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碟型集成式覆晶led光源及制備方法

文檔序號(hào):7106732閱讀:415來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):碟型集成式覆晶led光源及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于集成式LED光源領(lǐng)域,具體涉及一種碟型集成式覆晶LED光源及制備方法。
背景技術(shù)
目前集成式LED光源多半以鋁基板或金屬基板做為基材,昂貴且不好控制精度,部分廠(chǎng)商以氮化鋁或氧化鋁等陶瓷質(zhì)材料作為基板雖有高導(dǎo)熱率但相對(duì)成本也極高。因此本發(fā)明將提供一種易于生產(chǎn)低價(jià)高效的LED光源的制備方法和低價(jià)高 效的LED光源。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題,提供一種采用光碟技術(shù)制備LED光源用的基材、同時(shí)采用半導(dǎo)體制程完成LED光源的制作的碟型集成式覆晶LED光源及其制備方法,成本低廉,導(dǎo)熱率亦因加入氮化鋁或氧化鋁材料增加導(dǎo)熱率使其不致過(guò)低。為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為碟型集成式覆晶LED光源,其特征在于包括碟片形的基材、形成于基材的蝕刻線(xiàn)路、位于線(xiàn)路的鍍銅層、附著于線(xiàn)路的銀層、植入線(xiàn)路的用于放置LED芯片的金球和模壓成型于LED光源的硅質(zhì)一次透鏡。前述的碟型集成式覆晶LED光源,所述的LED芯片噴涂有熒光粉硅膠層。前述的碟型集成式覆晶LED光源,所述的碟片形的基材為混合有氮化鋁或氧化鋁的聚碳酸酯。前述的碟型集成式覆晶LED光源,所述的LED芯片和金球?yàn)槿舾蓚€(gè),LED芯片的電極融合于金球上形成電流回路。碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,其特征在于,包括如下步驟1)制作出碟型基材;2)使碟型基材表面形成一層金屬層;3)將步驟2)制成的基材經(jīng)噴涂感光膠曝光線(xiàn)路制程后在需線(xiàn)路的隔離區(qū)形成保護(hù)膜,進(jìn)行蝕刻留下線(xiàn)路;4)將3)中的線(xiàn)路以電鍍法加厚銅,再以點(diǎn)鍍法將銀層附著于線(xiàn)路;5)將需要放置LED芯片的位置以植球機(jī)在線(xiàn)路上植入金球,將芯片翻面電極朝下將電極融合于金球上形成回路,在芯片上以噴涂法涂布熒光粉硅膠層,使LED光源呈現(xiàn)白光;6)以模壓機(jī)加工將硅質(zhì)一次透鏡成形于LED光源上即完成光原板。前述的碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,步驟I)的具體過(guò)程為將氮化鋁或氧化鋁的微米級(jí)粉末摻雜于聚碳酸酯原料均勻混合后射出碟型基材。前述的碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,步驟5)通過(guò)超音波融合技術(shù)將電極融合于金球上。前述的碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,所述的光原板的背面涂上導(dǎo)熱材料。
本發(fā)明使用微米級(jí)氮化鋁或氧化鋁摻雜于PC制成碟形基材,使用多個(gè)芯片倒置經(jīng)金球融接于碟形基材上的線(xiàn)路以形成回路,無(wú)需使用導(dǎo)線(xiàn),使用模壓技術(shù)將硅質(zhì)一次光學(xué)鏡片成形于芯片上,低價(jià)易大量生產(chǎn)導(dǎo)熱佳易使用。


圖I為本發(fā)明的碟型集成式覆晶LED光源的結(jié)構(gòu) 其中,I娃質(zhì)一次透鏡,2銀層,3派鍍金屬鍍銅層,4基材,5金球,6 led芯片,7突光粉 娃月父層。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)方案、技術(shù)特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解,下面結(jié)合具體實(shí)施方式
,進(jìn)一步闡述本發(fā)明。參見(jiàn)圖1,碟型集成式覆晶LED光源,其特征在于包括碟片形的基材4、濺鍍于基材4 (用于形成蝕刻線(xiàn)路)的濺鍍金屬層、形成于基材4的蝕刻線(xiàn)路、在濺鍍金屬層基礎(chǔ)上加厚的鍍銅層、附著于線(xiàn)路的銀層2 (銀層2位于濺鍍金屬鍍銅層3上方)、植入線(xiàn)路的用于放置LED芯片6的金球5 (金球5置于銀層2上)、和模壓成型于LED光源的硅質(zhì)一次透鏡
I。濺鍍金屬層和鍍銅層構(gòu)成濺鍍金屬鍍銅層3。LED芯片6噴涂有熒光粉硅膠層7。碟片形的基材4為混合有氮化鋁或氧化鋁的聚碳酸酯。LED芯片6和金球5為若干個(gè),LED芯片6的電極融合于金球5上形成電流回路。碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,其特征在于,步驟如下先將氮化鋁或氧化鋁的微米級(jí)粉末摻雜于PC原料均勻混合后射出光碟片,制作出高導(dǎo)熱率的基材4 ;將碟片放入濺鍍機(jī)使表面形成一層金屬,將此基材4經(jīng)噴涂感光膠曝光線(xiàn)路制程后移除不需要線(xiàn)路的地方在需線(xiàn)路的隔離區(qū)形成保護(hù)膜,進(jìn)行蝕刻留下線(xiàn)路,將線(xiàn)路以電鍍法加厚銅,再以點(diǎn)鍍法將銀層2附于需要的地方;將需要芯片放置的地方以植球機(jī)在線(xiàn)路上植入金球5,將芯片翻面電極朝下將電極以超音波融接融合于金球5上形成回路,在芯片上以噴涂法涂布突光粉與娃膠使成白光,最后以模壓機(jī)加工將娃質(zhì)一次透鏡I成形于LED上即完成光原板,使用時(shí)只需將其背面涂上導(dǎo)熱材料貼合于散熱體上接上電源即可使用。
本發(fā)明使用微米級(jí)氮化鋁或氧化鋁摻雜于PC制成碟形基材,使用多個(gè)芯片倒置經(jīng)金球融接于碟形基材上的線(xiàn)路以形成回路,無(wú)需使用導(dǎo)線(xiàn),使用模壓技術(shù)將硅質(zhì)一次光學(xué)鏡片成形于芯片上,低價(jià)易大量生產(chǎn)導(dǎo)熱佳易使用。以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.碟型集成式覆晶LED光源,其特征在于包括碟片形的基材、形成于基材的蝕刻線(xiàn)路、位于線(xiàn)路的鍍銅層、附著于線(xiàn)路的銀層、植入線(xiàn)路的用于放置LED芯片的金球和模壓成型于LED光源的硅質(zhì)一次透鏡。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的碟型集成式覆晶LED光源,其特征在于所述的LED芯片噴涂有熒光粉硅膠層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的碟型集成式覆晶LED光源,其特征在于所述的碟片形的基材為混合有氮化鋁或氧化鋁的聚碳酸酯。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的碟型集成式覆晶LED光源,其特征在于所述的LED芯片和金球?yàn)槿舾蓚€(gè),LED芯片的電極融合于金球上形成電流回路。
5.碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,其特征在于,包括如下步驟1)制作出碟型基材;2)使碟型基材表面形成一層金屬層;3)將步驟2)制成的基材經(jīng)噴涂感光膠曝光線(xiàn)路制程后在需線(xiàn)路的隔離區(qū)形成保護(hù)膜,進(jìn)行蝕刻留下線(xiàn)路;4)將3)中的線(xiàn)路以電鍍法加厚銅,再以點(diǎn)鍍法將銀層附著于線(xiàn)路;5)將需要放置LED芯片的位置以植球機(jī)在線(xiàn)路上植入金球,將芯片翻面電極朝下將電極融合于金球上形成回路,在芯片上以噴涂法涂布熒光粉硅膠層,使LED光源呈現(xiàn)白光;6)以模壓機(jī)加工將硅質(zhì)一次透鏡成形于LED光源上即完成光原板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,其特征在于,步驟I)的具體過(guò)程為將氮化鋁或氧化鋁的微米級(jí)粉末摻雜于聚碳酸酯原料均勻混合后射出碟型基材。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,其特征在于步驟5)通過(guò)超音波融合技術(shù)將電極融合于金球上。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碟型集成式覆晶LED光源的制備方法,其特征在于所述的光原板的背面涂上導(dǎo)熱材料。
全文摘要
本發(fā)明屬于集成式LED光源領(lǐng)域,具體涉及一種碟型集成式覆晶LED光源及制備方法,包括碟片形的基材、形成于基材的蝕刻線(xiàn)路、位于線(xiàn)路的鍍銅層、附著于線(xiàn)路的銀層、植入線(xiàn)路的用于放置LED芯片的金球和模壓成型于LED光源的硅質(zhì)一次透鏡;LED芯片噴涂有熒光粉硅膠層;碟片形的基材為混合有氮化鋁或氧化鋁的聚碳酸酯;LED芯片和金球?yàn)槿舾蓚€(gè),LED芯片的電極融合于金球上形成電流回路。本發(fā)明使用微米級(jí)氮化鋁或氧化鋁摻雜于PC制成碟形基材,使用多個(gè)芯片倒置經(jīng)金球融接于碟形基材上的線(xiàn)路以形成回路,無(wú)需使用導(dǎo)線(xiàn),使用模壓技術(shù)將硅質(zhì)一次光學(xué)鏡片成形于芯片上,低價(jià)易大量生產(chǎn)導(dǎo)熱佳易使用。
文檔編號(hào)H01L33/62GK102832318SQ20121030724
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月27日
發(fā)明者傅立銘 申請(qǐng)人:蘇州金科信匯光電科技有限公司
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