維晶體管的制造方法的相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明實施例中的三維晶體管的制造方法流程圖；
[0034]圖3A至3K為本發(fā)明實施例中的三維晶體管的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0035]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0036]需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0037]請結(jié)合圖2所示，其為本發(fā)明實施例所提供三維晶體管的制造方法流程圖，該方法包括以下步驟:
[0038]步驟S200，提供一半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層；
[0039]步驟S201，刻蝕所述犧牲層形成至少兩個間隔體；
[0040]步驟S202，在所述半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料；
[0041]步驟S203，刻蝕所述填充材料在所述間隔體的側(cè)壁形成填充結(jié)構(gòu)；
[0042]步驟S204，在所述填充結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一電介質(zhì)體；
[0043]步驟S205，去除所述間隔體形成溝槽；
[0044]步驟S206，在所述溝槽內(nèi)形成第二電介質(zhì)體；以及
[0045]步驟S207，將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料，形成至少四個鰭體。
[0046]下面結(jié)合剖面示意圖3A至3K對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。
[0047]結(jié)合圖3A所示，執(zhí)行步驟S200，提供一半導(dǎo)體襯底300，并且在所述半導(dǎo)體襯底300上形成犧牲層310與硬掩膜層320 ；
[0048]在本實施例中，所述半導(dǎo)體襯底300為硅(Si)襯底，所述犧牲層310優(yōu)選為鍺硅(SiGe)材料。需要說明的是，所述犧牲層310材料只要是不同于半導(dǎo)體襯底材料即可，本實施例列舉在硅納米線工藝中，所以犧牲層選用了鍺硅材料，如果是在鍺硅納米線工藝中則優(yōu)選硅材料作為犧牲層。所述硬掩膜層320可以為氧化硅(SiO2)或者氮化硅(Si3N4)材料。[0049]結(jié)合圖3B所示，執(zhí)行步驟S201，圖形化所述硬掩膜層320，并以所述硬掩膜層320為掩膜，干法刻蝕所述犧牲層310形成至少兩個間隔體311。
[0050]結(jié)合圖3C和圖3D所示，執(zhí)行步驟S202和S203，在所述半導(dǎo)體襯底300和硬掩膜層320上形成填充材料330，所述填充資料330的厚度決定了后續(xù)工藝形成的鰭體的寬度，因而所述鰭體的寬度并非由光刻工藝直接決定，從而降低了光刻工藝的難度。本實施例中利用化學(xué)汽相淀積(CVD)工藝完成材料填充，淀積溫度為100°C ^800°C，所述填充材料例如為無定形硅和多晶硅。接著，干法刻蝕去除所述半導(dǎo)體襯底300上淀積的填充材料330，僅保留間隔體311側(cè)壁的填充材料，同時使得間隔體311頂部的硬掩膜層320暴露出來，形成填充結(jié)構(gòu)331。[0051]結(jié)合圖3E所示，執(zhí)行步驟S204，在所述半導(dǎo)體襯底300、硬掩膜層320與填充結(jié)構(gòu)331上形成第一電介質(zhì)材料340,例如為氧化娃(SiO2),所述第一電介質(zhì)材料340利用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)方法形成，沉積溫度為700°C ~800°C。
[0052]結(jié)合圖3F所示，利用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝去除所述硬掩膜層320上方多余的第一電介質(zhì)材料340，同時去除硬掩膜層320，形成第一電介質(zhì)體341，使得間隔體311與填充結(jié)構(gòu)331表面平坦化，所述第一電介質(zhì)體341將用于后續(xù)的器件隔離。
[0053]結(jié)合圖3G和圖3H所示，執(zhí)行步驟S205，去除所述間隔體311，形成溝槽311a，所述溝槽311a暴露所述半導(dǎo)體襯底300的表面；接著，利用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)工藝在所述溝槽311a內(nèi)以及第一電介質(zhì)體341、填充結(jié)構(gòu)331上形成第二電介質(zhì)材料350例如為氧化硅(SiO2)，所述淀積溫度例如為700°C~800°C。
[0054]結(jié)合圖31所示，執(zhí)行步驟S206，再次利用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝去除所述填充結(jié)構(gòu)331、第一電介質(zhì)體341表面多余的第二電介質(zhì)材料350,形成第二電介質(zhì)體351 ;所述第一電介質(zhì)體341與第二電介質(zhì)體351均將用于后續(xù)的器件隔離,所述第一電介質(zhì)體341與第二電介質(zhì)體351可以為相同的介電材料，也可以是不同的介電材料，本發(fā)明并不限定。
[0055]在前述的制造工藝中，利用了兩次化學(xué)機(jī)械研磨工藝，通過控制化學(xué)機(jī)械研磨工藝的研磨終點，從而方便對鰭體高度的精確控制。
[0056]結(jié)合圖3J所示，執(zhí)行步驟S207，將所述填充結(jié)構(gòu)331的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底300相同的材料,形成鰭體360。例如，采用激光分子束外延生長(laser-1nducedepitaxial growth)的方法，溫度為200°C~600°C，時間為5秒~5小時；或者，采用固相外延生長(solid phase growth)的方法，溫度為600°C~900°C，時間為I小時~90小時，上述兩種方法均可將多晶硅或無定形硅材料轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉Ч?，?dāng)然，其它可以將填充結(jié)構(gòu)331區(qū)域的填充材料轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底300相同的材料均在本發(fā)明的保護(hù)思想內(nèi)，此處不再贅述。
[0057]本發(fā)明實現(xiàn)了相對于間隔體的數(shù)量而言的鰭體數(shù)量的倍增，即本實施例中列舉的最初形成兩個間隔體，在經(jīng)過后續(xù)的工藝步驟之后形成了四個鰭體，從而實現(xiàn)了鰭體數(shù)量的倍增；需要說明的是，本實施例中間隔體的數(shù)量依照實際中需要設(shè)置的鰭體的數(shù)目及器件的構(gòu)造與設(shè)計的分布而決定的，此處并未作具體限定。
[0058]結(jié)合圖3K所不，回刻去除部分第一電介質(zhì)體341和第二電介質(zhì)體351。
[0059]接著，對所述鰭體360進(jìn)行退火工藝處理，以修復(fù)在前述刻蝕和研磨工藝帶來的鰭體晶格損傷，并修復(fù)鰭體表面的不平整或是尖角，使得鰭體外表面更加光滑；所述退火所米用的氣體可以為氫氣(H2)或IS氣(Ar),本實施例中米用的氣體優(yōu)選為氫氣(H2),所述退火的溫度范圍為800°C?1000°C。
[0060]最后，在所述鰭體360中形成溝道，在所述溝道上形成柵介質(zhì)，并圍繞所述鰭體360形成柵電極，形成源、漏區(qū)。所述柵電極以及源、漏區(qū)采用常規(guī)工藝形成，其未在本實施例的示意圖中給出。
[0061]由本實施例列舉的制作工藝方法，通過在半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料，然后刻蝕填充材料在間隔體的側(cè)壁形成填充結(jié)構(gòu)，并將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料，形成至少四個鰭體,并非使用光刻工藝直接形成鰭體,降低了光刻工藝的難度；其次，利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝實現(xiàn)對鰭體高度的精確控制；此外，本發(fā)明實現(xiàn)了相對于間隔體的數(shù)量而言的鰭體數(shù)量的倍增。
[0062]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種三維晶體管的制造方法，其特征在于，包括: 提供一半導(dǎo)體襯底，并在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層； 刻蝕所述犧牲層形成至少兩個間隔體； 在所述半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料； 刻蝕所述填充材料在所述間隔體的側(cè)壁形成填充結(jié)構(gòu)； 在所述填充結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一電介質(zhì)體； 去除所述間隔體形成溝槽； 在所述溝槽內(nèi)形成第二電介質(zhì)體；以及 將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料，形成至少四個鰭體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，采用激光分子束外延生長工藝將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，所述激光分子束外延生長工藝的溫度為200°C~600°C，時間為5秒~5小時。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，采用固相外延生長工藝將所述填充結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榕c所述半導(dǎo)體襯底相同的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，所述固相外延生長工藝的溫度為600°C、00°C，時間為1小時小時。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，在所述填充結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一電介質(zhì)體的步驟，包括: 在所述半導(dǎo)體襯底、間隔體和填充結(jié)構(gòu)上沉積第一電介質(zhì)材料；以及利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述間隔體和填充結(jié)構(gòu)上的電介質(zhì)材料，以在所述填充結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一電介質(zhì)體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層之后在所述犧牲層上形成硬掩膜層，在刻蝕所述犧牲層之前先刻蝕所述硬掩膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述間隔體和填充結(jié)構(gòu)上的電介質(zhì)材料的同時，去除所述硬掩膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，在所述溝槽內(nèi)形成第二電介質(zhì)體的步驟，包括: 在所述溝槽內(nèi)以及第一電介質(zhì)體、填充結(jié)構(gòu)上形成第二電介質(zhì)材料；以及利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝去除所述填充結(jié)構(gòu)、第一電介質(zhì)體上的第二電介質(zhì)材料，以在所述溝槽內(nèi)形成第二電介質(zhì)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，所述犧牲層為鍺硅材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，所述填充材料為多晶娃和無定形娃材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，利用低壓化學(xué)氣相淀積工藝在所述半導(dǎo)體襯底和間隔體上形成填充材料，所述化學(xué)氣相淀積工藝的沉積溫度為 300 0C ~1000。。。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，干法刻蝕所述填充材料形成填充結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，形成至少四個鰭體之后，對所述鰭體進(jìn)行退火工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，所述退火工藝所采用的氣體為氫氣或氬氣，所述退火工藝的溫度范圍為800°C~1000°C。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，形成至少四個鰭體之后，還包括:回刻去除部分所述第一電介質(zhì)體和第二電介質(zhì)體。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維晶體管的制造方法，其特征在于，形成至少四個鰭體之后,還包括: 在所述鰭體中形成鰭形溝道區(qū)；以及 形成圍繞所述鰭形溝道區(qū)的柵極。
18.一種根據(jù)I至17任意一項的制造方法形成的三維晶體管器件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 形成于所述半導(dǎo)體襯底上的第一電介質(zhì)和第二電介質(zhì)體；以及 形成于所述第一電介質(zhì)和第二電介質(zhì)體之間的鰭體。
【文檔編號】H01L21/336GK103594345SQ201210290687
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月15日
【發(fā)明者】宋化龍 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司