專利名稱：有機el顯示器、有機el顯示器制造方法以及電子裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及通過利用有機材料的有機電致發(fā)光(electroluminescence ；EL)現(xiàn)象來顯示圖像的有機EL顯示器、用于制造該有機EL顯示器的方法以及含有該有機EL顯示器的電子裝置。
背景技術：
頂部出射型(top emission type)有機EL顯示器具有這樣的器件結構其中，有機EL層夾置于下部電極(例如，陽極電極)與上部電極(例如，陰極電極)之間。下部電極起到反射電極的作用。在此器件結構中，從上部電極側取出光(參見例如日本專利申請?zhí)亻_第2004-252406號公報)。通過在硅晶片上形成上述器件結構，能夠將此種有機EL顯示器制作成像素間距大約為幾微米的小型高清晰度顯示器。然而，當如上所述使像素間距微細化的時候，在通過使用蒸鍍掩模的蒸鍍方法來形成紅色(R)像素、綠色(G)像素和藍色(B)像素每一者的發(fā)光層的情況下，上述掩模的對準精度往往變得不足。為此，采用了所謂的RGB-White方法該方法中，例如上述三種顏色的發(fā)光層被層疊在所有像素上，并且取出白色發(fā)射光。然而，在RGB-WHITE方法中，發(fā)光層被沉積在整個發(fā)光區(qū)域(顯示區(qū)域)上。因而，在發(fā)光區(qū)域中，難以形成用來引出上部電極(陰極電極)(即，用來建立與陰極電極的配線連接)的焊盤等。因此，需要在發(fā)光區(qū)域之外設置用于陰極連接的焊盤(下文稱為“電極焊盤”)。此種電極焊盤可形成得與配線層(例如布置于發(fā)光器件下方的薄膜晶體管(TFT)等)處于同一層(在同一工序中)。然而在此種情形中，有多個層存在于電極焊盤與陰極電極之間。因此，在電極焊盤與陰極電極之間有很大的高度差，這會導致陰極電極局部變薄或者容易破裂。應注意，可以通過增加陰極電極的厚度來緩和這種高度差的影響。然而，當增加厚度時，由于陰極電極中對光的吸收，因而光取出效率降低。這會導致所顯示圖像的可見性下降這樣的缺點。

發(fā)明內容
本發(fā)明期望提供能夠實現(xiàn)小型化和高清晰度而不會降低所顯示圖像的可見性的有機EL顯示器、有機EL顯示器制造方法以及電子裝置。本發(fā)明的一個實施例提供一種有機EL顯示器，其包括多個第一電極，所述多個第一電極設置于驅動基板上的顯示區(qū)域中，所述多個第一電極分別包括具有兩層或更多層的層疊膜；有機層，所述有機層位于所述多個第一電極上方，所述有機層設置于整個所述顯示區(qū)域上并包括發(fā)光層；電極焊盤，所述電極焊盤設置在位于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域中；以及第二電極，所述第二電極設置于所述有機層及所述電極焊盤上。其特征在于，所述層疊膜包括第一導電膜，所述第一導電膜起到反射膜的作用；以及第二導電膜，所述第二導電膜設置于所述第一導電膜下方，且所述第二導電膜的反射率低于所述第一導電膜的反射率。并且其特征在于，所述電極焊盤與所述層疊膜的一部分對應，并包括由與所述第二導電膜的材料相同的材料制成的導電膜。在根據(jù)本發(fā)明上述實施例的有機EL顯示器中，設置于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域中的各所述第一電極均包括具有所述第二導電膜的層疊膜。所述第二導電膜設置于所述第一導電膜(反射膜)下方且具有比所述第一導電膜的反射率低的反射率。所述周邊區(qū)域中的連接至所述第二電極的所述電極焊盤至少包括由與所述層疊膜的所述第二導電膜的材料相同的材料制成的導電膜。在各所述第一電極中，呈現(xiàn)出了所述層疊膜中的作為反射膜的所述第一導電膜的功能；而在電極焊盤中，外部光反射被由與具有低反射率的所述第二導電膜的材料相同的材料制成的所述導電膜抑制了。 本發(fā)明的另一實施例提供一種有機EL顯示器制造方法，所述方法包括如下步驟在驅動基板上的顯示區(qū)域中形成多個第一電極，所述多個第一電極分別包括具有兩層或更多層的層疊膜；形成位于所述多個第一電極上方的有機層，所述有機層設置于整個所述顯示區(qū)域上并包括發(fā)光層；在位于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域中形成電極焊盤；以及在所述有機層及所述電極焊盤上形成第二電極。其特征在于，在形成所述多個第一電極的步驟中，形成第一導電膜及設置于所述第一導電膜下方的第二導電膜作為所述層疊膜，所述第一導電膜起到反射膜的作用，且所述第二導電膜的反射率低于所述第一導電膜的反射率。并且其特征在于，在形成所述電極焊盤的步驟中，形成與所述層疊膜的一部分對應的導電膜作為所述電極焊盤，所述導電膜由與所述第二導電膜的材料相同的材料制成。在根據(jù)本發(fā)明上述實施例的有機EL顯示器制造方法中，在所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域中，形成了包括所述第二導電膜的所述層疊膜作為所述第一電極。所述第二導電膜設置于所述第一導電膜(反射膜)下方，并具有比所述第一導電膜的反射率低的反射率。在所述周邊區(qū)域中，形成了至少包括所述層疊膜中的所述第二導電膜的所述電極焊盤。雖然所述第一電極與所述電極焊盤是在同一工序中形成的，但所述第一電極能夠表現(xiàn)出反射膜的功能，而所述電極焊盤能夠抑制外部光反射。根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，提供一種包括有機EL顯示器的電子裝置，所述有機EL顯示器包括多個第一電極，所述多個第一電極設置于驅動基板上的顯示區(qū)域中，所述多個第一電極分別包括具有兩層或更多層的層疊膜；有機層，所述有機層位于所述多個第一電極上方，所述有機層設置于整個所述顯示區(qū)域上并包括發(fā)光層；電極焊盤，所述電極焊盤設置在位于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域中；以及第二電極，所述第二電極設置于所述有機層及所述電極焊盤上。其特征在于，所述層疊膜包括第一導電膜，所述第一導電膜起到反射膜的作用；以及第二導電膜，所述第二導電膜設置于所述第一導電膜下方，且所述第二導電膜的反射率低于所述第一導電膜的反射率。并且其特征在于，所述電極焊盤與所述層疊膜的一部分對應，并包括由與所述第二導電膜的材料相同的材料制成的導電膜。
根據(jù)本發(fā)明上述各實施例的有機EL顯示器、有機EL顯示器制造方法以及電子裝置，設置于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域中的各所述第一電極均包括具有所述第二導電膜的所述層疊膜。所述第二導電膜設置于所述第一導電膜(反射膜)下方，并具有比所述第一導電膜的反射率低的反射率。所述周邊區(qū)域中的連接至所述第二電極的所述電極焊盤至少包括所述層疊膜的所述第二導電膜。這使得能夠在第一電極中呈現(xiàn)出反射功能，而能夠在電極焊盤中抑制外部光反射。因此，能夠實現(xiàn)小型化及高清晰度，而不會降低所顯示圖像的可見性。應理解，上面的一般說明與下面的詳細說明均為示例性的，并旨在為本發(fā)明權利要求所述的技術提供進一步的解釋。


這里提供了附圖以便進一步理解本發(fā)明，這些附圖被并入本說明書中且構成本說明書的一部分。這些附示了實施例，并與說明書一起用于解釋本技術的原理。圖I圖示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機EL顯示器的剖面構造。圖2A及圖2B為用于說明圖I所示的有機EL顯示器的制造方法的剖面圖。圖3A及圖3B為圖示了在圖2A及2B之后的工序的剖面圖。圖4為圖示了在圖3A及3B之后的工序的剖面圖。圖5為圖示了在圖4之后的工序的剖面圖。圖6為圖示了在圖5之后的工序的剖面圖。圖7為圖示了在圖6之后的工序的剖面圖。圖8為圖示了在圖7之后的工序的剖面圖。圖9為圖示了在圖8之后的工序的剖面圖。圖10為圖示了在圖9之后的工序的剖面圖。圖11圖示了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機EL顯示器的剖面構造。圖12為用于說明圖11所示的有機EL顯示器的制造方法的剖面圖。圖13A至圖13C為用于說明接觸層的形成工序的放大剖面圖。圖14為接觸層的放大剖面圖。圖15為圖示了在圖12之后的工序的剖面圖。圖16為圖示了在圖15之后的工序的剖面圖。圖17為圖示了在圖16之后的工序的剖面圖。圖18為圖示了在圖17之后的工序的剖面圖。圖19為圖示了在圖18之后的工序的剖面圖。圖20為圖示了在圖19之后的工序的剖面圖。圖21為圖示了在圖20之后的工序的剖面圖。圖22為圖示了在圖21之后的工序的剖面圖。圖23圖示了各實施例的顯示器的包含周邊電路在內的總體構造。圖24圖示了圖23中所示的像素的電路結構。圖25為圖示了包括圖23中所示顯示器的模塊的示意性構造的平面圖。圖26為圖示了各實施例等中的顯示器的應用例I的外觀的立體圖。
圖27A及圖27B為應用例2的立體圖，即，圖27A顯示了從正面觀察時的外觀，圖27B則顯示了從背面觀察時的外觀。圖28為圖示了應用例3的外觀的立體圖。圖29為圖示了應用例4的外觀的立體圖。圖30A至圖30G為應用例5的圖，即，分別為打開狀態(tài)下的正視圖、打開狀態(tài)下的側視圖、閉合狀態(tài)下的正視圖、閉合狀態(tài)下的左視圖、閉合狀態(tài)下的右視圖、閉合狀態(tài)下的俯視圖、以及閉合狀態(tài)下的仰視圖。
具體實施例方式下文將參照附圖來詳細說明本發(fā)明的實施例。應注意，將按照下列順序進行說明。I、第一實施例(該實例中，用作電極焊盤的層相當于是從用于形成第一電極的層疊膜中幾乎全部去除了第一導電膜(高反射性膜)而得到的)
2、第二實施例(該實例中，用作電極焊盤的層相當于是從用于形成第一電極的層疊膜中部分地去除了第一導電膜(高反射性膜)而得到的)3、應用例(應用于電子裝置的實例)一、第一實施例I、構造圖I圖示了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有機EL顯示器(有機EL顯示器I)的剖面構造。有機EL顯示器I例如是所謂的頂部出射型。在有機電致發(fā)光顯示器I中，例如，多個有機電致發(fā)光器件(EL器件部13A)以矩陣形式設置于驅動基板10上的顯示區(qū)域SI中。應注意，圖I圖示了這些EL器件部13A中的一者以及下文將要說明的電極焊盤14P (在顯示區(qū)域SI與周邊區(qū)域S2之間的邊界附近)。各EL器件部13A分別形成了例如紅色(R)子像素、綠色(G)子像素和藍色(B)子像素這三者中的任一者，并且這樣的三個子像素起到一個像素的作用。驅動基板10在驅動基板10中，包含薄膜晶體管11的驅動電路(下文將要說明的像素電路40等)設置于由例如非晶硅制成的基板IOa上。然而，基板IOa并不限于非晶硅，也可由多晶硅、石英、玻璃、金屬箔、硅或塑料等制成。薄膜晶體管11例如相當于下文中將要說明的像素電路40中的采樣晶體管3A或者寫入晶體管3B。薄膜晶體管11例如可以是逆錯列結構(inverted staggeredstructure)(所謂的底柵型)或者錯列結構(頂柵型)。覆蓋著薄膜晶體管11的第一絕緣膜110設置于基板IOa上。用于形成電容器件等的配線層111設置于第一絕緣膜110上。第二絕緣膜112形成于整個基板表面的上方，且覆蓋配線層111。較佳的是，第一絕緣膜110由例如氮氧化硅(SiON)或者一氧化硅(SiO)制成，且第二絕緣膜112由例如二氧化硅(SiO2)制成。在第一絕緣膜110及第二絕緣膜112中，接觸層113A和接觸層113B被分別埋入到與EL器件部13A對應的區(qū)域中和與電極焊盤14P對應的區(qū)域中。應注意，在圖I中，圖示了一個接觸層113A和一些(此處為五個)接觸層113B。然而，接觸層113A和113B的數(shù)量、直徑等并不限于圖中所示的那樣。接觸層113A和113B分別是通過例如用導電材料填充從第一絕緣膜110和第二絕緣膜112中貫穿的接觸孔而形成的。例如，可使用鎢(W)作為該導電材料。接觸層113A將EL器件部13A的下部電極(第一電極14)電連接至薄膜晶體管11的電極(例如，源極或漏極)。接觸層113B將電極焊盤14P的導電膜(低反射性導電膜14b)電連接至配線層11a。在基板IOa上，配線層Ila被形成得與薄膜晶體管11處于同一層。EL 器件部 13AEL器件部13A利用例如頂部出射法來進行發(fā)光。EL器件部13A例如包括設置于驅動基板10的第二絕緣膜112上的第一電極14、有機層16以及第二電極17。此外，在第一電極14上方，像素間絕緣膜15形成于整個基板表面的上方。像素間絕緣膜15具有面對著第一電極14的開口 Hl及面對著電極焊盤14P的開口 H2。與像素間絕緣膜15的開口 Hl面對著的區(qū)域是各EL器件部13A中的發(fā)光區(qū)域。像素間絕緣膜15具有將各EL器件部13A相互電隔離(B卩，分隔出像素開口)的功能，且利用例如由二氧化硅(SiO2)等制成的無機絕緣膜來構成。像素間絕緣膜15具有例如 大約IOnm 大約200nm的厚度。第一電極14是與像素一一對應地設置的，且例如起到陽極及反射電極的作用。在本實施例中，第一電極14包括用作反射膜的高反射性導電膜14a，還包括設置在高反射性導電膜14a下方的低反射性導電膜14b。換言之，第一電極14為層疊膜，該層疊膜具有自驅動基板10側依次設置的低反射性導電膜14b和高反射性導電膜14a。 舉例而言，鋁(Al)或者含鋁的合金(例如，鋁和釹(Nd)的合金)適合于高反射性導電膜14a。作為另一選擇，例如，可使用銀(Ag)的單體或合金(例如，鎂(Mg)和銀的合金)。高反射性導電膜14a具有例如大約20nm 大約600nm的厚度。較佳的是，低反射性導電膜14b由反射率低于高反射性導電膜14a的反射率的導電膜材料制成。例如，較佳的是由鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)或者含有鈦的合金制成。第一電極14通過上述接觸層113A電連接至薄膜晶體管11的電極。在接觸層113A使用了鎢的情況下，當鎢直接接觸鋁(高反射性導電膜14a)時，就會發(fā)生反應。因此，由鈦或者氮化鈦制成的低反射性導電膜14b設置于接觸層113A與高反射性導電膜14a之間，從而起到能夠抑制上述反應的阻隔金屬的作用。低反射性導電膜14b具有例如大約5nm 大約IOOnm的厚度。有機層16包括例如發(fā)出白光的有機電致發(fā)光層(下文稱為“白色發(fā)光層”)。當通過第一電極14和第二電極17施加電場時,發(fā)生電子與空穴的復合,因而產(chǎn)生白光。具體而言，白色發(fā)光層具有例如如下結構(迭層結構；tandem structure):在這種結構中，將發(fā)射紅光的紅色發(fā)光層、發(fā)射綠光的綠色發(fā)光層及發(fā)射藍光的藍色發(fā)光層層疊起來。紅色發(fā)光層包括例如紅色發(fā)光材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料中的一種或多種。紅色發(fā)光層是通過使用例如4，4-二(2，2-二苯乙烯基)-聯(lián)苯(DPVBi)與2，6-二[(4'-甲氧基-二苯基氨基)苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(BSN)進行混合而構造成的。綠色發(fā)光層包括例如綠色發(fā)光材料、空穴傳輸材料以及電子傳輸材料中的一種或多種，并且是通過使用例如ADN或者DPVBi與香豆素6進行混合而構造成的。藍色發(fā)光層包括例如藍色發(fā)光材料、空穴傳輸材料及電子傳輸材料中的一種或多種。藍色發(fā)光層是通過使用例如DPVBi與4，4- 二 [2-(4-(N，N- 二苯基氨基)苯基)乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi )進行混合而構造成的。除了包括上述發(fā)光層外，有機層16還可包括例如空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層等。具體而言，在第一電極14起到陽極作用的情形中，可采用其中自第一電極14側依次層疊有空穴注入層、空穴傳輸層、白色發(fā)光層以及電子傳輸層的結構。具有這種分層結構的有機層16可作為由所有EL器件部13A共用的層而形成于驅動基板10上。作為另一選擇，有機層16中的一個層或多個層可與EL器件部13A—一對應地設置著，而其他層則可設置成由所有EL器件部13A共用。此外，在有機層16與第二電極17之間可以進一步設置有由例如氟化鋰(LiF)制成的電子注入層。應注意，作為白色發(fā)光層的實例，已說明了其中層疊有紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層及藍色發(fā)光層的層。然而，白色發(fā)光層并不限于此實例，而是可以為任何類型的結構，只要該結構能夠通過混合顏色而生成白光即可。例如，可采用其中將藍色發(fā)光層與橙色發(fā)光層層疊起來的結構，或者其中將藍色發(fā)光層與黃色發(fā)光層層疊起來的結構。
第二電極17例如被設置成由驅動基板10上的所有EL器件部13A共用，并且例如起到陰極的作用。第二電極17是通過使用例如氧化銦的化合物(例如，氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO))、或者通過使用鎂(Mg)和銀的共沉積膜(即MgAg共沉積膜)而構造成的。第二電極17被電連接至在下文將要說明的像素間絕緣膜15的開口 H2中的電極焊盤14P。電極焊盤14P在本實施例中，與第一電極14中的層疊膜的一部分對應的電極焊盤14P設置于周邊區(qū)域S2 (框架區(qū)域)中，該周邊區(qū)域S2圍繞著包括上述EL器件部13A的顯示區(qū)域SI。電極焊盤14P被設置為第二電極17的配線連接焊盤。具體而言，電極焊盤14P的結構至少包括第一電極14的層疊膜中的低反射性導電膜14b。例如，在電極焊盤14P中，設置有低反射性導電膜14b，且高反射性導電膜14a僅位于低反射性導電膜14b上的端部處。如下文將詳細說明的那樣，通過如下方式來形成電極焊盤14P :在與第一電極14的形成工序相同的工序中，形成包括高反射性導電膜14a及低反射性導電膜14b的層疊膜；然后，選擇性地去除與高反射性導電膜14a對應的一部分。應注意，在電極焊盤14P中，高反射性導電膜14a可被全部去除。如上所述，在像素間絕緣膜15的開口 H2中，電極焊盤14P與第二電極17接觸。這確保了與第二電極17的電連接。在本實施例中，有機層16被形成得從顯示區(qū)域SI延伸直至覆蓋周邊區(qū)域S2中的電極焊盤14P的一部分。端部16e朝著電極焊盤14P緩緩地傾斜。第二電極17沿有機層16的斜面形成在整個基板表面的上方。保護層18設置在第二電極17上。保護層18具有例如大約2 μ m 大約5 μ m的厚度，且可通過使用絕緣材料或者導電材料來構成。作為上述絕緣材料，優(yōu)選使用無機非晶絕緣材料。所述無機非晶絕緣材料的示例包括非晶娃(a-Si )、非晶碳化娃(a-SiC )、非晶氮化硅U-SihNx)以及非晶碳(a-C)。這樣的無機非晶絕緣材料不會形成晶粒，因而具有低的透水性，從而形成了良好的保護膜。密封基板20利用粘合層(未圖示)而被粘附到保護層18上。密封基板20與保護層18 —起協(xié)作地將各EL器件部13A密封起來。密封基板20例如是通過使用對于紅色光、綠色光及藍色光中的各色光呈透明的諸如玻璃等材料而構成的。密封基板20可設置有濾色器(圖中未示出)。濾色器包括例如紅色過濾器、綠色過濾器和藍色過濾器，且由樹脂與例如顏料或者染料進行混合而制成。通過設置此種濾色器，能夠使EL器件部13A每一者中所產(chǎn)生的光(此處為白光)被轉換為紅色光、綠色光或者藍色光且隨后被取出。2、制造方法可以按照下列工序來制造上述有機電致發(fā)光顯示器I。驅動基板的形成工序首先，制備驅動基板10。具體而言，在由上述材料制成的基板IOa上，通過進行預定的薄膜工藝來形成包括薄膜晶體管11的驅動電路。接著，通過例如化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition ;CVD)在基板IOa的整個表面上形成由上述材料制成的第一絕緣膜110。在由此形成的第一絕緣膜110上，執(zhí)行配線層111的圖案化形成過程。然后，通過例如CVD法在基板IOa的整個表面上形成由上述材料制成的第二絕緣膜112。
接著，如圖2A所示，在基板IOa上的第一絕緣膜110及第二絕緣膜112中形成接觸層113A用的接觸孔Hal和接觸層113B用的接觸孔Ha2。具體而言，通過利用光刻工藝的干式蝕刻過程去除第一絕緣膜110及第二絕緣膜112的被選區(qū)域，以形成在貫穿這兩層絕緣膜后到達薄膜晶體管11的表面的接觸孔Hal和到達配線層Ila的表面的接觸孔Ha2。如圖2B所示，通過例如濺射法用導電材料(例如鎢)填充接觸孔Hal和Ha2。通過這種方式，形成了具有接觸層113A和113B的驅動基板10。第一電極及電極焊盤的形成工序其次，如圖3A所示，在驅動基板10的整個表面上例如通過濺射法依次形成分別由上述材料制成的低反射性導電膜14b和高反射性導電膜14a。然后，如圖3B所示，例如通過利用光刻工藝的干式蝕刻過程進行圖形化。于是，在顯示區(qū)域SI中形成了包括低反射性導電膜14b與高反射性導電膜14a的第一電極14，且在周邊區(qū)域S2中形成了具有類似構造的層疊膜14P1。第一電極14通過接觸層113A而被電連接至薄膜晶體管11。在周邊區(qū)域中，層疊膜14P1的低反射性導電膜14b (其是與電極焊盤14P相對應的部分)通過接觸層113B而被電連接至配線層11a。然后，如圖4所示，通過例如等離子體化學氣相沉積法(等離子體增強型化學氣相沉積法)在驅動基板10的整個表面上形成由上述材料制成的像素間絕緣膜15。然后，例如通過利用光刻工藝的干式蝕刻過程選擇性地去除像素間絕緣膜15的面對著第一電極14的區(qū)域以及面對著層疊膜14P1的區(qū)域。由此，形成了開口 Hl與H2，如圖5所示。接下來，選擇性地去除形成于周邊區(qū)域S2中的層疊膜14P1的高反射性導電膜14a。具體而言，首先，如圖6所示，形成了具有面對著層疊膜14P1 (S卩，面對著開口 H2)的開口 120a的光致抗蝕劑膜120。其次，如圖7所示，例如通過干式蝕刻過程或者濕式蝕刻過程僅選擇性地去除層疊膜14P1的高反射性導電膜14a。然而具體而言，像素間絕緣膜15與光致抗蝕劑膜120均被形成得與層疊膜14P1的邊緣重疊。因此，高反射性導電膜14a的端部(14al)仍殘留在低反射性導電膜14b上而未被去除。然后，如圖8所示，通過去除光致抗蝕劑膜120而形成了包括低反射性導電膜14b (具體而言，也包括端部14al)的電極焊盤 14P。有機層的形成工序接著，如圖9所示，至少在整個顯示區(qū)域SI上形成具有分層結構且由上述材料制成的有機層16。此處，有機層16是通過例如真空沉積法而形成的。例如，當將紅色發(fā)光層、綠色發(fā)光層和藍色發(fā)光層層疊以作為白色發(fā)光層時，通過例如真空沉積法將這些顏色的發(fā)光材料依次沉積在整個基板表面上。在周邊區(qū)域S2中，有機層16被形成得延伸過來以使有機層16的端部16e覆蓋電極焊盤14P中的低反射性導電膜14b的一部分。電極焊盤14P中的低反射性導電膜14b的一部分表面未被覆蓋因而是露出的。第二電極的形成工序然后，如圖10所示，在驅動基板10的整個表面上，通過例如濺射法形成由上述材料制成的第二電極17。因此，電極焊盤14P中的低反射性導電膜14b的從有機層16露出的那一部分與第二電極17接觸，并因此電連接至第二電極17。其次，盡管圖中未顯示，但形成了由上述材料制成的保護層18以覆蓋第二電極17 的整個表面。然后，驅動基板10與密封基板20通過利用粘合層而相互粘合。這樣，就完成了圖I所示的有機電致發(fā)光顯示器I。3、作用與效果在有機電致發(fā)光顯示器I中，當通過第一電極14和第二電極17向每個子像素(EL器件部13A)提供基于圖像信號的驅動電流時，在各EL器件部13A處的有機層16 (白色發(fā)光層)中由于電子與空穴的復合而致使發(fā)光。在由此致使發(fā)出的白光之中，朝第一電極14側(向下)發(fā)射的光被第一電極14等反射，然后從密封基板20的上部輸出。另一方面，朝第二電極17側(向上)發(fā)射的光在透過第二電極17后直接從密封基板20的上部輸出。紅色光、綠色光和藍色光在離開密封基板20時，透過濾色器(圖中未示出)而被取出作為顯示光。通過這種方式，完成了基于頂部出射法的全彩色圖像顯示器。在本實施例中，如上所述，在驅動基板10上，起到反射電極作用的第一電極14設置于顯示區(qū)域SI中，而用于引出第二電極17的電極焊盤14P設置于周邊區(qū)域S2中。第一電極14是使用層疊膜而構成的，所述層疊膜具有設置于高反射性導電膜14a下方且反射率比高反射性導電膜14a的反射率低的低反射性導電膜14b。同時，電極焊盤14P具有與此種層疊膜的一部分對應的膜結構(即，包括由與低反射性導電膜14b的材料相同的材料制成的導電膜)。在同一工序中形成第一電極14和電極焊盤14P之后，在電極焊盤14P中選擇性地去除了上述層疊膜的一部分。比較例在以與上述方式類似的方式讓第一電極和電極焊盤在同一工序中形成的情況中，第一電極與電極焊盤是由相同的導電膜材料制成的。在此情況中，與第一電極的材料相同的高反射性材料被用于與電極焊盤對應的部分。因而，電極焊盤變成高反射性的，從而使得能夠輕易地反射外部光。在特別使用硅基板作為基板IOa的有機電致發(fā)光顯示器I中，為了實現(xiàn)小型化和高清晰度的目的，難以確保大的框架(周邊區(qū)域S2)寬度，因而在周邊區(qū)域S2中的遮光性能較差。相反地，當使用低反射性材料作為第一電極和電極焊盤的導電膜材料時，在周邊區(qū)域之外的外部光反射可能會被抑制，但顯示區(qū)域中的光取出效率會因為反射率的降低而下降。與之對照，在本實施例中，第一電極14和電極焊盤14P分別具有如上所述的構造。因此，盡管這些元件是在同一工序中形成的，然而第一電極14能夠呈現(xiàn)出高反射性導電膜14a的功能，且電極焊盤14P能夠呈現(xiàn)出低反射性導電膜14b的功能。于是，在憑借顯示區(qū)域SI中的高反射性導電膜14a來確保高的光取出效率的同時，憑借周邊區(qū)域S2中的低反射性導電膜14b抑制了外部光反射。應注意，在電極焊盤14P中，高反射性導電膜14a的一部分殘留在低反射性導電膜14b的邊緣上，但是這實質上不會對外部光反射造成影響。此外，低反射性導電膜14b是通過使用例如鈦、氮化鈦或者含鈦的合金而構成的。因而，例如當使用氧化銦基材料或者MgAg共沉積膜作為第二電極17的材料時，能夠確保第二電極17與電極焊盤14P之間具有良好的歐姆接觸。相對于氧化銦基材料或者MgAg共沉積膜而言，鋁通常呈現(xiàn)出較差的歐姆特性。因此，與電極焊盤使用鋁的情形相比，采用如同本實施例中那樣的分層結構會提高第二電極17的材料的可選擇性。此外，有機層16被形成得延伸過來以覆蓋電極焊盤14P的一部分。因此，第二電極17被形成為沿有機層16的表面形狀緩緩地傾斜，因而可防止第二電極17在涵蓋電極焊盤14P上的區(qū)域的范圍內產(chǎn)生破裂(分裂)或者局部變薄。在本實施例中，如上所述，在驅動基板10上，起到反射電極作用的第一電極14設置于顯示區(qū)域SI中，且電極焊盤14P設置于周邊區(qū)域S2中。此外，第一電極14包括層疊 膜，在該層疊膜中，高反射性導電膜14a被層疊在低反射性導電膜14b上，并且電極焊盤14P具有包括上述層疊膜中的低反射性導電膜14b的結構。這使得能夠在電極焊盤14P中抑制外部光反射，同時允許在第一電極14中呈現(xiàn)出高反射功能。因此，可實現(xiàn)小型化及高清晰度，而不會降低所顯示圖像的可見性。二、第二實施例I、構造圖11圖示了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有機電致發(fā)光顯示器(有機電致發(fā)光顯示器2)的剖面結構。如同第一實施例中的有機電致發(fā)光顯示器I那樣，有機電致發(fā)光顯示器2基于例如頂部出射法而致使發(fā)光，且多個EL器件部13A例如以矩陣形式布置于驅動基板10上。應注意，與第一實施例中的那些元件相同的元件將用與第一實施例中相同的附圖標記來表示，并且將會視需要省略對它們的說明。在驅動基板10中，如同第一實施例中一樣，包括薄膜晶體管11的驅動電路設置于基板IOa上。此外，第一絕緣膜110、配線層111及第二絕緣膜112以覆蓋薄膜晶體管11的方式設置于基板IOa上。在第一絕緣膜110與第二絕緣膜112中，接觸層114A被埋入在與EL器件部13A對應的區(qū)域中，且接觸層114B被埋入在與電極焊盤21P對應的區(qū)域中。如同第一實施例中一樣，接觸層114A和接觸層114B均是通過用導電材料(例如，鎢)填充從第一絕緣膜110及第二絕緣膜112中貫穿的接觸孔而形成的。接觸層114A將EL器件部13A的第一電極14電連接至薄膜晶體管11的電極。接觸層114B將電極焊盤21P的導電膜(低反射性導電膜14b)電連接至配線層11a。然而在本實施例中，如在下文中將詳細說明的那樣，接觸層114A和接觸層114B每一者的表面形狀(即，面向第一電極14的表面和面向電極焊盤21P的表面)為突出形狀，這不同于第一實施例中的接觸層113A和接觸層113B。如同上述第一實施例中一樣，EL器件部13A基于例如頂部出射法而致使發(fā)光。例如，在驅動基板10的第二絕緣膜112上設置有第一電極14、有機層16及第二電極17。此夕卜，在第一電極14上方，像素間絕緣膜15形成于驅動基板10的整個表面上。像素間絕緣膜15具有面對著第一電極14的開口 H3和面對著電極焊盤21P的開口 H2。然而在本實施例中，形成有開口 H3的區(qū)域不同于第一實施例中的形成有開口 Hl的區(qū)域。具體而言，開口 H3形成在未面對著接觸層114A的區(qū)域中。換言之，像素間絕緣膜15被形成得覆蓋了面對著接觸層114A的區(qū)域。電極焊盤2IP 在本實施例中，如同第一實施例中一樣，與第一電極14的層疊膜的一部分對應的電極焊盤21P設置于在顯示區(qū)域S I周圍的周邊區(qū)域S2中，以作為第二電極17的配線連接焊盤。具體而言，電極焊盤21P至少具有第一電極14的層疊膜中的低反射性導電膜14b。在電極焊盤21P中，高反射性導電膜14a僅位于低反射性導電膜14b上的被選部分(不面對著接觸層114B的部分，即高反射性部14a2)中。換言之，在電極焊盤21P中，在低反射性導電膜14b上的面對著接觸層114B的部分中的高反射性導電膜14a被選擇性地去除了。如在下文中將詳細說明的那樣，在與第一電極14的形成工序相同的工序中形成包括高反射性導電膜14a和低反射性導電膜14b的層疊膜后，通過使用不同于第一實施例的技術選擇性地去除高反射性導電膜14a的一部分來形成電極焊盤21P。在像素間絕緣膜15的開口 H2中，電極焊盤21P接觸第二電極17，因而確保了與第二電極17的電連接。此處，在本實施例中，有機層16同樣被形成為從顯示區(qū)域SI延伸過來從而覆蓋周邊區(qū)域S2中的電極焊盤21P的一部分，并且有機層16的端部16e朝電極焊盤21P緩緩地傾斜。第二電極17沿有機層16的斜面形成在驅動基板10的整個表面上。在電極焊盤21P上的從有機層16露出的區(qū)域中，第二電極17被形成為覆蓋高反射性部14a2和低反射性導電膜14b。因而，確保了電極焊盤21P與第二電極17之間的電連接。如同第一實施例中一樣，在第二電極17上，形成有保護層18并且還粘附有密封基板20。2、制造方法例如，可以按照下列工序來制造上述有機電致發(fā)光顯示器2。驅動基板的形成工序首先，以與第一實施例類似的方式，通過進行預定的薄膜工藝在由上述材料(例如，非晶硅)制成的基板IOa上形成包括薄膜晶體管11的驅動電路。然后，在基板IOa上形成第一絕緣膜110、配線層111及第二絕緣膜112。然后，如圖12所示，形成接觸層114A和接觸層114B。參考圖13A至圖13C以及圖14，下面將說明形成接觸層114A和114B的具體過程。應注意，圖13A至圖13C以及圖14分別僅圖示了與接觸層114B對應的部分。具體而言，首先，以與第一實施例類似的方式，在第一絕緣膜110與第二絕緣膜112中形成接觸孔(Hal和Ha2)。然后，如圖13A所示，例如使用由諸如鎢等材料制成的導電膜114來填充這些接觸孔(Hal和Ha2)。更具體地，在第二絕緣膜112的表面上形成有例如由鈦或氮化鈦制成的阻隔金屬112a。接著，如圖13B所示，使用例如化學機械研磨法(Chemical MechanicalPolishing ;CMP)去除導電膜114的多余部分(114e)，此部分是形成于第二絕緣膜112之上的層。然后，如圖13C所示，對位于第二絕緣膜112和接觸層114B每一者的表面?zhèn)鹊膮^(qū)域A進行處理，由此如圖14中所示在接觸層114B每一者的表面上形成預定的突出形狀B。具體而言，例如通過使用兩種漿料(漿料Cl和漿料C2)的化學機械研磨過程僅對區(qū)域A的被選部分進行蝕刻。較佳的是，在突出形狀B中，從第二絕緣膜112突出的部分的厚度dl為例如大約IOnm 大約50nm。作為漿料Cl，采用了用于研磨鎢膜的普通漿料(含有二氧化硅磨粒且添加有硝酸鐵或者丙二酸的溶液)。在該漿料被使用之前，視需要用純水稀釋該漿料(漿料對純水的混合比例如為大約1:1)，且向該漿料中添加了大約I 3體積％的過氧化氫溶液。作為漿料C2，可使用如下的溶液該溶液在主要成分中含有大約4% 大約6%的膠體二氧化硅(colloidal silica)(具有大約60nm 大約90nm的中值磨粒直徑),且pH值大約為I 3。將漿料Cl和漿料C2以大約1:3 大約1:6的比例(或者以其中漿料C2進一步增多的比例)混合，這能夠使如上所述的突出形狀B形成于接觸層114B每一者的表面上。應注意，通過調整漿料Cl與漿料C2之間的混合比例，能夠使突出形狀B的形狀(厚度dl)改變。通過這種方式，在驅動基板10上，將突出形狀B形成于接觸層114A和接觸層114B每一者的表面上。第一電極和電極焊盤的形成工序 其次，如圖15所示，以與第一實施例中類似的方式，在驅動基板10上形成包括低反射性導電膜14b和高反射性導電膜14a的第一電極14。同時，在周邊區(qū)域S2中也形成了具有類似結構的層疊膜14P1。然后，在驅動基板10的整個表面上形成像素間絕緣膜15。通過光刻工藝選擇性地去除所形成的像素間絕緣膜15中的面對著第一電極14的區(qū)域以及面對著層疊膜14P1的區(qū)域，從而形成開口 H3和H2。具體而言，首先，如圖16所示，依次形成像素間絕緣膜15和光致抗蝕劑膜121。然后，如圖17所示，對光致抗蝕劑膜121的被選區(qū)域進行曝光。由此，在面對著第一電極14的區(qū)域和面對著層疊膜14P1的區(qū)域中分別形成了開口 121a與開口 121b。此時，開口 121a形成于未面對著接觸層114A的區(qū)域中，并且開口 121b形成于面對著接觸層114B的區(qū)域中。然后，如圖18所示，通過使用光致抗蝕劑膜121作為掩模進行干式蝕刻過程從而在預定區(qū)域中形成開口 H3和H2。較佳的是，在考慮了接觸層114A的直徑與光致抗蝕劑膜121之間在曝光時的錯位之后，設定從開口 H3的端部到接觸層114A的距離d2。這使開口H3能夠被設置成使接觸層114A之上的區(qū)域被像素間絕緣膜15覆蓋。然后，如圖19所示，執(zhí)行例如使用氧氣的等離子體灰化過程以去除光致抗蝕劑膜121。該等離子體灰化過程是在高溫環(huán)境(例如為大約200°C 大約400°C，且更適宜為大約200°C 大約300°C)下執(zhí)行的。因此，通過所謂的熱遷移的效應，選擇性地僅去除了高反射性導電膜14a的面對著接觸層114B的區(qū)域，由此，形成了包括低反射性導電膜14b和殘留于低反射性導電膜14b上的高反射性部14a2的電極焊盤21P。應注意,在第一電極14中，接觸層114A被像素間絕緣膜15及光致抗蝕劑膜121覆蓋，因此不會發(fā)生上述事情，且高反射性導電膜14a不會被去除。然后，如圖20所示，去除光致抗蝕劑膜121。應注意，在該去除工序中，可采用浸泡在電解質溶液中的方式，這能夠使高反射性部14a2 (高反射性導電膜14a的殘留部分)由于電池效應而減少。然后，如圖21所示，以與第一實施例中類似的方式形成有機層16。與第一實施例中一樣，有機層16被形成為延伸得使有機層16的端部16e覆蓋周邊區(qū)域S2中的電極焊盤21P的一部分,并且低反射性導電膜14b的一部分表面未被覆蓋而是露出的。然后，如圖22中所示，以與第一實施例中類似的方式形成第二電極17。于是，電極焊盤21P中的低反射性導電膜14b的從有機層16露出的部分與第二電極17相接觸，并且因此相互電連接。然后，盡管圖中未示出，但形成了由上述材料制成的保護層18以覆蓋如上述那樣形成的第二電極17的整個表面，然后通過使用粘合層將驅動基板10與密封基板20相互粘接在一起。這樣，就完成了圖11所示的有機電致發(fā)光顯示器2。3、作用與效果在上述有機電致發(fā)光顯示器2中，當向各子像素(EL器件部13A)提供基于圖像信號的驅動電流時，以與第一實施例的有機電致發(fā)光顯不器I類似的方式在有機層16 (白色發(fā)光層)中致使發(fā)光。這樣致使發(fā)出的白光被第一電極14等反射，或者直接從密封基板20 的上部射出。由此，完成了基于頂部出射法的全彩色圖像顯示器。此外，在驅動基板10上，起到反射電極作用的第一電極14設置于顯示區(qū)域SI中，且用于引出第二電極17的電極焊盤21P設置于周邊區(qū)域S2中。第一電極14包括具有高反射性導電膜14a和低反射性導電膜14b的層疊膜。電極焊盤21P具有與此種層疊膜的一部分對應的膜結構(即，包括由與低反射性導電膜14b的材料相同的材料制成的導電膜)。在同一工序中形成第一電極14和電極焊盤21P之后，在電極焊盤21P中選擇性地去除了上述層疊膜的一部分。因此，在本實施例中，盡管第一電極14與電極焊盤21P是在同一工序中形成的，但是第一電極14能夠呈現(xiàn)出高反射性導電膜14a的功能，而電極焊盤21P能夠呈現(xiàn)出低反射性導電膜14b的功能。因此，能夠獲得與第一實施例的效果實質上相同的效果。4、有機電致發(fā)光顯示器的總體構造與像素電路結構現(xiàn)在，將說明各實施例的有機電致發(fā)光顯示器(有機電致發(fā)光顯示器I和有機電致發(fā)光顯示器2每一者)的總體構造和像素電路結構。圖23圖示了用作該有機電致發(fā)光顯示器的顯示器的包括周邊電路在內的總體構造。如圖所示，例如，在驅動基板10上形成有顯示區(qū)域SI，在顯示區(qū)域SI中以矩陣形式排列有分別包括有機電致發(fā)光器件的多個像素(子像素)PXLC。在此顯示區(qū)域SI周圍設置有用作信號線驅動電路的水平選擇器(HSEL)31、用作掃描線驅動電路的寫入掃描器(WSCN) 32及用作電源線驅動電路的電源掃描器(DSCN)33。在顯示區(qū)域SI中，在列方向上排列有多條(整數(shù)η條)信號線DTLl至DTLn，并且在行方向上排列有多條(整數(shù)m條)掃描線WSLl至WSLm以及電源線DSLl至DSLm。此外，各像素PXLC (紅色像素、綠色像素或藍色像素任一者)設置于各信號線DTL與各掃描線WSL的交叉處。各信號線DTL均連接至水平選擇器31，且圖像信號從該水平選擇器31提供至各信號線DTL。各掃描線WSL均連接至寫入掃描器32，且掃描信號(選擇脈沖)從該寫入掃描器32提供至各掃描線WSL。各電源線DSL均連接至電源掃描器33，且電源信號(控制脈沖)從該電源掃描器33提供至各電源線DSL。圖24圖示了像素PXLC中的具體電路結構示例。各像素PXLC均具有包括有機電致發(fā)光器件3D (相當于EL器件部13A)的像素電路40。像素電路40為有源驅動電路，該有源驅動電路具有采樣晶體管3A和寫入晶體管3B、保持用電容器件3C以及有機電致發(fā)光器件3D。采樣晶體管3A連接至與其柵極對應的掃描線WSL。此外，采樣晶體管3A的源極與漏極中的一者與對應的信號線DTL連接，且另一者與寫入晶體管3B的柵極連接。寫入晶體管3B連接至與其漏極對應的電源線DSL，且寫入晶體管3B的源極與有機電致發(fā)光器件3D的陽極連接。有機電致發(fā)光器件3D的陰極與接地線3H連接。此接地線3H被設置成由所有像素PXLC共用。保持用電容器件3C設置于寫入晶體管3B的源極與柵極之間。采樣晶體管3A通過響應于從掃描線WSL供應過來的掃描信號(選擇脈沖)而導通，由此對從信號線DTL供應的圖像信號的信號電位進行采樣。然后，采樣晶體管3A將該信號電位保持在保持用電容器件3C處。當從被設定為預定的第一電位(圖中未示出)的電源線DSL將電流提供到寫入晶體管3B時，寫入晶體管3B根據(jù)保持于保持用電容器件3C中的信號電位而向有機電致發(fā)光器件3D供應驅動電流。憑借從寫入晶體管3B供應的驅動電流，致使有機電致發(fā)光器件3D以與圖像信號的信號電位對應的強度來發(fā)光。
在上述電路結構中，米樣晶體管3A響應于從掃描線WSL供應過來的掃描信號(選擇脈沖)而導通，并由此對從信號線DTL供應的圖像信號的信號電位進行采樣。然后，該信號電位被保持在保持用電容器件3 C中。進一步地，從被設定為第一電位的電源線DSL向寫入晶體管3B提供電流，且根據(jù)保持于保持用電容器件3C中的信號電位向有機電致發(fā)光器件3D供應驅動電流。于是，憑借所供應的驅動電流，致使每一個有機電致發(fā)光器件3D以與圖像信號的信號電位對應的強度來發(fā)光。由此，在有機電致發(fā)光顯示器中實現(xiàn)了基于圖像信號的圖像顯示。三、應用例現(xiàn)在，將說明上述有機電致發(fā)光顯示器I等可以適用的應用例。有機電致發(fā)光顯示器I等可被應用于所有領域中的用于將從外部輸入的圖像信號或者在內部產(chǎn)生的圖像信號顯示為靜止圖像或者運動圖像的電子裝置。這樣的電子裝置包括電視接收機、數(shù)碼相機、便攜式電腦、例如移動電話等便攜式終端、攝像機等等。模塊例如，有機電致發(fā)光顯示器I等作為如圖25所示的模塊而被并入到例如下文將要說明的應用例I至應用例5等各種電子裝置的任一者中。該模塊例如是通過設置從密封基板20露出的在驅動基板10—側的區(qū)域210而形成的。在該露出的區(qū)域210中，通過延長水平選擇器31的配線、寫入掃描器32的配線及電源掃描器33的配線來形成外部連接端子(圖中未示出)。該外部連接端子可設置有用于輸入和輸出信號的柔性印刷電路(FPC) 220。應用例I圖26為電視接收機的外觀圖。此電視接收機具有例如包括前面板310和濾色玻璃320的圖像顯示屏部300。圖像顯示屏部300等同于有機電致發(fā)光顯示器I等。應用例2圖27A及圖27B為數(shù)碼相機的外觀圖。此數(shù)碼相機包括例如閃光發(fā)射部410、顯示部420、菜單開關430以及快門按鈕440。顯示部420等同于有機電致發(fā)光顯示器I等。應用例3圖28為便攜式電腦的外觀圖。此便攜式電腦包括例如主體部510、用來輸入字符等的鍵盤520以及用來顯示圖像的顯示部530。顯示部530等同于有機電致發(fā)光顯示器I坐寸O應用例4圖29為攝像機的外觀圖。此攝像機包括例如主體部610、設置于該主體部610的前端面上以拍攝物體圖像的鏡頭620、拍攝用的開始/停止開關630、以及顯示部640。顯示部640等同于有機電致發(fā)光顯示器I等。應用例5圖30A至圖30G為移動電話的外觀圖。該移動電話例如是這樣的裝置該裝置中，上殼體710與下殼體720通過連接部(鉸鏈部)730連接在一起，且該裝置包括顯示器740、副顯示器750、圖片燈760及照相機770。顯示器740或者副顯示器750等同于有機電致發(fā)光顯不器I等。 作為實例，上文已經(jīng)說明了各實施例與各應用例，但是本發(fā)明的內容并不限于這些并且可作出各種改變。例如，在各實施例等中所描述的各層的材料和厚度、或者膜形成方法及條件均沒有限制。作為另外的選擇，可使用其他的材料和厚度、或者其他的膜形成方法及條件。此外，在各實施例等中，已經(jīng)說明了其中顯示器是有源矩陣型有機電致發(fā)光顯示器的情形。然而，本發(fā)明也適用于無源矩陣型有機電致發(fā)光顯示器。此外，用于有源矩陣驅動的像素驅動電路的構造并不限于各實施例中所描述的構造。作為另外的選擇，可視需要添加電容器件和晶體管。從本發(fā)明的上述示例性實施例可至少實現(xiàn)以下技術方案。(I) 一種有機電致發(fā)光(EL)顯示器，其包括多個第一電極，所述多個第一電極設置于驅動基板上的顯示區(qū)域中，所述多個第一電極分別包括具有兩層或更多層的層疊膜；有機層，所述有機層位于所述多個第一電極上方，所述有機層設置于整個所述顯示區(qū)域上并包括發(fā)光層；電極焊盤，所述電極焊盤設置在位于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域中；以及第二電極，所述第二電極設置于所述有機層及所述電極焊盤上，其特征在于，所述層疊膜包括第一導電膜，所述第一導電膜起到反射膜的作用，以及第二導電膜，所述第二導電膜設置于所述第一導電膜下方，且所述第二導電膜的反射率低于所述第一導電膜的反射率，并且，所述電極焊盤與所述層疊膜的一部分對應，并包括由與所述第二導電膜的材料相同的材料制成的導電膜。(2)根據(jù)(I)所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述有機層被設置成從所述顯示區(qū)域延伸至所述周邊區(qū)域中的所述電極焊盤上方。( 3 )根據(jù)(I)或(2 )所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述驅動基板包括薄膜晶體管；絕緣膜，所述絕緣膜覆蓋著所述薄膜晶體管；第一接觸層，所述第一接觸層埋入在所述絕緣膜中，并將所述薄膜晶體管電連接至所述第一電極；以及
第二接觸層，所述第二接觸層埋入在所述絕緣膜中，并將配線層電連接至所述電極焊盤，所述配線層被設置成與所述薄膜晶體管處于同一層。(4)根據(jù)(I)至(3)中任一項所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述驅動基板包括娃基板。(5)根據(jù)(I)至(4)中任一項所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述電極焊盤是通過如下方式而形成的從所述層疊膜去除所述第二導電膜上的整個區(qū)域中的所述第一導電膜或者去除所述第二導電膜上的除了端部之外的整個區(qū)域中的所述第一導電膜。(6)根據(jù)(3)或(4)所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述電極焊盤是通過如下方式而形成的從所述層疊膜選擇性地去除所述第二導電膜上的面對著所述第二接觸層的區(qū)域中的所述第一導電膜。
(7)根據(jù)(6)所述的有機電致發(fā)光顯示器，還包括像素間絕緣膜，所述像素間絕緣膜位于所述多個第一電極與所述有機層之間，所述像素間絕緣膜設置于所述驅動基板的整個表面上并具有第一開口及第二開口，所述第一開口面對著各所述第一電極，且所述第二開口面對著所述電極焊盤，其特征在于，所述第一開口形成于未面對著所述第一接觸層的區(qū)域中，并且所述第二開口形成于面對著所述第二接觸層的區(qū)域中。(8)根據(jù)(I)至(7)中任一項所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述第一導電膜由鋁(Al)或包含鋁的合金制成，且所述第二導電膜由鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)或包含鈦的合金制成。(9)根據(jù)(I)至(8)中任一項所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述第二電極是由氧化銦的化合物制成的透明導電膜，或者是由鎂和銀的共沉積膜制成的透明導電膜。(10)根據(jù)(I)至(9)中任一項所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述有機層包括白色發(fā)光層。(11) 一種有機電致發(fā)光顯示器制造方法，所述制造方法包括如下步驟在驅動基板上的顯示區(qū)域中形成多個第一電極，所述多個第一電極分別包括具有兩層或更多層的層疊膜；形成位于所述多個第一電極上方的有機層，所述有機層設置于整個所述顯示區(qū)域上并包括發(fā)光層；在位于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域中形成電極焊盤；以及在所述有機層及所述電極焊盤上形成第二電極，其特征在于,在形成所述多個第一電極時，形成第一導電膜及設置于所述第一導電膜下方的第二導電膜作為所述層疊膜，所述第一導電膜起到反射膜的作用，且所述第二導電膜具有比所述第一導電膜的反射率低的反射率，并且，在形成所述電極焊盤時，形成與所述層疊膜的一部分對應的導電膜作為所述電極焊盤，所述導電膜由與所述第二導電膜的材料相同的材料制成。(12)根據(jù)(11)所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于，在形成所述有機層時，將所述有機層形成為自所述顯示區(qū)域延伸至所述周邊區(qū)域中的所述電極焊盤上方。
(13)根據(jù)(11)或(12)所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于，所述驅動基板包括薄膜晶體管；絕緣膜，所述絕緣膜覆蓋著所述薄膜晶體管；第一接觸層，所述第一接觸層埋入在所述絕緣膜中，并將所述薄膜晶體管電連接至所述第一電極；以及第二接觸層，所述第二接觸層埋入在所述絕緣膜中，并將配線層電連接至所述電極焊盤，所述配線層被設置成與所述薄膜晶體管處于同一層。(14)根據(jù)(11)至(13)中任一項所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于，所述驅動基板包括硅基板。 (15)根據(jù)(11)至(14)中任一項所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于，在形成所述第一電極時，在所述周邊區(qū)域的一部分中及所述顯示區(qū)域中形成所述層疊膜，并且，在形成所述電極焊盤時，從形成于所述周邊區(qū)域中的所述層疊膜去除所述第二導電膜上的整個區(qū)域中或所述第二導電膜上的除了端部之外的整個區(qū)域中的所述第一導電膜，由此形成所述電極焊盤。(16)根據(jù)(13)或(14)所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于，在形成所述第一電極時，在所述周邊區(qū)域的一部分中及所述顯示區(qū)域中均形成所述層疊膜，并且，在形成所述電極焊盤時，從形成于所述周邊區(qū)域中的所述層疊膜選擇性地去除所述第二導電膜上的面對著所述第二接觸層的區(qū)域中的所述第一導電膜，由此形成所述電極焊盤，并且該步驟中所述第一導電膜是通過使用氧氣的等離子體灰化過程中的高溫處理而被去除的。(17)根據(jù)(16)所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，所述方法還包括如下步驟在所述驅動基板中，將所述第一接觸層和所述第二接觸層每一者均形成為從所述絕緣膜的最上表面突出的突出形狀；以及在形成所述多個第一電極之后且在形成所述有機層之前，形成像素間絕緣膜，所述像素間絕緣膜形成于所述驅動基板的整個表面上并具有第一開口及第二開口，所述第一開口面對著各所述第一電極，且所述第二開口面對著所述電極焊盤，其中，在形成所述像素間絕緣膜時，將所述第一開口形成于未面對著所述第一接觸層的區(qū)域中，并且將所述第二開口形成于面對著所述第二接觸層的區(qū)域中。( 18 ) —種電子裝置，所述電子裝置包括有機電致發(fā)光顯示器，所述有機電致發(fā)光顯示器是(I)至(10)中任一項所述的有機電致發(fā)光顯示器。所屬領域的技術人員應理解，根據(jù)設計要求及其他因素，可對本發(fā)明做出各種修改、組合、子組合及改動，只要它們屬于隨附權利要求書或其等同物的范圍內即可。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯不器，其包括 多個第一電極，所述多個第一電極設置于驅動基板上的顯示區(qū)域中，所述多個第一電極分別包括具有兩層或更多層的層疊膜； 有機層，所述有機層位于所述多個第一電極上方，所述有機層設置于整個所述顯示區(qū)域上并包括發(fā)光層； 電極焊盤，所述電極焊盤設置在位于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域中；以及 第二電極，所述第二電極設置于所述有機層及所述電極焊盤上， 其特征在于，所述層疊膜包括第一導電膜，所述第一導電膜起到反射膜的作用；以及第二導電膜，所述第二導電膜設置于所述第一導電膜下方，且所述第二導電膜的反射率低于所述第一導電膜的反射率， 并且，所述電極焊盤與所述層疊膜的一部分對應，并包括由與所述第二導電膜的材料相同的材料制成的導電膜。
2.如權利要求I所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述有機層被設置成從所述顯示區(qū)域延伸至所述周邊區(qū)域中的所述電極焊盤上方。
3.如權利要求I或2所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述驅動基板包括 薄膜晶體管； 絕緣膜，所述絕緣膜覆蓋著所述薄膜晶體管； 第一接觸層，所述第一接觸層埋入在所述絕緣膜中并將所述薄膜晶體管電連接至所述第一電極；以及 第二接觸層，所述第二接觸層埋入在所述絕緣膜中并將配線層電連接至所述電極焊盤，所述配線層被設置成與所述薄膜晶體管處于同一層。
4.如權利要求I或2所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述驅動基板包括硅基板。
5.如權利要求I或2所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述電極焊盤是通過如下方式而形成的從所述層疊膜去除所述第二導電膜上的整個區(qū)域中的所述第一導電膜或者去除所述第二導電膜上的除了端部之外的整個區(qū)域中的所述第一導電膜。
6.如權利要求3所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述電極焊盤是通過如下方式而形成的從所述層疊膜選擇性地去除所述第二導電膜上的面對著所述第二接觸層的區(qū)域中的所述第一導電膜。
7.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光顯示器，還包括 像素間絕緣膜，所述像素間絕緣膜位于所述多個第一電極與所述有機層之間，所述像素間絕緣膜設置于所述驅動基板的整個表面上并具有第一開口及第二開口，所述第一開口面對著各所述第一電極，且所述第二開口面對著所述電極焊盤， 其特征在于，所述第一開口形成于未面對著所述第一接觸層的區(qū)域中， 并且，所述第二開口形成于面對著所述第二接觸層的區(qū)域中。
8.如權利要求I或2所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述第一導電膜由鋁或包含鋁的合金制成，且所述第二導電膜由鈦、氮化鈦或包含鈦的合金制成。
9.如權利要求I或2所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述第二電極是由氧化銦的化合物制成的透明導電膜，或者是由鎂和銀的共沉積膜制成的透明導電膜。
10.如權利要求I或2所述的有機電致發(fā)光顯示器，其特征在于，所述有機層包括白色發(fā)光層。
11.一種有機電致發(fā)光顯示器制造方法，所述方法包括如下步驟 在驅動基板上的顯示區(qū)域中形成多個第一電極，所述多個第一電極分別包括具有兩層或更多層的層疊膜； 形成位于所述多個第一電極上方的有機層，所述有機層設置于整個所述顯示區(qū)域上并包括發(fā)光層； 在位于所述驅動基板上的所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域中形成電極焊盤；以及 在所述有機層及所述電極焊盤上形成第二電極， 其特征在于，在形成所述多個第一電極的步驟中，形成第一導電膜及設置于所述第一導電膜下方的第二導電膜作為所述層疊膜，所述第一導電膜起到反射膜的作用，且所述第二導電膜的反射率低于所述第一導電膜的反射率， 并且，在形成所述電極焊盤的步驟中，形成與所述層疊膜的一部分對應的導電膜作為所述電極焊盤，所述導電膜由與所述第二導電膜的材料相同的材料制成。
12.如權利要求11所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于，在形成所述有機層的步驟中，將所述有機層形成為從所述顯示區(qū)域延伸至所述周邊區(qū)域中的所述電極焊盤上方。
13.如權利要求11或12所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于，所述驅動基板包括 薄膜晶體管； 絕緣膜，所述絕緣膜覆蓋著所述薄膜晶體管； 第一接觸層，所述第一接觸層埋入在所述絕緣膜中并將所述薄膜晶體管電連接至所述第一電極；以及 第二接觸層，所述第二接觸層埋入在所述絕緣膜中并將配線層電連接至所述電極焊盤，所述配線層被設置成與所述薄膜晶體管處于同一層。
14.如權利要求11或12所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于，所述驅動基板包括娃基板。
15.如權利要求11或12所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于， 在形成所述第一電極的步驟中，在所述顯示區(qū)域中及所述周邊區(qū)域的一部分中形成所述層疊膜，并且 在形成所述電極焊盤的步驟中，從形成于所述周邊區(qū)域中的所述層疊膜去除所述第二導電膜上的整個區(qū)域中的所述第一導電膜或者去除所述第二導電膜上的除了端部之外的整個區(qū)域中的所述第一導電膜，由此形成所述電極焊盤。
16.如權利要求13所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，其特征在于， 在形成所述第一電極的步驟中，在所述顯示區(qū)域中及所述周邊區(qū)域的一部分中形成所述層疊膜，并且 在形成所述電極焊盤的步驟中，從形成于所述周邊區(qū)域中的所述層疊膜選擇性地去除所述第二導電膜上的面對著所述第二接觸層的區(qū)域中的所述第一導電膜，由此形成所述電極焊盤，并且該步驟中所述第一導電膜是通過使用氧氣的離子體灰化過程中的高溫處理而被去除的。
17.如權利要求16所述的有機電致發(fā)光顯示器制造方法，所述方法還包括如下步驟 在所述驅動基板中，將所述第一接觸層和所述第二接觸層每一者均形成為從所述絕緣膜的最上表面突出的突出形狀；以及 在形成所述多個第一電極之后且在形成所述有機層之前，形成像素間絕緣膜，所述像素間絕緣膜形成于所述驅動基板的整個表面上并具有第一開口及第二開口，所述第一開口面對著各所述第一電極，且所述第二開口面對著所述電極焊盤， 其特征在于，在形成所述像素間絕緣膜的步驟中，將所述第一開口形成于未面對著所述第一接觸層的區(qū)域中，并且將所述第二開口形成于面對著所述第二接觸層的區(qū)域中。
18.一種電子裝置，所述電子裝置包括如權利要求I至10中任一項所述的有機電致發(fā)光顯不器。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機EL顯示器、有機EL顯示器制造方法及電子裝置。所述有機EL顯示器包括多個第一電極，它們設置于驅動基板上的顯示區(qū)域中且分別包括具有兩層或更多層的層疊膜；有機層，其在所述多個第一電極上方被設置于整個所述顯示區(qū)域上并包括發(fā)光層；設置在所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域中的電極焊盤；以及設置于所述有機層及所述電極焊盤上的第二電極。所述層疊膜包括起到反射膜作用的第一導電膜；以及設置于所述第一導電膜下方并具有比所述第一導電膜低的反射率的第二導電膜。所述電極焊盤與所述層疊膜的一部分對應，并包括由與所述第二導電膜的材料相同的材料制成的導電膜。本發(fā)明能夠實現(xiàn)小型化及高清晰度而不會降低所顯示圖像的可見性。
文檔編號H01L27/32GK102969457SQ20121030283
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月23日 優(yōu)先權日2011年9月1日
發(fā)明者長谷川英史, 槙田篤哉, 山田二郎, 橫山誠一, 野田英利, 佐川裕志 申請人:索尼公司