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光取出部件及應(yīng)用其的有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法

文檔序號(hào):7244815閱讀:113來源:國知局
光取出部件及應(yīng)用其的有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光取出部件及其制備方法,所述光取出部件包括高折射率透明基片和成型在所述高折射率透明基片表面的光取出層。高折射率透明基片的折射率固定,可以有效消除有機(jī)層至基片的全反射,光取出層可以通過改變?nèi)瓷涔饴?,提高光取出率,結(jié)構(gòu)簡單、光取出率高。本發(fā)明還提供含所述光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件及其的制備方法,所述光取出部件設(shè)置在基板和第一電極間,可以取出限制在有機(jī)功能層內(nèi)部的光束,具有高效的光取出效率,而且器件封裝后,水汽和氧氣進(jìn)入的通道少,有效的提高了器件的壽命。
【專利說明】光取出部件及應(yīng)用其的有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域,具體是一種光取出部件、應(yīng)用其的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (英文全稱為Organic Light Emitting Device,意思為有機(jī)電致發(fā)光器件,簡稱為0LED)作為下一代顯示技術(shù),具有色域?qū)?、響?yīng)快、廣視角、無污染、高對(duì)比度、平面化等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]典型的OLED器件結(jié)構(gòu),一般包括玻璃基板、第一電極、第二電極、以及設(shè)置在兩個(gè)電極間的有機(jī)發(fā)光功能層,由于各層材料的折射率匹配造成的反射,使得發(fā)光層發(fā)出的光大部分被限制在器件中。如空氣的折射率近似為1,玻璃的折射率一般為1.5,有機(jī)功能層為1.7-1.8,當(dāng)光束從高折射率材料到達(dá)低折射率材料時(shí),大于臨界角的光束就會(huì)在界面發(fā)生全反射,被反射回的光將在各功能層之間來回反射、折射,最終消耗在器件內(nèi)部無法被取出應(yīng)用。研究表明,OLED實(shí)際發(fā)出到空氣中的光輸出效率只有20%左右,有80%的光束被限制或消耗在器件內(nèi)部,其中,限制在有機(jī)功能層內(nèi)部的占50%,限制在玻璃基板中的占30%。如何提高限制在OLED內(nèi)部的光束將是提高OLED器件效率和壽命的關(guān)鍵技術(shù)。
[0004]針對(duì)不同的光限制機(jī)制,已經(jīng)發(fā)展了多種方法提高OLED的光取出效率。為取出限制在基板中的光束:中國專利文獻(xiàn)CN102620235A公開了一種光取出膜及應(yīng)用其的發(fā)光元件,光取出膜置于基板的發(fā)光面即外表面上,用于取出限制在基板中的光束,該光取出膜包括一微透鏡陣列薄膜以及至少一光學(xué)薄膜,微透鏡陣列薄膜具有相對(duì)第一表面與第二表面,且具有多個(gè)微透鏡設(shè)于第一表面上,光學(xué)薄膜覆蓋于第一表面上,且光學(xué)薄膜包括多個(gè)光學(xué)粒子以及一層膜,其中光學(xué)粒子設(shè)于膜層中,膜層具有小于為透鏡陣列薄膜的折射率且大于或者等于空氣的折射率,以減少光線從光學(xué)薄膜進(jìn)入空氣時(shí)產(chǎn)生的全反射的數(shù)量。其中,光學(xué)薄膜的膜層材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚萘酸乙酯等具有高折射率的材料。眾所周知,單純的高折射率光學(xué)膜層可以有效消除全反射;微透鏡陣列和具有高折射率的光學(xué)粒子可以通過折射改變?nèi)瓷涔馐墓饴?,可以有效的提高器件的發(fā)光效率。但是,膜材料的折射率很大程度上取決于膜的厚度和平整度,該專利文獻(xiàn)中,光學(xué)薄膜成型于微透鏡陣列之上,平整度很差,而且將光學(xué)粒子摻雜在膜層中,使得光學(xué)薄膜膜厚不均勻,同時(shí)容易透氣透水,這些都嚴(yán)重影響了高折射膜層本該發(fā)揮的效果,降低了光取出膜的光取出效率;而且該光取出膜為多層薄膜,結(jié)構(gòu)復(fù)雜、制作工藝繁冗。在該專利文獻(xiàn)公開的發(fā)光元件中,該光學(xué)膜置于基板的外側(cè),僅能取出被限制在玻璃基板中的光束,而大量被限制在有機(jī)功能層中的光束經(jīng)過來回反射、折射,最終消耗在器件內(nèi)部無法被取出應(yīng)用。
[0005]為取出限制在有機(jī)功能層中的光束,Society for InformationDisplay, 2009, International Symposium Digest of Technical Papers (譯為:2009 年度國際信息顯示學(xué)會(huì)國際研討會(huì)科技論文文摘)907頁報(bào)道了一篇文章《High Efficiency200-lm/ff Green Light Emitting Organic Devices Prepared on High-1ndex ofRefraction Substrate))(譯為:高折射率基板制備高光效的200_lm/W綠光有機(jī)發(fā)光器件),通過采用高折射率的玻璃,消除有機(jī)功能層與玻璃基板界面的全反射,提高OLED器件效率。這個(gè)方法雖然具有較好的光取出效果,但是高折射率玻璃制造技術(shù)難度大、成本高。
[0006]同時(shí),中國專利文獻(xiàn)CN102299266A公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基板及制造方法,該基板的透明襯底與第一電極間設(shè)置有散射層和平坦化層,生產(chǎn)工藝相對(duì)簡單,可量產(chǎn);可以有效的將限制在有機(jī)功能層中的光束取出,但是散射層和平坦化層直接成型在基板上,器件封裝時(shí)該散射層和平坦化層提供了水汽和氧氣進(jìn)入器件內(nèi)部的通道,直接使得器件的壽命變差,同時(shí)也會(huì)影響光效性能。
[0007]如果改變中國專利文獻(xiàn)CN102620235A中公開的光取出膜將其設(shè)置在基板的襯底上,用于取出有機(jī)功能層中的光束,則同樣會(huì)存在光取出膜直接成型在基板上,器件封裝時(shí)水汽和氧氣容易通過該光取出膜進(jìn)入器件內(nèi)部,該光取出膜提供了氧氣和水氣進(jìn)入器件內(nèi)部的通道,直接影響器件的壽命,同時(shí)也會(huì)影響光效性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為此,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中為取出限制在有機(jī)發(fā)光功能層中的光束的光取出部件要么結(jié)構(gòu)復(fù)雜、不適合量產(chǎn),要么光取出部件構(gòu)成水汽、氧氣進(jìn)入器件內(nèi)部的通道而影響器件壽命的問題。從而提供一種光取出效率高、工藝簡單且不影響器件壽命的光取出部件,以及應(yīng)用這種光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件及制備方法。
[0009]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0010]提供一種光取出部件,包括,
[0011]一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的光取出部件,包括,
[0012]折射率高于有機(jī)電致發(fā)光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片;
[0013]成型在所述高折射率透明基片表面的光取出層,用于抑制從所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射。
[0014]所述光取出層為散射層或微透鏡陣列層。
[0015]所述散射層包括透光率大于80%的基質(zhì)和折射率大于有機(jī)功能層的折射率的散射顆粒。
[0016]所述基質(zhì)為光刻膠,所述散射顆粒為TiO2或SiO2或ZnO或ZrO2的微細(xì)粒子。
[0017]所述散射顆粒的初始粒徑為0.02-0.8 μ m。
[0018]所述散射層厚度為0.3-3 μ m。
[0019]一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的光取出部件的制備方法,包括以下步驟:
[0020](I)獲取折射率高于有機(jī)電致發(fā)光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片;
[0021](2)在所述高折射率透明基片表面成型光取出層,其中的光取出層用于抑制從所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射。
[0022]所述光取出層為散射層或微透鏡陣列層。
[0023]所述光取出層為高折射率散射層,所述步驟(2)具體包括以下步驟:
[0024](21)制備散射層溶液:將散射顆粒、分散劑、溶劑混合研磨后過濾取濾液,再將所得濾液與基質(zhì)混合制得散射層溶液;[0025](22)將散射層溶液在高折射率透明基片上涂布成膜,獲得連續(xù)的散射層。
[0026]所述步驟(21)中,所述基質(zhì)的透光率大于80%,所述散射顆粒的折射率大于有機(jī)功能層的折射率。
[0027]所述基質(zhì)為光刻膠,所述散射顆粒為TiO2或SiO2或ZnO或ZrO2的微細(xì)粒子。
[0028]所述散射顆粒的初始粒徑為0.02-0.8 μ m。
[0029]所述散射層厚度為0.3-3 μ m。
[0030]所述光取出層為微透鏡陣列層,所述步驟(2)具體包括以下步驟:
[0031](31)在所述高折射率透明基片的一面上旋轉(zhuǎn)涂布一層光刻膠層;
[0032](32)采用光刻技術(shù),將光刻膠層制作為柱狀結(jié)構(gòu)的基片;
[0033](33)將步驟(32)中的柱狀結(jié)構(gòu)的基片加熱,熔融的每個(gè)柱狀結(jié)構(gòu)的上底面凸起形成一個(gè)微透鏡。
[0034]同時(shí),提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括透明基板、第一透明電極、有機(jī)功能層、第二電極,以及設(shè)置在所述透明基板與所述第一電極之間光取出部件,所述光取出部件為上述的光取出部件;且所述光取出部件的所述光取出層與所述透明基板直接貼合,所述高折射率透明基片與第一電極直接貼合。
[0035]同時(shí),提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,包括如下步驟:
[0036]( IO )將所述光取出部件貼合在所述透明基板上,貼合后所述光取出部件的所述光取出層與所述透明基板直接貼合;
[0037](11)在所述光取出部件的所述高折射率透明基片所在的面上制作第一透明電極;
[0038]在所述第一透明電極上順次制作有機(jī)功能層和第二電極;
[0039](13)器件封裝。
[0040]所述步驟(10)中在將光取出部件貼合在基板之前還包括裁剪的步驟,具體是:將光取出部件裁剪成與發(fā)光區(qū)域大小尺寸對(duì)應(yīng)的光取出部件單元的步驟。
[0041 ] 裁剪后的所述光取出部件單元為臺(tái)型。
[0042]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0043](I)所述光取出部件包括高折射率透明基片和光取出層,所述光取出層為高折射率散射層或微透鏡陣列層。高折射率透明基片的折射率固定,可以有效消除有機(jī)層至基片的全反射,高折射率散射層或微透鏡陣列層可以通過改變?nèi)瓷涔饴?,提高光取出率;結(jié)構(gòu)簡單,光取出率高;所述設(shè)置有光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件,所述光取出部件設(shè)置在基板和第一電極間,可以有效地取出限制在有機(jī)功能層內(nèi)部的光束,具有高效的光取出效率;所述光取出部件的所述光取出層與所述透明基板貼合,第一透明電極制作在所述光取出部件的所述高折射率透明基片上,高折射率透明基片密度大且表面平整,在進(jìn)行器件封裝時(shí),即使封裝蓋和高折射率透明基片配合封裝,也能達(dá)到隔離水汽和氧氣的效果,有效的提高了器件的壽命。
[0044](2)所述光取出部件的光取出層可以通過旋轉(zhuǎn)涂布工藝和光刻工藝制備,工藝簡單,適合大規(guī)模生產(chǎn)。
[0045](3)所述高折射率透明基片的材質(zhì)為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯基片或聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯硫醚,不但具備較高的折射率,而且成本相對(duì)較低。[0046](4)所述散射顆粒的粒徑為0.02-0.8 μ m,其粒徑大小與光線波長處于同等級(jí),可避免光線損耗,有效散射可見光光線。
[0047](5)所述散射層厚度比散射顆粒的粒徑稍大,可保證散射顆粒全部位于散射層內(nèi),使得制得的散射層表面平整。
[0048](6)將光取出部件裁剪成發(fā)光區(qū)域大小尺寸的光取出部件單元,再將所述膜單元貼合在所述發(fā)光區(qū)域在透明基板上的對(duì)應(yīng)位置,封裝時(shí),光取出部件位于封裝蓋內(nèi),保證更好的封裝效果。
[0049](7)裁剪后的所述光取出部件單元為臺(tái)型,避免蒸鍍的ITO電極層出現(xiàn)斷裂,保證ITO電極層的連續(xù)性,進(jìn)而保證導(dǎo)電效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0050]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解,下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中
[0051]圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的一種含有光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法流程圖;
[0052]圖2是圖1中所制備的OLED結(jié)構(gòu)示意圖;
[0053]圖3是實(shí)施例四中所制備的OLED結(jié)構(gòu)示意圖;
[0054]圖4是實(shí)施例四中所述光取出部件單元的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0055]圖中附圖標(biāo)記表示為:1-高折射率透明基片,2-光取出層,3-透明玻璃基板,4-1T0透明陽極層,5-有機(jī)功能層、6-陰極層、7-封裝膠、8-封裝蓋、41-小片PEN透明基片、42-小片散射層。
【具體實(shí)施方式】
[0056]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0057]作為本發(fā)明實(shí)施例一的含有光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件,如圖2所示,包括透明玻璃基板3、ITO (氧化銦)透明陽極層4、有機(jī)功能層5、陰極層6,以及設(shè)置在所述透明玻璃基板3與所述ITO透明陽極層4之間的光取出部件,其中,ITO透明陽極層4構(gòu)成本實(shí)施例的第一電極層,陰極層6構(gòu)成本實(shí)施例中的第二電極層,所述光取出部件進(jìn)一步包括,高折射率透明基片I和成型在所述高折射率透明基片I表面的光取出層2,本實(shí)施例中,所述高折射率透明基片I為PEN (英文名稱為polyethylene naphtha late,意為聚萘二甲酸乙二醇酯)透明基片,所述光取出層2為散射層;散射層與所述透明玻璃基板3的襯底直接貼合,所述PEN透明基片與ITO透明陽極層4直接貼合。其中的所述散射層包括透光率大于80%的光刻膠和折射率大于有機(jī)功能層5的折射率的TiO2 (二氧化鈦)散射顆粒,所述TiO2的初始粒徑為0.02-0.8 μ m,制得的所述散射層的厚度為0.3-3 μ m,作為優(yōu)選,所述散射層的厚度大于所述散射顆粒的初始粒徑,能保證更多的散射顆粒位于所述散射層中,保證制得的所述散射層的平整度。
[0058]本實(shí)施例中,PEN透明基片的折射率固定,可以有效消除全反射,散射層可以通過改變?nèi)瓷涔饴?,提高光取出率;整個(gè)光取出部件的結(jié)構(gòu)簡單,光取出率高;所述設(shè)置有光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件,所述光取出部件設(shè)置在玻璃透明基板3和ITO透明陽極層4之間,可以有效地取出限制在有機(jī)功能層內(nèi)部的光束;ΙΤ0透明陽極層4制作在所述光取出部件的所述PEN透明基片上,PEN透明基片密度大且表面平整,在進(jìn)行器件封裝時(shí),封裝蓋和高折射率透明基片配合封裝,也能達(dá)到隔離水汽和氧氣的效果,有效的提高了器件的壽命。
[0059]作為上述實(shí)施例的變形,所述PEN透明基片可為現(xiàn)有技術(shù)中的PET (英文名稱為Polyethylene terephthalate,意為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)或者PSS (英文名稱為Polyphenylene sulfide,意為聚苯硫醚)透明基片替代,其它同上述實(shí)施例,同樣能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的,屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍;而且,采用的透明基片的折射率越好,光取出的效果就越好。其中,采用PSS (英文名稱為Polyphenylene sulfide,意為聚苯硫醚)透明基片作為所述高折射率透明基片構(gòu)成本發(fā)明的實(shí)施例三。
[0060]作為上述實(shí)施例的變形,所述散射顆粒TiO2也可為SiO2 (二氧化硅)、ZnO (氧化鋅)或ZrO2 (氧化鋯)的微細(xì)粒子取代,其它同上述實(shí)施例,同樣能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的,屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0061]作為本發(fā)明的其它實(shí)施例,所述光取出層可以為其它能抑制從所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全放射的其它部件取代,比如金字塔型光取出層或光柵衍射層,其中金字塔型光取出層通過折射抑制全反射,光柵衍射層通過衍射抑制全發(fā)射;同樣能實(shí)現(xiàn)本方明的目的,屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0062]參見附圖1所示,上述實(shí)施例一中含有光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法,具體包括如下步驟:
[0063]首先,制備光取出部件:
[0064]SI,制備光取出部件,在PEN透明基片上制作一層高折射率散射層,散射層由TiO2混合在透明光刻膠中通過普通的光刻旋涂工藝制成,其中,TiO2和光刻膠的質(zhì)量比為1:4,所述高折射率散射層厚度為0.3 — 3 μ m。
[0065]S2,將步驟SI中所制備的光取出部件的散射層所在的面直接貼合在玻璃透明基板3的襯底上,貼合可以用雙面膠、普通帶粘性的液體膠等。
[0066]S3,在PEN透明基片未成型散射層的面上直接濺射一層ITO透明陽極層4:采用直流磁控濺射法制備150nm的ITO透明陽極層4,ITO靶材為銦錫合金,其成份比例In(銦):Sn(錫)=90%: 10%。制備過程中氧分壓為0.4Sccm,氬分壓為20Sccm ;制備出ITO電極層后,采用刻蝕方法刻蝕出ITO透明陽極層4。
[0067]S4,放入蒸鍍腔室中蒸鍍各個(gè)功能層:依次蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。蒸鍍過程中腔室壓強(qiáng)低于5.0X 10-3Pa,首先蒸鍍40nm厚的N,N- 二(萘-1-基)-N, N’ - 二苯基-聯(lián)苯胺(簡稱:NPB)作為空穴傳輸層;以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱:ADN)和四叔丁基茈(簡稱:TBPe)作為發(fā)光層,通過速率控制TBPe在ADN中的比例為7% ;蒸鍍20nm的Alq3作為電子傳輸層;蒸鍍0.5nm的LiF作為電子注入層。有機(jī)功能層之上蒸鍍150nm的鋁(化學(xué)式為Al)作為陰極層層6。
[0068]S5,用UV封裝膠、封裝蓋采用常規(guī)封裝方式封裝后,制成OLED器件。
[0069]作為本發(fā)明實(shí)施例二的含光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件,包括透明玻璃基板3、ITO透明陽極層4、有機(jī)功能層5、陰極層6,以及設(shè)置在所述透明玻璃基板3與所述ITO透明陽極層4之間的光取出部件,所述光取出部件進(jìn)一步包括,高折射率透明基片I和成型在所述高折射基片表面的光取出層2。本實(shí)施例中,所述高折射率透明基片I為PEN透明基片,所述光取出層2為微透鏡陣列層。其中,貼合后所述微透鏡陣列層直接與所述玻璃透明基板3貼合,ITO透明陽極層4制作在所述光取出部件的所述PEN透明基片上。
[0070]本實(shí)施例中,微透鏡陣列層可以通過改變?nèi)瓷涔饴?,提高光取出率;整個(gè)光取出部件的結(jié)構(gòu)簡單,可以有效消除全反射,光取出率高;所述設(shè)置有光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件,所述光取出部件設(shè)置在玻璃透明基板3和ITO透明陽極層4之間,可以有效地取出限制在有機(jī)功能層內(nèi)部的光束;ΙΤ0透明陽極層4制作在所述光取出部件的所述PEN透明基片上,PEN透明基片密度大且表面平整,在進(jìn)行器件封裝時(shí),封裝蓋和高折射率透明基片配合封裝,也能達(dá)到隔離水汽和氧氣的效果,有效的提高了器件的壽命。
[0071]本發(fā)明實(shí)施例二的含光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件制作方法如下:
[0072]首先,制備光取出部件:
[0073]S21,制備光取出部件,在PEN透明基片上涂布一層光刻膠,厚度為20 μ m,采用光刻技術(shù)制作出柱狀結(jié)構(gòu)的圖形,然后加熱至熔融的柱狀結(jié)構(gòu)光刻膠由于表面張力作用,邊緣部分先向上凸起,而后中間部分凸起,最終形成凸起的結(jié)構(gòu)構(gòu)成微透鏡。
[0074]S22,將步驟S21中所制得的光取出部件的微透鏡層面貼合在玻璃襯底3上,貼合可以用雙面膠、普通帶粘性的液體膠等;
[0075]S23,在貼合有薄膜基片的襯底上濺射一層ITO電極,采用直流磁控濺射法制備150nm的ITO透明陽極層層,ITO靶材為銦錫合金,其成份比例In:Sn=90%: 10%。制備過程中氧分壓為0.4Sccm,氬分壓為20Sccm。制備出ITO電極層后,采用刻蝕方法刻蝕出ITO透明陽極層4。
[0076]S24,放入蒸鍍腔室中蒸鍍各個(gè)功能層,5。依次蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。蒸鍍過程中腔室壓強(qiáng)低于5.0X 10_3Pa,首先蒸鍍40nm厚NPB作為空穴傳輸層;以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的ADN和TBPe作為發(fā)光層,通過速率控制TBPe在ADN中的比例為7%;蒸鍍20nm的Alq3作為電子傳輸層;蒸鍍0.5nm的LiF作為電子注入層。有機(jī)功能層之上蒸鍍150nm的Al作為第二電極層。
[0077]S25,用UV封裝膠、封裝蓋采用常規(guī)封裝方式封裝后,制成OLED器件。
[0078]作為本發(fā)明的實(shí)施例四,如附圖3-4所示,其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一到實(shí)施例三中的結(jié)構(gòu)相似,與上述實(shí)施例唯一不同的是所述光取出部件僅在發(fā)光區(qū)域分布。
[0079]本發(fā)明的實(shí)施例四結(jié)構(gòu)的OLED器件的制備方法如下:
[0080]S41,制備光取出部件,在PEN透明基片上制作一層高折射率散射層,散射層由TiO2混合在透明光刻膠中通過普通的光刻旋涂工藝制成,混合的TiO2和光刻膠的質(zhì)量比為1: 4,厚度為0.3-3 μ m。
[0081]S42,將步驟S41中所制備的光取出部件裁剪成發(fā)光區(qū)大小尺寸的光取出部件單元,裁切成的光取出部件單元為臺(tái)型,其中小片散射層42為大尺寸面,小片PEN透明基片41為小尺寸面,小片散射層42貼合在透明玻璃基板3的發(fā)光區(qū),貼合可以用雙面膠、普通帶粘性的液體膠等。裁剪后的所述光取出部件單元為臺(tái)型,形成在不同面上的ITO電極層平緩過渡,避免出現(xiàn)斷裂,保證ITO電極層的連續(xù)性,進(jìn)而保證導(dǎo)電效果;同時(shí),光取出部件為臺(tái)型,僅在發(fā)光區(qū)域分布;封裝后,所述光取出部件位于封裝蓋內(nèi),即器件通過封裝蓋和玻璃基板封裝,能獲得更好地隔離水汽和氧氣的封裝效果。
[0082]S43,在貼合有小片PEN透明基片41的襯底上濺射一層ITO電極,采用直流磁控濺射法制備150nm的ITO透明陽極層層,ITO靶材為銦錫合金,其成份比例In:Sn=90%: 10%。制備過程中氧分壓為0.4Sccm,lS分壓為20Sccm。制備出ITO電極層后,采用刻蝕方法刻蝕出ITO透明陽極層4。
[0083]S44,放入蒸鍍腔室中蒸鍍各個(gè)有機(jī)功能層5。依次蒸鍍空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。蒸鍍過程中腔室壓強(qiáng)低于5.0X 10_3Pa,首先蒸鍍40nm厚NPB作為空穴傳輸層;以雙源共蒸的方法蒸鍍30nm厚的ADN和TBPe作為發(fā)光層,通過速率控制TBPe在ADN中的比例為7% ;蒸鍍20nm的Alq3作為電子傳輸層;蒸鍍0.5nm的LiF作為電子注入層。有機(jī)功能層之上蒸鍍150nm的Al作為第二電極層。
[0084]S45,用UV封裝膠、封裝蓋采用常規(guī)封裝方式封裝后,制成OLED器件。
[0085]將光取出部件裁剪成發(fā)光區(qū)域大小尺寸的光取出部件單元,再將所述單元貼合在所述發(fā)光區(qū)域在透明玻璃基板3上的對(duì)應(yīng)位置,封裝時(shí),光取出部件位于封裝蓋內(nèi),保證更好的封裝效果。
[0086]作為本發(fā)明的對(duì)比例一,參見實(shí)施例一中的結(jié)構(gòu)與制備方法,與實(shí)施例一唯一不同的是對(duì)比例一中的OLED器件不含有光取出部件,其它同實(shí)施例一。
[0087]作為本發(fā)明的對(duì)比例二,參見實(shí)施例一中的結(jié)構(gòu)與制備方法,與實(shí)施例一唯一不同的是對(duì)比例二中的OLED器件不含有光取出部件,但是在玻璃基板3上涂布一層散射層,散射層由TiO2混合在透明光刻膠中通過普通的光刻旋涂工藝制成,其中混合的TiO2和光刻膠的質(zhì)量比為1:4,厚度為0.3-3 μ m ;再在涂布有散射層的襯底上濺射一層ITO電極。
[0088]測(cè)試本發(fā)明的一種含光取出部件的有機(jī)電致發(fā)光器件的光取出率,將第一到第四實(shí)施例制備的OLED進(jìn)行了亮度測(cè)試,并與對(duì)比例一到對(duì)比例二中的OLED器件進(jìn)行比較,其中對(duì)比例一為比對(duì)的基礎(chǔ),測(cè)試結(jié)果如下表所示:
[0089]
【權(quán)利要求】
1.一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的光取出部件,其特征在于,包括, 折射率高于有機(jī)電致發(fā)光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片; 成型在所述高折射率透明基片表面的光取出層,用于抑制從所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光取出部件,其特征在于:所述光取出層為散射層或微透鏡陣列層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光取出部件,其特征在于:所述散射層包括透光率大于80%的基質(zhì)和折射率大于有機(jī)電致發(fā)光器件中有機(jī)功能層的折射率的散射顆粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光取出部件,其特征在于,所述基質(zhì)為光刻膠,所述散射顆粒為TiO2或SiO2或ZnO或ZrO2的微細(xì)粒子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光取出部件,其特征在于,所述散射顆粒的初始粒徑為0.02-0.8 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光取出部件,其特征在于,所述散射層厚度為0.3-3 μ m。
7.一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的光取出部件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: (O獲取折射率高于有機(jī)電致發(fā)光器件中透明基板的折射率的高折射率透明基片; (2)在所述高折射率透明基片表面成型光取出層,其中的光取出層用于抑制從所述高折射率透明基片出射的光入射到所述透明基板的全反射。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述光取出層為散射層或微透鏡陣列層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述光取出層為高折射率散射層,所述步驟(2)具體包括以下步驟: (21)制備散射層溶液:將散射顆粒、分散劑、溶劑混合研磨后過濾取濾液,再將所得濾液與基質(zhì)混合制得散射層溶液; (22)將散射層溶液在高折射率透明基片上涂布成膜,獲得連續(xù)的散射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(21)中,所述基質(zhì)的透光率大于80%,所述散射顆粒的折射率大于有機(jī)電致發(fā)光器件中有機(jī)功能層的折射率。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述基質(zhì)為光刻膠,所述散射顆粒為TiO2或SiO2或ZnO或ZrO2的微細(xì)粒子。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述散射顆粒的初始粒徑為0.02-0.8 μ m。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法,其特征在于,所述散射層厚度為0.3-3 μ m。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述光取出層為微透鏡陣列層,所述步驟(2)具體包括以下步驟: (31)在所述高折射率透明基片的一面上旋轉(zhuǎn)涂布一層光刻膠層; (32)采用光刻技術(shù),將光刻膠層制作為柱狀結(jié)構(gòu)的基片; (33)將步驟(32)中的柱狀結(jié)構(gòu)的基片加熱,熔融的每個(gè)柱狀結(jié)構(gòu)的上底面凸起形成一個(gè)微透鏡。
15.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括透明基板、第一透明電極、有機(jī)功能層、第二電極,以及設(shè)置在所述透明基板與所述第一電極之間光取出部件,其特征在于,所述光取出部件為權(quán)利要求1 一 6任一所述的光取出部件;且所述光取出部件的所述光取出層與所述透明基板直接貼合,所述高折射率透明基片與第一電極直接貼合。
16.—種如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟: (IO )將所述光取出部件貼合在所述透明基板上,貼合后所述光取出部件的所述光取出層與所述透明基板直接貼合; (11)在所述光取出部件的所述高折射率透明基片所在的面上制作第一透明電極; (12)在所述第一透明電極上順次制作有機(jī)功能層和第二電極; (13)器件封裝。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,所述步驟(10)中在將光取出部件貼合在基板之前還包括裁剪的步驟,具體是:將光取出部件裁剪成與發(fā)光區(qū)域大小尺寸對(duì)應(yīng)的光取出部件單元的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,裁剪后的所述光取出部件單元為臺(tái)型。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103633251SQ201210312592
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
【發(fā)明者】邱勇, 段煉, 董艷波, 張國輝 申請(qǐng)人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司, 清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司
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