專利名稱：一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽能電池制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置。
背景技術(shù)：
近年來，環(huán)境和能源逐漸成為二十一世紀(jì)的主要課題，隨著石油等化石燃料的逐漸減少以及環(huán)境污染給地球帶來的巨大破壞，能源問題日益成為制約國際社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸。太陽能光伏在不遠(yuǎn)的將來將成為世界能源供應(yīng)的主體，預(yù)計(jì)到2040年，可再生能源將占全球能源總消耗的50%以上，太陽能光伏發(fā)電將占總電カ的20%以上；到21世紀(jì)末，可再生能源在全球能源結(jié)構(gòu)中將占到80%以上，太陽能發(fā)電將占到60%以上。 目前，常規(guī)太陽能電池的鈍化和減反主要是通過沉積氮化硅薄膜來實(shí)現(xiàn)的。在硅片表面沉積ー層折射率為2. 0-2. I的氮化硅薄膜，伴隨著H離子的注入，懸掛鍵的飽和，實(shí)現(xiàn)硅片的鈍化；同時這層氮化硅薄膜厚度為80nm，通過干涉特性，有效的實(shí)現(xiàn)硅片表面反射率的降低。但是，由于氮化硅薄膜中存在大量的表面電荷，界面處的隧道效應(yīng)和捕獲效應(yīng)，使Si3N4-Si結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出表面特性的滯后現(xiàn)象及電荷的不穩(wěn)定性。ニ氧化硅薄膜依賴其優(yōu)良的電學(xué)性能及其與硅之間良好的界面性質(zhì)廣泛的應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，相信在不久的將來也將取代現(xiàn)有的氮化硅薄膜廣泛應(yīng)用于太陽能電池領(lǐng)域。ニ氧化娃薄膜的制備方法有熱氧氧化法；低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD, Low PressureChemical Vapor Deposition);等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD, Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition);電子回旋振蕩化學(xué)氣相沉積(ECRCVD, Electron CyclotronResonance Chemical Vapor Deposition),磁控派射等。以上設(shè)備都需要高額的設(shè)備費(fèi)用和維護(hù)費(fèi)用。熱氧氧化法雖然成膜質(zhì)量非常好，有較好的鈍化效果，但是氧化過程中需要非常高的溫度(>850°C )和非常長的時間；氣相沉積和磁控濺射生長ニ氧化硅薄膜的過程中會引入等離子體轟擊硅片表面產(chǎn)生的缺陷和損傷，降低薄膜的鈍化效果。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有ニ氧化硅薄膜生長過程中缺陷的引入和生產(chǎn)成本過高等問題，本發(fā)明提供了一種低成本、無損傷ニ氧化硅薄膜的沉積的太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置。為達(dá)到發(fā)明目的本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于包括補(bǔ)液系統(tǒng)、沉積系統(tǒng)，所述補(bǔ)液系統(tǒng)包括放置反應(yīng)溶液的補(bǔ)液腔體，所述補(bǔ)液腔體內(nèi)的底部安裝有將反應(yīng)溶液加熱到反應(yīng)溫度的第一加熱裝置，其上部安裝有實(shí)時監(jiān)測補(bǔ)液系統(tǒng)溫度的第一在線溫度監(jiān)測裝置，所述補(bǔ)液腔體上設(shè)有將液體輸送至沉積系統(tǒng)的液體輸出管道，其內(nèi)在液體輸出管道的上方設(shè)有過濾裝置，所述液體輸出管道上安裝有控制定量傳輸反應(yīng)溶液的液體流量計(jì)；
所述沉積系統(tǒng)包括沉積反應(yīng)腔體，所述沉積反應(yīng)腔體的底部安裝有將反應(yīng)溶液加熱到反應(yīng)溫度的第二加熱裝置、向沉積反應(yīng)腔體內(nèi)間隔時間輸送高純氮?dú)夂涂刂品磻?yīng)溶液均勻性的鼓泡裝置、控制反應(yīng)時間的時間控制器以及控制溶液均勻性的循環(huán)裝置，所述沉積反應(yīng)腔體內(nèi)安裝有將硅片固定在沉積反應(yīng)腔體內(nèi)的真空吸附裝置，其上方安裝有實(shí)時監(jiān)測沉積系統(tǒng)溫度的第二在線溫度監(jiān)測裝置及模擬太陽光照射在PN結(jié)表面并在沉積反應(yīng)腔體內(nèi)形成內(nèi)建電場的光照系統(tǒng)。進(jìn)ー步，所述光照系統(tǒng)包括輸出恒定穩(wěn)定光強(qiáng)的太陽光模擬裝置和維持太陽光模擬裝置處于恒溫狀態(tài)的風(fēng)冷裝置，所述太陽光模擬裝置包括點(diǎn)燃時輻射出穩(wěn)定強(qiáng)烈連續(xù)光譜的穩(wěn)態(tài)氙燈、穩(wěn)壓電源和控制光譜輻照度分布與標(biāo)準(zhǔn)光譜輻照度分布匹配的匹配器。進(jìn)一歩，所述沉積系統(tǒng)的沉積反應(yīng)腔體上方連接有在線溶液檢測裝置，所述在線溶液檢測裝置包括實(shí)時測量和監(jiān)控沉積反應(yīng)腔體內(nèi)反應(yīng)液體濃度的液體濃度測試儀，以及將反應(yīng)溶液從沉積反應(yīng)腔體在線引入到液體濃度測試儀的在線管路裝置。進(jìn)一歩，所述沉積系統(tǒng)還配設(shè)有在線膜厚檢測裝置，所述在線膜厚檢測裝置包括在線測試硅片上生成的ニ氧化硅薄膜厚度的膜厚測試系統(tǒng)和將待測硅片傳遞至待測區(qū)域的傳遞裝置，所述膜厚測試系統(tǒng)為單波長激光橢偏儀，包括激光器、承載樣片的載物臺和自準(zhǔn)直顯微鏡，所述傳遞裝置為鏈?zhǔn)捷斔蜋C(jī)。進(jìn)ー步，第一加熱裝置和第二加熱裝置均由控制加熱溫度的溫度控制器和加熱腔體內(nèi)液體用的交變電源和電熱絲組成。進(jìn)ー步，所述過濾裝置是二次過濾裝置，其由進(jìn)行初步過濾的濾紙和進(jìn)行二次過濾的濾網(wǎng)組成。進(jìn)ー步，所述鼓泡裝置輸送高純氮?dú)獾拈g隔時間是可調(diào)的，所述高純氮?dú)饧兌葹?9. 999%。進(jìn)ー步，所述循環(huán)裝置由循環(huán)泵和管路系統(tǒng)組成。進(jìn)ー步，所述真空吸附裝置包括沉積平臺，所述沉積平臺內(nèi)安裝有將硅片吸附在所述沉積平臺上的負(fù)壓風(fēng)機(jī)。本發(fā)明的補(bǔ)液步驟如下向補(bǔ)液系統(tǒng)中加入反應(yīng)溶液，反應(yīng)溶液經(jīng)過過濾裝置的濾紙的初步過濾，再經(jīng)過過濾網(wǎng)的二次過濾，純度大于99. 99%，經(jīng)過第一加熱裝置加熱到反應(yīng)溫度，最后經(jīng)過液體流量計(jì)被定量的傳輸?shù)匠练e系統(tǒng)的沉積反應(yīng)腔體中，整個過程中通過第一在線溫度監(jiān)測裝置監(jiān)測，嚴(yán)格保證反應(yīng)溫度。光照步驟如下太陽光模擬裝置通過穩(wěn)壓電源和匹配器，短弧球形氙燈被點(diǎn)燃，輻射出穩(wěn)定強(qiáng)烈連續(xù)光譜，能量密度高，可調(diào)節(jié)光強(qiáng)范圍80-300mW/cm2。風(fēng)冷裝置維持太陽光模擬裝置處于恒溫狀態(tài)，避免溫度過高造成的設(shè)備損壞。 沉積步驟如下在光照的環(huán)境下，通過第二加熱裝置和第二在線溫度控制裝置精確控制反應(yīng)溫度，通過時間控制器精確控制反應(yīng)時間，通過鼓泡裝置和循環(huán)裝置精確控制反應(yīng)溶液均勻性，在硅片上沉積高質(zhì)量ニ氧化硅薄膜。在線膜厚檢測步驟如下通過傳遞裝置將待測硅片穩(wěn)定準(zhǔn)確的傳遞至待測區(qū)域，通過單波長激光橢偏儀，進(jìn)行在線檢測。在線溶液檢測步驟如下通過在線管路裝置將反應(yīng)溶液在線的導(dǎo)入到液體濃度測試儀中，通過在線測試反應(yīng)溶液比重值，計(jì)算反應(yīng)溶液的濃度，完成液體濃度測量與監(jiān)控。本發(fā)明的補(bǔ)液系統(tǒng)有兩個的作用，ー個作用是向沉積系統(tǒng)中添加反應(yīng)溶液，另一個作用是補(bǔ)充在反應(yīng)過程中溶液的損耗，所以補(bǔ)液系統(tǒng)中的反應(yīng)溶液的溫度和純度必須被嚴(yán)格控制。補(bǔ)液系統(tǒng)中的過濾裝置能夠嚴(yán)格保證反應(yīng)溶液的純度，第一加熱裝置和第一在線溫度監(jiān)測裝置能夠嚴(yán)格保證沉積過程的反應(yīng)溫度，從而提高ニ氧化硅薄膜的成膜質(zhì)量，液體流量計(jì)的定量傳輸能夠有效的實(shí)現(xiàn)光致化學(xué)沉積裝置的重復(fù)性，實(shí)現(xiàn)エ業(yè)化持續(xù)生產(chǎn)。所述光照系統(tǒng)恒定穩(wěn)定的光強(qiáng)度輸出是本發(fā)明的核心環(huán)節(jié)，模擬太陽光照射在PN結(jié)表面，形成內(nèi)建電場，在自建電場的作用下實(shí)現(xiàn)光學(xué)薄膜的沉積，它直接決定ニ氧化娃薄膜的沉積速度和成膜質(zhì)量。所述沉積系統(tǒng)的鼓泡裝置在可調(diào)時間間 隔內(nèi)向反應(yīng)腔室通入高純氮?dú)?，高純氮?dú)饧兌葹?9. 999% (O2 < O. 001% )，在避免引入雜質(zhì)，污染反應(yīng)溶液的前提下提高反應(yīng)溶液的均勻性。真空吸附裝置的負(fù)壓風(fēng)機(jī)提供負(fù)壓使硅片吸附在沉積平臺上，避免硅片的移動所導(dǎo)致的碎片和薄膜沉積的不均勻。所述在線膜厚檢測裝置的傳遞裝置為鏈?zhǔn)捷斔蜋C(jī)，可精確傳送至目標(biāo)位置，誤差O. 1mm。激光器是波長為632. Snm的氦氖激光器，先進(jìn)的低噪聲探測技術(shù)，保證了高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度，所述載物臺可以承載樣片進(jìn)行在線測試，自準(zhǔn)直顯微鏡有效提高了樣品定位精度，節(jié)省了測試時間。本發(fā)明的有益效果可用于低成本，無損傷ニ氧化硅薄膜的沉積；有效地降低太陽能電池的制作成本，避免了氣相沉積帶來的轟擊損傷，提升太陽能電池鈍化效果，最終提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率。


圖I為本發(fā)明的模塊示意圖。圖2為本發(fā)明的補(bǔ)液系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明的光照系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明的沉積系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本發(fā)明的在線膜厚檢測裝置結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本發(fā)明的在線溶液檢測裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例來對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)ー步說明，但并不將本發(fā)明局限于這些具體實(shí)施方式
。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明涵蓋了權(quán)利要求書范圍內(nèi)所可能包括的所有備選方案、改進(jìn)方案和等效方案。參照圖1-6，一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，包括補(bǔ)液系統(tǒng)I、沉積系統(tǒng)3，所述補(bǔ)液系統(tǒng)I包括放置反應(yīng)溶液的補(bǔ)液腔體22,所述補(bǔ)液腔體22內(nèi)的底部安裝有將反應(yīng)溶液加熱到反應(yīng)溫度的第一加熱裝置9，其上部安裝有實(shí)時監(jiān)測補(bǔ)液系統(tǒng)溫度的第一在線溫度監(jiān)測裝置6，所述補(bǔ)液腔體22上設(shè)有將液體輸送至沉積系統(tǒng)3的液體輸出管道23，其內(nèi)在液體輸出管道23的上方設(shè)有過濾裝置7，所述液體輸出管道23上安裝有控制定量傳輸反應(yīng)溶液的液體流量計(jì)8 ；
所述沉積系統(tǒng)3包括沉積反應(yīng)腔體24，所述沉積反應(yīng)腔體24的底部安裝有將反應(yīng)溶液加熱到反應(yīng)溫度的第二加熱裝置14、向沉積反應(yīng)腔體24內(nèi)間隔時間輸送高純氮?dú)夂涂刂品磻?yīng)溶液均勻性的鼓泡裝置15、控制反應(yīng)時間的時間控制器17以及控制溶液均勻性的循環(huán)裝置16，所述沉積反應(yīng)腔體24內(nèi)安裝有將硅片固定在沉積反應(yīng)腔體24內(nèi)的真空吸附裝置13，其上方安裝有實(shí)時監(jiān)測沉積系統(tǒng)溫度的第二在線溫度監(jiān)測裝置12及模擬太陽光照射在PN結(jié)表面并在沉積反應(yīng)腔體24內(nèi)形成內(nèi)建電場的光照系統(tǒng)2。所述光照系統(tǒng)3包括輸出恒定穩(wěn)定光強(qiáng)的太陽光模擬裝置10和維持太陽光模擬裝置10處于恒溫狀態(tài)的風(fēng)冷裝置11，所述太陽光模擬裝置10包括點(diǎn)燃時輻射出穩(wěn)定強(qiáng)烈連續(xù)光譜的穩(wěn)態(tài)氙燈、穩(wěn)壓電源和控制光譜輻照度分布與標(biāo)準(zhǔn)光譜輻照度分布匹配的匹配器。所述沉積系統(tǒng)3的沉積反應(yīng)腔體24上方連接有在線溶液檢測裝置5，所述在線溶液檢測裝置5包括實(shí)時測量和監(jiān)控沉積反應(yīng)腔體24內(nèi)反應(yīng)液體濃度的液體濃度測試儀20，以及將反應(yīng)溶液從沉積反應(yīng)腔體20在線引入到液體濃度測試儀20的在線管路裝置21。所述沉積系統(tǒng)3還配設(shè)有在線膜厚檢測裝置4，所述在線膜厚檢測裝置4包括在線測試硅片上生成的ニ氧化硅薄膜厚度的膜厚測試系統(tǒng)18和將待測硅片傳遞至待測區(qū)域的 傳遞裝置19，所述膜厚測試系統(tǒng)18為單波長激光橢偏儀，包括激光器、承載樣片的載物臺和自準(zhǔn)直顯微鏡，所述傳遞裝置19為鏈?zhǔn)捷斔蜋C(jī)。第一加熱裝置9和第二加熱裝置14均由控制加熱溫度的溫度控制器和加熱腔體內(nèi)液體用的交變電源和電熱絲組成。所述過濾裝置7是二次過濾裝置，其由進(jìn)行初步過濾的濾紙和進(jìn)行二次過濾的濾網(wǎng)組成。所述鼓泡裝置15輸送高純氮?dú)獾拈g隔時間是可調(diào)的，所述高純氮?dú)饧兌葹?9.999%。所述循環(huán)裝置16由循環(huán)泵和管路系統(tǒng)組成。所述真空吸附裝置13包括沉積平臺，所述沉積平臺內(nèi)安裝有將硅片吸附在所述沉積平臺上的負(fù)壓風(fēng)機(jī)。本發(fā)明的補(bǔ)液步驟如下向補(bǔ)液系統(tǒng)中加入反應(yīng)溶液，反應(yīng)溶液經(jīng)過過濾裝置7的濾紙的初步過濾，再經(jīng)過過濾網(wǎng)的二次過濾，純度大于99. 99%，經(jīng)過第一加熱裝置9加熱到反應(yīng)溫度，最后經(jīng)過液體流量計(jì)8被定量的傳輸?shù)匠练e系統(tǒng)3的沉積反應(yīng)腔體24中，整個過程中通過第一在線溫度監(jiān)測裝置6監(jiān)測，嚴(yán)格保證反應(yīng)溫度。光照步驟如下太陽光模擬裝置10通過穩(wěn)壓電源和匹配器，短弧球形氙燈被點(diǎn)燃，輻射出穩(wěn)定強(qiáng)烈連續(xù)光譜，能量密度高，可調(diào)節(jié)光強(qiáng)范圍80-300mW/cm2。風(fēng)冷裝置11維持太陽光模擬裝置處于恒溫狀態(tài)，避免溫度過高造成的設(shè)備損壞。沉積步驟如下在光照的環(huán)境下，通過第二加熱裝置14和第二在線溫度控制裝置12精確控制反應(yīng)溫度，通過時間控制器17精確控制反應(yīng)時間，通過鼓泡裝置15和循環(huán)裝置16精確控制反應(yīng)溶液均勻性，在硅片上沉積高質(zhì)量ニ氧化硅薄膜。在線膜厚檢測步驟如下通過傳遞裝置19將待測硅片穩(wěn)定準(zhǔn)確的傳遞至待測區(qū)域，通過單波長激光橢偏儀，進(jìn)行在線檢測。在線溶液檢測步驟如下通過在線管路裝置21將反應(yīng)溶液在線的導(dǎo)入到液體濃度測試儀20中，通過在線測試反應(yīng)溶液比重值，計(jì)算反應(yīng)溶液的濃度，完成液體濃度測量與監(jiān)控。
本發(fā)明的補(bǔ)液系統(tǒng)I有兩個的作用，ー個作用是向沉積系統(tǒng)3中添加反應(yīng)溶液，另ー個作用是補(bǔ)充在反應(yīng)過程中溶液的損耗，所以補(bǔ)液系統(tǒng)I中的反應(yīng)溶液的溫度和純度必須被嚴(yán)格控制。補(bǔ)液系統(tǒng)I中的過濾裝置7能夠嚴(yán)格保證反應(yīng)溶液的純度，第一加熱裝置9和第一在線溫度監(jiān)測裝置6能夠嚴(yán)格保證沉積過程的反應(yīng)溫度，從而提高ニ氧化硅薄膜的成膜質(zhì)量，液體流量計(jì)8的定量傳輸能夠有效的實(shí)現(xiàn)光致化學(xué)沉積裝置的重復(fù)性，實(shí)現(xiàn)エ業(yè)化持續(xù)生產(chǎn)。所述光照系統(tǒng)2恒定穩(wěn)定的光強(qiáng)度輸出是本發(fā)明的核心環(huán)節(jié)，模擬太陽光照射在PN結(jié)表面，形成內(nèi)建電場，在自建電場的作用下實(shí)現(xiàn)光學(xué)薄膜的沉積，它直接決定ニ氧化娃薄膜的沉積速度和成膜質(zhì)量。
所述沉積系統(tǒng)3的鼓泡裝置15在可調(diào)時間間隔內(nèi)向沉積反應(yīng)腔體24內(nèi)通入高純氮?dú)?，高純氮?dú)饧兌葹?9. 999% (O2 ^ O. 001% )，在避免引入雜質(zhì)，污染反應(yīng)溶液的前提下提高反應(yīng)溶液的均勻性。真空吸附裝置13的負(fù)壓風(fēng)機(jī)提供負(fù)壓使硅片吸附在沉積平臺上，避免硅片的移動所導(dǎo)致的碎片和薄膜沉積的不均勻。所述在線膜厚檢測裝置4的傳遞裝置19為鏈?zhǔn)捷斔蜋C(jī)，可精確傳送至目標(biāo)位置，誤差O. 1mm。激光器是波長為632. Snm的氦氖激光器，先進(jìn)的低噪聲探測技術(shù)，保證了高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度，所述載物臺可以承載樣片進(jìn)行在線測試，自準(zhǔn)直顯微鏡有效提高了樣品定位精度，節(jié)省了測試時間。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于包括補(bǔ)液系統(tǒng)、沉積系統(tǒng)，所述補(bǔ)液系統(tǒng)包括放置反應(yīng)溶液的補(bǔ)液腔體，所述補(bǔ)液腔體內(nèi)的底部安裝有將反應(yīng)溶液加熱到反應(yīng)溫度的第一加熱裝置，其上部安裝有實(shí)時監(jiān)測補(bǔ)液系統(tǒng)溫度的第一在線溫度監(jiān)測裝置，所述補(bǔ)液腔體上設(shè)有將液體輸送至沉積系統(tǒng)的液體輸出管道，其內(nèi)在液體輸出管道的上方設(shè)有過濾裝置，所述液體輸出管道上安裝有控制定量傳輸反應(yīng)溶液的液體流量計(jì)； 所述沉積系統(tǒng)包括沉積反應(yīng)腔體，所述沉積反應(yīng)腔體的底部安裝有將反應(yīng)溶液加熱到反應(yīng)溫度的第二加熱裝置、向沉積反應(yīng)腔體內(nèi)間隔時間輸送高純氮?dú)夂涂刂品磻?yīng)溶液均勻性的鼓泡裝置、控制反應(yīng)時間的時間控制器以及控制溶液均勻性的循環(huán)裝置，所述沉積反應(yīng)腔體內(nèi)安裝有將硅片固定在沉積反應(yīng)腔體內(nèi)的真空吸附裝置，其上方安裝有實(shí)時監(jiān)測沉積系統(tǒng)溫度的第二在線溫度監(jiān)測裝置及模擬太陽光照射在PN結(jié)表面并在沉積反應(yīng)腔體內(nèi)形成內(nèi)建電場的光照系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于所述光照系統(tǒng)包括輸出恒定穩(wěn)定光強(qiáng)的太陽光模擬裝置和維持太陽光模擬裝置處于恒溫狀態(tài)的 風(fēng)冷裝置，所述太陽光模擬裝置包括點(diǎn)燃時輻射出穩(wěn)定強(qiáng)烈連續(xù)光譜的穩(wěn)態(tài)氙燈、穩(wěn)壓電源和控制光譜輻照度分布與標(biāo)準(zhǔn)光譜輻照度分布匹配的匹配器。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于所述沉積系統(tǒng)的沉積反應(yīng)腔體上方連接有在線溶液檢測裝置，所述在線溶液檢測裝置包括實(shí)時測量和監(jiān)控沉積反應(yīng)腔體內(nèi)反應(yīng)液體濃度的液體濃度測試儀，以及將反應(yīng)溶液從沉積反應(yīng)腔體在線引入到液體濃度測試儀的在線管路裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于所述沉積系統(tǒng)還配設(shè)有在線膜厚檢測裝置，所述在線膜厚檢測裝置包括在線測試硅片上生成的二氧化硅薄膜厚度的膜厚測試系統(tǒng)和將待測硅片傳遞至待測區(qū)域的傳遞裝置，所述膜厚測試系統(tǒng)為單波長激光橢偏儀，包括激光器、承載樣片的載物臺和自準(zhǔn)直顯微鏡，所述傳遞裝置為鏈?zhǔn)捷斔蜋C(jī)。
5.根據(jù)權(quán)利要求f4之一所述的一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于第一加熱裝置和第二加熱裝置均由控制加熱溫度的溫度控制器和加熱腔體內(nèi)液體用的交變電源和電熱絲組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于所述過濾裝置是二次過濾裝置，其由進(jìn)行初步過濾的濾紙和進(jìn)行二次過濾的濾網(wǎng)組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于所述鼓泡裝置輸送高純氮?dú)獾拈g隔時間是可調(diào)的，所述高純氮?dú)饧兌葹?9. 999%。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于所述循環(huán)裝置由循環(huán)泵和管路系統(tǒng)組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，其特征在于所述真空吸附裝置包括沉積平臺，所述沉積平臺內(nèi)安裝有將硅片吸附在所述沉積平臺上的負(fù)壓風(fēng)機(jī)。
全文摘要
一種太陽能電池用光致化學(xué)沉積裝置，包括補(bǔ)液系統(tǒng)、沉積系統(tǒng)，所述補(bǔ)液系統(tǒng)包括放置反應(yīng)溶液的補(bǔ)液腔體，所述補(bǔ)液腔體內(nèi)的底部安裝有第一加熱裝置，其上部安裝有第一在線溫度監(jiān)測裝置，所述補(bǔ)液腔體上設(shè)有將液體輸送至沉積系統(tǒng)的液體輸出管道，其內(nèi)在液體輸出管道的上方設(shè)有過濾裝置，所述液體輸出管道上安裝有液體流量計(jì)；所述沉積系統(tǒng)包括沉積反應(yīng)腔體，所述沉積反應(yīng)腔體的底部安裝有第二加熱裝置、鼓泡裝置、時間控制器以及循環(huán)裝置，所述沉積反應(yīng)腔體內(nèi)安裝有將硅片固定在沉積反應(yīng)腔體內(nèi)的真空吸附裝置，其上方安裝有第二在線溫度監(jiān)測裝置及光照系統(tǒng)。本發(fā)明的有益效果可用于低成本，無損傷二氧化硅薄膜的沉積。
文檔編號H01L31/18GK102817013SQ20121031131
公開日2012年12月12日 申請日期2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月28日
發(fā)明者夏洋 申請人:夏洋