專利名稱：一種采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，它涉及一種采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，并具體涉及一種采用疊層結(jié)構(gòu)具有帶通濾波性能的巴倫。
背景技術(shù)：
巴倫(Balun)是一種三端口器件，由一個(gè)不平衡端口和兩個(gè)平衡端口組成。兩個(gè)平衡端口的信號(hào)有相同的幅值，但是有180°的相移。許多電路需要平衡的輸入和輸出，從而用采減少電路的噪聲和高次諧波，改善電路的動(dòng)態(tài)范圍。巴倫作為一個(gè)關(guān)鍵性器件，被廣泛地用于微波平衡混頻器、倍頻器、推挽放大器、 移相器、平衡調(diào)制器和偶極子天線等設(shè)備中。在微波電路的設(shè)計(jì)中，傳統(tǒng)的巴倫制作方法有很多種，如高頻開路法、磁環(huán)三線繞制、高頻變壓器法等，但高頻開路法帶寬很窄，而磁環(huán)三線繞制和高頻變壓器法在高頻的損耗較大。相比傳統(tǒng)的巴倫，平面微帶或帶線巴倫可以直接印制在電路板或PCB板上，具有加工簡單、制作精確、結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)。然而平面工藝仍然沒有找到一種有效減小器件尺寸的設(shè)計(jì)方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫以盡量減少尺寸，并且該巴倫帶有帶通濾波性能，從而實(shí)現(xiàn)更多的性倉泛。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案如下一種采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，包括一個(gè)輸入端口 Pl和兩個(gè)輸出端口 P2、P3，所述輸入端口 Pl與電容Cl的輸入極板連接，電容Cl的輸出極板與電容C2的輸入極板和帶狀線LI的輸入端通過垂直通孔連接，電容C2的輸出極板與電容C3的輸入極板與端口地3連接，帶狀線LI的輸出端與帶狀線L2的輸入端通過垂直通孔與端口地2連接，帶狀線L2的輸出端與電容C3的輸出極板通過垂直通孔連接并與電容C4的輸入極板連接，電容C4的輸出極板與輸出端口 P2連接，帶狀線L3的輸入端通過垂直通孔與端口地連接，電容C5的輸入極板與端口地I連接，帶狀線L3的輸出端與電容C5的輸出極板通過垂直通孔連接并與電容C6的輸入極板連接，電容C6的輸出極板與輸出端口 P3連接。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述電容(C1、C2、C3、C4、C5、C6)采取的是金屬-介質(zhì)-金屬(MIM)形式的平板電容，其通過不同層之間極板實(shí)現(xiàn)，平板電容中間的介質(zhì)由LTCC陶瓷基板構(gòu)成。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述帶狀線(LI、L2、L3)為金屬直短線，帶狀線的一端與電容的一個(gè)極板通過垂直通孔連接，帶狀線的另一端與端口地連接。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述端口地I與端口地2之間利用平板金屬連接保證端口地相連，而端口地3與巴倫內(nèi)部結(jié)構(gòu)沒有連接。
其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述采用疊層結(jié)構(gòu)具有帶通濾波性能的巴倫包括19層介質(zhì)基板，其中，在介質(zhì)基板下表面處設(shè)有金屬層；在最上面的封裝層的金屬印制于基板的上表面。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述巴倫包括多層介質(zhì)基板，其中，第2、3、4、5、6、7、8、11、14、15、17、18為金屬導(dǎo)體層,所述第5、6、7金屬導(dǎo)體層左邊部分構(gòu)成電容Cl,所述第2、3、4、7、8金屬導(dǎo)體層左邊部分構(gòu)成電容C2，所述第11金屬導(dǎo)體層為帶狀線L1、L2、L3，所述第14、15、17、18金屬導(dǎo)體層構(gòu)成電容C3,所述第14、15、16金屬導(dǎo)體層構(gòu)成電容C4,所述第2、3、4、7、8金屬導(dǎo)體層右邊部分構(gòu)成電容C5,所述第5、6、7金屬導(dǎo)體層右邊部分構(gòu)成電容C6。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述第6金屬導(dǎo)體層左邊部分與輸入端口 P I連接作為電容Cl的輸入極板，第5、7金屬導(dǎo)體層左邊部分為電容Cl的輸出極板,并作為電容C2的輸入極板的一部分通過垂直通孔與第3金屬導(dǎo)體層左邊部分的電容C2輸入極板的另一部分連接，并且和第11金屬導(dǎo)體層中間的帶狀線LI的輸入端連接。
其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述第11金屬導(dǎo)體層中間的帶狀線LI的輸出端與后面帶狀線L2的輸入端連接并通過垂直金屬通孔與第14層的金屬地面連接，帶狀線L2的輸出端通過垂直金屬通孔與第15、17金屬導(dǎo)體層連接，第14、18金屬導(dǎo)體層為地面與端口地連接并作為電容C3的輸入極板,而上述第15、17金屬導(dǎo)體層為電容C3的輸出極板并同時(shí)作為電容C4的輸入極板，第16金屬導(dǎo)體層與輸出端口 P2連接作為電容C4的輸出極板。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述第11金屬導(dǎo)體層前面帶狀線L3左邊的輸入端通過垂直金屬通孔與第14金屬導(dǎo)體層的地面連接，而帶狀線L3右邊的輸出端通過垂直金屬通孔與第3、5、7金屬導(dǎo)體層右邊部分連接，第2、4、8金屬導(dǎo)體層為地面與端口地連接并作為電容C5的輸入極板,而上述第3、5、7金屬導(dǎo)體層右邊部分為電容C5的輸出極板并同時(shí)作為電容C6的輸入極板,第6金屬導(dǎo)體層與輸出端口 P3連接作為電容C6的輸出極板。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述第2、4、8、14、18金屬導(dǎo)體層為地面與端口地I和端口地2連接，且所述第3、5、6、7金屬導(dǎo)體層中間部分也為地面與端口地I和端口地2連接。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述第9、10、12、13層為50iim厚度的LTCC陶瓷板，且這些層的陶瓷板下面沒有金屬層。其中，優(yōu)選的結(jié)構(gòu)是，所述第I到19層介質(zhì)基板的相對介電常數(shù)為7. 8。本發(fā)明的有益效果如下采取了上述方案以后，能夠充分利用三維多層空間并顯著減小巴倫的尺寸，且該發(fā)明將巴倫和帶通濾波器合為一個(gè)器件，使巴倫既有巴倫的功能也具有帶通濾波器的功能。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述，以使得本發(fā)明的上述優(yōu)點(diǎn)更加明確。圖I是本發(fā)明采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫的等效電路圖；圖2是本發(fā)明具體實(shí)施方式
所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明具體實(shí)施方式
所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫的整體封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明具體實(shí)施方式
所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫的S參數(shù)幅度的仿真結(jié)果。圖5是本發(fā)明具體實(shí)施方式
所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫的S參數(shù)相位的仿真結(jié)果。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。近幾年來，隨著對低成本、低損耗的射頻模塊和無線通信系統(tǒng)的需求量不斷加大，疊層陶瓷集成電路(MCIC)，例如低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)，已得到了廣泛運(yùn)用，由于該方法充分利用三維多層空間，能顯著減小巴倫的尺寸，本發(fā)明根據(jù)上述工藝，由此形成一個(gè)采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，從而顯著地減少了巴倫的尺寸。此外，傳統(tǒng)的巴倫只有把不平衡信號(hào)轉(zhuǎn)換為平衡信號(hào)和阻抗變換的作用，而本發(fā)明將巴倫和帶通濾波器合為一個(gè)器件，使巴倫既有巴倫的功能也具有帶通濾波器的功能， 由此具有更好的效果。在此，主要結(jié)合附圖對本申請的巴倫的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，如圖I所示，本發(fā)明采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，同時(shí)具有帶通濾波性能的巴倫，具體來說，該巴倫采用三線耦合結(jié)構(gòu)，并且具有帶通濾波性能，帶通濾波器兩個(gè)諧振腔之間分別采用感性耦合和容性耦合兩種方式。其中，所述采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，包括一個(gè)輸入端口 Pl和兩個(gè)輸出端口 P2、P3，所述輸入端口 Pl與電容Cl的輸入極板連接，電容Cl的輸出極板與電容C2的輸入極板和帶狀線LI的輸入端通過垂直通孔連接，電容C2的輸出極板與電容C3的輸入極板與端口地3連接，帶狀線LI的輸出端與帶狀線L2的輸入端通過垂直通孔與端口地2連接，帶狀線L2的輸出端與電容C3的輸出極板通過垂直通孔連接并與電容C4的輸入極板連接，電容C4的輸出極板與輸出端口 P2連接，帶狀線L3的輸入端通過垂直通孔與端口地連接，電容C5的輸入極板與端口地I連接，帶狀線L3的輸出端與電容C5的輸出極板通過垂直通孔連接并與電容C6的輸入極板連接，電容C6的輸出極板與輸出端口 P3連接。其中，所述電容(C1、C2、C3、C4、C5、C6)采取的是金屬-介質(zhì)-金屬(MM)形式的平板電容，其通過不同層之間極板實(shí)現(xiàn)，平板電容中間的介質(zhì)由LTCC陶瓷基板構(gòu)成。其中，所述帶狀線(L1、L2、L3)為金屬直短線，帶狀線的一端與電容的一個(gè)極板通過垂直通孔連接，帶狀線的另一端與端口地連接。其中，所述端口地I與端口地2之間利用平板金屬連接保證端口地相連，而端口地3與巴倫內(nèi)部結(jié)構(gòu)沒有連接，其中，本實(shí)施例中設(shè)置所述端口地3的目的是保證器件封裝的對稱性。其中，所述采用疊層結(jié)構(gòu)具有帶通濾波性能的巴倫包括19層介質(zhì)基板，其中，在介質(zhì)基板下表面處設(shè)有金屬層；在最上面的封裝層的金屬印制于基板的上表面。其中，所述巴倫包括多層介質(zhì)基板，其中，第2、3、4、5、6、7、8、11、14、15、17、18為金屬導(dǎo)體層，所述第5、6、7金屬導(dǎo)體層左邊部分構(gòu)成電容Cl，所述第2、3、4、7、8金屬導(dǎo)體層左邊部分構(gòu)成電容C2，所述第11金屬導(dǎo)體層為帶狀線11、L2、L3，所述第14、15、17、18金屬導(dǎo)體層構(gòu)成電容C3,所述第14、15、16金屬導(dǎo)體層構(gòu)成電容C4,所述第2、3、4、7、8金屬導(dǎo)體層右邊部分構(gòu)成電容C5,所述第5、6、7金屬導(dǎo)體層右邊部分構(gòu)成電容C6。其中,所述第6金屬導(dǎo)體層左邊部分與輸入端口 Pl連接作為電容Cl的輸入極板，第5、7金屬導(dǎo)體層左邊部分為電容Cl的輸出極板，并作為電容C2的輸入極板的一部分通過垂直通孔與第3金屬導(dǎo)體層左邊部分的電容C2輸入極板的另一部分連接，并且和第11金屬導(dǎo)體層中間的帶狀線LI的輸入端連接。其中，所述第11金屬導(dǎo)體層中間的帶狀線LI的輸出端與后面帶狀線L2的輸入端連接并通過垂直金屬通孔與第14層的金屬地面連接，帶狀線L2的輸出端通過垂直金屬通孔與第15、17金屬導(dǎo)體層連接，第14、18金屬導(dǎo)體層為地面與端口地連接并作為電容C3的輸入極板，而上述第15、17金屬導(dǎo)體層為電容C3的輸出極板并同時(shí)作為電容C4的輸入極板，第16金屬導(dǎo)體層與輸出端口 P2連接作為電容C4的輸出極板。其中，所述第11金屬導(dǎo)體層前面帶狀線L3左邊的輸入端通過垂直金屬通孔與第14金屬導(dǎo)體層的地面連接，而帶狀線L3右邊的輸出端通過垂直金屬通孔與第3、5、7金屬導(dǎo)體層右邊部分連接，第2、4、8金屬導(dǎo)體層為地面與端口地連接并作為電容C5的輸入極板，而上述第3、5、7金屬導(dǎo)體層右邊部分為電容C5的輸出極板并同時(shí)作為電容C6的輸入極板，第6金屬導(dǎo)體層與輸出端口 P3連接作為電容C6的輸出極板。
其中，所述第2、4、8、14，18金屬導(dǎo)體層為地面與端口地I和端口地2連接，且所述第3、5、6、7金屬導(dǎo)體層中間部分也為地面與端口地I和端口地2連接。其中，所述第9、10、12、13層為50 厚度的LTCC陶瓷板，且這些層的陶瓷板下面
沒有金屬層。其中，所述第I到19層介質(zhì)基板的相對介電常數(shù)為7. 8。該巴倫的封裝尺寸為2. OmmX I. 25mmX0. 95mm，具有體積小、重量輕、成本低、選頻
特性好、溫度穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)，有利于批量生產(chǎn)。以下對具體三維實(shí)現(xiàn)方式描述如下如圖2所示，為了便于說明連接關(guān)系，圖2中總共畫了 17層，第I層和第19層為器件外部端口金屬層，沒有畫出。為了清楚表示，層與層之間盡量拉開距離，圖2并不能代表本發(fā)明巴倫實(shí)際尺寸的比例關(guān)系，詳細(xì)的尺寸比例關(guān)系和連接關(guān)系如圖3所示圖2中,第2層金屬位于第2層的介質(zhì)基板下面,第3層金屬導(dǎo)體位于第2、3層介質(zhì)基板中間，第4層金屬位于第3、4層基板中間，以此類推,第18層金屬位于第17、18層介質(zhì)基板中間，而第19層金屬位于第19層介質(zhì)基板上面。第2層到第18層中只要基板下面有金屬層的每一層的金屬都采用LTCC絲網(wǎng)印刷工藝印制于介質(zhì)基板的下表面，而最上面的封裝層的金屬印制于基板的上表面，所有的介質(zhì)基板材料都為LTCC陶瓷。第5、6、7金屬導(dǎo)體層左邊部分構(gòu)成電容Cl,第2、3、4、7、8金屬導(dǎo)體層左邊部分構(gòu)成電容C2，第11金屬導(dǎo)體層為帶狀線L 1、L2、L3，第14、15、17、18金屬導(dǎo)體層構(gòu)成電容C3，第14、15、16金屬導(dǎo)體層構(gòu)成電容C4,第2、3、4、7、8金屬導(dǎo)體層右邊部分構(gòu)成電容C5,第5、6、7金屬導(dǎo)體層右邊部分構(gòu)成電容C6。第6金屬導(dǎo)體層左邊部分與輸入端口 Pl連接作為電容Cl的輸入極板,第5、7金屬導(dǎo)體層左邊部分為電容Cl的輸出極板,而且也作為電容C2的輸入極板的一部分并通過垂直通孔與第3金屬導(dǎo)體層左邊部分的電容C2輸入極板的另一部分連接，并且和第11金屬導(dǎo)體層中間的帶狀線LI的輸入端連接。第11金屬導(dǎo)體層中間的帶狀線LI的輸出端與后面帶狀線L2的輸入端連接并通過垂直金屬通孔與第14層的金屬地面連接，帶狀線L2的輸出端通過垂直金屬通孔與第15、17金屬導(dǎo)體層連接，第14、18金屬導(dǎo)體層為地面與端口地連接并作為電容C3的輸入極板，而上述第15、17金屬導(dǎo)體層為電容C3的輸出極板并同時(shí)作為電容C4的輸入極板,第16金屬導(dǎo)體層與輸出端口 P2連接作為電容C4的輸出極板。第11金屬導(dǎo)體層前面帶狀線L3左邊的輸入端通過垂直金屬通孔與第14金屬導(dǎo)體層的地面連接，而帶狀線L3右邊的輸出端通過垂直金屬通孔與第3、5、7金屬導(dǎo)體層右邊部分連接，第2、4、8金屬導(dǎo)體層為地面與端口地連接并作為電容C5的輸入極板，而上述第
3、5、7金屬導(dǎo)體層右邊部分為電容C5的輸出極板并同時(shí)作為電容C6的輸入極板,第6金屬導(dǎo)體層與輸出端口 P3連接作為電容C6的輸出板板。第2、4、8、14、18金屬導(dǎo)體層為地面 將端口地I和端口地2連接起來，而且第3、5、6、7金屬導(dǎo)體層中間部分也為地面與端口地I和端口地2連接。第9、10、12、13層為50 ii m厚度的LTCC陶瓷板，這些層的陶瓷板下面沒有金屬層?？紤]到加工工藝，所有介質(zhì)基板的相對介電常數(shù)均為7. 8。所有金屬通孔的直徑都為125 u m,而且每一層的金屬微帶線如果要與金屬通孔相連的話，必須在金屬微帶線與通孔相連的這一層金屬層的位置加上直徑為150 u m的金屬托盤，金屬托盤的厚度與金屬層的厚度一致，都為10 u m。本發(fā)明巴倫的整體封裝結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示，共有6個(gè)端口，包括輸入端口 P I和輸出端口 P2、P3以及端口地1、2、3。封裝形式都為側(cè)壁封裝，整個(gè)器件尺寸為2. OmmX I. 25mmX0. 95mm,米用的LTCC陶瓷介質(zhì)的相對介電常數(shù)e r為7. 8,介質(zhì)損耗角正切tan 6為0. 002，金屬導(dǎo)體采用銀，如果下面有金屬導(dǎo)體的每層陶瓷介質(zhì)基板的厚度為40 V- m,每層金屬厚度為10 ii m ;如果下面沒有金屬導(dǎo)體的每層陶瓷介質(zhì)基板厚度為50 u m。仿真結(jié)果如圖4和圖5所示該巴倫的中心頻率為2. 45GHz，通帶帶寬為500MHz (2. 2GHz_2. 7GHz)。通帶內(nèi)插入損耗小于IdB0阻帶內(nèi)，在DC到I. 75GHz范圍內(nèi)抑制大于20dB，在3. 35GHz到6GHz范圍內(nèi)抑制大于20dB。通帶內(nèi)駐波比(VSWR)小于I. 4。兩個(gè)輸出端口的相位差為180°，最大誤
差小于2°。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明是采用疊層結(jié)構(gòu)具有帶通濾波性能的巴倫，疊層結(jié)構(gòu)采用LTCC工藝實(shí)現(xiàn)，在實(shí)現(xiàn)同等技術(shù)指標(biāo)前提下能夠顯著的減小器件的尺寸，這是因?yàn)樗哂休^低的金屬電阻率，能集成無源器件、實(shí)現(xiàn)有源器件的內(nèi)部連接、高的集成度、較小的體積以及較低的成本等優(yōu)點(diǎn)，與傳統(tǒng)的PCB多層技術(shù)相比，LTCC技術(shù)具有損耗小、集成度高、溫度特性好等諸多優(yōu)點(diǎn)，并且LTCC工藝與IC工藝兼容，易于有源/無源集成。而且本發(fā)明巴倫還具有帶通濾波性能，在將不平衡輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為平衡輸出信號(hào)的同時(shí)還可以進(jìn)行濾波，將不需要的頻率范圍的信號(hào)濾除掉，將巴倫和帶通濾波器合二為一，具有體積小、重量輕、成本低、選頻特性好、溫度穩(wěn)定性高等特點(diǎn)，并且可加工成貼片形式，便于與其他微波組件集成，因此擁有廣闊的應(yīng)用前景。綜上，本發(fā)明提供的采用疊層結(jié)構(gòu)具有帶通濾波性能的巴倫具有體積小、重量輕、成本低、選頻特性好、可加工成貼片元件形式，便于與其他微波元件集成等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用前景非常廣闊。最后應(yīng)說明的是以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，上面的具體描述只是為了解釋本發(fā)明的目的，并非用于限制本發(fā)明。本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，包括一個(gè)輸入端口 Pl和兩個(gè)輸出端口 P2、P3，所述輸入端口 Pl與電容Cl的輸入極板連接，電容Cl的輸出極板與電容C2的輸入極板和帶狀線L I的輸入端通過垂直通孔連接，電容C2的輸出極板與電容C3的輸入極板與端口地3連接，帶狀線LI的輸出端與帶狀線L2的輸入端通過垂直通孔與端口地2連接，帶狀線L2的輸出端與電容C3的輸出極板通過垂直通孔連接并與電容C4的輸入極板連接，電容C4的輸出極板與輸出端口 P2連接，帶狀線L3的輸入端通過垂直通孔與端口地連接，電容C5的輸入極板與端口地I連接，帶狀線L3的輸出端與電容C5的輸出極板通過垂直通孔連接并與電容C6的輸入極板連接，電容C6的輸出極板與輸出端口 P3連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述電容(C1、C2、C3、C4、C5、C6)采取的是金屬-介質(zhì)-金屬(MIM)形式的平板電容，其通過不同層之間極板實(shí)現(xiàn)，平板電容中間的介質(zhì)由LTCC陶瓷基板構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述帶狀線(L1、L2、L3)為金屬直短線，帶狀線的一端與電容的一個(gè)極板通過垂直通孔連接，帶狀線的另一端與端 口地連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述端口地I與端口地2之間利用平板金屬連接保證端口地相連，而端口地3與巴倫內(nèi)部結(jié)構(gòu)沒有連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的采用疊層結(jié)構(gòu)具有帶通濾波性能的巴倫，其特征在于，所述采用疊層結(jié)構(gòu)具有帶通濾波性能的巴倫包括19層介質(zhì)基板，其中，在介質(zhì)基板下表面處設(shè)有金屬層；在最上面的封裝層的金屬印制于基板的上表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述巴倫包括多層介質(zhì)基板，其中，第2、3、4、5、6、7、8、11、14、15、17、18為金屬導(dǎo)體層，所述第5、6、7金屬導(dǎo)體層左邊部分構(gòu)成電容Cl,所述第2、3、4、7、8金屬導(dǎo)體層左邊部分構(gòu)成電容C2,所述第11金屬導(dǎo)體層為帶狀線LI、L2、L3，所述第14、15、17、18金屬導(dǎo)體層構(gòu)成電容C3，所述第14、15、16金屬導(dǎo)體層構(gòu)成電容C4,所述第2、3、4、7、8金屬導(dǎo)體層右邊部分構(gòu)成電容C5,所述第5、6、7金屬導(dǎo)體層右邊部分構(gòu)成電容C6。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述第6金屬導(dǎo)體層左邊部分與輸入端口 Pl連接作為電容Cl的輸入極板，第5、7金屬導(dǎo)體層左邊部分為電容Cl的輸出極板，并作為電容C2的輸入極板的一部分通過垂直通孔與第3金屬導(dǎo)體層左邊部分的電容C2輸入極板的另一部分連接，并且和第11金屬導(dǎo)體層中間的帶狀線LI的輸入端連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述第11金屬導(dǎo)體層中間的帶狀線LI的輸出端與后面帶狀線L2的輸入端連接并通過垂直金屬通孔與第14層的金屬地面連接，帶狀線L2的輸出端通過垂直金屬通孔與第15、17金屬導(dǎo)體層連接，第14、18金屬導(dǎo)體層為地面與端口地連接并作為電容C3的輸入極板，而上述第15、17金屬導(dǎo)體層為電容C3的輸出極板并同時(shí)作為電容C4的輸入極板,第16金屬導(dǎo)體層與輸出端口 P2連接作為電容C4的輸出極板。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述第11金屬導(dǎo)體層前面帶狀線L3左邊的輸入端通過垂直金屬通孔與第14金屬導(dǎo)體層的地面連接，而帶狀線L3右邊的輸出端通過垂直金屬通孔與第3、5、7金屬導(dǎo)體層右邊部分連接，第2、4、8金屬導(dǎo)體層為地面與端口地連接并作為電容C5的輸入極板，而上述第3、5、7金屬導(dǎo)體層右邊部分為電容C5的輸出極板并同時(shí)作為電容C6的輸入極板,第6金屬導(dǎo)體層與輸出端口 P3連接作為電容C6的輸出極板。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述第2、4、8、14、18金屬導(dǎo)體層為地面與端口地I和端口地2連接，且所述第3、5、6、7金屬導(dǎo)體層中間部分也為地面與端口地I和端口地2連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述第9、10、12、13層為50 μ m厚度的LTCC陶瓷板，且這些層的陶瓷板下面沒有金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，其特征在于，所述第I到19層介質(zhì)基板的相對介電常數(shù)為7. 8。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種采用疊層結(jié)構(gòu)的巴倫，包括一個(gè)輸入端口P1和兩個(gè)輸出端口P2、P3，所述輸入端口P1與電容C1的輸入極板連接，電容C1的輸出極板與電容C2的輸入極板和帶狀線L1的輸入端通過垂直通孔連接，電容C2的輸出極板與電容C3的輸入極板與端口地3連接，L1的輸出端與帶狀線L2的輸入端通過垂直通孔與端口地2連接，帶狀線L2的輸出端與電容C3的輸出極板通過垂直通孔連接并與電容C4的輸入極板連接，C4的輸出極板與輸出端口P2連接，帶狀線L3的輸入端通過垂直通孔與端口地連接，電容C5的輸入極板與端口地1連接，帶狀線L3的輸出端與C5的輸出極板通過垂直通孔連接并與電容C6的輸入極板連接，C6的輸出極板與輸出端口P3連接。該發(fā)明能顯著減小尺寸。
文檔編號(hào)H01P5/12GK102856620SQ20121031239
公開日2013年1月2日 申請日期2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月29日
發(fā)明者邢孟江, 李小珍, 邢孟道 申請人:西安瓷芯電子科技有限責(zé)任公司