專利名稱：發(fā)光器件封裝件和光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)施方案涉及發(fā)光器件封裝件、光源模塊以及光裝置。
背景技術(shù)：
由于器件材料和薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展，使用第II1-V族或I1-VI族化合物半導(dǎo)體的發(fā)光器件例如激光二極管或發(fā)光二級(jí)管能夠發(fā)射多種顏色的光，例如紅光、綠光、藍(lán)光以及紫外光。此外，這些發(fā)光器件能夠通過使用熒光物質(zhì)或顏色組合以高效率發(fā)射白光，并且與常規(guī)光源例如熒光燈和白熾燈等相比，這些發(fā)光器件具有包括低功耗、半永久壽命、快速響應(yīng)時(shí)間、安全性以及環(huán)境友好的優(yōu)點(diǎn)。相應(yīng)地，發(fā)光器件的應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)大至光通信設(shè)備的傳輸模塊、可以取代構(gòu)成液晶顯示(LCD)裝置的背光的冷陰極熒光燈(CCFL)的發(fā)光二級(jí)管背光、可以取代熒光燈或白熾燈的白色發(fā)光二級(jí)光照明裝置、車輛前照燈以及交通燈。發(fā)光器件封裝件配置為將第一電極和第二電極布置在封裝件本體上，并且將發(fā)光器件置于封裝件本體的底表面上并電連接至第一電極和第二電極。在安裝有發(fā)射紫外光(UV)的發(fā)光二級(jí)管的發(fā)光器件封裝件情形下，如果反射的紫外光到達(dá)封裝件本體，則包含在封裝件本體中的有機(jī)材料變色或劣化，從而引起封裝件的可靠性降低。因此，存在提高發(fā)光器件封裝件的可靠性同時(shí)保持優(yōu)異的散熱性質(zhì)的需要。圖1為示出發(fā)光器件封裝件的視圖。封裝件本體110具有腔，發(fā)光器件130置于腔的底表面上。散熱器180可以設(shè)置在封裝件本體Iio的下部中。散熱器180和發(fā)光器件130可以通過導(dǎo)電粘合層120而彼此固定。然而，發(fā)光器件封裝件具有以下問題。在圖1中，散熱器180可以由高熱導(dǎo)率材料形成。由于發(fā)光器件封裝件100的發(fā)光器件130可以發(fā)熱，因此散熱器180可能經(jīng)受由于封裝件本體110與散熱器180的不同組成材料之間的熱膨脹系數(shù)差異所引起的平面性劣化。也就是說，在圖1中，由于散熱器180的體積膨脹，散熱器180可能具有粗糙化的表面而不是平坦表面，這會(huì)引起發(fā)光器件130傾斜，結(jié)果導(dǎo)致光器件封裝件100的發(fā)光角度傾斜。另外，在將發(fā)光器件封裝件100安裝到電路板等上時(shí)，設(shè)置在發(fā)光器件封裝件100的下表面處的粗糙化散熱器180可能引起發(fā)光器件封裝件100傾斜。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施方案提供可靠性提高的發(fā)光器件封裝件。在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光器件封裝件包括:具有通孔的封裝件本體；設(shè)置在所述通孔中并且包括含Cu的合金層的散熱器；和設(shè)置在所述散熱器上的發(fā)光器件，其中所述合金層包括W或Mo中的至少一種，以及其中所述封裝件本體包括具有側(cè)壁和底表面的腔，并且其中所述通孔形成在所述底表面中。
在另一實(shí)施方案中，一種光裝置包括發(fā)光器件封裝件。所述發(fā)光器件封裝件包括:具有通孔的封裝件本體；設(shè)置在所述通孔中并且包括含Cu的合金層的散熱器；和設(shè)置在所述散熱器上的發(fā)光器件，其中所述合金層包括W或Mo中的至少一種，以及其中所述封裝件本體包括具有側(cè)壁和底表面的腔，并且其中所述通孔形成在所述底表面中。


可以參照以下附圖詳細(xì)地描述布置和實(shí)施方案，圖中相同的附圖標(biāo)記指相同的部件，并且其中:圖1為示出發(fā)光器件封裝件的視圖；圖2為示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖3和圖4為僅示出在圖2的發(fā)光器件封裝件中包括的散熱器的視圖；圖5為示出可以適用于根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的發(fā)光器件的視圖；圖6為示出根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖7為示出根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖8為示出根據(jù)第四實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖9A為示出根據(jù)第五實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖9B為示出用于在封裝件本體中形成電路圖案的方法的一個(gè)實(shí)施方案的視圖；圖10為示出根據(jù)第六實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖11為示出根據(jù)第七實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖12為示出根據(jù)第八實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖13A至圖13C為示出包括在圖12的發(fā)光器件封裝件中的電極圖案的布置的視圖；圖14A為圖13A的局部細(xì)節(jié)圖；圖14B為通過對(duì)角線切割圖13的發(fā)光器件封裝件所提供的側(cè)截面圖；圖15至圖17為示出根據(jù)第九實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖18為示出包括在根據(jù)第九實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件中的散熱器的細(xì)節(jié)圖；圖19和圖20為示出根據(jù)第十實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖21為示出根據(jù)第十一實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖22為示出根據(jù)第十二實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖23為示出根據(jù)第十三實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖24為示出根據(jù)第十四實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖25為示出保持器緊固配置的視圖；圖26A和圖26B為示出在位于保持器中的引線與襯底上的電極焊墊之間的接觸結(jié)構(gòu)的實(shí)施方案的截面圖；圖27為示出根據(jù)第十五實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖28為示出根據(jù)第十六實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖29A為從頂部觀察時(shí)支承板的局部立體圖；圖29B為從底部觀察時(shí)支承板的局部立體圖；圖30為示出根據(jù)第十七實(shí)施方案的光源模塊的視圖31為示出根據(jù)第十八實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖32為示出根據(jù)第十九實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖33為示出根據(jù)第二十實(shí)施方案的光源模塊的視圖；圖34為示出根據(jù)第二十一實(shí)施方案的光源模塊的視圖；以及圖35為示出包括根據(jù)上述實(shí)施方案的光源模塊的前照燈的實(shí)施方案的視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖來描述實(shí)施方案。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱元件在另一元件“上”或“下/下方”時(shí)，它可以直接在該元件上/下(方)，并且還可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間元件。當(dāng)稱元件“在...上”或“在...之下(下方)”時(shí)，可以基于元件而包括“在元件之下(下方)”以及“在元件上”。同樣地，還應(yīng)理解，“在...上”或者“在...之下(下方)”的標(biāo)準(zhǔn)是基于附圖而言的。在圖中，為了清楚和便于描述，層的尺寸被放大、省略或示意性地示出。另外，組成元件的尺寸并不完全反映實(shí)際尺寸。圖2為示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖，并且圖3和圖4為僅示出在圖2的發(fā)光器件封裝件中所包括的散熱器的視圖。如圖2所示，根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件200可以包括封裝件本體210、散熱器220以及發(fā)光器件230。封裝件本體210可以為堆疊的多個(gè)層。盡管圖2示出了封裝件本體210包括第一層211、第二層212、第三層213以及第四層214的情形，然而封裝件本體210可以具有更多或更少的層。同樣地，封裝件本體210可以形成為單層。封裝件本體210可以包括多個(gè)絕緣層。封裝件本體210可以由絕緣材料例如氮化物或氧化物形成。此外，封裝件本體210可以包括多個(gè)陶瓷層。例如，封裝件本體210可以通過低溫共燒陶瓷(LTCC)方法形成。此外，封裝件本體210可以通過高溫共燒陶瓷(HTCC)方法形成。封裝件本體210的組成材料可以為Si02、SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3或者AlN0例如，封裝件本體210可以由AlN或者具有140W/mK或更大的熱導(dǎo)率的金屬氮化物形成。封裝件本體210的各個(gè)層211、212、213以及214可以具有相同的厚度，或者這些層中的至少一層具有不同的厚度。封裝件本體210的層211、212、213以及214可以為通過不同的制造工藝所獲得的獨(dú)立層，并且在完成燒制之后可以相互一體化。在封裝件本體210的各個(gè)層之間可以形成電極圖案，并且可以通過電極圖案向發(fā)光器件230供電?？梢酝ㄟ^通孔結(jié)構(gòu)向發(fā)光器件230供電。封裝件本體210的上部?jī)?nèi)表面可以是傾斜的表面。在封裝件本體210的傾斜內(nèi)表面中可以設(shè)置反射材料。因此，封裝件本體210可以反射從發(fā)光器件230發(fā)射的光，以將光提取至外部。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，封裝件本體210可以具有腔并且發(fā)光器件230可以位于腔中。腔的側(cè)壁可以由傾斜表面形成。在發(fā)光器件230上方可以設(shè)置模制部件240。模制部件240用于通過攔截從外部引入的外來物質(zhì)和濕氣等來保護(hù)發(fā)光器件230。此外，模制部件240可以包含熒光材料，并且可以在接收從發(fā)光器件230發(fā)射的光時(shí)提供波長(zhǎng)被轉(zhuǎn)變的光。在封裝件本體210的下部中可以形成通孔。散熱器220可以置于封裝件本體210的通孔中。在根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案在封裝件本體210中形成腔的情形下，通孔可以形成在腔的底部中。發(fā)光器件230可以置于散熱器220上方。發(fā)光器件230可以與散熱器220相接觸。散熱器220能夠有效地將由發(fā)光器件230生成的熱傳送至外部。散熱器220可以暴露于外部。散熱器220可以包括包含銅(Cu)的合金層221以及置于合金層221下方的Cu層222。與Cu層222相比，包含Cu的合金層221可以具有更小的水平橫截面積。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，如圖3所示的散熱器220可以包括包含Cu-W的合金層221以及置于合金層221下方的Cu層222。根據(jù)另一實(shí)施方案，如圖4所示的散熱器220可以包括包含Cu-Mo的合金層221以及置于合金層221下方的Cu層222。合金層221可以包含W和Mo中的至少一種元素。在該實(shí)施方案中，散熱器220包括包含Cu的合金層221以及Cu層222。Cu層具有低的可加工性，但具有非常優(yōu)異的傳熱性質(zhì)。然而，Cu層具有高的熱膨脹系數(shù)，其與發(fā)光器件230的熱膨脹系數(shù)明顯不同。因此，當(dāng)溫度變化時(shí)，熱膨脹和收縮應(yīng)力會(huì)被傳遞至發(fā)光器件230，這可能對(duì)發(fā)光器件230造成損害。為了解決該問題，在該實(shí)施方案中，將散熱器220構(gòu)造成使得Cu層222用作較低的層并且在Cu層222上方堆疊包含Cu的合金層221。利用這樣的構(gòu)造，發(fā)光器件230與合金層221而不是與Cu層222接觸。在上述實(shí)施方案中，合金層221可以是Cu-W合金層或Cu-Mo合金層。由于Cu-W合金層和Cu-Mo合金層具有與發(fā)光器件230類似的熱膨脹系數(shù)，所以可以防止由于溫度變化對(duì)發(fā)光器件230造成的損害。合金層221可以包含W或Mo中的至少一種材料。合金層221可以包括Cu-W、Cu-Mo以及Cu-W-Mo層。另外，在該實(shí)施方案中，散熱器220采用堆疊的多個(gè)層形式，其可以防止散熱器220的上表面向上凸出。這樣，置于散熱器220上方的發(fā)光器件230可以穩(wěn)定地定位。圖5為示出可以應(yīng)用于根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的發(fā)光器件的視圖。如圖5所示，根據(jù)該實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)10、電極20以及反射電極50。發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層
13。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以具有粗糙化的上表面17。在一個(gè)實(shí)例中，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以是向其添加第一導(dǎo)電摻雜劑即n型摻雜劑的n型半導(dǎo)體層，并且第二半導(dǎo)體層13可以是向其添加第二導(dǎo)電摻雜劑即p型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。在另一實(shí)例中，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以是P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以是n型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括n型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以由具有組成InxAlyGa1IyN (0x+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層 11 可以選自 GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP和類似材料，并且可以摻雜有n型摻雜劑，如S1、Ge、Sn、Se、Te和類似物質(zhì)。有源層12適于經(jīng)由取決于有源層12的組成材料的能帶隙發(fā)光，即，成對(duì)的通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11引入的電子(或空穴)和通過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層12引入的空穴(或電子)。有源層12可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)(SQW)、多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)、量子點(diǎn)和量子線結(jié)構(gòu)中的任一種結(jié)構(gòu)，但是本公開內(nèi)容不限于此。有源層12可以由具有組成InxAlyGai_x_yN(0彡x彡1，0彡y彡1，I彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料形成。如果有源層12具有MQW結(jié)構(gòu)，則有源層12可以是多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層的堆疊。例如，有源層12可以是InGaN阱層/GaN勢(shì)壘層的周期性堆疊。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括p型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以由具有組成InxAlyGa1IyN (0x+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 13 可以選自 GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP和類似材料，并且可以摻雜有p型摻雜劑，如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba和類似物質(zhì)。同時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括p型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括n型半導(dǎo)體層。在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13下方還可以形成包括n型或p型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。這樣，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有np結(jié)結(jié)構(gòu)、pn結(jié)結(jié)構(gòu)、npn結(jié)結(jié)構(gòu)、pnp結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少任一種結(jié)構(gòu)。此外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以具有均勻的或非均勻的摻雜劑摻雜濃度。即，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有多種結(jié)構(gòu)，但是本公開內(nèi)容不限于此?？梢栽诘谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層11和有源層12之間形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。此外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12之間形成第二導(dǎo)電AlGaN層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以具有粗糙化的上表面17。如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11是GaN層，則考慮到生長(zhǎng)和蝕刻方向，粗糙化的表面17可以是N表面。歐姆接觸層40和反射電極50可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。電極20可以置于發(fā)光結(jié)構(gòu)10上方。電極20和反射電極50可以向發(fā)光結(jié)構(gòu)10供電。歐姆接觸層40可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10處于歐姆接觸。反射電極50可以用來反射來自發(fā)光結(jié)構(gòu)10的光，以提高到外部的光提取量。歐姆接觸層40例如可以是透明的導(dǎo)電氧化物膜層。歐姆接觸層40可以由選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅鋁(AZO)、氧化鋁鎵鋅(AGZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(1AZ0)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化錫銻(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、IZO氮化物(IZON)、ZnO, IrOx, RuOx以及NiO中的至少一種材料形成。反射電極50可以由高反射性金屬材料形成。例如，反射電極50可以由包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一種的金屬及其合金形成。此外，反射電極50可以使用透光導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋅鋁(AZO)、氧化錫銻(ATO)和類似材料形成為多層。例如，在實(shí)施方案中，反射電極50可以由Ag、Al ,Ag-Pd-Cu合金和Ag-Cu合金中的至少任一種形成。電流阻擋層(CBL) 30可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10和歐姆接觸層40之間。電流阻擋層30可以形成在與電極20至少部分垂直交疊的區(qū)域處。這減輕了電流在電極20與反射電極50之間的最短距離處的集中，從而提高了根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的發(fā)光效率。電流阻擋層30可以具有電絕緣性能，或者可以由限定與發(fā)光結(jié)構(gòu)10的肖特基接觸的材料形成。電流阻擋層30可以由氧化物、氮化物或金屬形成。例如，電流阻擋層30可以由 Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、Al203、Ti0x、T1、Al 和 Cr 中的至少一種形成。
電流阻擋層30可以位于發(fā)光結(jié)構(gòu)10的緊下方的第一區(qū)域處，并且歐姆接觸層40可以位于在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下方以及電流阻擋層30的緊下方的第二區(qū)域處。歐姆接觸層40可以位于發(fā)光結(jié)構(gòu)10與反射電極50之間。此外，歐姆接觸層40可以位于電流阻擋層30與反射電極50之間。在發(fā)光結(jié)構(gòu)10與歐姆接觸層40之間可以進(jìn)一步設(shè)置隔離層80。隔離層80可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下部外圍處以及歐姆接觸層40上方。例如，隔離層80可以由電絕緣材料形成，或者由比發(fā)光結(jié)構(gòu)10的導(dǎo)電性低的導(dǎo)電材料形成。隔離層80可以由氧化物或氮化物形成。隔離層 80 可以由選自 Si02、Six0y、Si3N4' SixNy、SiOxNy、Al2O3' TiO2' ITO、AZ0、ZnO和類似材料中的至少一種形成。隔離層80可以由與電流阻擋層30的材料相同的材料形成，或者由與電流阻擋層相比不同的材料形成。隔離層80可以被稱作溝道層。擴(kuò)散阻擋層55、接合層60以及支承構(gòu)件70可以設(shè)置在反射電極50下方。擴(kuò)散阻擋層55可以用來防止在形成接合層60期間包含在接合層60中的材料朝反射電極50擴(kuò)散。S卩，擴(kuò)散阻擋層55可以防止包含在接合層60中的材料例如錫(Sn)對(duì)反射電極50或類似元件產(chǎn)生影響。擴(kuò)散阻擋層55可以由Cu、N1、T1-W、W以及Pt中的至少一種形成。接合層60可以由阻擋金屬或接合金屬形成。例如，接合層60可以由T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag和Ta中的至少一種形成。支承構(gòu)件70用來支承根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，并且可以電連接到外部電極，以向發(fā)光結(jié)構(gòu)10供電。例如，支承構(gòu)件70可以由T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W、或注入半導(dǎo)體晶片中的摻雜劑(例如，Si, Ge, GaN,GaAs、ZnO、SiC、SiGe和類似物質(zhì))中的至少任一種形成。此外，支承構(gòu)件70可以由絕緣材料形成。在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上可以進(jìn)一步設(shè)置保護(hù)層90。保護(hù)層90可以由氧化物或氮化物形成。例如，保護(hù)層90可以由具有透光和絕緣性能的材料如Si02、SiOx, SiOxNy, Si3N4以及Al2O3形成。保護(hù)層90可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)表面處。此外，保護(hù)層90可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的上表面處以及發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)表面處。上面的描述基于垂直型發(fā)光器件，其中電極20置于發(fā)光結(jié)構(gòu)10上并且反射電極50置于發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。然而，關(guān)于電連接到發(fā)光結(jié)構(gòu)10的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的第一電極和電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的第二電極的位置和形狀，根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件可以以多種方式改變。此外，根據(jù)本實(shí)施方案的發(fā)光器件可以應(yīng)用于其中第一電極和第二電極沿相同的方向暴露的水平型發(fā)光器件。圖6是示出根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件。將不再描述與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。如圖6所示，根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件200可以包括封裝件本體210、散熱器220以及發(fā)光器件230。封裝件本體210可以是多個(gè)層的堆疊。雖然圖6示出了其中封裝件本體210包括第一層211、第二層212、第三層213以及第四層214的情況，封裝件本體210可以具有更多層或更少層。此外，封裝件本體210可以形成為單層。封裝件本體210可以包括多個(gè)絕緣層。封裝件本體210可以由絕緣材料如氮化物或氧化物形成。此外，封裝件本體210可以包括多個(gè)陶瓷層。例如，封裝件本體210可以通過LTCC法形成。此外，封裝件本體210也可以通過HTCC法形成。封裝件本體210的組成材料可以是Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203或A1N。例如，封裝件本體210可以由AlN或具有140W/mK或更大的熱導(dǎo)率的金屬氮化物形成。封裝件本體210的各個(gè)層211、212、213以及214可以具有相同的厚度，或者這些層中的至少一個(gè)層可以具有不同的厚度。封裝件本體210的層211、212、213以及214可以是通過不同的制造過程獲得的獨(dú)立層，并且可以在完成燒制之后彼此一體化?？梢栽诜庋b件本體210的各個(gè)層之間形成電極圖案，并且可以通過電極圖案向發(fā)光器件230供電。可以通過通孔結(jié)構(gòu)向發(fā)光器件230供電。封裝件本體210上部的內(nèi)表面可以是階梯狀表面?？梢栽诜庋b件本體210的階梯狀內(nèi)表面中設(shè)置反射材料。因此，封裝件本體210可以反射從發(fā)光器件230發(fā)出的光以將光提取到外部?？梢栽诜庋b件本體210的下部中形成通孔。散熱器220可以置于封裝件本體210的通孔中。發(fā)光器件230可以置于散熱器220上。發(fā)光器件230可以與散熱器220接觸。散熱器220能夠有效地將由發(fā)光器件230生成的熱傳遞到外部。散熱器220可以暴露于外部。散熱器220可以包括包含銅(Cu)的合金層221以及置于合金層221下方的Cu層222。包含Cu的合金層221可以具有比Cu層222小的水平橫截面面積。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，散熱器220可以包括包含Cu的合金層221和Cu層222。Cu層具有低的可加工性，但是具有非常優(yōu)異的傳熱性能。然而，Cu層具有高的熱膨脹系數(shù)，與發(fā)光器件230的明顯不同。因此，當(dāng)溫度改變時(shí)，熱膨脹和收縮應(yīng)力被傳遞至發(fā)光器件230，這可能對(duì)發(fā)光器件230造成損害。為了解決該問題，在實(shí)施方案中，散熱器220構(gòu)造成使得Cu層222用作下層并且包含Cu的合金層221堆疊在Cu層222上方。利用該構(gòu)造，發(fā)光器件230與合金層221接觸而不與Cu層222接觸。在上述實(shí)施方案中，合金層221可以是Cu-W合金層或Cu-Mo合金層。由于Cu-W合金層和Cu-Mo合金層具有與發(fā)光器件230類似的熱膨脹系數(shù)，所以可以防止由于溫度改變而對(duì)發(fā)光器件230造成的損害。合金層221可以包含W和Mo中的至少一種材料。合金層221可以包括Cu-W層、Cu-Mo層以及Cu-W-Mo層。此外，在本實(shí)施方案中，散熱器220采取多個(gè)層的堆疊的形式，這可以防止散熱器220的上表面向上凸出。以這種方式，置于散熱器220上方的發(fā)光器件230可以穩(wěn)定地定位。圖7示出根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件。將不再描述與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。如圖7所示，根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件200可以包括封裝件本體210、散熱器220以及發(fā)光器件230。封裝件本體210可以是多個(gè)層的堆疊。盡管圖7示出其中封裝件本體210包括第一層211、第二層212、第三層213、第四層214以及第五層215的情況，但是封裝件本體210可以具有更多層或更少層。此外，封裝件本體210可以形成為單層。封裝件本體210可以包括多個(gè)絕緣層。封裝件本體210可以由絕緣材料如氮化物或氧化物形成。此外，封裝件本體210可以包括多個(gè)陶瓷層。封裝件本體210可以包括生坯片。例如，封裝件本體210可以通過LTCC法形成。此外，封裝件本體210也可以通過HTCC法形成。封裝件本體210的組成材料可以是Si02、SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy、Al2O3或A1N。例如，封裝件本體210可以由AlN或具有140W/mK或更大的熱導(dǎo)率的金屬氮化物形成。封裝件本體210的上部?jī)?nèi)表面可以是傾斜表面。反射材料可以設(shè)置在封裝件本體210的傾斜內(nèi)表面中。因此，本體210可以反射從發(fā)光器件230發(fā)出的光以將光提取到外部。構(gòu)成封裝件本體210的第一層211和第二層212可以稱作延伸層。延伸層可以堆疊成位于發(fā)光器件230周圍。封裝件本體210可以具有由延伸層限定的腔并且具有底表面和內(nèi)側(cè)表面。腔的內(nèi)側(cè)面可以是傾斜表面。第三層213可以稱作支承層。第三層213可以支承發(fā)光器件230，并且可以在形成散熱器220器件的過程中支承散熱器220。具體地，第三層213可以用作防凸出層以防止散熱器220朝發(fā)光器件230熱膨脹和凸出。凹部可以凹進(jìn)封裝件本體210的下部中。凹部可以位于支承封裝件本體210的支承結(jié)構(gòu)上方。例如，支承結(jié)構(gòu)可以包括與散熱器220接觸的第五層215。散熱器220可以置于封裝件本體210的凹部中。發(fā)光器件230可以位于散熱器220上方。第三層213可以設(shè)置在發(fā)光器件230與散熱器220之間。第三層213可以具有小的厚度以確保將由發(fā)光器件230生成的熱能夠有效地傳遞到散熱器220。例如，第三層213的厚度可以在40 到60iim的范圍內(nèi)。散熱器220適于將由發(fā)光器件230生成的熱有效地傳遞到外部。散熱器220可以暴露于外部。散熱器220可以包括包含Cu的合金層221以及置于合金層221下方的Cu層222。包含Cu的合金層221可以具有比Cu層222小的水平橫截面積。在本實(shí)施方案中，由于將第三層213設(shè)置在散熱器220上方，所以能夠防止散熱器220的上表面向上凸出。第三層213例如可以由生坯片形成并且可以具有平坦的上表面。因此，可以經(jīng)由例如低共熔接合將發(fā)光器件230置于第三層213上方。例如，可以通過使封裝件本體210的凹部填充有燒結(jié)片、丸粒、桿、細(xì)粉、糊劑或類似物并且隨后進(jìn)行燒制來形成散熱器220。以這種方式，發(fā)光器件230可以穩(wěn)定地位于散熱器220上方?？梢詫为?dú)的薄膜例如具有在40 iim到60 iim范圍內(nèi)的厚度的生坯片置于散熱器220下方。圖8是示出根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖。將不再描述與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。如圖8所示，根據(jù)第四實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件200可以包括封裝件本體210、散熱器220以及發(fā)光器件230。封裝件本體210的上部?jī)?nèi)表面可以是階梯狀的。反射材料可以設(shè)置在封裝件本體210的階梯狀內(nèi)表面中。因此，封裝件本體210可以反射由發(fā)光器件230發(fā)出的光以將光提取到外部。構(gòu)成封裝件本體210的第一層211和第二層212可以稱作延伸層。延伸層可以堆疊成位于發(fā)光器件230周圍。封裝件本體210可以包括由延伸層限定的腔并且具有底表面和內(nèi)側(cè)面。腔的內(nèi)側(cè)面可以是階梯狀的。第三層213可以稱作支承層。第三層213可以支承發(fā)光器件230，并且可以在形成散熱器220期間支承散熱器220。圖9A是示出根據(jù)第五實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖，以及圖9B是示出用于在封裝件本體中形成電路圖案的方法的視圖。將不再描述與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。如圖9A所示，根據(jù)第五實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件200可以包括封裝件本體210、散熱器220以及發(fā)光器件230。
封裝件本體210具有通孔，并且散熱器220插入通孔中。彼此接觸的通孔的內(nèi)表面和散熱器220的外表面分別設(shè)置有圖案以增加接觸面積，這可以增加熱輻射效應(yīng)。盡管圖9A將圖案示出為具有階梯形狀，但是圖案的形狀不做具體限制。使用電極圖案和穿透電極(pass-through electrode)來在封裝件本體210中形成電路圖案。參考圖9B，首先，使用陶瓷和粘合劑的混合物來制造多個(gè)生坯片280。然后，考慮整個(gè)封裝件本體210，在穿過多個(gè)生坯片281至284中的每一個(gè)的準(zhǔn)確位置處形成通孔290，并且形成連接至通孔290的電極圖案294。在該情況下，電極圖案294可以在形成通孔290之前形成。然后，向通孔290中填充電極材料以形成穿透電極292。該電極材料可以僅施加到通孔290的內(nèi)壁，或可以填充在整個(gè)通孔290中。由于位于封裝件本體210下方的電極圖案用作連接至襯底的電極的電極焊墊，所以可以實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)光器件230的供電。發(fā)光器件230可以通過導(dǎo)電粘合層250'電連接至散熱器220。即，散熱器220可以由具有熱導(dǎo)率和導(dǎo)電性的材料形成，并且可以電連接至封裝件本體210的電極圖案。由于發(fā)光器件230通過導(dǎo)電粘合層250，接合到散熱器220，所以可以在沒有單獨(dú)的引線接合的情況下在發(fā)光器件230與散熱器210之間實(shí)現(xiàn)直接導(dǎo)電。例如，導(dǎo)電粘合層250'可以由Ag膏或Au-Sn金屬形成。圖10是示出根據(jù)第六實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖。將不再描述與上述實(shí)施方案重復(fù)的部分。如在圖10中示出的根據(jù)第六實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件200可以包括封裝件本體210、散熱器220和發(fā)光器件230。封裝件本體210包括位于發(fā)光器件230與散熱器220之間的防凸出層260。封裝件本體210和散熱器220由不同的材料形成并且在熱膨脹系數(shù)方面具有差異。因此，在將散熱塊形式的散熱器220插入到封裝件本體210中后，散熱器220和封裝件本體210可以經(jīng)受共燒。此外，由于在發(fā)光器件封裝件的使用期間散熱器220因從發(fā)光器件230產(chǎn)生的熱而凸出，所以散熱器220的其上安裝發(fā)光器件230的上表面可以凸向凸出。當(dāng)散熱器220的上表面已經(jīng)凸向凸出時(shí)，散熱器220與發(fā)光器件230發(fā)生接觸失效，引起了可靠性的惡化。相應(yīng)地，在發(fā)光器件230與散熱器220之間設(shè)置防凸出層260可以防止散熱器220的上表面朝發(fā)光器件230凸出。防凸出層260可以單獨(dú)地制備并且可以設(shè)置在封裝件本體210上，或與封裝件本體210 —體地形成以構(gòu)成封裝件本體210的一部分。防凸出層260可以設(shè)置有電極圖案以將發(fā)光器件230與防凸出層260彼此電連接。防凸出層260可以形成在散熱器220下方，而不必形成在發(fā)光器件230與散熱器220之間。圖11是示出根據(jù)第七實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件。將不再描述與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。如在圖11中示出的，根據(jù)第七實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件200可以包括封裝件本體210、散熱器220和發(fā)光器件230。
封裝件本體210包括位于發(fā)光器件230與散熱器220之間的防凸出層260和位于散熱器下方的防凸出層270。考慮到散熱器220的下表面以及上表面可能凸向膨脹的事實(shí)，防凸出層260和270可以分別形成在散熱器220的上表面和下表面處。防凸出層260和270可以單獨(dú)地制備，然后設(shè)置在封裝件本體210上，或可以與封裝件本體210 —體地形成以構(gòu)成封裝件本體210的一部分。圖12是示出根據(jù)第八實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖。將不再描述與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。在根據(jù)第八實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件300中，封裝件本體310包括多個(gè)陶瓷層310a,310b,310c和310d。封裝件本體310可以使用HTCC或LTCC方法來形成。如果封裝件本體310是多層陶瓷襯底，則各個(gè)層可以具有相同的厚度或不同的厚度。封裝件本體310可以由絕緣材料如氮化物或氧化物形成。例如，封裝件本體310可以由 Si02、Six0y、Si3N4' SixNy、SiOxNy、Al2O3 或 AlN 形成。多個(gè)陶瓷層310a、310b、310c和310d可以具有不同的寬度。一些層310a和310b可以限定發(fā)光器件封裝件300或腔的底部，而其他層310c和310d可以限定腔的側(cè)壁。發(fā)光器件230布置在由如上述多個(gè)陶瓷層310a、310b、310c和310d限定的腔的底部。在本實(shí)施方案中，設(shè)置有至少一個(gè)發(fā)光器件，例如，可以設(shè)置有4個(gè)發(fā)光器件230。發(fā)光器件230包括使用多個(gè)化合物半導(dǎo)體層如第II1-V族化合物半導(dǎo)體層的發(fā)光二極管(LED)。發(fā)光器件可以是發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光的彩色發(fā)光器件，或是發(fā)出紫外光(UV)的發(fā)光器件。因?yàn)榉庋b件本體310是由無機(jī)LTCC或HTCC形成的陶瓷襯底，所以即使使用包括有具有約260nm至約280nm的波長(zhǎng)的深UV LED或具有約365nm至約405nm的近UV LED的發(fā)光器件230，也不會(huì)存在來自發(fā)光器件230的紫外光(波長(zhǎng)為約260nm至約405nm)使封裝件本體310變色或劣化的風(fēng)險(xiǎn)，從而可以維持發(fā)光模塊的可靠性。圖13A至圖13C是示出包括在圖12的發(fā)光器件封裝件中的電極圖案的布置的視圖。此外，圖14A是圖13A的部分細(xì)節(jié)圖以及圖14B是通過對(duì)角線切割圖13的發(fā)光器件封裝件所提供的側(cè)視截面圖。由于4個(gè)發(fā)光器件230布置在圖12的發(fā)光器件封裝件300中，如在圖13A中示出的，所以可以分別布置4個(gè)第一電極圖案331、332、333和334以及第二電極圖案341、342、343和344。上述4個(gè)第一電極圖案331、332、333和334可以具有相同的極性，因此可以連接至單個(gè)引線框。4個(gè)第二電極圖案341、342、343和344可以具有與第一電極圖案331、332,333和334的極性不同的同一極性，因此可以連接至另一個(gè)單個(gè)引線框。在圖13A的平面圖中，限定上述腔的側(cè)壁的陶瓷層310c和310d在外圍處示出，而限定該腔的底部的陶瓷層310b在中心處暴露。如在圖13A的平面圖中示出的，在圖12中被示為最上層的陶瓷層310d具有最大的寬度C，在圖12中被示為自上而下第二層的陶瓷層310c具有比最大寬度c小的寬度b，而限定腔的底部的陶瓷層310b具有最小的寬度a。如上所述的第一電極圖案331、332、333和334以及第二電極圖案341、342、343和344可以圍繞限定腔的底部的陶瓷層310b的中心對(duì)稱地布置。在下文中，將參考圖14來局部地詳細(xì)描述電極圖案結(jié)構(gòu)。
第一電極圖案331、332、333和334定位在腔的底部的中心區(qū)域，第二電極圖案341、342、343和344定位在腔的底部的邊緣區(qū)域。第一電極圖案331、332、333和334的上述位置與第二電極圖案341、342、343和344的上述位置可以互換。第二電極圖案341成形為使得每側(cè)的寬度小于拐角的寬度e。陶瓷層310b從與具有如上所述的較小寬度f的第二電極圖案341的每側(cè)對(duì)應(yīng)的區(qū)域d暴露。即，第二電極圖案341可以具有不同的最大和最小寬度。該布置確保了從發(fā)光器件發(fā)出的光從陶瓷層310b的增加面積反射，其可以改善發(fā)光器件封裝件的發(fā)光效率。再次說明，第二電極圖案341包括第一區(qū)域341-1和連接至第一區(qū)域341-1的第二區(qū)域341-2。第一區(qū)域341-1的寬度不同于第二區(qū)域341-2的寬度，并且第一區(qū)域341-1的寬度e大于第二區(qū)域341-2的寬度。在提供具有比第一區(qū)域341-1的寬度小的寬度的第二區(qū)域341-2時(shí)，陶瓷層310b向外暴露，其改善了光反射效率。第一區(qū)域341-1是在發(fā)光器件230的引線接合期間與引線360接合的區(qū)域。這甚至同樣適用于其他第二電極圖案342、343 和 344。此外，增加了暴露的陶瓷層310b與透光層之間的接觸面積。因?yàn)樘沾蓪?10b與包含在透光層中的硅樹脂之間的接合力大于由金屬形成的第二電極圖案341與透光層之間的接合力，所以發(fā)光器件封裝件可以實(shí)現(xiàn)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性的增加。在第二電極圖案341的拐角處可以形成有突起P。構(gòu)成封裝件本體的陶瓷層310b設(shè)置在與具有上述通孔類型的連接電極的突起P對(duì)應(yīng)的位置處。因?yàn)檫B接電極用于將第二電極圖案341連接至引線框，所以連接電極可以是第二電極圖案341的延伸圖案。如上所述的突起P和該延伸圖案可以電連接至形成在封裝件本體中的通孔并且可以電連接至設(shè)置在封裝件本體中的下部中的引線框。參考圖14B，作為第二電極圖案341的延伸圖案的突起P朝著腔的側(cè)壁延伸。該突起 的至少一部分可以位于腔的側(cè)壁的下方。此外，電連接至突起P的通孔還可以布置成與腔的側(cè)壁垂直地交疊。在其中電極圖案形成在具有通孔的封裝件本體上的情況下，該通孔可以導(dǎo)致該電極圖案的對(duì)應(yīng)部分凹陷，從而對(duì)可靠性具有負(fù)面影響。因此，將通孔和突起P設(shè)置在腔的側(cè)壁的下方可以防止可靠性的惡化。參考圖13B，第一電極圖案331至334被圖案化以限定與電極圖案的減小的寬度對(duì)應(yīng)的區(qū)域d。陶瓷層310b從與第一電極圖案331至334的減小的寬度對(duì)應(yīng)的區(qū)域d暴露。即，由于與第一電極圖案331至334的減小寬度對(duì)應(yīng)的區(qū)域d，所以從發(fā)光器件發(fā)出的光從陶瓷層310b的增加的面積反射，這可以改善發(fā)光器件封裝件的發(fā)光效率。再次說明，第一電極圖案331包括芯片安裝區(qū)域331-1和圍繞芯片安裝區(qū)域331-1布置的多個(gè)邊緣區(qū)域331-2。陶瓷層310b在對(duì)應(yīng)的相鄰邊緣區(qū)域331-2之間朝外暴露，這可以改善光反射效率。這甚至同樣適用于其他第一電極圖案332、333和334。在圖13B中，邊緣區(qū)域331-2以示例的方式示出為位于芯片安裝區(qū)域331-1的拐角處。參考圖13C，對(duì)第一電極圖案331至334進(jìn)行圖案化以使其拐角被移除，從而提供具有減小的寬度部分的第一電極圖案331至334。該構(gòu)造的作用與上述參考圖13B所描述的作用是相同的。再次說明，第一電極圖案331包括芯片安裝區(qū)域331-1和圍繞芯片安裝區(qū)域331-1布置的多個(gè)邊緣區(qū)域331-2。陶瓷層310b在相應(yīng)的相鄰邊緣區(qū)域331-2之間向外暴露，這可以改善發(fā)光效率。這同樣適用于其他第一電極圖案332、333和334。在圖13B中，邊緣區(qū)域331-2以示例的方式示出為沿芯片安裝區(qū)域331-1的側(cè)邊設(shè)置。參考圖13A至圖13C的其中電極圖案具有減小的寬度部分以暴露陶瓷層的上述構(gòu)造可以適用于4個(gè)第一電極圖案331至334和4個(gè)第二電極圖案341至344中的至少一個(gè)。參考圖14，假設(shè)第二電極圖案341的每個(gè)側(cè)邊的寬度是0.35mm，則拐角的寬度e可以是0.45mm。此外，第二電極圖案341與第一電極圖案331之間的距離h可以是0.1mm,而不包括拐角的相對(duì)較寬的區(qū)域的寬度可以是0.45_。圖15至17是示出根據(jù)第九實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件。不再描述與上述實(shí)施方
案重復(fù)的內(nèi)容。在根據(jù)第九實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件中，封裝件本體包括多個(gè)陶瓷層410a、410b、410c、410d和410e。封裝件本體可以使用HTCC或LTCC法來形成。如果封裝件本體是多層陶瓷襯底，則各個(gè)層可以具有相同的厚度或具有不同的厚度。封裝件本體可以由絕緣材料如氮化物或氧化物形成。例如，封裝件本體可以由Si02、SixOy、Si3N4' SixNy、SiOxNy' Al2O3 或 AlN 形成。多個(gè)陶瓷層410a、410b、410c、410d和410e可以具有不同的寬度。一些層410a、410b和410c可以限定腔或發(fā)光器件封裝件400的底部，其他層410d和410e可以限定腔的側(cè)壁。發(fā)光器件230布置在由如上所述的多個(gè)陶瓷層410a、410b、410c、410d和410e限定的腔的底部上。在本實(shí)施方案中，可以設(shè)置至少一個(gè)發(fā)光器件。在腔中可以布置模制部件450來包圍發(fā)光器件230和引線440。模制部件450可以包含硅樹脂或熒光物質(zhì)460。熒光物質(zhì)460用于將從發(fā)光器件230發(fā)出的光的第一波長(zhǎng)改變?yōu)楣獾妮^長(zhǎng)的第二波長(zhǎng)。例如，如果光的第一波長(zhǎng)是紫外光，則光的第二波長(zhǎng)是可見光。因?yàn)榉庋b件本體是由無機(jī)陶瓷襯底形成的，所以即使使用包括具有約260nm至約280nm的波長(zhǎng)的深UV LED或具有約365nm至約405nm的近UV LED的發(fā)光器件230，也不存在由發(fā)光器件230發(fā)出的紫外光(波長(zhǎng)為約260nm至約405nm)使封裝件本體變色或劣化的風(fēng)險(xiǎn)，因此能夠保持發(fā)光模塊可靠性。參考圖15，發(fā)光器件230布置在封裝件本體的表面上。當(dāng)構(gòu)成封裝件本體的多個(gè)陶瓷層410a、410b、410c、410d和410e限定腔時(shí)，發(fā)光器件230可以布置在限定腔的底部的陶瓷層410c的表面上。在本實(shí)施方案中，兩個(gè)發(fā)光器件230通過導(dǎo)電粘合層445分別與散熱器480a和480b接觸。散熱器480a和480可以由具有優(yōu)良的熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率的材料形成，例如，可以由Cu或Cu合金形成。Cu合金還可以包含W和Mo中的至少一種,例如,可以包括Cu-W、Cu_Mo和Cu-W-Mo。由于散熱器480a和480b由導(dǎo)電材料形成并且發(fā)光器件230通過導(dǎo)電粘合層445附接至散熱器480a和480b，所以可以在沒有單獨(dú)引線接合的情況下實(shí)現(xiàn)發(fā)光器件230與散熱器480a和480b之間的直接導(dǎo)電。每個(gè)散熱器480a或480b的與對(duì)應(yīng)的發(fā)光器件230相鄰的部分可以具有與發(fā)光器件230的寬度Wa相等的寬度Wb，但是限定封裝件本體的底部的層的寬度W?？梢源笥诎l(fā)光器件230的寬度Wa。S卩，散熱器480a或480b的與發(fā)光器件230接觸的部分具有比發(fā)光器件230的相反側(cè)部分的寬度小的寬度。

這是因?yàn)椋瑢?duì)于散熱器480a和480b而言，在其與發(fā)光器件230接觸的表面處具有與發(fā)光器件230的寬度相同的寬度就足夠了，并且散熱器280a和280b的寬度隨著離發(fā)光器件230的距離的增加而增加可以導(dǎo)致散熱效率提高。此外，當(dāng)散熱器480a和480b的用于散熱的下端具有較大面積時(shí)，能夠確保與通過小面積的熱輻射相比散熱器480a和480b的熱膨脹較小。此外，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，散熱器280a和280b的寬度可以隨著距發(fā)光器件230的距離的減小而增加。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，散熱器480a和480b可以構(gòu)造為使得與發(fā)光器件230相鄰的并且具有相對(duì)小的寬度的第一部分和位于發(fā)光器件230的相反側(cè)并且其寬度大于第一部分的寬度的第二部分可以由不同的材料形成。例如，第一部分可以由包含Cu的合金層形成，第二部分可以由Cu層形成。包含Cu的合金層還可以包含W和Mo中的至少一種，例如，可以包含 Cu-W、Cu-Mo 和 Cu-W-Mo。Cu層具有低的加工性，但是具有非常優(yōu)異的傳熱性能。然而，Cu層具有高的熱膨脹系數(shù)，其明顯不同于發(fā)光器件230的熱膨脹系數(shù)。因此，當(dāng)溫度改變時(shí)，熱膨脹和收縮應(yīng)力被傳遞到發(fā)光器件230，這可以對(duì)發(fā)光器件230造成損害。為了解決這一問題，在本實(shí)施方案中，散熱器480a和480b可以構(gòu)造成使得較低的第二部分由Cu層形成并且較高的第一部分由包含Cu的合金層形成。利用該構(gòu)造，發(fā)光器件230與合金層接觸而不是與Cu層接觸。因?yàn)镃u-W合金層和Cu-Mo合金層具有與發(fā)光器件230的熱膨脹系數(shù)類似的熱膨脹系數(shù)，所以可以防止由于溫度改變引起的對(duì)發(fā)光器件230損害。兩個(gè)散熱器480a和480b可以通過在陶瓷層410c上形成的電極圖案475c而彼此電連接。散熱器480b可以電連接至在陶瓷層410b中形成的電極圖案475b，電極圖案475b可以通過通孔477a連接至陶瓷層410a下方的電極圖案475a。通孔477a以導(dǎo)電材料填充。發(fā)光器件230可以通過引線440接合到陶瓷層410c表面上的電極圖案471d。電極圖案471d可以通過電極圖案471b和471c以及分別形成在陶瓷層410a、401b和410c中并以導(dǎo)電材料填充的通 孔473a、473b和473c連接至陶瓷層410a下方的電極圖案471a。如上所述的一對(duì)電極圖案47Ia和475a可以用作與電路板直接電接觸的電極焊墊。如圖所示，可以在上述陶瓷層410c上布置兩個(gè)或四個(gè)發(fā)光器件230。電連接至各個(gè)發(fā)光器件230的電極圖案47Id和475d具有相同的極性，從而可以彼此電連接。在散熱器480a和480b下方布置有防凸出層490。防凸出層490可以是生坯片，并且可以支承封裝件本體的最下方陶瓷層410a以及散熱器480a和480b以密封散熱器480a和480b并防止散熱器480a和480b的熱膨脹。在圖16所示的實(shí)施方案中，防凸出層490布置在構(gòu)成封裝件本體的陶瓷層410a的下方。電極圖案471a可以通過在生坯片490中形成的并填充有導(dǎo)電材料的通孔491a電連接至生坯片490下方的電極焊墊492a。電極圖案475a可以通過在生坯片490中形成的并以導(dǎo)電材料填充的通孔491b電連接至生坯片490下方的電極焊墊492b。在上述實(shí)施方案中，防凸出層490可以是保持散熱器480a和480b的形狀的支承板，或者可以是透光薄膜。防凸出層490可以由與陶瓷層410a相同的材料形成。在圖17a所示的實(shí)施方案中，防凸出層495設(shè)置在限定腔的底部的陶瓷層410c的上方。發(fā)光器件230可以通過引線440接合至防凸出層495表面上的電極圖案471d和475d。電極圖案471d可以通過在防凸出層495中形成的并以導(dǎo)電材料填充的通孔496a電連接至電極圖案497a。多個(gè)電極圖案471d和475d可以彼此電連接。兩個(gè)發(fā)光器件230可以通過導(dǎo)電粘合層445電連接到形成在陶瓷層410c上方的電極圖案498。電極圖案498可以與散熱器480b接觸，并且散熱器480b可以通過電極圖案475b和475c以及以導(dǎo)電材料填充的通孔477a和477b電連接至陶瓷層410a下方的電極圖案475a。此外，兩個(gè)散熱器480a和480b可以彼此電連接。在本實(shí)施方案中，防凸出層495可以位于對(duì)應(yīng)于散熱器480a和480b的區(qū)域,這可以防止散熱器480a和480b的表面在散熱器480a和480b熱膨脹時(shí)被粗糙化。防凸出層495的沒有對(duì)應(yīng)于發(fā)光器件230的部分可以用于平衡封裝件本體的高度。同時(shí)，參照?qǐng)D17b，在陶瓷層410d的下方設(shè)置有另一個(gè)陶瓷層410f。電極圖案471d、475d設(shè)置在陶瓷層410f上。陶瓷層410f、410d和410e以及腔的底表面形成階梯形狀?？梢圆恍纬赡Ｖ撇考?50。圖18是示出包括在根據(jù)第九實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件中的散熱器的詳細(xì)視圖。圖18(a)和圖18(b)示出兩個(gè)散熱器480a和480b，圖18(c)和圖18(d)示出四個(gè)散熱器480a至480d。布置多個(gè)散熱器可以使在制造發(fā)光器件封裝件期間散熱器的熱變形最小化，從而可以防止發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件傾斜，并因此實(shí)現(xiàn)平衡的發(fā)光角度。在圖18(a)和圖18(b)中，各個(gè)散熱器480a和480b的下部的寬度W?？梢源笥谏崞?80a和480b的上部的寬度Wb。各個(gè)散熱器480a和480b彼此間隔距離Wd。上述距離Wd可以是設(shè)置在各個(gè)散熱器480a和480b之間的陶瓷層的寬度。在圖18(c)和圖1 8(d)中，四個(gè)散熱器480a、480b、480c和480d可以布置成分別對(duì)應(yīng)于四個(gè)發(fā)光器件。各個(gè)散熱器480a、480b、480c和480d彼此間隔相同的距離Wd，并且在各個(gè)散熱器480a、480b、480c和480d之間可以布置陶瓷層。所述四個(gè)散熱器480a、480b、480c和480d對(duì)稱地布置。根據(jù)上述第八實(shí)施方案的電極圖案的內(nèi)容可以適用于根據(jù)第九實(shí)施方案的光源模塊中，下文中將省略對(duì)這樣的重復(fù)內(nèi)容的描述。圖19和圖20是示出根據(jù)第十實(shí)施方案的光源模塊的視圖。參照?qǐng)D19，根據(jù)第十實(shí)施方案的光源模塊包括具有通孔510a的封裝件本體510、置于通孔510a中的散熱器520、置于散熱器520上的子基座(sub-mount) 530、以及置于子基座530上的至少一個(gè)發(fā)光器件230。封裝件本體510可以是單層陶瓷襯底或多層陶瓷襯底。如果封裝件本體510是多層陶瓷襯底，則可以例如使用HTCC或LTCC方法來形成封裝件本體510。在多層陶瓷襯底形式的封裝件本體510的情況下，各個(gè)層可以具有相同的厚度或具有厚度差異，但本公開內(nèi)容不限于此?？梢栽诜庋b件本體510中設(shè)置多個(gè)電極圖案，并且可以將所述多個(gè)電極圖案電連接至發(fā)光器件230，以施加驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件230所需的電流。封裝件本體510可以包括由側(cè)壁512a和底部512b限定的腔512。如圖19所示，封裝件本體510的側(cè)壁512a可以包括傾斜表面。傾斜表面可以反射由發(fā)光器件230發(fā)出的光以將反射光導(dǎo)向腔512的上開口端，這可以提高光源模塊的光提取效率?？梢栽谇?12的側(cè)壁512a和底部512b的至少一部分上涂覆、鍍覆或沉積反射層。
與難以形成腔的金屬襯底相比，陶瓷襯底容易形成腔并且具有高耐熱性。然而，考慮到陶瓷襯底具有比金屬襯底低的熱導(dǎo)率的事實(shí)，為了補(bǔ)償熱輻射性能，可以使由金屬塊形成的散熱器520在插入到陶瓷襯底之前經(jīng)受熱處理，如共燒或Ag-Cu接合。在封裝件本體510具有通孔510a和腔512的情況下，通孔510a可以形成在腔512的底部510b中。散熱器520被插入并置于通孔510a中。彼此接觸的通孔510a的內(nèi)表面和散熱器520的外表面可以設(shè)置有圖案，以增加接觸面積，這可以增強(qiáng)熱輻射效果。盡管圖19示出具有例如階梯形狀的圖案，但是圖案形狀并沒有特別限制。散熱器520可以由具有優(yōu)異熱導(dǎo)率的金屬形成,例如可以由Cu合金(例如Cu-W、Cu-Mo)、Cu、Mo、W和Ag中的至少一種形成?？紤]封裝件本體510和散熱器520的熱膨脹系數(shù)，例如，如果封裝件本體510使用HTCC技術(shù)形成，則插入由Cu-W形成的散熱器520對(duì)于熱更穩(wěn)定。如果封裝件本體510使用LTCC技術(shù)形成,則插入由Ag形成的散熱器520對(duì)于熱更穩(wěn)定。子基座530置于散熱器520上。子基座530可以是導(dǎo)電襯底或絕緣襯底，并且例如可以由考慮熱導(dǎo)率和高熱膨脹系數(shù)而選擇的材料形成，例如由S1、SiC, AlN和類似材料形成。導(dǎo)電粘合層540位于子基座530上，并且發(fā)光器件230可以通過導(dǎo)電粘合層540被附接。因?yàn)橛砂l(fā)光器件230產(chǎn)生的熱通過散熱器520經(jīng)由子基座530排放到外部，所以子基座530可以由具有優(yōu)異熱導(dǎo)率的材料形成。由于將子基座530置于散熱器520上，所以由發(fā)光器件230產(chǎn)生的熱通過具有良好熱導(dǎo)率的散熱器520排放到外部，而不是通過具有相對(duì)低的熱導(dǎo)率的封裝件本體510排放到外部，這可以提高光源模塊的可靠性。在發(fā)光器件230直接安裝到散熱器520上的情況下，如果散熱器520的上表面不平坦，則發(fā)光器件230可能會(huì)被無意地分開或被不穩(wěn)定地接合，這可導(dǎo)致熱輻射效率和可靠性的降低?？梢酝ㄟ^將發(fā)光器件230置于子基座530上來使該問題最小化。散熱器520用于將由發(fā)光器件230產(chǎn)生的熱排放到外部，由此保持光源模塊的可靠性。因此，發(fā)光器件230和散熱器520可以布置成在垂直方向上彼此交疊。盡管圖19只示出例如三個(gè)發(fā)光器件230，但是根據(jù)實(shí)施方案可以設(shè)置更多或更少的發(fā)光器件。由于封裝件本體510由無機(jī)材料形成，所以即使采用了包括具有約260nm至約280nm波長(zhǎng)的深紫外LED或具有約365nm至約405nm的近紫外LED的發(fā)光器件230，也不存在由發(fā)光器件230發(fā)出的紫外光(波長(zhǎng)為約260nm至約405nm)使封裝件本體510變色或劣化的風(fēng)險(xiǎn)，并且能夠保持光源模塊的可靠性。可以設(shè)置玻璃部件550來覆蓋封裝件本體510的腔512的上開口端。玻璃部件550可以由透明材料和非反射性涂膜形成，以將從發(fā)光器件230發(fā)出的光傳輸?shù)酵獠慷鵁o吸收。例如，玻璃部分550可以由SiO2(石英、紫外熔融二氧化硅)、Al2O3 (藍(lán)寶石)、或LiF、MgF2、CaF2、低鐵透明玻璃、B2O3和類似材料形成。

如果發(fā)光器件230是紫外LED，則玻璃部分550用于防止由發(fā)光器件230發(fā)出的紫外光使光源模塊外部的有機(jī)物破壞或劣化。在玻璃部件550與腔512之間的空間560可以處于真空狀態(tài)，或者可以填充N2氣體或合成氣體。由陶瓷襯底形成的封裝件本體510可以在腔512的側(cè)壁512a的上端處設(shè)置有支承部514，以支承玻璃部分550的邊緣?；蛘?，如圖20所示，代替玻璃部分550，可以在封裝件本體510的腔512內(nèi)形成包圍發(fā)光器件230的模制部件565。模制部件565可以由混有熒光物質(zhì)、耐紫外光的硅樹脂、混合型樹脂和類似材料的高折射率或低折射率的硅樹脂形成，但本公開內(nèi)容不僅限于此?？梢栽诜庋b件本體510和散熱器520的下方設(shè)置散熱墊570。考慮到由發(fā)光器件230產(chǎn)生的熱通過子基座530、散熱器520和散熱墊570排放到外部的事實(shí)，散熱墊570可以由具有良好熱導(dǎo)率的材料形成。例如，散熱墊570可以由選自Ag、Au和Cu中的任一種金屬形成?？梢栽谏釅|570與封裝件本體510之間和在散熱墊570與散熱器520之間設(shè)置熱片575。熱片575具有優(yōu)異的熱導(dǎo)·率、電絕緣性和阻燃性，并用于協(xié)助散熱墊570與加熱區(qū)域緊密接觸，由此使傳熱效果最大化。圖21是示出根據(jù)第十一實(shí)施方案的光源模塊的視圖。與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容將不再描述。根據(jù)第十一實(shí)施方案的光源模塊包括具有通孔510a的封裝件本體510、置于通孔510a中的散熱器520以及置于散熱器520上的至少一個(gè)發(fā)光器件230。本實(shí)施方案與上述第十實(shí)施方案之間的區(qū)別在于:光源模塊不包括子基座530，以及發(fā)光器件230直接置于散熱器520上。散熱器520可以具有傳導(dǎo)性，并且發(fā)光器件230接合到傳導(dǎo)粘合層540上。因此，可以在沒有單獨(dú)引線接合的情況下實(shí)現(xiàn)發(fā)光器件230和散熱器520之間的直接傳導(dǎo)。圖22是示出根據(jù)第十二實(shí)施方案的光源模塊的視圖。與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容將不再描述。在根據(jù)第十二實(shí)施方案的光源模塊中，封裝件本體510包括齊納二極管接合部分580，齊納二極管585置于齊納二極管接合部分580上。齊納二極管接合部分580可以與發(fā)光器件230所位于的空間分開。將齊納二極管585與發(fā)光器件230所位于的空間分開或隔離的原因在于:由發(fā)光器件230發(fā)出的光會(huì)被齊納二極管585吸收、散射或反射,這可能降低發(fā)光器件230的發(fā)光效率。例如，如果封裝件本體510包括腔512，則齊納二極管接合部分580可以位于除了腔512之外的區(qū)域。齊納二極管接合部分580可以設(shè)置有模制部件590，該模制部件590中填充有例如硅樹脂，以保護(hù)齊納二極管585和Au引線。圖23是根據(jù)第十三實(shí)施方案的光源模塊的視圖。與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容將不再描述。根據(jù)第十三實(shí)施方案的光源模塊包括襯底620和保持器630，所述襯底620包括置于其表面上的光源600以及電連接到光源600的電極焊墊610，所述保持器630位于襯底620上并且具有形成在對(duì)應(yīng)于電極焊墊610的位置處的腔632。電極焊墊610與布置在腔632中的突出電極631接觸，所述突出電極631分別電連接至引線634和635。光源600包括發(fā)光器件，并且可以是其中芯片形式的發(fā)光器件安裝在襯底上的板上芯片(COB)類型。襯底620可以是金屬襯底或陶瓷襯底，其上形成有電路圖案。陶瓷襯底可以形成為單層或多層。如果襯底620例如是多層陶瓷襯底，則可以使用HTCC或LTCC技術(shù)來實(shí)現(xiàn)襯底620。如果發(fā)光器件是包括具有約260nm至約280nm波長(zhǎng)的深紫外LED或具有約365nm至約405nm的波長(zhǎng)的近紫外LED的紫外LED，則襯底620可以由陶瓷襯底形成，以避免由發(fā)光器件發(fā)出的紫外光(波長(zhǎng)為約260nm至約405nm)使襯底620變色或劣化。電連接到光源600的電極焊墊610位于襯底620的上表面處。根據(jù)實(shí)施方案電極焊墊610可以包括多個(gè)電極焊墊610。盡管電極焊墊610可以定位成靠近襯底620的邊緣，但電極焊墊610的位置還可以根據(jù)實(shí)施方案進(jìn)行改變,而本公開內(nèi)容并不限于此。電極焊墊610可以直接置于襯底620的上表面上，或者可以置于在襯底620中形成的凹部614中。 更具體地，襯底620的對(duì)應(yīng)于電極焊墊610的部分的厚度可以不同于襯底620的不對(duì)應(yīng)于電極610的剩余部分的厚度。例如，襯底620的對(duì)應(yīng)于電極焊墊610的部分可以
具有較小的厚度。電極焊墊610包括陽(yáng)極焊墊611和陰極焊墊612，其中，陽(yáng)極焊墊611電連接至光源600的第一電極，陰極焊墊612與陽(yáng)極焊墊611間隔開并電連接至光源600的第二電極。陽(yáng)極焊墊611和陰極焊墊612可以在相同的方向上彼此平行布置，但本公開內(nèi)容不限于此。盡管圖23示出例如具有兩個(gè)電極焊墊610的光源模塊，S卩，第一電極焊墊610a和第二電極焊墊610b，但是根據(jù)實(shí)施方案可以采用只具有一個(gè)電極焊墊或具有三個(gè)或更多個(gè)電極焊墊的光源模塊。如果設(shè)置有兩個(gè)或更多個(gè)電極焊墊610，則可以選擇和使用位于方便位置處的電極焊墊610中的任一個(gè)，而不用基于外部電源的位置來改變光源模塊的位置或方向。保持器630位于襯底620上并且包括對(duì)應(yīng)于電極焊墊610的腔632。布置在腔632中的引線634和635與電極焊墊610接觸。更具體地，連接到外部電源的引線634和引線635布置在保持器630的腔632中，并且電連接到引線634和引線635的突出電極631分別與陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612接觸以向電源模塊提供電流。以下將參照?qǐng)D25和圖26來描述保持器630的內(nèi)部構(gòu)造以及保持器630與電極焊墊610之間的接觸構(gòu)造。如果發(fā)光器件包括UV LED,則保持器630可以由無機(jī)材料形成以避免由從發(fā)光器件發(fā)出的紫外光使其變色或劣化。盡管為了容易地解釋電極焊墊610的形狀圖23示出僅設(shè)置在第一電極焊墊610a上的保持器630，但是保持器630還設(shè)置在第二電極焊墊610b上。
圖24是示出根據(jù)第十四實(shí)施方案的光源模塊的視圖。將不再描述與以上描述的實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。根據(jù)第十四實(shí)施方案的光源模塊包括襯底620以及保持器630，所述襯底620包括置于其表面上的光源600以及電連接至光源600的電極焊墊610，并且保持器630位于襯底620上并且具有在對(duì)應(yīng)于電極焊墊610的位置處形成的腔632。電極焊墊610與布置在腔632中并且電連接至引線634的突出電極631接觸。光源600包括發(fā)光器件并且可以是其中芯片形式的發(fā)光器件安裝在襯底上的板上芯片(COB)類型。電極焊墊610包括電連接至光源600的第一電極的陽(yáng)極電極焊墊611以及與陽(yáng)極電極焊墊611間隔開并且電連接至光源600的第二電極的陰極電極焊墊612。在這種情況下，與以上描述的第三實(shí)施方案不同，陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612不是沿著相同的方向彼此平行地布置，而是分別布置在襯底620的不同區(qū)域處。圖24示出位于襯底620的部分邊緣區(qū)域處的陽(yáng)極電極焊墊611以及位于與陽(yáng)極電極焊墊611沿對(duì)角線間隔開的遠(yuǎn)離位置處的陰極電極焊墊612。此外，與以上描述的第十三實(shí)施方案不同，陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612彼此遠(yuǎn)離地間隔開，因此保持器630也被分成分別覆蓋陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612。由此，連接到外部電源的單個(gè)引線位于形成在每個(gè)保持器630中的腔632中。更具體地，第十三實(shí)施方案的保持器630與第十四實(shí)施方案的保持器630之間的差異在于:第十三實(shí)施方案的保持器630是覆蓋陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612 二者的單個(gè)保持器，而由此具有不同極性的兩條引線634和635設(shè)置在腔632中，而第十四實(shí)施方案的保持器630包括覆蓋陽(yáng)極電極焊墊611的一個(gè)保持器以及覆蓋陰極電極焊墊612的另一個(gè)保持器，而由此具有不同極性的兩條引線634和635分別設(shè)置在兩個(gè)保持器的腔632 中。為了容易地解釋電極焊墊610的形狀，圖24示出僅位于陽(yáng)極電極焊墊611上的保持器630，但是保持器630還設(shè)置在第二電極焊墊612上。圖25是示出保持器緊固構(gòu)造的圖。在下文，將參照?qǐng)D25描述置于根據(jù)實(shí)施方案的光源模塊中的保持器630的緊固結(jié)構(gòu)。圖25僅不出保持器630的下表面而不是保持器630的上表面。保持器630包括至少一個(gè)第一緊固部分637，并且可以通過使用緊固件638固定到位于保持器630的下表面處的襯底620。盡管未示出，但是襯底620可以在對(duì)應(yīng)于第一緊固部分637的位置處設(shè)置有緊固部分。在圖25中，作為實(shí)例，緊固部分637可以包括形成在保持器630的下表面中的兩個(gè)通孔，緊固件638可以包括通過保持器630的緊固部分637和襯底620的緊固部分被緊固以將保持器630固定至襯底620的螺釘。第一緊固部分637的形狀和數(shù)目以及緊固件638的類型可以根據(jù)各個(gè)實(shí)施方案以多種方式變化而不做特別限制。

圖26A和圖26B是示出位于保持器中的引線與襯底上的電極焊墊之間的接觸構(gòu)造的一個(gè)實(shí)施方案的截面圖。
參照?qǐng)D26A，保持器630在對(duì)應(yīng)于襯底620上的電極焊墊610的位置處具有腔632，電連接至引線634的突出電極631位于腔632中以與電極焊墊610接觸。襯底620設(shè)置有凹部614，并且電極焊墊610可以置于凹部614中。電極焊墊610連接至形成在襯底620中的電路圖案617。盡管在相關(guān)技術(shù)中連接至外部電源的引線634與襯底620上的電極焊墊610通過釬焊而彼此電連接，但是釬焊可能由于使用重金屬如鉛而引起環(huán)境污染，并因此由于冷釬焊而引起引線連接故障。根據(jù)本實(shí)施方案，置于保持器630中的引線634經(jīng)由突出電極631與電極焊墊610機(jī)械接觸。這種接觸構(gòu)造不引起環(huán)境污染并且是引線連接故障最小化，使光源模塊的可靠性提聞?？梢栽诒３制?30的腔632中設(shè)置有支承突出電極631的彈簧639。當(dāng)引線634經(jīng)由突出電極631與電極焊墊610接觸時(shí)，彈簧639借助其彈性來幫助突出電極631以更加穩(wěn)固的方式與電極焊墊610接觸。彈簧639的外表面涂覆有絕緣材料以防止引線634與電極焊墊610之間短路。或者，如圖26B所示，引線634和電極焊墊610可以經(jīng)由第二電極633彼此電連接。此處，第二電極633是圖26A中的彈簧639和突出電極631的一體化單元。在這種情況下，支承部分615形成在腔632的表面處以使得第二電極633的一側(cè)穿透支承部分615以由此被支承部分615支承。

保持器630包括形成在其下表面處的面對(duì)襯底620的至少一個(gè)突起636，襯底620具有形成在對(duì)應(yīng)于突起636的位置處的至少一個(gè)容納凹部618。保持器630可以經(jīng)由突起636與容納凹部618之間的接合而裝配到襯底620中。如以上結(jié)合圖25描述的那樣，突起636和容納凹部618連同緊固件638 —起幫助保持器630和襯底620以更加緊固的方式彼此耦接。盡管圖26A和圖26B以示例的方式示出電連接到陽(yáng)極電極焊墊611的引線634，但是以上描述甚至也可以同樣地適用于電連接至陰極電極焊墊612的引線635。此外，盡管未示出，但是如果如圖23所示的那樣單個(gè)保持器630被放置成覆蓋陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612 二者，則具有不同極性的兩條引線634和635置于保持器630的腔632中。引線634和引線635可以分別電連接到布置在襯底620上的陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612。圖27是示出根據(jù)第十五實(shí)施方案的光源模塊的圖。將不再描述與以上描述的實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。根據(jù)第十五實(shí)施方案的光源模塊包括襯底620以及保持器630，所述襯底620包括置于其表面上的光源600以及電連接至光源600的電極焊墊610，所述保持器630位于襯底620上并且具有形成在對(duì)應(yīng)于電極焊墊610的位置處的腔632。電極焊墊610與布置在腔632中的突出電極631接觸并且電連接至引線634。光源600包括發(fā)光器件封裝件并且可以是其中發(fā)光器件封裝件安裝在襯底上的板上封裝件(POB)類型。電極焊墊610位于襯底620的上表面上,并且包括電連接到光源600的第一電極的陽(yáng)極電極焊墊611以及與陽(yáng)極電極焊墊611間隔開并且電連接到光源600的第二電極的陰極電極焊墊612。如上所述，盡管電極焊墊610的數(shù)目和位置以及包括在電極焊墊610中的陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612的數(shù)目和位置可以以多種方式改變，但是圖27以示例的方式示出位于襯底620的部分邊緣區(qū)域處的單個(gè)陽(yáng)極電極焊墊611以及與陽(yáng)極電極焊墊611遠(yuǎn)離地間隔開的單個(gè)陰極電極焊墊612。此外，保持器630分別定位成與陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612對(duì)應(yīng)，以覆蓋陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612。保持器630與以上結(jié)合第十三實(shí)施方案和第十四實(shí)施方案的描述類似，由此將省略對(duì)保持器630的詳細(xì)描述。盡管為了容易地解釋電極焊墊610的形狀圖27示出僅置于陽(yáng)極電極焊墊611上的保持器630，但是保持器630還置于陰極電極焊墊612上。襯底620可以是設(shè)置有電路圖案的金屬板或陶瓷板。陶瓷襯底可以形成 為單層或多層。例如，如果襯底620是多層陶瓷襯底，則可以使用HTCC或LTCC工藝來實(shí)現(xiàn)襯底620。圖28是示出根據(jù)第十六實(shí)施方案的光源模塊的圖。將不再描述與以上描述的實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。根據(jù)第十六實(shí)施方案的光源模塊包括襯底620、保持器700以及擴(kuò)散構(gòu)件720，所述襯底620包括置于其表面上的光源600以及電連接至光源600的電極焊墊610，所述保持器700位于襯底620上并且具有對(duì)應(yīng)于光源600的開口 710，所述擴(kuò)散構(gòu)件720固定在開口710中以被置于光源600上。光源600包括發(fā)光器件并且可以是其中芯片形式的發(fā)光器件安裝在襯底620上的板上芯片(COB)類型。襯底620可以是設(shè)置有電路圖案的金屬板或陶瓷板。陶瓷襯底可以形成為單層或多層。例如，如果襯底620是多層陶瓷襯底，則可以使用HTCC或LTCC工藝來實(shí)現(xiàn)襯底620。保持器700可以包括定位成與襯底620的至少部分邊緣區(qū)域?qū)?yīng)的支承板730以及具有與電極焊墊610對(duì)應(yīng)的腔的至少一個(gè)蓋單元800。參照?qǐng)D28，支承板730可以包括定位成與襯底620的四個(gè)邊緣區(qū)域中之一對(duì)應(yīng)的第一支承板731以及定位成面對(duì)第一支承板731的第二支承板732。在這種情況下，第一支承板731的和第二支承板732的內(nèi)表面限定開口 710。開口 710的內(nèi)周面即第一支承板731的和第二支承板732的內(nèi)表面設(shè)置有插入槽736,以使得擴(kuò)散構(gòu)件720插入插入槽736中并與其耦接。如上所述，盡管支承板730可以定位成與襯底620的至少部分邊緣區(qū)域?qū)?yīng)，但是支承板730可以是對(duì)稱定位的，這是考慮到下述事實(shí):支承板730的內(nèi)表面限定開口 710并且擴(kuò)散構(gòu)件720耦接至形成在開口 710的內(nèi)表面處的插入槽736。支承板730可以在襯底620的邊緣區(qū)域處與襯底620的上表面接觸。蓋單元800置于襯底620上以覆蓋置于襯底620上的電極焊墊610。盡管圖28以示例的方式示出第一蓋單元800a和第二蓋單元800b 二者，但是可以根據(jù)電極焊墊610的數(shù)目或位置設(shè)置更多或更少的蓋單元。
根據(jù)實(shí)施方案，蓋單元800可以包括多個(gè)蓋單元800a和800b。盡管未示出，例如，如果陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612以彼此平行且相鄰的方式布置，則可以僅設(shè)置被構(gòu)造成覆蓋陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612 二者的單個(gè)蓋單元800?；蛘?，例如，如果兩個(gè)或更多個(gè)陽(yáng)極電極焊墊611和陰極電極焊墊612以彼此平行且相鄰的方式布置，則可以設(shè)置兩個(gè)或更多個(gè)蓋單元800。在圖28中，陽(yáng)極電極焊墊611位于襯底620的至少部分邊緣區(qū)域處而陰極電極焊墊612與陽(yáng)極電極焊墊611遠(yuǎn)離地間隔開。因此，分別設(shè)置了覆蓋陽(yáng)極電極焊墊611的第一蓋單元800a以及覆蓋陰極電極焊墊612的第二蓋單元800b。盡管蓋單元800和支承板730可以單獨(dú)地形成并且之后彼此耦接，但是蓋單元800和支承板730可以如圖28所示彼此一體化形成。圖29A是從頂部觀察支承板時(shí)支承板的局部立體圖，圖29B是從底部觀察支承板時(shí)支承板的局部立體圖。參照?qǐng)D29A，支承板730可以設(shè)置有至少一個(gè)第一緊固部分742，并且可以設(shè)置待緊固到第一緊固部分742中的緊固件744。圖29A以示例的方式示出通孔形式的第一緊固部分742以及螺釘形式的緊固件744，但是本公開內(nèi)容不限于此。盡管未示出，襯底620可以在其對(duì)應(yīng)于第一緊固部分742的區(qū)域處設(shè)置有緊固部分，以使得保持器700可以通過緊固件744被固定至襯底620。第一緊固部分742的形狀和數(shù)目以及緊固件744的類型可以以多種方式變化而不做特別限制。參照?qǐng)D29B，支承板730可以在其面對(duì)襯底620的表面處設(shè)置有至少一個(gè)突起746。盡管未示出，容納凹部可以形成在襯底620的對(duì)應(yīng)于突起746的區(qū)域中，使得保持器700可以隨著凸起746被裝配到容納凹部中而被固定至襯底620。突起746的形狀、數(shù)目和位置可以以多種方式變化而不做特別限制。再次參照?qǐng)D28，開口 710的內(nèi)周表面即第一支承板731的和第二支承板732的內(nèi)表面設(shè)置有插入槽736以使得擴(kuò)散構(gòu)件720插入插入槽736中并與其耦接。擴(kuò)散構(gòu)件720用于通過使從光源600引導(dǎo)的光發(fā)生折射和散射來最大程度地?cái)U(kuò)展光入射角，這可以確保光的均勻擴(kuò)散。擴(kuò)散構(gòu)件720可以由透射由光源600發(fā)出的光而沒有吸收的透明材料形成，以提高發(fā)光模塊的光提取效率。如果光源600包括UV LED，則擴(kuò)散構(gòu)件720可以由無機(jī)材料形成，例如擴(kuò)散構(gòu)件720可以由玻璃材料或者透光樹脂材料形成，以防止由光源600發(fā)出的光使擴(kuò)散構(gòu)件720變色或劣化。此外，光提取圖案或者用于對(duì)具有選定波長(zhǎng)的光進(jìn)行攔截的圖案可以位于擴(kuò)散構(gòu)件720的表面上。 光提取圖案可以通過使從光源600生成的光發(fā)生漫反射來提高光提取效率。光提取圖案可以以周期性的方式或者非周期性的方式形成，例如光提取圖案可以為微透鏡陣列(MLA)類型。用于對(duì)具有選定波長(zhǎng)的光進(jìn)行攔截的圖案可以用作為濾色器，并且可以以選擇性的方式僅透射由光源600生成的光的多種波長(zhǎng)帶中的選定波長(zhǎng)帶內(nèi)的光。盡管未示出，第一棱鏡片、第二棱鏡片以及保護(hù)片可以插入插入槽736中以被置于擴(kuò)散構(gòu)件720上方。這些片的方式順序可以改變。第一棱鏡片可以包括支承膜以及形成在支承膜的表面上的聚合材料，該聚合材料具有透光性和彈性。聚合物材料可以包括其中以重復(fù)的方式形成有多個(gè)三維結(jié)構(gòu)的棱鏡層。第一棱鏡片可以具有其中以重復(fù)的方式形成有脊部和谷部的條狀圖案。第二棱鏡片的脊部和谷部可以以與第一棱鏡片的支承膜的表面上的脊部和谷部正交的方式布置。圖30是示出根據(jù)第十七實(shí)施方案的光源模塊的圖。將不再描述與以上描述的實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。根據(jù)第十七實(shí)施方案的光源模塊包括襯底620、保持器700以及擴(kuò)散構(gòu)件720，所述襯底620包括置于其表面上的光源600以及電連接至光源600的電極焊墊610，所述保持器700位于襯底620上并且具有對(duì)應(yīng)于光源600的開口 710，所述擴(kuò)散構(gòu)件720固定在開口710中以被置于光源600上。光源600包括發(fā)光器件，并且可以是其中芯片形式的發(fā)光器件安裝在襯底620上的板上芯片(COB)類型。保持器700可以包括定位成與襯底620的至少部分邊緣區(qū)域?qū)?yīng)的支承板730以及具有與電極焊墊610對(duì)應(yīng)的腔的至少一個(gè)蓋單元800。參照?qǐng)D30，支承板730可以包括第一支承板731、第二支承板732、第三支承板733和第四支承板734，第一支承板731定位成與襯底620的四個(gè)邊緣區(qū)域中之一對(duì)應(yīng)，第二支承板732定位成面對(duì)第一支承板731，第三支承板733將第一支承板731的一個(gè)端部與第二支承板732的一個(gè)端部彼此連接，第四支承板734定位成面對(duì)第三支承板733并且將第一支承板731的另一個(gè)端部與第二支承板732的另一個(gè)端部彼此連接。在這種情況下，第一支承板731的內(nèi)表面、第二支承板732的內(nèi)表面、第三支承板733的內(nèi)表面和第四支承板734的內(nèi)表面限定開口 710。第三支承板733的和第四支承板734的構(gòu)造與以上描述的第一支承板731的和第二支承板732的構(gòu)造相同，由此將省略對(duì)第三支承板733的和第四支承板734的構(gòu)造的詳細(xì)描述。開口 710的內(nèi)周表面即第一支承板731的內(nèi)表面、第二支承板732的內(nèi)表面、第三支承板733的內(nèi)表面和第四支承板734的內(nèi)表面可以設(shè)置有插入槽736，擴(kuò)散構(gòu)件720可以插入插入槽736并與其耦接。擴(kuò)散構(gòu)件720用于通過使從光源600引導(dǎo)的光發(fā)生折射和散射來最大程度地?cái)U(kuò)展光入射角，這可以確保光的均勻擴(kuò)散。擴(kuò)散構(gòu)件720可以由透射由光源600發(fā)出的光而沒有吸收的透明材料形成，以提高發(fā)光模塊的光提取效率。如果光源600包括 UV LED，則擴(kuò)散構(gòu)件720可以由無機(jī)材料形成，例如擴(kuò)散構(gòu)件720可以由玻璃材料形成，以防止由光源600發(fā)出的光使擴(kuò)散構(gòu)件720變色或劣化。
蓋單元800以及第一支承板至第四支承板731至734可以彼此形成為一體。圖31是示出根據(jù)第十八實(shí)施方案的光源模塊的視圖。將不再描述與上述實(shí)施方
案重復(fù)的內(nèi)容。根據(jù)第十八實(shí)施方案的光源模塊包括襯底620、保持器700和擴(kuò)散構(gòu)件720，所述襯底620包括置于襯底620的表面上的光源600,所述保持器700位于襯底620上并且具有與光源600對(duì)應(yīng)的開口 710，所述擴(kuò)散構(gòu)件720緊固至開口 710以置于光源600上。襯底620下方設(shè)置有散熱構(gòu)件1000。光源600包括發(fā)光器件，并且可以是其中芯片形式的發(fā)光器件安裝在襯底上的板上芯片(COB)類型。保持器700可以包括支承板730和至少一個(gè)蓋單元800，所述支承板730被定位成與襯底620的至少部分邊緣區(qū)域?qū)?yīng)，所述至少一個(gè)蓋單元800具有與電極焊墊610對(duì)應(yīng)的腔。在圖31中，盡管支承板730被示出為包括定位成與襯底620的四個(gè)邊緣區(qū)域中的一個(gè)對(duì)應(yīng)的第一支承板731、定·位成與第一支承板731面對(duì)的第二支承板732、將第一支承板731的一個(gè)端部與第二支承板732的一個(gè)端部彼此連接的第三支承板733以及定位成與第三支承板733面對(duì)并將第一支承板731的另一個(gè)端部與第二支承板732的另一個(gè)端部彼此連接的第四支承板734，然而，支承板730也可以僅包括兩個(gè)對(duì)稱的支承板731和732或者 733 和 734。開口 710的內(nèi)周表面，即，第一支承板731、第二支承板732、第三支承板733和第四支承板734的內(nèi)表面，可以設(shè)置有插入槽736，并且，擴(kuò)散構(gòu)件720可以插入插入槽736中并與其耦接。擴(kuò)散構(gòu)件720通過對(duì)從光源600發(fā)出的光進(jìn)行折射和散射來最大程度地?cái)U(kuò)展光入射角，以確保光的均勻擴(kuò)散。散熱構(gòu)件1000用于將由光源600生成的熱排放到外部，因此可以由具有優(yōu)異的熱導(dǎo)率的材料形成。散熱構(gòu)件1000可以包括從散熱構(gòu)件1000的下表面向下延伸的多個(gè)散熱片1010。散熱片1010增加了散熱構(gòu)件1000與外部空氣之間的接觸面積，這可以提高散熱效果。散熱構(gòu)件1000與襯底620之間可以定位有導(dǎo)熱構(gòu)件1020。導(dǎo)熱構(gòu)件1020具有優(yōu)異的熱導(dǎo)率以及電絕緣和耐燃性能，并且用于協(xié)助散熱構(gòu)件1000與加熱區(qū)域緊密接觸，從而使熱傳遞效果最大化。支承板730可以包括從支承板730突出的一個(gè)或更多個(gè)第二緊固部分750。第二緊固部分750可以在與支承板730相同的平面上延伸，并且可以突出到定位在保持器700下方的襯底620的寬度之外。散熱構(gòu)件1000在與支承板730的第二緊固部分750對(duì)應(yīng)的區(qū)域處設(shè)置有緊固部分1015，使得保持器700可以通過緊固件755固定至散熱構(gòu)件1000。盡管圖31作為示例將第二緊固部分750示出為形成在第一支承板731和第二支承板732中，但是公開內(nèi)容不限于此。第二緊固部分750可以對(duì)稱地形成在兩個(gè)面對(duì)的支承板731和732處或者733和734處，以確保保持器700可以被更牢固地固定至散熱構(gòu)件1000。
盡管保持器700可以如以上實(shí)施方案中所述的固定地耦接至襯底620，但是由于例如形成在襯底620上的電路圖案，襯底620可能難以形成緊固部分。因此，當(dāng)保持器700設(shè)置有第二緊固部分750時(shí)，保持器700可以通過緊固件755固定至散熱構(gòu)件1000?；蛘?，根據(jù)實(shí)施方案，保持器700可以固定地耦接至襯底620和散熱構(gòu)件1000 二者。如上所述，導(dǎo)熱構(gòu)件1020可以位于襯底620與散熱構(gòu)件1000之間，以將襯底620固定至散熱構(gòu)件1000。然而，考慮到導(dǎo)熱構(gòu)件1020的昂貴的價(jià)格，通過用緊固件755將保持器700固定至散熱構(gòu)件1000，可以在沒有導(dǎo)熱構(gòu)件1020的情況下將襯底620固定至散熱構(gòu)件1000，這可以降低光源模塊的制造成本。圖32是示出根據(jù)第十九實(shí)施方案的光源模塊的視圖，圖33是示出根據(jù)第二十實(shí)施方案的光源模塊的視圖。圖34示出根據(jù)第二十一實(shí)施方案的光源模塊。將不再描述與上述實(shí)施方案重復(fù)的內(nèi)容。根據(jù)這些實(shí)施方案的光源模塊包括襯底620、保持器700和擴(kuò)散構(gòu)件720，所述襯底620包括置于襯底620的表面上的光源600和電連接至光源600的電極焊墊610，所述保持器700位于襯底620上并且具有與光源600對(duì)應(yīng)的開口 710，所述擴(kuò)散構(gòu)件700緊固至開口 710以置于光源600上。光源600包括發(fā)光器件封裝件，并且可以是其中發(fā)光器件封裝件安裝在襯底上的板上封裝件(COB)類型。保持器700可以包括定位成與襯底620的至少部分邊緣區(qū)域?qū)?yīng)的支承板730以及具有與電極焊墊610對(duì)應(yīng)的腔的至少一個(gè)蓋單元800。除了包括發(fā)光器件封裝件的光源600之外，第十九實(shí)施方案、第二十實(shí)施方案和第二十一實(shí)施方案分別類似于第十六實(shí)施方案、第十七實(shí)施方案和第十八實(shí)施方案，因此，將省略其詳細(xì)描述。圖35是示出包括根據(jù)上述實(shí)施方案的光源模塊的前照燈的實(shí)施方案的視圖。參考圖35,從光源模塊1101發(fā)出的光可以被反射器1102和遮光件1103反射,并且之后可以通過透鏡1104被導(dǎo)向車體的前方。光源模塊1101可以是根據(jù)上述實(shí)施方案的光源模塊，并且可以是其中發(fā)光器件安裝在襯底上的板上芯片(COB)類型，或者其中發(fā)光器件封裝件安裝在襯底上的板上封裝件(POB)類型。根據(jù)以上描述明顯可見，根據(jù)實(shí)施方案，包括在發(fā)光器件封裝件中的散熱器表現(xiàn)出較小的熱體積膨脹，這可以使制造期間的熱變形最小化，實(shí)現(xiàn)平衡的發(fā)光角度，并且改善發(fā)光器件封裝件的可靠性。此外，發(fā)光器件與散熱器之間能夠直接傳導(dǎo)，這可以簡(jiǎn)化發(fā)光器件封裝件的制造。發(fā)光器件封裝件包括鍍金電極，鍍金電極具有高的抗氧化性和耐久性，并且鍍金電極之間的短路減少。由于對(duì)短波長(zhǎng)的UV光具有相對(duì)較小的光電反射性的鍍金電極的面積減小，所以具有相對(duì)高的UV光電反射性的陶瓷層的暴露面積增加。這導(dǎo)致了光提取效率提高以及由于模制部件中暴露的陶瓷襯底與硅樹脂之間的接合力增加而引起的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性提聞。 此外，光源模塊與外部電源在沒有釬焊的情況下彼此機(jī)械連接。這樣，可以在沒有環(huán)境污染危險(xiǎn)的情況下獲得生態(tài)友好的光源模塊。所得到的光源模塊可以在使引線連接故障最小化的情況下實(shí)現(xiàn)提聞的穩(wěn)定性。此外，擴(kuò)散構(gòu)件在不需要用于擴(kuò)散構(gòu)件的單獨(dú)支承構(gòu)件的情況下耦接至保持器，這可以簡(jiǎn)化光源模塊的構(gòu)造并且使擴(kuò)散構(gòu)件的附接故障最小化。雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的大量示意性實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行了描述，然而，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想出大量其他修改和實(shí)施方案，這些修改和實(shí)施方案落入本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，可以在本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對(duì)主題組合布置的部件和/布置進(jìn)行各種變化和修改。除了對(duì)部件和/或布置的變化和修改，本領(lǐng)域技 術(shù)人員也清楚替選用途。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件封裝件，包括: 具有通孔的封裝件本體； 設(shè)置在所述通孔中并且包括含Cu的合金層的散熱器；和 設(shè)置在所述散熱器上的發(fā)光器件， 其中所述合金層包括W或Mo中的至少一種，以及 其中所述封裝件本體包括具有側(cè)壁和底表面的腔，并且其中所述通孔形成在所述底表面中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述發(fā)光器件電連接至所述散熱器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述散熱器包括多個(gè)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述散熱器包括含CuW或CuMo的合金層和在所述合金層下方的銅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述封裝件本體由陶瓷形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述封裝件本體包括SixOy、SixNy、Al2O3或AlN中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述封裝件本體由多個(gè)層構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述發(fā)光器件發(fā)射具有在約260nm至約405nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的光。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中封裝件本體包括設(shè)置在所述發(fā)光器件和所述散熱器之間的抗凸出層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述抗凸出層包括電連接至所述發(fā)光器件的電極圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述散熱器包括第一散熱器和第二散熱器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述封裝件本體的一部分設(shè)置在所述第一散熱器和所述第二散熱器之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述散熱器的寬度隨著距所述發(fā)光器件的距離的增加而增加。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，其中所述散熱器的寬度隨著距所述發(fā)光器件的距離的減小而增加。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件封裝件，還包括設(shè)置在所述發(fā)光器件和所述散熱器之間的子基座。
16.—種光裝置,包括: 根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝件。
全文摘要
本實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件封裝件，其包括具有通孔的封裝件本體；設(shè)置在所述通孔中并且包括含Cu的合金層的散熱器；和設(shè)置在所述散熱器上的發(fā)光器件，其中所述合金層包括W或Mo中的至少一種，以及其中所述封裝件本體包括具有側(cè)壁和底表面的腔，并且其中所述通孔形成在所述底表面中。
文檔編號(hào)H01L33/64GK103078040SQ201210301998
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日
發(fā)明者金炳穆, 鄭粹正, 文年泰, 曹永準(zhǔn), 黃善教, 權(quán)揟涎 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司