專利名稱：光傳感器模塊和光傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光傳感器模塊和光傳感器，特別是涉及對(duì)紫外線等的特定波長(zhǎng)的光接收量進(jìn)行測(cè)定的小型封裝的光傳感器模塊和光傳感器。
背景技術(shù)：
光傳感器模塊被應(yīng)用于照度傳感器，照度傳感器用于根據(jù)周圍的亮度對(duì)照明進(jìn)行調(diào)光、或調(diào)整顯示器畫面的面發(fā)光度。另外，作為檢測(cè)在檢驗(yàn)范圍內(nèi)有無人體的紅外線傳感器，已知有使用了透射從人體發(fā)出的紅外線的波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)濾波器的光傳感器模塊。此外，近年來，還期待用于簡(jiǎn)便計(jì)測(cè)紫外線的量的紫外線傳感器。紫外線不僅讓人曬黑、而且還會(huì)引起皮膚癌和白內(nèi)障等，對(duì)人體的健康帶來極為深刻的影響，從而希望著監(jiān)控紫外線、 且根據(jù)其影響度采取對(duì)策。因此，與計(jì)測(cè)周圍的亮度的可視光的照度傳感器一樣，將計(jì)測(cè)紫外線的波長(zhǎng)范圍的光接收量的光傳感器模塊搭載到移動(dòng)電話等移動(dòng)設(shè)備上也得到研究。
作為現(xiàn)有的光傳感器模塊，例如，在專利文獻(xiàn)I中公開有一種照度傳感器，其使用了靈敏度特性接近人眼的光學(xué)濾波器。所謂照度傳感器所設(shè)想的入射光，不僅限于太陽光和屋內(nèi)照明的可視光，而且限定為人感覺到的亮度的測(cè)量。在專利文獻(xiàn)I中，作為半導(dǎo)體照度傳感器，采用的構(gòu)造是，在光學(xué)濾波器上的光入射口以使異物無法侵入的方式填充透光性樹脂。
在專利文獻(xiàn)2中，公開有一種紅外線傳感器裝置，其是將粘接著使紅外光選擇性地透過的平板狀的光濾波器和紅外線檢測(cè)元件的支承體、以包圍檢測(cè)元件的方式環(huán)狀地裝配。此外，通過由僅使平板狀的光濾波器的表面露出的絕緣性樹脂覆蓋，能夠防止來自光濾波器的側(cè)面和支承體的間隙等的入射光，與従來的罐封裝相比，能夠得到小型輕量的光傳感器裝置。此外，因?yàn)橛山^緣性樹脂覆蓋，所以與罐封裝同樣，能夠防止因機(jī)械的撞擊引起的破損，并能夠防止水分和塵埃的侵入。
另外，專利文獻(xiàn)3中公開有一種容易對(duì)應(yīng)多個(gè)方向的照度檢測(cè)的照度傳感器模塊。其上，將對(duì)應(yīng)于光的亮度的光電二極管和使光電二極管發(fā)生的光電信號(hào)得以處理的運(yùn)算放大器進(jìn)行引線框裝配置，而使光電二極管的位置可隨意改變。運(yùn)算放大器由黑色的遮光包封樹脂包封，光電二極管由透明包封樹脂包封。如專利文獻(xiàn)3，如果使光接收元件和運(yùn)算放大器IC分別開，則不需要在光接收元件上使增幅 電路集成化，因此能夠減小光接收元件，廉價(jià)地進(jìn)行制造。
先行技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)I特開2007-48795號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2特開2006-197491號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3特開2002-250656號(hào)公報(bào)
但是，如專利文獻(xiàn)I所述的半導(dǎo)體照度傳感器，光電二極管和使光電二極管的輸出電流放大的增幅電路被集成在半導(dǎo)體芯片上時(shí)，不能在特定波長(zhǎng)和光接收量不同的光傳感器上通用。即，需要符合各自的規(guī)格而設(shè)計(jì)光電二極管和增幅電路，制作多種半導(dǎo)體芯片，多品種少量生產(chǎn)的問題就存在。此外，需要貼裝小的光學(xué)濾波器，成為高成本的一個(gè)因素。
另一方面，在專利文獻(xiàn)2所述的傳感器裝置中，沒有搭載傳感器輸出的增幅電路的情況下，需要另行設(shè)置將輸出功率調(diào)整為預(yù)期的電壓的運(yùn)算放大器IC或調(diào)節(jié)器1C，并將其連接到專利文獻(xiàn)2的傳感器裝置上。為此，如專利文獻(xiàn)3所述的照度傳感器模塊這樣，必須在模塊基板上個(gè)別地裝配傳感器裝置和運(yùn)算放大器1C，而以這樣的方式搭載到移動(dòng)電話等的移動(dòng)設(shè)備上是困難的，因此需要進(jìn)一步小型化。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述課題，其目的特別在于，提供一種適合特定波長(zhǎng)和光接收量的小型封裝的光傳感器模塊及光傳感器。
本發(fā)明中，一種光傳感器模塊，其具備按所接收的光量使電流發(fā)生的光接收元件；將所述電流轉(zhuǎn)換成電壓的電路的電阻元件和放大元件；使從光入射面入射的期望波長(zhǎng)的光透射的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件，其特征在于，所述光傳感器模塊還具有形成有所述放大元件的電路基板；對(duì)于所述電路基板進(jìn)行遮光的封裝樹脂；使形成有所述光接收元件的傳感器構(gòu)件和所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件得以接合的傳感器基板；載置有所述電路基板和所述傳感器基板，并且設(shè)置有與所述電路基板和所述光接收元件及所述電阻元件相連接的配線的基座，所述封裝樹脂按照使所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的所述光入射面露出的方式覆蓋所述基座。
電阻元件未被內(nèi)置在形成有放大元件的電路基板中，而是與電路基板分開準(zhǔn)備的。由此，通過使專用設(shè)計(jì)的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件及電阻元件與通用的電路基板加以組合， 能夠容易地實(shí)現(xiàn)設(shè)想有不同的波長(zhǎng)和光強(qiáng)度的多品種的光傳感器模塊。此外，將電路基板、 和在形成有光接收元件的傳感器構(gòu)件上接合有與光接收元件的光接收面大小一致的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的傳感器基板，搭載在基座上且由遮光性的封裝樹脂一體地包封，與對(duì)于模塊基板的裝配部件個(gè)別進(jìn)行樹脂包封相比，能夠得到小型封裝的光傳感器模塊。
因此，能夠?qū)崿F(xiàn)適合特定波長(zhǎng)和光接收量的小型封裝的光傳感器模塊。
優(yōu)選所述傳感器基板的所述傳感器構(gòu)件的側(cè)面被所述封裝樹脂覆蓋，所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的側(cè)面被部分性地由所述封裝樹脂覆蓋，所述光入射面從所述封裝樹脂突出。若是如此，則除了從遮光性的封裝樹脂突出的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的光入射面以外，都不會(huì)被光照射而容易隱藏，因此封裝樹脂不會(huì)發(fā)生光劣化，長(zhǎng)期可靠性優(yōu)異。
此外，優(yōu)選所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件通過在光學(xué)基材上層疊波長(zhǎng)選擇濾膜而成， 所述波長(zhǎng)選擇濾膜與所述光接收元件對(duì)置。由此，未透過波長(zhǎng)選擇濾膜的光沒有入射路徑， 因此能夠防止雜散光造成的測(cè)量干擾。
優(yōu)選所述電阻元件形成于所述傳感器構(gòu)件上。若是如此，則不用另行準(zhǔn)備電阻元件裝配在基座上，而是能夠與光接收元件一起配置 在傳感器構(gòu)件上，因此能夠削減部件個(gè)數(shù)，能夠使制造工序簡(jiǎn)略化。
優(yōu)選具有使所述傳感器構(gòu)件和所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件接合的接合層，所述接合層圍繞所述光接收元件、且設(shè)置在所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的外周區(qū)域，并且，所述電阻元件形成在所述傳感器構(gòu)件上、且被所述接合層覆蓋。接合層是粘接層和金屬接合層等，容易堅(jiān)固地使形成有光接收元件和電阻元件的傳感器構(gòu)件和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件得以接合。此外，通過在設(shè)置有接合層的區(qū)域預(yù)先配置電阻元件，能夠達(dá)到更小型。
優(yōu)選所述傳感器構(gòu)件具有以覆蓋所述電阻元件的方式所形成的絕緣膜和金屬膜，所述金屬膜對(duì)于所述電阻元件進(jìn)行遮光。若是如此，則作為電阻元件能夠使用具有光特性的材料。在此，所謂具有光特性的材料，是指作為電阻元件使用時(shí)若被光照射則電阻發(fā)生變化的。因?yàn)槟軌虼_實(shí)地以不被光照射的方式進(jìn)行遮光，所以能夠抑制光特性造成的電阻變動(dòng)干擾。
優(yōu)選所述接合層為所述金屬膜。使用金屬膜構(gòu)成金屬接合層，除了能夠抑制光特性造成的電阻變動(dòng)干擾以外，還能夠使接合堅(jiān)固，氣密性優(yōu)異。
優(yōu)選所述光接收元件和所述電阻元件在所述傳感器構(gòu)件上平面配置地形成，所述傳感器構(gòu)件的至少一部分由半導(dǎo)體材料構(gòu)成，所述電阻元件由所述半導(dǎo)體材料形成。傳感器構(gòu)件和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件能夠分別由晶片級(jí)的成膜加工技術(shù)制作。如果利用半導(dǎo)體材料將電阻元件形成于傳感器構(gòu)件上，則能夠通過接合層而使形成有電阻元件的傳感器構(gòu)件和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件以晶片級(jí)接合，并且能夠?qū)崿F(xiàn)內(nèi)置有電阻元件的傳感器基板。因此， 能夠得到小型封裝的光傳感器模塊。另外，能夠削減光傳感器模塊的部件個(gè)數(shù)，能夠使制造工序簡(jiǎn)略化。
優(yōu)選設(shè)置多個(gè)所述傳感器基板而構(gòu)成，多個(gè)所述傳感器基板的所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件所透過的波長(zhǎng)各不相同。因?yàn)檠b配多個(gè)與計(jì)測(cè)的光的波長(zhǎng)區(qū)域和光強(qiáng)度的設(shè)想一致的光接收元件，能夠?qū)崿F(xiàn)以一個(gè)小型封裝測(cè)量多個(gè)波長(zhǎng)的光傳感器模塊，所以即便不使移動(dòng)設(shè)備大型化，也能夠搭載多個(gè)波長(zhǎng)的光傳感器功能。
本發(fā)明中，一種光傳感器，其具備按所接收的光量使電流發(fā)生的光接收元件；將所述電流轉(zhuǎn)換成電壓的電路的電阻元件；使期望的波長(zhǎng)的 光透射的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件， 其特征在于，所述光傳感器還具備使形成有所述光接收元件的傳感器構(gòu)件和所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件得以接合的接合層，所述接合層圍繞所述光接收元件、且設(shè)置在所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的外周區(qū)域，并且在所述傳感器構(gòu)件上配置有所述電阻元件。
電路的電阻元件和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件，能夠符合計(jì)測(cè)的波長(zhǎng)和光接收量而適宜選擇。由此，能夠?qū)⒕哂信c光接收元件設(shè)想的電流所對(duì)應(yīng)的電阻值的電阻元件設(shè)于接合區(qū)域，因此能夠?qū)崿F(xiàn)容易適合特定波長(zhǎng)和光接收量的光傳感器。
優(yōu)選所述傳感器構(gòu)件具有以覆蓋所述電阻元件的方式所形成的絕緣膜及金屬膜， 所述金屬膜對(duì)于所述電阻元件進(jìn)行遮光。若是如此，則作為電阻元件能夠使用具有光特性的材料。所謂具有光特性的材料，是指作為電阻元件使用時(shí)若被光照射則電阻發(fā)生變化的。 因?yàn)槟軌虼_實(shí)地以不被光照射的方式進(jìn)行遮光，所以能夠抑制光特性造成的電阻變動(dòng)干擾。
優(yōu)選所述接合層為所述金屬膜。若是如此，則即使電阻元件是具有光特性的材料， 因?yàn)槟軌虼_實(shí)地以不被光照射的方式進(jìn)行遮光，所以能夠抑制因光照射造成的電阻變動(dòng)干擾。
優(yōu)選所述光接收元件和所述電阻元件在所述傳感器構(gòu)件上平面配置地形成，所述傳感器構(gòu)件的至少一部分由半導(dǎo)體材料構(gòu)成，所述光接收元件和所述電阻元件由所述半導(dǎo)體材料形成。由此，能夠由半導(dǎo)體基板的相同的半導(dǎo)體材料將電阻元件和光接收元件匯總起來進(jìn)行制作，能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)性優(yōu)異的光傳感器。
根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)槭闺娮柙屯ㄓ玫碾娐坊褰M合，所以能夠容易地實(shí)現(xiàn)設(shè)想有不同的波長(zhǎng)和光強(qiáng)度的多品種的光傳感器模塊，因?yàn)閷⒃谛纬捎泄饨邮肇＜膫鞲衅鳂?gòu)件上接合有與光接收元件的接收面大小一致的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的傳感器基板、和電路基板，載置在基座上并由遮光性的封裝樹脂包封，所以，能夠?qū)崿F(xiàn)容易適合特定波長(zhǎng)和光接收量的小型封裝的光傳感器模塊。


圖1是表示第一實(shí)施方式的光傳感器模塊的立體圖。
圖2是沿著圖1的I1-1I線切斷的光傳感器模塊的模式剖面圖。
圖3是表示第一實(shí)施方式的光傳感器模塊的傳感器基板的模式剖面圖。
圖4是表示第一實(shí)施方式的光傳感器模塊的電流電壓轉(zhuǎn)換電路的一例的圖。
圖5是表示第二實(shí)施方式的光傳感器模塊的傳感器基板的模式剖面圖。
圖6是表示第三實(shí)施方式的光傳感器模塊的傳感器基板的模式剖面圖。
圖7是表示第四實(shí)施方式的光傳感器模塊的模式剖面圖。
圖8是表示第五實(shí)施方式的光傳感器模塊的立體圖。
圖9是表示第五實(shí)施方式的光傳感器模塊的第二傳感器基板的模式剖面圖。
符號(hào)說明
1、2、3光傳感器模塊
10、11、12、13、14傳感器基板
20、30傳感器 構(gòu)件
21、31光接收元件
21a、31a光接收面
22、32、62 焊盤
26,36接合層
27、37粘接層
28、38金屬膜
29、39絕緣膜
40、50波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件
40a、50a光入射面
41,51光學(xué)基材
42、52波長(zhǎng)選擇濾膜
60電路基板
61放大元件
65，66、67、68電阻元件
69分割電阻
70基座
71配線
72電極
73粘接樹脂
74鍵合線
75封裝樹脂具體實(shí)施方式
以下，運(yùn)用附圖，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式加以詳細(xì)說明。還有，為了易于領(lǐng)會(huì)，附圖中對(duì)尺寸適宜加以變更。
<第一實(shí)施方式>
圖1是表示本實(shí)施方式的光傳感器模塊I的立體圖，圖2是沿著圖1的I1-1I線切斷的模式剖面圖。另外，圖3是表示本實(shí)施方式的傳感器基板10的模式剖面圖。
如圖1和圖2所不，本實(shí)施方式的光傳感器模塊I，是光入射面40a從遮光性的封裝樹脂75露出的構(gòu)造。傳感器基板10和電路基板60由粘接樹脂73配置在基座70上，且由封裝樹脂75包封。內(nèi)置于電路基板60的半導(dǎo)體集成電路，若照射到光，則漏電流增加， 其結(jié)果是，例如產(chǎn)生因電壓下降而導(dǎo)致的誤操作?；?0和封裝樹脂75有遮光性，防止電路基板60因光照射而發(fā)生誤操作。傳感器基板10按照使光入射面40a露出的方式被封裝樹脂75覆蓋，只有透過了光入射面40a的光能夠到達(dá)光接收元件21。光接收元件21設(shè)于傳感器構(gòu)件20的一部分的區(qū)域，在此模式化地表示。光接收元件21，例如是根據(jù)光接收量而發(fā)生光電流的光電二極管。
如圖3所示，傳感器基板10具有如下由光學(xué)基材41和波長(zhǎng)選擇濾膜42構(gòu)成的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40 ;形成有光接收元件21的傳感器構(gòu)件20 ;形成于傳感器構(gòu)件20上的電阻元件65 ;接合層26。接合層26圍繞著在傳感器構(gòu)件20上所形成的光接收元件21， 且設(shè)于波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40的外周區(qū)域，并使波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40和傳感器構(gòu)件20 接合。光接收元件21的光接收面21a與波長(zhǎng)選擇濾膜42對(duì)置，被接合層26在周圍以環(huán)狀包圍。
在形成有接合層26的接合區(qū)域的一部分，設(shè)置有電阻元件65。光接收元件21和電阻元件65，分別經(jīng)由形成于傳感器構(gòu)件20的絕緣層和配線層(未圖示)與多個(gè)焊盤(〃 '7卜'')22連接。如圖2所示，在基座70設(shè)置有配線71，經(jīng)由鍵合線74連接到焊盤22上，與電路基板60和外部電連接。傳感器構(gòu)件20的側(cè)面和接合層26的側(cè)面被遮光性的封裝樹脂75覆蓋。
如圖1和圖2所示，波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40的光入射面40a從遮光性的封裝樹脂 75突出。光學(xué)基材41是石英玻璃等，從光入射面40a入射的光透過光學(xué)基材41，經(jīng)由波長(zhǎng)選擇濾膜42，以只使想要測(cè)量的波長(zhǎng)到達(dá)光接收元件21方式進(jìn)行波長(zhǎng)選擇。例如，只想測(cè)量作為波長(zhǎng)315nm 400nm的紫外線的UV-A和作為波長(zhǎng)280nm 315nm的紫外線的UV-B 時(shí)，則形成使可視光和紅外線截止、并且只透過期望的波長(zhǎng)范圍的波長(zhǎng)選擇濾膜42。屋外的太陽光為光源時(shí)，相比可視光全域的照射光量，因?yàn)閁V-A和UV-B的紫外線量極少，所以，只是進(jìn)行接收的光電二極管構(gòu)造和光接收面積的最佳設(shè)計(jì)，只能得到微弱的光電流。特別是， UV-B 比UV-A對(duì)人體健康的影響度更大，但其光接收量也少，所得到的光電流微乎其微。
圖4是表示實(shí)施方式的光傳感器模塊I的電流電壓轉(zhuǎn)換電路的一例的圖。如圖4所示，光接收元件21經(jīng)由所接收到的光而發(fā)生光電流，光電流流通到電阻元件65，在電阻元件65的兩端產(chǎn)生電壓(電位差)。若是如此，則能夠使光接收元件21的光電流轉(zhuǎn)換成電壓，因此，能夠通過放大元件61的集成電路、即運(yùn)算放大器IC使電壓增幅，使微弱的光電流成為實(shí)用性的電壓(傳感器輸出功率)。由于期望的波長(zhǎng)或測(cè)量的對(duì)象的光強(qiáng)度，導(dǎo)致光電流在數(shù)位數(shù)的范圍發(fā)生變化，因此通用一種運(yùn)算放大器IC或調(diào)節(jié)器IC困難，歷來，多數(shù)情況是針對(duì)各個(gè)光傳感器采用專用的1C。還有，放大元件61等的半導(dǎo)體集成電路、即運(yùn)算放大器IC或調(diào)節(jié)器1C，為了防止因光照射形成的漏電流，需要預(yù)先用陶瓷封裝和遮光性樹脂對(duì)于裸芯片進(jìn)行遮光。
在本實(shí)施方式中，圖4的放大元件61由內(nèi)置于電路基板60的半導(dǎo)體集成電路形成。另一方面，電阻兀件65不內(nèi)置于形成有放大兀件61的電路基板60中，而是與電路基板60分別準(zhǔn)備。如圖2所示，電阻元件65和電路基板60的電連接，經(jīng)由焊盤22、配線71 和鍵合線74進(jìn)行。
通過預(yù)先針對(duì)設(shè)想的光電流的范圍而使電阻元件65最佳化，能夠使電路基板60 通用。即，設(shè)想的光電流大時(shí)形成低電阻的電阻元件65，設(shè)想的光電流小時(shí)形成高電阻的電阻元件65。這時(shí)，使光電流I和電阻元件65的電阻值R的關(guān)系IXR = V達(dá)到同程度而預(yù)先選擇電阻元件65。更具體地說，在設(shè)想光電流I = IuA的UV-B紫外線傳感器中，使電阻元件65的電阻值R= IOkQ，使V= IOmV成為放大元件61的輸入電壓。在本實(shí)施方式中，能夠?qū)⒁环N運(yùn)算放大器IC或調(diào)節(jié)器IC作為電路基板60利用，實(shí)現(xiàn)多品種的光傳感器模塊I。此外，因?yàn)橛烧诠庑缘姆庋b樹脂75覆蓋，所以形成于電路基板60上的放大元件 61等半導(dǎo)體集成電路不會(huì)產(chǎn)生因光照射造成的漏電流。因此，不會(huì)發(fā)生電壓下降導(dǎo)致的誤操作等。
另外，因?yàn)槟軌驅(qū)⒕哂信c光接收元件21的設(shè)想的電流所對(duì)應(yīng)的電阻值的電阻元件65設(shè)于接合區(qū)域，所以能夠?qū)崿F(xiàn)容易適合特定波長(zhǎng)和光接收量的光傳感器。
就圖2和圖3所示的電阻元件65而言，將TaN和Ta-SiO2通過濺射進(jìn)行成膜，通過在成膜區(qū)域以外預(yù)先由抗蝕劑覆蓋的剝離法進(jìn)行圖案形成。可以根據(jù)材料的比電阻和膜厚，使電阻長(zhǎng)和幅最佳化而調(diào)整電阻值。
電阻元件65所起的作用是，作為圖4的負(fù)荷電阻R而發(fā)揮將光電流轉(zhuǎn)換成電壓的功能。另外，除了電壓轉(zhuǎn)換功能的電阻元件65以外，同樣也能夠形成其他的電路功能的電阻。例如，如圖4，在使用設(shè)定電源電壓的中間電位的分割電阻69的電路中，也可以與電阻兀件65同時(shí)形成分割電阻69。
在圖2所示的光傳感器模塊I中，如果裝配波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40不同的傳感器基板10，則能夠提供不同波長(zhǎng)的光傳感器。如果使波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40以外共通，則即使是多品種少量生產(chǎn)，制造工序的大部分也能夠通用化，因此有效率。另外，也可以使電阻元件65符合所設(shè)想的光電流的大小而加以變更，或者變更光接收元件21的光敏度。這種情況下，如果也能夠使電路基板60和基座70等通用而使裝配工序和封裝工序通用化，則與現(xiàn)有分別處理的情況相比，能夠起到充分的效果。
本實(shí)施方式的光傳感器模塊1，能夠以如下方式制造。
就波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40而言，通過利用真空蒸鍍的成膜加工技術(shù)，在厚O. 3mm 的石英玻璃制的光學(xué)基材41上形成波長(zhǎng)選擇濾膜42制作而成。波長(zhǎng)選擇濾膜42例如是將SiO2膜和Ta2O5膜各10層、分別以既定的厚度形成的干涉濾波器，通過改變各自的厚度， 調(diào)整到期望的透過波長(zhǎng)范圍。另外，通過成膜加工技術(shù)和裝配技術(shù)，形成用于接合的定位標(biāo)記和用于單片化的預(yù)設(shè)槽(仮溝)。
另一方面，通過半導(dǎo)體工藝技術(shù)，在以硅為基材的傳感器構(gòu)件20上，形成光接收元件21和焊盤22以及使它們絕緣及連接的絕緣層和配線層(未圖示)。另外，在與光接收元件21稍微分離的平面位置，以濺射和剝離法形成有電阻元件65。
設(shè)置有光接收元件21和焊盤22的傳感器構(gòu)件20的平面尺寸約為O. 5mmX O. 7mm, 高度約O. 3mm。光接收元件21是使用了半導(dǎo)體材料的PN接合的光電二極管。光接收元件21中，其PN接合層形成于距表面的深度2 μ m,光接收面21a的平面尺寸形成為大約 O. 15mmX O. 15mm0
在如此得到的傳感器構(gòu)件20上形成電阻元件65，作為環(huán)狀包圍光接收元件21并且覆蓋電阻元件65的接合層26而涂布粘接材，將傳感器構(gòu)件20和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40 粘接接合。它們能夠以直徑50mm 200mm的所謂晶片狀態(tài)匯總在一起，若是如此，則能夠在I枚晶片上形成多個(gè)傳感器基板10。在進(jìn)行了將波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40切斷成單片大小的劃片工序后，再進(jìn)行使傳感器構(gòu)件20單片化的劃片工序，由此得到有焊盤22露出的傳感器基板10。從背面至光入射面40a的高度約O. 6mm。還有，也可以在晶片狀態(tài)時(shí)切削背面，預(yù)先使之更薄。
另一方面，作為基座70，使用在環(huán)氧樹脂上形成有金屬配線的印刷線路板(PWB)。 以非透光性的兩面配線基板或多層配線基板，通過連接層間的貫通孔等，使表面?zhèn)鹊呐渚€ 71和背面?zhèn)鹊呐渚€71 (電極72)得以連接。
在印刷線路板的基座70上，分別由粘接樹脂73固定電路基板60和傳感器基板 10。電路基板60的焊盤62和傳感器基板10的焊盤22由基座70的配線71和鍵合線74 連接后，以覆蓋電路基板60和傳感器基板10的方式，形成由黑色環(huán)氧樹脂構(gòu)成的封裝樹脂 75。這時(shí)，為了使光入射面40a從封裝樹脂75露出，將用于填充封裝樹脂75的模具與波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40的光入射面40a抵接。如此，得到光入射面40a從遮光性的封裝樹脂75 突出的光傳感器模塊I。在該封裝工序中，也可以預(yù)先一并形成多個(gè)光傳感器模塊I之后， 再通過劃片使之單片化。
還有，作為基座70，也可以使用低溫共燒陶瓷(LTCC)和引線框代替印刷線路板 (PWB)。使用金屬制的引線框時(shí)，可以使引線從背面突出，也可以從側(cè)面突出。
另外，除了在印刷線路板的基座70上配置電路基板60和傳感器基板10以外，也可以在印刷線路板的基座70上粘接固定電路基板60,在該電路基板60上粘接固定傳感器基板10。若是如此，雖然整體的高度增加，但與平面配置的情況相比，能夠小型化。
就波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40而言，包含接合區(qū)域在內(nèi)的平面尺寸約O. 5mmX O. 5mm。 作為光學(xué)基材41，在紫外線傳感器的情況下，優(yōu)選紫外線的吸收損失少的石英玻璃。另外， 因?yàn)閹缀鯖]有因紫外線的照射造成光劣化，所以與透明樹脂相比，耐久性更優(yōu)異。
還有，不限于本實(shí)施方式的材料，例如在長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅外線傳感器的情況下，也可以使用硅晶片替代石英玻璃。紅外線的透射率，根據(jù)波長(zhǎng)而硅晶 片一方比石英玻璃更優(yōu)異，因此能夠減少損失。
此外，優(yōu)選波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40在光學(xué)基材41上層疊波長(zhǎng)選擇濾膜42而成，波長(zhǎng)選擇濾膜42與傳感器構(gòu)件20對(duì)置。由此，因?yàn)槲赐高^波長(zhǎng)選擇濾膜42的光沒有入射路徑，所以能夠防止因雜散光造成的測(cè)量干擾。
波長(zhǎng)選擇濾膜42也可以形成于光學(xué)基材41的兩面?；蛘撸ㄩL(zhǎng)選擇濾膜42也可以是使紫外線或紅外線透射的波長(zhǎng)濾波器，也可以在光入射面40a輔助性地形成遮蔽可視光的波長(zhǎng)濾波器。這一方法能夠更確實(shí)地抑制雜散光。
傳感器構(gòu)件20是由半導(dǎo)體工藝技術(shù)加工的硅晶片。作為傳感器構(gòu)件20，紫外線傳感器的情況下，優(yōu)選使用SOI (絕緣娃Silicon On Insulator)基板。若使SOI基板的活性層達(dá)到紫外線的吸收膜厚程度，例如4 μ m，則能夠得到高靈敏度的紫外線傳感器。
作為傳感器構(gòu)件20，也可以在玻璃基板和陶瓷基板等的絕緣性基板上成膜半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體材料中，能夠使用非晶硅膜、ZnO膜、GaN膜等。還有，光接收元件21除了使光電流發(fā)生的元件(光電二極管、太陽能電池等)以外，也可以是電阻變化型的元件。在使用了電阻變化型的元件的電路中，外加偏壓而在電阻變化型的元件上流通電流，通過電阻元件65對(duì)于光照射時(shí)的電流的變化進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換即可。此外，若電阻變化型的元件和電阻元件65采用分別各使用2個(gè)的橋式電路、且以橋式電阻的中間電位在光照射時(shí)發(fā)生變化的方式構(gòu)成，則能夠更高精度地進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換。
電流電壓轉(zhuǎn)換電路不限于使用了圖4的運(yùn)算放大器的儀表放大電路方式，只要是能夠通過電阻值的變更來調(diào)整電壓的方式即可。另外，也可以附加將輸出功率轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的電路。如果是數(shù)字輸出電路，則容易進(jìn)行移動(dòng)設(shè)備的控制電路中的信號(hào)處理。
作為封裝材料使用遮光性的樹脂，在具有光特性的半導(dǎo)體集成電路的包封封裝上是通常的做法。但是，已知樹脂材料在紫外線等的光下其劣化進(jìn)行。在現(xiàn)有的光傳感器中存在的情況是，使用透明樹脂以覆蓋光接收面的方式進(jìn)行包封，但容易因光劣化的樹脂材料會(huì)曝露在光下的使用方法未必優(yōu)選。特別是在屋外使用的光傳感器，例如即使是紅外線傳感器，因?yàn)橐矔?huì)曝露在可視光和紫外線下，所以因光易于劣化的樹脂材料不應(yīng)該用于光接收面。
在本實(shí)施方式中，因?yàn)楣馊肷涞焦馊肷涿?0a即可，所以如果將遮光性的封裝樹脂75隱藏在移動(dòng)設(shè)備等的框體內(nèi)部，則直接曝露在光下的材料只有波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件 40。因此，不必?fù)?dān)心封裝樹脂75因紫外線而發(fā)生光劣化，長(zhǎng)期可靠性優(yōu)異，特別適合于紫外線傳感器。另外，因?yàn)槲赐高^波長(zhǎng)選擇濾膜42光沒有入射路徑，所以能夠防止因雜散光造成的測(cè)量干擾。
還有，只要光入射面40a從遮光性的封裝樹脂75露出，則也可以相對(duì)于封裝樹脂 75表面平坦或成為凹部。但是，波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40的側(cè)面被部分性地由封裝樹脂75 覆蓋，光入射面40a從遮光性的封裝樹脂75突出的方法，容易將光入射面40a以外隱藏在移動(dòng)設(shè)備的框體的內(nèi)部。此外突出的光入射面40a也可以加工成凸透鏡和衍射透鏡等的光學(xué)形狀。若是如果，能夠校正光接收角度和光接收方向等的光學(xué)特性。
電路的電阻元件65和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40，能夠符合計(jì)測(cè)的波長(zhǎng)和光接收量而適宜選擇。電阻元件65沒有內(nèi)置在形成有放大元件61的電路基板60中、而是與電路基板60分開準(zhǔn)備。由此，通過使專用設(shè)計(jì)的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40和電阻元件65與通用的電路基板60組合，能夠容易地實(shí)現(xiàn)設(shè)想有不同波長(zhǎng)和光強(qiáng)度的多品種的光傳感器模塊I。
在本實(shí)施方式中，電阻兀件65形成于傳感器構(gòu)件20。因?yàn)槟軌驅(qū)㈦娮柝＜?5在傳感器構(gòu)件20上與光接收元件21 —起配置，所以能夠削減光傳感器模塊I的部件個(gè)數(shù)，能夠使制造工序簡(jiǎn)略化。
此外，因?yàn)閷㈦娐坊?0、和接合有與光接收元件21的光接收面大小一致的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40的傳感器基板10，載置于基座70且由遮光性的封裝樹脂75 —體地包封，所以與對(duì)于模塊基板的裝配部件個(gè)別進(jìn)行樹脂包封相比，能夠得到小型封裝的光傳感器模塊I。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)適合特定波長(zhǎng)和光接收量的小型封裝的光傳感器模塊I。
〈第二實(shí)施方式〉
圖5是表不第二實(shí)施方式的光傳感器模塊I的傳感器基板11的模式剖面圖。以覆蓋電阻元件66的方式，在包圍光接收元件21的接合區(qū)域形成有絕緣膜29，金屬膜28層疊形成于絕緣膜29上。絕緣膜29的材料為Si02、Si3N4,金屬膜28能夠從Al、Ta、Cr之中選擇。從光入射面40a看，金屬膜28覆蓋電阻元件66，以使入射的光不會(huì)照射到電阻元件 66。電阻元件66和金屬膜28被絕緣膜29絕緣。以覆蓋金屬膜28和絕緣膜29的方式，涂布粘接材作為接合層26。其以外的構(gòu)成均與第一實(shí)施方式同樣，使用相同的符號(hào)。
若是如此，則作為電阻元件66能夠使用具有光特性的材料。所謂具有光特性的材料，是指作為電阻元件66使用時(shí)若被光照射則電阻發(fā)生變化。例如，能夠以制造光接收元件21的光電二極管的半導(dǎo)體工藝技術(shù)同時(shí)形成電阻兀件66。以構(gòu)成光電二極管的半導(dǎo)體材料形成電阻元件66時(shí)，產(chǎn)生因光照射而電阻值變動(dòng)的問題。在本實(shí)施方式中，即使電阻元件66是具有光特性的材料，因?yàn)槟軌虼_實(shí)地以金屬膜28遮光而無法受到光照射，所以能夠抑制因光特性造成的電阻變動(dòng)干擾。
光接收元件21和電阻元件66，在傳感器構(gòu)件20平面配置而形成。如果將電阻元件66通過半導(dǎo)體材料形成在傳感器構(gòu)件20上，則能夠通過接合層26將形成有電阻元件66 的傳感器構(gòu)件20和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40以晶片級(jí)接合，并且能夠?qū)崿F(xiàn)內(nèi)置有電阻元件 66的傳感器基板11。因此，能夠得到小型封裝的光傳感器模塊I。
相對(duì)于電阻元件66的平面尺寸，金屬膜28形成得大出一圈，能夠確實(shí)地進(jìn)行遮光。例如，絕緣膜29的厚度O. 8 μ m，電阻元件66的平面尺寸為76 μ mX 3 μ m，相對(duì)于此，使金屬膜28的尺寸為120μπιΧ40μπι。還有，也可以在接合區(qū)域覆蓋金屬膜28。這種情況下， 作為接合層26涂布粘接材料，粘接金屬膜28和波長(zhǎng)選擇濾膜42。
電阻元件66能夠以制造光電二極管的半導(dǎo)體工藝技術(shù)同時(shí)。另外，也可以通過濺射和等離子體CVD等的成膜加工技術(shù)形成。
金屬膜28能夠使用Al和Cr。以濺射和真空蒸鍍等的成膜加工技術(shù)形成即可。為了確實(shí)地進(jìn)行遮光，例如，使用Cr時(shí)優(yōu)選以O(shè). 2μπι以上的厚度形成。另外，優(yōu)選以例如達(dá)到通用電位的方式預(yù)先電連接金屬膜28。
〈第三實(shí)施方式〉
圖6是表示第三實(shí)施方式的光傳感器模塊I的傳感器基板12的模式剖面圖。與第二實(shí)施方式同樣，以覆蓋電阻元件66的方式，在包圍光接收元件21的接合區(qū)域形成絕緣膜29。在本實(shí)施方式中，在接合區(qū)域覆蓋金屬膜28，金屬膜28兼任接合層26。其以外的構(gòu)成均與第一實(shí)施方式同樣，使用相同的符號(hào)。
為了使金屬膜28兼任接合層26，在絕緣膜29上層疊形成第一金屬膜，另一方面， 在波長(zhǎng)選擇濾膜42的接合區(qū)域也預(yù)先形成第二金屬膜。通過使第一金屬膜和第二金屬膜接合的金屬接合，能夠形成接合層26。
金屬接合能夠從招和鍺、招和鋅、招和鎂、金和金、金和娃、金和銦、金和鍺、金和錫的組合之中選擇。第一金屬膜和第二金屬膜由濺射和真空蒸鍍等成膜加工技術(shù)形成即可。
若是如此，即使電阻元件66是具有光特性的材料，因?yàn)槟軌虼_實(shí)地進(jìn)行遮光而不被光照射，所以能夠抑制因光特性造成的電阻變動(dòng)干擾。此外，因?yàn)榻雍蠈?6是金屬接合， 所以能夠使接合堅(jiān)固，氣密性優(yōu)異。因此，即使在高濕度等環(huán)境下長(zhǎng)期使用，也能夠保持光接收元件21使之不會(huì)劣化。
〈第四實(shí)施方式〉
圖7表示第四實(shí)施方式的光傳感器模塊2的模式剖面圖。與第一實(shí)施方式 第三實(shí)施方式不同，電阻元件67裝配在基座70上。隨之而來的，是配線71和傳感器基板13的焊盤22及鍵合線74發(fā)生圖案變更，但其以外的構(gòu)成與第一實(shí)施方式 第三實(shí)施方式同樣， 對(duì)相同的材料使用相同的符號(hào)。
就傳感器基板13而言，能夠遍及接合波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40的面整體，涂布粘接劑而作為接合層26。若是如此，接合層26的形成單純，因?yàn)榻?jīng)由波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40，所以幾乎不用擔(dān)心粘接劑的光劣化。還有，優(yōu)選在傳感器基板13的光接收元件21上預(yù)設(shè)保護(hù)膜。或者，傳感器基板13也能夠如其他的實(shí)施方式中詳述的，涂布覆蓋包圍光接收元件 21的接合區(qū)域的粘接剤而作為接合層26。另外，也可以在包圍光接收元件21的接合區(qū)域， 層疊絕緣膜和第一金屬膜，在波長(zhǎng)選擇濾膜42的接合區(qū)域也形成第二金屬膜，通過第一金屬膜和第二金屬膜的金屬接合，形成接合層26。特別是由于接合層26的光吸收導(dǎo)致光接收元件21的光接收量減少時(shí)，優(yōu)選在包圍光接收元件21的接合區(qū)域形成接合層26。若是如此，則作為光傳感器的靈敏度優(yōu)異。
在本實(shí)施方式中，雖然部件個(gè)數(shù)增加，但裝配在基座70上的電阻元件67，能夠使用被稱為芯片電阻的小型的批量產(chǎn)品，所以作為電阻的性能優(yōu)異。另外，能夠通過回流等一般的裝配方法，將芯片電阻電連接到配線71上?；蛘撸部梢酝ㄟ^前述這樣的成膜加工技術(shù)，將電阻元件67直接形成于基座70上來替代裝配。這種情況下，裝配工序的部件個(gè)數(shù)不增加。
在圖7所示的光傳感器模塊2中，如果配裝波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40不同的傳感器基板13，則能夠提供不同波長(zhǎng)的光傳感器。如果使波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40以外共通，則即使多品種少量生產(chǎn)，制造工序的大部分也能夠通用化，因此有效率。另外，也可以變更符合設(shè)想的光電流的大小的電阻元件67的電阻值，或者變更光接收元件21的光敏度。這種情況下，如果使電路基板60和基座70等通用，使裝配工序和封裝工序通用化，則與現(xiàn)有分別處理的情況相比，能夠起到充分的效果。
在本實(shí)施方式中，因?yàn)橐彩枪馊肷涞焦馊肷涿?0a即可，所以如果將遮光性的封裝樹脂75隱藏到移動(dòng)設(shè)備等的框體內(nèi)部，則直接曝露在光下的材料只有波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40的光學(xué)基材41。因此，不用擔(dān)心封裝樹脂75因紫外線而發(fā)生光劣化，長(zhǎng)期可靠性優(yōu)異。另外，因?yàn)槲赐高^波長(zhǎng)選擇濾膜42光沒有入射路徑，所以能夠防止因雜散光造成的測(cè)量干擾。
還有，只要光入射面40a從遮光性的封裝樹脂75露出，即使平坦或成為凹部，只要不妨礙光的入射即可。但是，光入射面40a從遮光性的封裝樹脂75突出的方法，容易將光入射面40a以外隱藏到移動(dòng)設(shè)備的框體的內(nèi)部。電路的電阻元件67和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40，能夠符合計(jì)測(cè)的波長(zhǎng)和光接收量而適宜選擇。電阻元件67不是被集成在形成有放大元件61的電路基板60上、而是以單體準(zhǔn)備的。由此，通過使光接收元件21和封裝材料盡可能通用化，且使專用設(shè)計(jì)的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40及電阻元件67與通用的電路基板60組合，能夠容易地實(shí)現(xiàn)設(shè)想有不同波長(zhǎng)和光強(qiáng)度的多品種的光傳感器模塊2。
此外，因?yàn)閷㈦娐坊?0、和接合有與光接收元件21的光接收面21a大小一致的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40的傳感器基板13，載置于基座70且由遮光性的封裝樹脂75 —體地包封，所以能夠得到小型封裝的光傳感器模塊2。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)適合特定波長(zhǎng)和光接收量的小型封裝的光傳感器模塊2。
〈第五實(shí)施方式〉
圖8是表示第五實(shí)施方式的光傳感器模塊3的立體圖。與第一實(shí)施方式不同，其具有第二光入射面50a,未圖不的第二傳感器基板14按照使第二光入射面50a露出的方式被封裝樹脂75覆蓋。
圖9是表示第五實(shí)施方式的光傳感器模塊3的第二傳感器基板14的模式剖面圖。 第一傳感器基板例如是在第一實(shí)施方式中詳述的傳感器基板10。第一傳感器基板10和第二傳感器基板14，在波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件40、50各自透過的波長(zhǎng)上有所不同。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)以一個(gè)小型封裝測(cè)量多個(gè)波長(zhǎng)的光傳感器模塊3。
例如，作為紫外線傳感器，能夠?qū)崿F(xiàn)測(cè)量UV-A和UV-B各自的強(qiáng)度的對(duì)應(yīng)多個(gè)波長(zhǎng)的光傳感器模塊。這種情況下，形成有透射UV-A的波長(zhǎng)選擇濾膜42的光學(xué)基材41就構(gòu)成第一傳感器基板10,形成有透射UV-B的波長(zhǎng)選擇濾膜52的光學(xué)基材51就構(gòu)成第二傳感器基板14。相對(duì)于UV-A，UV-B的光電流能夠以25比I左右的強(qiáng)度比獲得，因此如果使電阻元件65和電阻元件68的電阻值成為相反的比率I比25，則使用相同的電路基板60能夠得到被校正為同樣大小的電壓的輸出功率。
作為電路基板60也可以將2個(gè)搭載在一個(gè)封裝內(nèi)，但優(yōu)選如在I個(gè)增幅電路上具有輸入端子的切換電路的電路基板、多個(gè)增幅電路并聯(lián)配置的電路基板等這樣，只搭載一個(gè)電路基板60。
第一傳感器基板10和第二傳感器基板14,能夠成為最適合各自的特定波長(zhǎng)和光接收量的構(gòu)成。例如，能夠成為以下紫外線傳感器，其中，作為第一傳感器基板10，將在石英玻璃的光學(xué)基材41上形成有透射紫外線波長(zhǎng)的波長(zhǎng)選擇濾膜42的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件 40、和在SOI基板上形成有電阻兀件65和作為光接收兀件21的光電二極管的傳感器構(gòu)件 20，用粘接材料構(gòu)成的接合層26加以接合。另一方面，能夠成為以下的紅外線傳感器，其中，作為第二傳感器基板14，將在通常的光學(xué)玻璃的光學(xué)基材51上形成有透射可視光的波長(zhǎng)之波長(zhǎng)選擇濾膜52的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件50、和在硅基板上形成有電阻元件68和作為光接收元件21的光電二極管的傳感器構(gòu)件30，用金屬接合構(gòu)成的接合層26加以接合。如此，即使第一傳感器基板10和第二傳感器基板14以不同的材料構(gòu)成時(shí)，也能夠使光傳感器模塊3小型化。同樣，能夠使對(duì)應(yīng)3個(gè)以上多種波長(zhǎng)的光傳感器模塊小型化。
權(quán)利要求
1.一種光傳感器模塊，其具備按所接收到的光量使電流發(fā)生的光接收元件；將所述電流轉(zhuǎn)換成電壓的電路的電阻元件和放大元件；使從光入射面入射的期望的波長(zhǎng)的光透射的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件，其特征在于，所述光傳感器模塊還具有 形成有所述放大元件的電路基板； 對(duì)于所述電路基板進(jìn)行遮光的封裝樹脂； 使形成有所述光接收元件的傳感器構(gòu)件、和所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件得以接合的傳感器基板； 載置有所述電路基板和所述傳感器基板，并且設(shè)置有與所述電路基板和所述光接收元件及所述電阻元件相連接的配線的基座， 所述封裝樹脂按照使所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的所述光入射面露出的方式覆蓋所述基座。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器模塊，其特征在于，所述傳感器基板的所述傳感器構(gòu)件的側(cè)面被所述封裝樹脂覆蓋，所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的側(cè)面被部分地由所述封裝樹脂覆蓋，所述光入射面從所述封裝樹脂突出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光傳感器模塊，其特征在于，所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件通過在光學(xué)基材上層疊波長(zhǎng)選擇濾膜而成，所述波長(zhǎng)選擇濾膜與所述光接收元件對(duì)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的光傳感器模塊，其特征在于，所述電阻元件形成于所述傳感器構(gòu)件上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的光傳感器模塊,其特征在于,還具有使所述傳感器構(gòu)件和所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件接合的接合層，所述接合層圍繞所述光接收元件、且設(shè)置在所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的外周區(qū)域，并且，所述電阻元件形成在所述傳感器構(gòu)件上、且被所述接合層覆蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的光傳感器模塊,其特征在于，所述傳感器構(gòu)件具有以覆蓋所述電阻元件的方式所形成的絕緣膜和金屬膜，所述金屬膜對(duì)于所述電阻元件進(jìn)行遮光。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光傳感器模塊，其特征在于，所述接合層是所述金屬膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的光傳感器模塊，其特征在于，所述光接收元件和所述電阻元件在所述傳感器構(gòu)件上平面配置地形成，所述傳感器構(gòu)件的至少一部分由半導(dǎo)體材料構(gòu)成，所述電阻元件由所述半導(dǎo)體材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的光傳感器模塊,其特征在于,設(shè)置有多個(gè)所述傳感器基板而構(gòu)成，多個(gè)所述傳感器基板中的所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件所透過的波長(zhǎng)各不相同。
10.一種光傳感器，其具備按所接收到的光量使電流發(fā)生的光接收元件；將所述電流轉(zhuǎn)換成電壓的電路的電阻元件；使期望的波長(zhǎng)的光透射的波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件，其特征在于，所述光傳感器還具有使形成有所述光接收元件的傳感器構(gòu)件和所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件得以接合的接合層，并且，所述接合層包圍所述光接收元件、且設(shè)置在所述波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件的外周區(qū)域，在所述傳感器構(gòu)件上配置有所述電阻元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光傳感器，其特征在于，所述傳感器構(gòu)件具有以覆蓋所述電阻元件的方式所形成的絕緣膜和金屬膜，所述金屬膜對(duì)于所述電阻元件進(jìn)行遮光。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光傳感器，其特征在于，所述接合層是所述金屬膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求10 12中任一項(xiàng)所述的光傳感器，其特征在于，所述光接收元件和所述電阻元件在所述傳感器構(gòu)件上平面配置地形成，所述傳感器構(gòu)件的至少一部分由半導(dǎo)體材料構(gòu)成，所述光接收元件和所述電阻元件由所述半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種適合于波長(zhǎng)和光接收量的小型封裝的光傳感器模塊及光傳感器。其中，具備光接收元件(21)、電阻元件(65)、放大元件(61)、波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件(40)的光傳感器模塊(1)，其特征在于，還具有形成有放大元件(61)的電路基板(60)；對(duì)于電路基板(60)進(jìn)行遮光的封裝樹脂(75)；使形成有光接收元件(21)的傳感器構(gòu)件(20)和波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件(40)得以接合的傳感器基板(10)；設(shè)置有與電路基板(60)和光接收元件(21)及電阻元件(65)相連接的配線(71)的基座(70)，并且，封裝樹脂(75)按照使波長(zhǎng)選擇濾波器構(gòu)件(40)的光入射面(40a)露出的方式覆蓋基座(70)。
文檔編號(hào)H01L27/146GK103035658SQ201210308698
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月3日
發(fā)明者和賀聰, 早川康男, 平山元輝 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社