專利名稱：電子裝置和半導(dǎo)體基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板以及使用所述半導(dǎo)體基板的電子裝置，所述半導(dǎo)體基板設(shè)置有包含有機(jī)半導(dǎo)體層的薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
近年來，各種各樣的電子裝置使用薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)元件等，并且該TFT作為半導(dǎo)體基板的一部分而被安裝至電子裝置上。關(guān)于TFT，一種使用有機(jī)半導(dǎo)體材料來形成半導(dǎo)體層(溝道層)的有機(jī)TFT最近被認(rèn)為有望取代使用無機(jī)半導(dǎo)體材料來形成半導(dǎo)體層的無機(jī)TFT。這是因為對于有機(jī)TFT，能夠通過涂布法(coating)來形成半導(dǎo)體層，從而實現(xiàn)成本下降。同時，對于有機(jī)TFT,半導(dǎo)體層能夠在比氣相沉積法(vapor deposition)等方法的溫度低的溫度下予以形成，由此能夠使用低耐熱柔性塑料膜等作為支撐基底。在包含有機(jī)TFT的各種電子裝置中，諸如顯示裝置等電子裝置使用了光源。這樣的顯示裝置的代表實例有包括發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光(electroluminescence ；EL)顯示裝置、設(shè)置有背光源的液晶顯示裝置，等等。這里關(guān)注的是當(dāng)來自光源的光到達(dá)有機(jī)TFT的有機(jī)半導(dǎo)體層時，該有機(jī)半導(dǎo)體層可能會意外地吸收某個波長范圍的光。這導(dǎo)致在該有機(jī)半導(dǎo)體層中產(chǎn)生了預(yù)期之外的摻雜，因此，有機(jī)TFT中的諸如閾值電壓等電特性易于劣化。為了減小來自光源的光的影響，迄今為止已經(jīng)提出了許多相關(guān)技術(shù)。具體而言，在使用無機(jī)TFT的有機(jī)EL顯示裝置中，為了防止由非晶硅等制成的無機(jī)半導(dǎo)體層的電特性的劣化，在發(fā)光層與無機(jī)TFT之間設(shè)置有黑色的遮光層(例如，參見日本專利申請?zhí)亻_第2002-108250號公報)。此外，在使用有機(jī)TFT的液晶顯示裝置中，為了防止由并五苯等制成的有機(jī)半導(dǎo)體層的電特性的劣化，使用的遮光膜是設(shè)置于背光源與有機(jī)半導(dǎo)體層之間的柵極電極(例如，參見日本專利申請?zhí)亻_第2006-114862號公報)。

發(fā)明內(nèi)容
為了推廣利用有機(jī)TFT的電子裝置的使用，期望有能夠抑制有機(jī)半導(dǎo)體層的電特性的劣化的措施。然而，目前還沒有充分采用這樣的措施。因此，期望提供能夠確保有機(jī)半導(dǎo)體層的電特性的半導(dǎo)體基板和電子裝置。本發(fā)明一個實施例的電子裝置包括光源；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包含有機(jī)半導(dǎo)體層；以及吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將從所述光源生成的光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中。所述吸光透光層吸收包括所述有機(jī)半導(dǎo)體層的光吸收波長范圍的至少一部分的波長范圍的光，并且允許剩余的其他波長范圍的光透過。本發(fā)明另一實施例的電子裝置包括光源；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有機(jī)半導(dǎo)體層；以及吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將從所述光源生成的光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中。所述吸光透光層包含與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體骨架實質(zhì)上相同的有機(jī)半導(dǎo)體骨架。本發(fā)明又一實施例的半導(dǎo)體基板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有機(jī)半導(dǎo)體層；以及吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將外部光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中。所述吸光透光層吸收包括所述有機(jī)半導(dǎo)體層的光吸收波長范圍的至少一部分的波長范圍的光，并且允許剩余的其他波 長范圍的光透過。本發(fā)明再一實施例的半導(dǎo)體基板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有機(jī)半導(dǎo)體層；以及吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將外部光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中。所述吸光透光層包含與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體骨架實質(zhì)上相同的有機(jī)半導(dǎo)體骨架。根據(jù)本發(fā)明上述各實施例的半導(dǎo)體基板和電子裝置，在將光引導(dǎo)至有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中設(shè)置有吸光透光層。所述吸光透光層吸收包括所述有機(jī)半導(dǎo)體層的光吸收波長范圍的至少一部分的波長范圍的光并且允許剩余的其他波長范圍的光透過，或者所述吸光透光層包含與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體骨架實質(zhì)上相同的有機(jī)半導(dǎo)體骨架。因此，能夠確保所述有機(jī)半導(dǎo)體層的電特性。需要理解的是，上面的總體說明和下面的詳細(xì)說明都是示例性的，并且都旨在為如權(quán)利要求書所要求保護(hù)的技術(shù)提供進(jìn)ー步的解釋。


這里提供了附圖以便進(jìn)ー步理解本發(fā)明，這些附圖被并入本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分。這些附示了實施例，并且與本說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。圖I是示出了本發(fā)明第一實施例的電子裝置(有機(jī)EL顯示裝置)的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2示出了用于形成有機(jī)半導(dǎo)體層的材料的示例性吸收光譜。圖3是示出了變形例中的電子裝置(有機(jī)EL顯示裝置)的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4是示出了本發(fā)明第二實施例的電子裝置(液晶顯示裝置)的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實施例方式下面，將參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例。按照下面的順序進(jìn)行說明。I、第一實施例中的電子裝置(有機(jī)EL顯示裝置)2、第二實施例中的電子裝置(液晶顯示裝置)I、第一實施例中的電子裝置(有機(jī)EL顯示裝置)有機(jī)EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)首先說明的是本發(fā)明第一實施例的電子裝置。這里的電子裝置是作為示例性顯示裝置的有機(jī)EL顯示裝置，并且包含有機(jī)TFT作為開關(guān)元件。請注意，由于這里說明的電子裝置采用了本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體基板，所以下面將會一起說明該電子裝置和該半導(dǎo)體基板。
圖I示出了有機(jī)EL顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)。該有機(jī)EL顯示裝置在支撐基底11上包括平坦化絕緣層12、有機(jī)TFT 20、下部層間絕緣層13、上部層間絕緣層14、像素電極15、像素分隔絕緣層16、有機(jī)EL層17、對置電極18和對置基底19。圖I示出了與一個像素(例如，一個有機(jī)EL層17)對應(yīng)的區(qū)域，并且各像素包括任意數(shù)量的有機(jī)TFT 20。圖I示出了各像素均包括兩個有機(jī)TFT 20 (它們分別用于驅(qū)動和選擇)的情況，但是有機(jī)TFT 20的數(shù)量可以是一個或者三個或者更多個。有機(jī)TFT 20、像素電極15和有機(jī)EL層17這些組件例如根據(jù)像素的排列以矩陣形式布置著。需要注意的是，圖I中示出的向上的箭頭表示從有機(jī)EL層17生成的成像用的光L的主要出射方向。換言之，圖I的有機(jī)EL顯示裝置是通過讓光L經(jīng)由對置基底19向上出射來進(jìn)行圖像顯示的頂部出射型。支撐基底11例如可以由塑料材料、金屬材料和/或無機(jī)材料等中的一種或兩種或更多種制成。 上述塑料材料例如包括(但不限于)聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酹(polyvinyl phenol ;PVP)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI )、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚苯硫醚(PPS)和三醋酸纖維素(triacetylcellulose ;TAC)。上述金屬材料例如包括(但不限于)鋁(Al)、鎳(Ni)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、不銹鋼以及上述金屬的合金。上述無機(jī)材料例如包括(但不限于)硅(Si)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化鋁(AlOx)和任意其它的金屬氧化物。這里，氧化硅例如包括(但不限于)玻璃、石英和旋涂式玻璃(S0G)。例如，該支撐基底11可以是諸如晶圓等具有剛性的基板，或者是具有撓性的薄膜或箔片。此外，在支撐基底11的表面上可以設(shè)置有具有預(yù)定功能的涂層。該涂層例如包括(但不限于)用于確保高粘合性的緩沖層和用于防止氣體釋放的氣體阻隔層。這里，支撐基底11可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)其是多層結(jié)構(gòu)時，支撐基底11包括分別由任意的上述各種材料制成的兩層或更多層。單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)不限于支撐基底11，下面將要說明的任意其它組件都可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。平坦化絕緣層12包括諸如聚酰亞胺等絕緣樹脂材料。有機(jī)TFT 20是包括有機(jī)半導(dǎo)體層23的薄膜晶體管。該有機(jī)TFT 20可以包括例如柵極電極21、柵極絕緣層22、有機(jī)半導(dǎo)體層23、源極電極24和漏極電極25。具體來講，這里的有機(jī)TFT 20是底柵頂接觸型，其包括位于有機(jī)半導(dǎo)體層23下側(cè)的柵極電極21以及疊置于有機(jī)半導(dǎo)體層23上側(cè)的源極電極24和漏極電極25。這里，“下側(cè)”和“上側(cè)”分別表示靠近支撐基底11側(cè)和遠(yuǎn)離支撐基底11側(cè)。作為替代方案，有機(jī)TFT20可以是包括位于有機(jī)半導(dǎo)體層23上側(cè)的柵極電極21的頂柵型，或者可以是包括疊置于有機(jī)半導(dǎo)體層23下側(cè)的源極電極24和漏極電極25的底接觸型。柵極電極21形成在平坦化絕緣層12上，并且例如可以包括金屬材料、無機(jī)導(dǎo)電材料、有機(jī)導(dǎo)電材料和/或碳材料等中的一種或兩種或更多種。上述金屬材料例如包括(但不限于)鋁、銅(Cu)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳、IE(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鶴(W)、鉭(Ta)以及上述金屬的合金。上述無機(jī)導(dǎo)電材料例如包括(但不限于)氧化銦(Ιη203)、銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)和氧化鋅(ZnO)0上述有機(jī)導(dǎo)電材料例如包括(但不限于)聚乙撐二氧噻吩(PED0T)、聚苯乙烯磺酸(polystyrenesulfonate ；PSS)和聚苯胺(PANI)。上述碳材料例如包括(但不限于)石墨。這里需要注意的是，柵極電極21可以是多層結(jié)構(gòu)(例如PED0T/PSS)。柵極絕緣層22被形成為至少覆蓋柵極電極21，并且例如可以包括無機(jī)絕緣材料和/或有機(jī)絕緣材料中的一種或兩種或更多種。上述無機(jī)絕緣材料例如包括(但不限干)氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦(TiO2)、氧化鉿(HfOx)和鈦酸鋇(BaTiO3)。上述有機(jī)絕緣材料例如包括(但不限于)聚こ烯基苯酚(PVP )、聚こ烯醇(PVA )、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酷、聚丙烯酸酯、聚(丙烯酸-甲基丙烯酸酯)(poly (acrylete-methacrylate))、環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、氟樹脂(fluororesin)、光敏聚酰亞胺、光敏酹醒樹脂和聚對ニ甲苯。有機(jī)半導(dǎo)體層23形成在柵極絕緣層22上，并且例如可以包括(但不限干)下列有機(jī)半導(dǎo)體材料中的ー種或兩種或更多種(1)聚吡咯；(2)聚噻吩；(3)異硫茚，例如聚異硫卻(polyisothianaphthene) ； (4)噻吩こ炔，例如聚噻吩こ炔(polythienylenevinylene) ； (5)聚對苯こ烯(poly (p-phenylenevinylene)),例如聚對苯こ烯；(6)聚苯胺；(7)聚こ炔；(8)聚ニこ炔；(9)聚奧；(10)聚芘；(11)聚咔唑；(12)聚硒吩；(13)聚呋喃;(14)聚對苯撐(poly (p-phenylene) )； (15)聚H引哚；(16)聚咕嗪；(17)并苯，例如并四苯、并五苯、并六苯、并七苯、ニ苯并五苯(dibenzo pentacene)、四苯并五苯(tetrabenzo·pentacene)、花、ニ苯并花、Q (chrysene)、ニ萘嵌苯、六苯并苯、漆纟侖、卵苯(ovalene)、夸特銳烯(quaterrylene)和循環(huán)蒽；(18)在并苯類中用諸如氮(N)、硫(S)或氧(0)等原子或者用諸如羰基等官能基取代一部分碳原子后得到的衍生物，例如三苯ニ噁嗪、三苯ニ噻嗪和并六苯_6，15-醌；(19)聚合材料和多環(huán)縮合化合物，所述聚合材料例如是聚こ烯基咔唑、聚苯硫醚和聚亞こ烯基硫(polyvinylene sulfide)等；(20)低聚物,其具有與上述聚合材料中的重復(fù)單元相同的重復(fù)單元；(21)金屬酞菁，例如銅酞菁；(22)四硫富瓦烯；(23)四硫并環(huán)戍烯(tetrathiapentalene) ； (24)萘 I, 4, 5, 8_ 四羧酸ニ酰亞胺、N，N，-雙(4-三氟甲基苯甲基)萘1，4，5,8-四羧酸ニ酰亞胺、N，N，-雙(1H，IH-全氟辛基)、N，N，-雙(1H, IH-全氟丁基)、或者N，N’- ニ辛基-萘1，4，5，8-四羧酸ニ酰亞胺衍生物；(25)萘四羧酸ニ酰亞胺，例如萘2，3，6，7-四羧酸ニ酰亞胺；(26)稠環(huán)四羧酸ニ酰亞胺，其典型代表有蒽四羧酸ニ酰亞胺，例如蒽2，3，6，7-四羧酸ニ酰亞胺等；(27)富勒烯，例如C60、C70、C76、C78和C84 ;(28)碳納米管，例如單壁納米管(SWNT);(29)顏料，例如部花青(merocyanine)顏料和半菁(hemicyanine)顏料；以及(30)迫咕噸并咕噸化合物，例如2，9_ ニ萘基迫咕噸并咕噸。除了上述這些材料之外，有機(jī)半導(dǎo)體材料也可以是上述材料的衍生物。所述衍生物是在上述材料中包含一種或兩種或更多種取代基的材料。取代基的種類、取代基的位置等是任選的。源極電極24和漏極電極25彼此分離地形成在柵極絕緣層22上，并且都部分地重疊在有機(jī)半導(dǎo)體層23上。源極電極24和漏極電極25例如可以均包括與柵極電極21的材料類似的材料。下部層間絕緣層13被形成為至少覆蓋有機(jī)TFT 20，并且例如可以包括與柵極絕緣層22的材料類似的材料。該有機(jī)EL顯示裝置包括具有預(yù)定的光吸收透過特性的吸光透光層。該吸光透光層設(shè)置在將光L引導(dǎo)至有機(jī)半導(dǎo)體層23的路徑中，光L是從下面將要說明的作為光源的有機(jī)EL層17生成的。這里，作為示例性電子裝置的有機(jī)EL顯示裝置所采用的半導(dǎo)體基板是除了包括有機(jī)TFT 20和吸光透光層之外還包括任意一個或多個組件(例如，支撐基底11)的基板。在這樣的半導(dǎo)體基板中，吸光透光層可以設(shè)置在將外部光(包括從光源生成的光L)引導(dǎo)至有機(jī)半導(dǎo)體層23的路徑中。措詞“將光L引導(dǎo)至有機(jī)半導(dǎo)體層23的路徑”不限于將有機(jī)EL層17和有機(jī)半導(dǎo)體層23直線連接起來的路徑(最短路徑)，也可以是繞過最短路徑的任意路徑，只要該路徑最終將光L引導(dǎo)至有機(jī)半導(dǎo)體層23即可?？梢赃@樣配置的原因之一在于有機(jī)EL顯示裝置可以包括一個或兩個或更多個光反射組件，通過一次或兩次或更多次的反射過程，光L在繞過最短路徑后最終到達(dá)有機(jī)半導(dǎo)體層23。更加具體地，例如，有機(jī)EL顯示裝置中的一些組件一般是由諸如金屬材料等光反射材料形成的。這樣的組件例如可以包括柵極電極21、源極電極24、漏極電極25或像素電極15等。在此情況下，例如，取決于上述這樣的光反射組件的反射角度，光L可能會意外地到達(dá)有機(jī)半導(dǎo)體層23。這里，取決于例如支撐基底11的材料，還存在如下的可能性來自外部的光意外地透過支撐基底11并且到達(dá)有機(jī)半導(dǎo)體層23。這里，吸光透光層例如是上部層間絕緣層14。該上部層間絕緣層14被形成為至少 覆蓋下部層間絕緣層13，并且位于有機(jī)半導(dǎo)體層23與有機(jī)EL層17之間。關(guān)于上述的預(yù)定的光吸收透過特性，該上部層間絕緣層14具有如下特性其吸收包括有機(jī)半導(dǎo)體層23的光吸收波長范圍的至少一部分的波長范圍的光，并且讓剩余的其他波長范圍的光透過。將要被上部層間絕緣層14吸收的光(吸收波長范圍的光)的波長范圍沒有特別的限制，只要其包括有機(jī)半導(dǎo)體層23的光吸收波長范圍的至少一部分即可。更加具體地，這樣的光的波長范圍可以是有機(jī)半導(dǎo)體層23的光吸收波長范圍的整個范圍，或者可以是有機(jī)半導(dǎo)體層23的光吸收波長范圍的一部分，或者可以是有機(jī)半導(dǎo)體層23的光吸收波長范圍的整個范圍或一部分與該光吸收波長范圍以外的波長范圍的組合。讓上部層間絕緣層14具有光吸收透過特性的一些理由如下所述。第一，由于上部層間絕緣層14吸收了有機(jī)半導(dǎo)體層23的吸收波長范圍的光的至少一部分，所以該吸收波長范圍的光不易于被有機(jī)半導(dǎo)體層23吸收。這就抑制了有機(jī)半導(dǎo)體層23的電特性的劣化。在此情況下，特別地，由于上部層間絕緣層14設(shè)置于有機(jī)EL層17與有機(jī)半導(dǎo)體層23之間，所以該吸收波長范圍的光不易于被有機(jī)半導(dǎo)體層23吸收。第二，為了獲得上述光吸收透過特性，上部層間絕緣層14可以不必像在使用普通的黑色抗蝕劑材料的情況下那樣在高溫下燒制而成。因此，抑制或防止了由于高溫?zé)频仍蚨鴮?dǎo)致的有機(jī)半導(dǎo)體層23的電特性的劣化。第三，在上部層間絕緣層14被形成為吸收上述吸收波長范圍的光而讓光學(xué)處理時所用的波長范圍的光透過的情形下，不管是否使用光吸收性的上部層間絕緣層14，利用透過上部層間絕緣層14的光可以進(jìn)行任何所期望的光學(xué)處理。措詞“光學(xué)處理”可以指在有機(jī)EL顯示裝置的制造過程中為了達(dá)到任何所期望的目的而利用光執(zhí)行的任何處理，并且例如可以包括(但不限于)通過光刻法執(zhí)行的光學(xué)圖形化處理、光硬化反應(yīng)、或者切口加工(breaching)(使光反應(yīng)部分變得透明化)等。這里，光學(xué)處理可以是如下的任何處理對上部層間絕緣層14自身進(jìn)行加工；或者利用透過上部層間絕緣層14的光對任何其它組件進(jìn)行加工；或者對上述兩者均進(jìn)行加工。作為實例，當(dāng)上部層間絕緣層14被構(gòu)造為其光透過波長范圍包括用于對上部層間絕緣層14進(jìn)行光學(xué)圖形化處理的波長范圍時，上部層間絕緣層14經(jīng)過高精度的圖形化處理可以成為任何所期望的形狀(錐形)。因此，在有機(jī)EL顯示裝置的制造過程中，易于形成上部層間絕緣層14，并且上部層間絕緣層14具有更高的形成精度。將要被上部層間絕緣層14吸收的光的波長范圍和將要透過上部層間絕緣層14的光的波長范圍都是根據(jù)諸如上述光學(xué)處理的類型等條件來任意確定的。用于形成上部層間絕緣層14的材料沒有特別的限制，并且可·以是無機(jī)材料、有機(jī)材料或者兩者兼有，只要該材料是絕緣的并且具有光吸收透過特性即可。當(dāng)使用有機(jī)材料時，該材料可以包括與有機(jī)半導(dǎo)體層23的材料的主要骨架(有機(jī)半導(dǎo)體骨架)相同的骨架，或者可以包括該有機(jī)半導(dǎo)體骨架以外的任意其它骨架。前一種有機(jī)材料例如可以包括用于提供作為有機(jī)半導(dǎo)體的特性的部分(有機(jī)半導(dǎo)體骨架)和用于提供作為絕緣體的特性的部分。用于提供作為絕緣體的特性的部分可以是普通層間絕緣層的形成材料，并且可以是聚合材料，這樣的聚合材料例如包括(但不限干)聚こ烯基苯酚、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、肉桂酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、苯こ烯樹脂、聚對ニ甲苯和聚尿酸(poly-uric acid)。上述有機(jī)半導(dǎo)體骨架可以包含于該聚合材料的主鏈中或側(cè)鏈中，或者該聚合材料的主鏈和側(cè)鏈中都含有上述有機(jī)半導(dǎo)體骨架。除此以外，上部層間絕緣層14的材料可以是有機(jī)材料(包含上述有機(jī)半導(dǎo)體骨架的材料)與絕緣聚合材料的混合物。特別地，當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層23是由包括預(yù)定的有機(jī)半導(dǎo)體骨架的有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的時候，上部層間絕緣層14優(yōu)選包括含有與上述有機(jī)半導(dǎo)體材料的骨架相同的骨架的材料(有機(jī)絕緣材料)。其原因之ー在于有機(jī)半導(dǎo)體層23的吸收波長范圍主要是根據(jù)有機(jī)半導(dǎo)體骨架的類型來確定的，并且當(dāng)上部層間絕緣層14含有與有機(jī)半導(dǎo)體層23的有機(jī)半導(dǎo)體骨架相同的骨架時，能夠確保上部層間絕緣層14更易于吸收上述吸收波長范圍的光。下面說明的是上部層間絕緣層14的形成材料的具體示例，即包含與有機(jī)半導(dǎo)體層23的有機(jī)半導(dǎo)體骨架相同的骨架的材料。當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層23的材料是由下面的化學(xué)式(I)表示的迫咕噸并咕噸衍生物吋，上部層間絕緣層14的材料是由下面的化學(xué)式(2)表示的聚こ烯基苯酚衍生物。該聚こ烯基苯酚衍生物是用上述迫咕噸并咕噸衍生物部分地取代聚こ烯基苯酚而得到的化合物。在該聚こ烯基苯酚衍生物中，主要地說，迫咕噸并咕噸衍生物這個部分吸收上述吸收波長范圍的光，而聚こ烯基苯酚這個部分提供絕緣特性。需要注意的是，在化學(xué)式(I)和化學(xué)式
(2)中，“R”表示烴基(碳數(shù)量沒有特別限制)，并且該烴基例如可以包括(但不限干)甲基和こ基。這里，兩個“R”可以是相同的類型或者不同的類型。代表重復(fù)單元的數(shù)量的“m”和“n”的值分別取任意數(shù)值，只要該數(shù)值是I以上的整數(shù)即可。這里，“m”和“n”的值可以取相同值或不同值?；瘜W(xué)式(I)和化學(xué)式⑵
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，所述電子裝置包括 光源； 薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包含有機(jī)半導(dǎo)體層；以及 吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將從所述光源生成的光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中，所述吸光透光層吸收包括所述有機(jī)半導(dǎo)體層的光吸收波長范圍的至少一部分的波長范圍的光，并且允許剩余的其他波長范圍的光透過。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置，其特征在于，所述吸光透光層包含與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體骨架實質(zhì)上相同的有機(jī)半導(dǎo)體骨架。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置，其特征在于，所述吸光透光層的光吸收波長范圍包括與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的吸收光譜中出現(xiàn)的單個或多個吸收峰中的至少一個吸收峰相對應(yīng)的波長范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置，其特征在于，所述吸光透光層的光透過波長范圍包括光學(xué)處理所用的光的波長范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置，其特征在于，所述吸光透光層的所述光透過波長范圍包括對所述吸光透光層進(jìn)行光學(xué)圖形化時所用的光的波長范圍。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置，其特征在于，所述吸光透光層是絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置，其特征在于，所述吸光透光層是導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置，其特征在于，在有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，所述光源是有機(jī)電致發(fā)光層，所述吸光透光層設(shè)置于所述有機(jī)電致發(fā)光層與所述有機(jī)半導(dǎo)體層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置，其特征在于，在液晶顯示裝置中，所述光源是背光源，所述吸光透光層設(shè)置于所述背光源與所述有機(jī)半導(dǎo)體層之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子裝置，還包括遮光層，所述遮光層設(shè)置于將從所述光源生成的光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的所述路徑中，所述遮光層用于遮擋從所述光源生成的光。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子裝置，所述遮光層是非透光性電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置，其特征在于，在有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，所述吸光透光層是層間絕緣層、像素分隔絕緣層、柵極絕緣層和平坦化絕緣層中的至少一者。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，在有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，所述吸光透光層是柵極電極、源極電極、漏極電極和像素電極中的至少一者。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置，其特征在于，在液晶顯示裝置中，所述吸光透光層是層間絕緣層、柵極絕緣層和平坦化絕緣層中的至少一者。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，在液晶顯示裝置中，所述吸光透光層是柵極電極、源極電極和漏極電極中的至少一者。
16.一種電子裝置，所述電子裝置包括 光源； 薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有機(jī)半導(dǎo)體層；以及 吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將從所述光源生成的光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中，所述吸光透光層包含與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體骨架實質(zhì)上相同的有機(jī)半導(dǎo)體骨架。
17.一種半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括 薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有機(jī)半導(dǎo)體層；以及 吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將外部光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中，所述吸光透光層吸收包括所述有機(jī)半導(dǎo)體層的光吸收波長范圍的至少一部分的波長范圍的光，并且允許剩余的其他波長范圍的光透過。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，所述吸光透光層包含與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體骨架實質(zhì)上相同的有機(jī)半導(dǎo)體骨架。
19.一種半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括 薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有機(jī)半導(dǎo)體層；以及 吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將外部光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中，所述吸光透光層包含與所述有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)半導(dǎo)體骨架實質(zhì)上相同的有機(jī)半導(dǎo)體骨架。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體基板和電子裝置。所述半導(dǎo)體基板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有機(jī)半導(dǎo)體層；以及吸光透光層，所述吸光透光層設(shè)置于將外部光引導(dǎo)至所述有機(jī)半導(dǎo)體層的路徑中。所述吸光透光層吸收包括所述有機(jī)半導(dǎo)體層的光吸收波長范圍的至少一部分的波長范圍的光，并且允許剩余的其他波長范圍的光透過。所述電子裝置包括光源和上述薄膜晶體管，從所述光源生成的光作為所述外部光。本發(fā)明的所述半導(dǎo)體基板和所述電子裝置能夠確保所述有機(jī)半導(dǎo)體層的電特性。
文檔編號H01L51/10GK102956824SQ20121029586
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日
發(fā)明者勝原真央, 湯本昭 申請人:索尼公司