一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu)：玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；所述玻璃基底靠近所述陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起；所述玻璃基底遠(yuǎn)離所述陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的半球形凸起。這種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的玻璃基底靠近陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起，玻璃基底遠(yuǎn)離陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的半球形凸起，采用這種圖案化的玻璃基底的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，與傳統(tǒng)的采用平整玻璃基底的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件相比，發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供上述紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件，也稱為有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)，是一種將電能直接轉(zhuǎn)化為光能的器件。1987年，C.W.Tang及其合作者首次將空穴傳輸材料N，N' - 二苯基N，N' -二(3甲苯基)-4，4-'聯(lián)苯胺作為空穴傳輸層、具有電子傳輸能力的8-羥基喹啉鋁作為電子傳輸層和發(fā)光層，制成了具有雙層結(jié)構(gòu)的小分子紅光有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計(jì)所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計(jì)照明光源時(shí)更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時(shí)顯示信息；(5)0LED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個(gè)人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。
[0004]傳統(tǒng)的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件采用在平整的玻璃基板上制備各層結(jié)構(gòu)，而平整的玻璃基板使得發(fā)光效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，提供一種發(fā)光效率較高的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0006]—種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):
[0007]玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0008]所述玻璃基底靠近所述陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起；
[0009]所述玻璃基底遠(yuǎn)離所述陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0010]在一個(gè)實(shí)施例中，所述方形凸起的高度為5μ ml5 μ m，底面的邊長為5 μ ml20 μ m,每兩個(gè)相鄰的所述方形凸起的間距為I μ ml5 μ m。
[0011]在一個(gè)實(shí)施例中，所述半球形凸起的直徑為5 μ ml20 μ m,高度為5 μ ml?Ο μ m,每兩個(gè)相鄰的所述半球形凸起的間距為I μ ml5 μ m。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基底的厚度為0.7mnTl.1mm。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，所述陽極遠(yuǎn)離所述玻璃基底的一側(cè)設(shè)置設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材質(zhì)為質(zhì)量比為2:1飛:I的聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽；
[0015]所述空穴注入層的厚度為20nnT80nm。[0016]在一個(gè)實(shí)施例中,所述紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料的主體材料；
[0017]所述主體材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’ -二(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1-二[4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷和9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種；
[0018]所述紅光客體材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)、二[2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3_苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)和二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)中的至少一種；
[0019]所述紅光客體材料占所述紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2% ；
[0020]所述紅光發(fā)光層的厚度為10nnT30nm。
[0021]一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0022]提供潔凈的玻璃基底；
[0023]在所述玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起；
[0024]在所述玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起；
[0025]在所述玻璃基底設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的一面依次形成陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0026]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起的步驟為:
[0027]制備表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的聚甲基丙烯酸甲酯模型；
[0028]將所述聚甲基丙烯酸甲酯模型貼附在所述玻璃基底的一面，通過反應(yīng)離子刻蝕在所述玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0029]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起的步驟為:
[0030]將光刻膠涂覆在所述玻璃基底的另一面，曝光后形成陣列排布的圓柱形光刻膠柱；
[0031]加熱所述玻璃基底，使得所述圓柱形光刻膠柱熔化并形成多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起；
[0032]以所述多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起作為掩模，通過反應(yīng)離子刻蝕在所述玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0033]這種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的玻璃基底靠近陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起，玻璃基底遠(yuǎn)離陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的半球形凸起，采用這種圖案化的玻璃基底的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，與傳統(tǒng)的采用平整玻璃基底的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件相t匕，發(fā)光效率較高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1為一實(shí)施方式的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2為如圖1所示的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的玻璃基底靠近陽極的一面的示意圖；
[0036]圖3為如圖1所示的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的玻璃基底遠(yuǎn)離陽極的一面的示意圖；
[0037]圖4為如圖1所示的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0038]圖5為實(shí)施例f實(shí)施例7制備的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0040]如圖1所示的一實(shí)施方式的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):
[0041]玻璃基底10、陽極20、空穴注入層30、空穴傳輸層40、紅光發(fā)光層50、電子傳輸層60、電子注入層70和陰極80。
[0042]玻璃基底10可以選擇折射率為2.0-2.6的玻璃。從而使得玻璃基底10的折射率比陽極20要大，這樣光由光疏介質(zhì)入射到光密介質(zhì)，避免出現(xiàn)全反射，減少光的損失。
[0043]玻璃基底10的厚度可以為0.7mnTl.1mm。
[0044]結(jié)合圖2，玻璃基底10靠近陽極20的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起12。方形凸起12使得光更容易導(dǎo)入到玻璃基底10中。
[0045]方形凸起12的高度為5 μm~15 μ m,底面的邊長為5 μm~20 μ m,每兩個(gè)相鄰的方形凸起12的間距為I μm~5 μ m。
[0046]結(jié)合圖3，玻璃基底10遠(yuǎn)離陽極20的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的半球形凸起14。半球形凸起14對光從玻璃基底10射出起到增強(qiáng)作用。
[0047]半球形凸起14的直徑為5 μm~20 μ m,高度為5 μm~10 μ m,每兩個(gè)相鄰的半球形凸起14的間距為1 μm~5 μ m。
[0048]陽極20的材質(zhì)可以為ΙΤ0，陽極20的厚度可以為100nnTl50nm。
[0049]陽極20遠(yuǎn)離玻璃基底10的一側(cè)也設(shè)置設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起22。方形凸起22與方形凸起12的形狀相同，且對應(yīng)設(shè)置。
[0050]空穴注入層30的材質(zhì)為質(zhì)量比為2:廣6:1的聚3，4_ 二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸鹽(PSS)。
[0051]空穴注入層30的厚度為20nnT80nm。
[0052]空穴傳輸層40的材質(zhì)可以為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基聯(lián)苯-4,4’-二胺(NPB)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。
[0053]空穴傳輸層40的厚度可以為30nnT50nm。
[0054] 紅光發(fā)光層50的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料的主體材料。
[0055]紅光客體材料占紅光發(fā)光層50的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2%。
[0056]主體材料可以為TCTA (4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺)、mCP (9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑)、CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)、丁卩0 (N, N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺)、TAPC (1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)和ADN (9，10-雙(1-萘基)蒽)中的至少一種。
[0057]紅光客體材料可以為Ir (MDQ) 2(acac) (二(2_甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)、PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))、(fbi)2Ir (acac)(二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))、(F-BT)2IHacac) (二[2- (2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))和Ir(btp)2(acac) (二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III))中的至少一種。
[0058]紅光發(fā)光層50的厚度為10nm~30nm。
[0059]電子傳輸層60的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)和
1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0060]電子傳輸層60的厚度可以為10nm~60nm。
[0061]電子注入層70的材質(zhì)可以為摻雜了 Cs2C03、CsF、CsN3> Li2C03、LiF和Li2O中至少一種的電子傳輸材料。
[0062]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)和I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0063]Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O占電子注入層70的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的
259^35%。
[0064]電子注入層70的厚度可以為20nm~40nm。
[0065]陰極80的材質(zhì)可以為銀(Ag)、招(Al)或金(Au)等，陰極80的厚度為50nm~200nm。
[0066]這種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的玻璃基底10靠近陽極20的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起12，玻璃基底10遠(yuǎn)離陽極20的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的半球形凸起14，采用這種圖案化的玻璃基底10的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，與傳統(tǒng)的采用平整玻璃基底的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件相比，發(fā)光效率較高。
[0067]如圖4所示的上述紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0068]S10、提供潔凈的玻璃基底10。
[0069]玻璃基底10可以選擇折射率為2.0-2.6的玻璃。從而使得玻璃基底10的折射率比陽極20要大，這樣光由光疏介質(zhì)入射到光密介質(zhì)，避免出現(xiàn)全反射，減少光的損失。
[0070]玻璃基底10的厚度可以為0.7mm~1.1mm。
[0071]S20、在SlO得到的玻璃基底10的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起12。
[0072]方形凸起12使得光更容易導(dǎo)入到玻璃基底10中。
[0073]首先，制備表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的聚甲基丙烯酸甲酯模型。
[0074]可以通過涂膠、曝光、顯影，制作出表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)模型。
[0075]也可直接找玻璃加工廠家定做表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)模型。
[0076]接著將聚甲基丙烯酸甲酯模型貼附在玻璃基底10的一面，通過反應(yīng)離子刻蝕在玻璃基底10的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起12。
[0077]反應(yīng)離子(RIE)刻蝕的具體步驟如下:
[0078]將貼附有聚甲基丙烯酸甲酯模型的玻璃基底10置于托架，抽真空至3X 10_3Pa，接著通入CHF3開始刻蝕，聚甲基丙烯酸甲酯模型和玻璃基底10會被反應(yīng)離子同步移走，直到聚甲基丙烯酸甲酯模型全被刻蝕掉，從而在玻璃基底10的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起12。
[0079]通過光刻膠的尺寸來控制方形凸起12的高度為5μπ~?5μπι，底面的邊長為5μm~20μπ?。通過控制光刻顯影，使得每兩個(gè)相鄰的方形凸起12的間距為1μm~5μπ?。
[0080]S30、在S20得到的玻璃基底10的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起14。
[0081]半球形凸起14對光從玻璃基底10射出起到增強(qiáng)作用。
[0082]首先，將光刻膠涂覆在玻璃基底10的另一面，曝光后形成陣列排布的圓柱形光刻膠柱。
[0083]可以將光刻膠以旋涂的方式涂覆在玻璃基底10的另一面。
[0084]接著，加熱玻璃基底10，使得圓柱形光刻膠柱熔化并形成多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起。
[0085]將玻璃基底10放在熱板上加熱，圓柱形光刻膠柱會在150°C左右熔化，光刻膠會由于其表面張力形成多個(gè) 陣列排布的微透鏡狀凸起。
[0086]最后，以多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起作為掩模，通過反應(yīng)離子刻蝕在玻璃基底10的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0087]反應(yīng)離子(RIE)刻蝕的具體步驟如下:
[0088]將表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的半球形凸起的玻璃基底10置于托架，抽真空至3X 10_3Pa，接著通入CHF3開始刻蝕，多個(gè)陣列排布的半球形凸起和玻璃基底10會被反應(yīng)離子同步移走，直到多個(gè)陣列排布的半球形凸起全被刻蝕掉，從而在玻璃基底10的一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起14。
[0089]通過光刻膠的直徑和厚度控制半球形凸起14的直徑為5μum~20μπι，高度為5μm~?0μηι。通過控制曝光,使得每兩個(gè)相鄰的半球形凸起14的間距為I μ m~5 μ m。
[0090]可以理解的是S20和S30的先后順序可以調(diào)換。
[0091]S40、在玻璃基底10設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起12的一面依次形成陽極20、空穴注入層30、空穴傳輸層40、紅光發(fā)光層50、電子傳輸層60、電子注入層70和陰極80。
[0092]本底真空度2X 10_4Pa，通過磁控濺射在玻璃基底10設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起12的一面形成陽極20。
[0093]陽極20的材質(zhì)可以為ΙΤ0，陽極20的厚度可以為IOOnm~150nm。
[0094]由于陽極20通過磁控濺射沉積在玻璃基底10上，從而使得陽極20遠(yuǎn)離玻璃基底10的一側(cè)也設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起22。方形凸起22與方形凸起12的形狀相同，且
對應(yīng)設(shè)置。
[0095]在陽極20上旋涂形成空穴注入層30。
[0096]按照質(zhì)量比為2:1~6:1將聚3，4_ 二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸鹽(PSS)混合后配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~5%的溶液，并將該溶液旋涂在陽極20上，接著在100°C ~200°C下加熱15mirT60min，得到空穴注入層30。[0097]空穴注入層30的厚度控制為20nnT80nm。
[0098]接著蒸鍍形成空穴傳輸層40、紅光發(fā)光層50、電子傳輸層60、電子注入層70和陰極80。
[0099]空穴傳輸層40的材質(zhì)可以為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基聯(lián)苯-4,4’-二胺(NPB)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)和 1，1-二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。
[0100]蒸發(fā)條件為:真空度8\10-%~3父10、&，蒸發(fā)速度0.1A~2A/S。
[0101]空穴傳輸層40的厚度可以為30nnT50nm。
[0102]紅光發(fā)光層50的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料的主體材料。
[0103]蒸發(fā)條件為:真空度8X10-%~3\10-4Pa，蒸發(fā)速度0.1 A~1 A/S,
[0104]紅光客體材料占紅光發(fā)光層50的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2%。
[0105]主體材料可以為TCTA (4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺)、mCP (9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑)、CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)、丁卩0 (N, N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺)、TAPC (1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)和ADN (9，10-雙(1-萘基)蒽)中的至少一種。
[0106]紅光客體材料可以為Ir (MDQ) 2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)、PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))、(fbi)2Ir (acac)(二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))、(F-BT)2IHacac) (二[2- (2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))和Ir(btp)2(acac) (二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III))中的至少一種。
[0107]紅光發(fā)光層50的厚度為10nnT30nm。
[0108]電子傳輸層60的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)和
1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0109]蒸發(fā)條件為:真空度8X10-%~3X10-4Pa，蒸發(fā)速度0.1A~2A/S。
[0110]電子傳輸層60的厚度可以為10nnT60nm。
[0111]電子注入層70的材質(zhì)可以為摻雜了 Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O中至少一種的電子傳輸材料。
[0112]蒸發(fā)條件為:真空度8X10-%~3X10-4Pa，蒸發(fā)速度0.1A~2A/S。
[0113]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)和1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0114]Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O占電子注入層70的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的
259^35%。
[0115]電子注入層70的厚度可以為20nnT40nm。
[0116]陰極80的材質(zhì)可以為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)等。[0117]蒸發(fā)條件為:真空度8 X 10_5Pa?3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1 A?5A/s。
[0118]陰極80 的厚度為 50nnT200nm。
[0119]以下為具體實(shí)施例。實(shí)施例中光刻膠采用DTFR-EL100，深圳德同光電材料有限公
司生產(chǎn)。
[0120]實(shí)施例1
[0121]1、提供厚度為0.7mm的潔凈的玻璃基底。
[0122]2、在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0123]首先，制備表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的聚甲基丙烯酸甲酯模型。
[0124]具體步驟為:取一塊玻璃，以4000rpm的轉(zhuǎn)速將甲基丙烯酸甲酯旋涂在玻璃上，曝光以固化旋涂液(曝光能量7J/cm2)，以Ni作掩模，利用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)技術(shù)刻蝕聚甲基丙烯酸甲酯，按Ni掩模圖形化顯影，制作出表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的聚甲基丙烯酸甲酯模型。
[0125]接著將聚甲基丙烯酸甲酯模型貼附在玻璃基底的一面，通過反應(yīng)離子刻蝕在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0126]反應(yīng)離子刻蝕的具體步驟如下:
[0127]將貼附有聚甲基丙烯酸甲酯模型的玻璃基底置于托架，抽真空至3X10_3Pa，接著通入CHF3開始刻蝕，聚甲基丙烯酸甲酯模型和玻璃基底會被反應(yīng)離子同步移走，直到聚甲基丙烯酸甲酯模型全被刻蝕掉，從而在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0128]通過光刻膠的尺寸來控制方形凸起的高度為7μπι，底面的邊長為ΙΟμπι。通過控制光刻顯影，使得每兩個(gè)相鄰的方形凸起的間距為3 μ m。
[0129]3、在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0130]首先，將光刻膠涂覆在玻璃基底10的另一面，曝光后形成陣列排布的圓柱形光刻膠柱。
[0131]可以將光刻膠以旋涂的方式涂覆在玻璃基底10的另一面。
[0132]接著，加熱玻璃基底，使得圓柱形光刻膠柱熔化并形成多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起。
[0133]將玻璃基底放在熱板上加熱，使得圓柱形光刻膠柱熔化，光刻膠會由于其表面張力形成多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起。
[0134]最后，以多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起作為掩模，通過反應(yīng)離子刻蝕在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0135]反應(yīng)離子(RIE)刻蝕的具體步驟如下:
[0136]將表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的半球形凸起的玻璃基底置于托架，抽真空至3X 10_3Pa，接著通入CHF3開始刻蝕，多個(gè)陣列排布的半球形凸起和玻璃基底會被反應(yīng)離子同步移走，直到多個(gè)陣列排布的半球形凸起全被刻蝕掉，從而在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0137]通過光刻膠的直徑和厚度控制半球形凸起的直徑為10 μ m,高度為7 μ m。通過控制曝光，使得每兩個(gè)相鄰的半球形凸起的間距為3 μ m。
[0138]4、在玻璃基底設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的一面磁控濺射形成陽極。
[0139]本底真空度為2 X10_4Pa，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為150nm。[0140]5、按照質(zhì)量比為4:1將PEDOT和PSS混合后配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的溶液，并將該溶液旋涂在陽極上，接著在150°C下加熱40min，控制厚度為60nm，得到空穴注入層。
[0141]6、依次在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0142]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0143]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成紅光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (MDQ) 2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)的TCTA (4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺)，Ir(MDQ)2 (acac)占紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0144]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以lA/S的蒸發(fā)速度，在紅光發(fā)光層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，形成的電子傳輸層的厚度為35nm。
[0145]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Cs2CO3的4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，Cs2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0146]在真空度5X10_5Pa的條件下，以3A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Ag,形成的陰極的厚度為125nm。
[0147]實(shí)施例2
[0148]1、提供厚度為0.8mm的潔凈的玻璃基底。
[0149]2、在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0150]具體操作同實(shí)施例1。
[0151]通過光刻膠的尺寸來控制方形凸起的高度為5 μ m,底面的邊長為5 μ m。通過控制光刻顯影，使得每兩個(gè)相鄰的方形凸起的間距為5 μ m。
[0152]3、在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0153]具體操作同實(shí)施例1。
[0154]通過光刻膠的直徑和厚度控制半球形凸起的直徑為5 μ m,高度為5 μ m。通過控制曝光，使得每兩個(gè)相鄰的半球形凸起的間距為5 μ m。
[0155]4、在玻璃基底設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的一面磁控濺射形成陽極。
[0156]本底真空度為2 X10_4Pa，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為120nm。
[0157]5、按照質(zhì)量比為2:1將PEDOT和PSS混合后配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%的溶液，并將該溶液旋涂在陽極上，接著在100°C下加熱15min，控制厚度為20nm，得到空穴注入層。
[0158]6、依次在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0159]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0160]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成紅光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))的mCP (9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑)，PQIr占紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的
0.5%,形成的紅光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0161]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.lA/s的蒸發(fā)速度，在紅光發(fā)光層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP),形成的電子傳輸層的厚度為 10nm。
[0162]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 CsF的4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)，CsF占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%，形成的電子注入層的厚度20nm。
[0163]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.lA/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為50nm。
[0164]實(shí)施例3
[0165]1、提供厚度為0.9mm的潔凈的玻璃基底。
[0166]2、在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0167]具體操作同實(shí)施例1。
[0168]通過光刻膠的尺寸來控制方形凸起的高度為10 μ m，底面的邊長為20 μ m。通過控制光刻顯影，使得每兩個(gè)相鄰的方形凸起的間距為I μ m。
[0169]3、在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0170]具體操作同實(shí)施例1。
[0171]通過光刻膠的直徑和厚度控制半球形凸起的直徑為20 μ m,高度為10 μ m。通過控制曝光，使得每兩個(gè)相鄰的半球形凸起的間距為I μ m。
[0172]4、在玻璃基底設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的一面磁控濺射形成陽極。
[0173]本底真空度為2 X10_4Pa，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為lOOnm。
[0174]5、按照質(zhì)量比為6:1將PEDOT和PSS混合后配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%的溶液，并將該溶液旋涂在陽極上，接著在100°C下加熱60min，控制厚度為80nm，得到空穴注入層。
[0175]6、依次在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0176]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，形成的空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0177]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成紅光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(fbi)2Ir (acac) (二 [N-異丙基_2_ (4_氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))的CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)，(fbi)2Ir (acac)占紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的2%，形成的紅光發(fā)光層的厚度為30nm。
[0178]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在紅光發(fā)光層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，形成的電子傳輸層的厚度為60nm。
[0179]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 CsN3的4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq), CsN3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的35%，形成的電子注入層的厚度40nm。[0180]在真空度5X10_5Pa的條件下，以5A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Au,形成的陰極的厚度為200nm。
[0181]實(shí)施例4
[0182]1、提供厚度為1mm的潔凈的玻璃基底。
[0183]2、在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0184]具體操作同實(shí)施例1。
[0185]通過光刻膠的尺寸來控制方形凸起的高度為8μπι，底面的邊長為Ι?μπι。通過控制光刻顯影，使得每兩個(gè)相鄰的方形凸起的間距為3 μ m。
[0186]3、在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0187]具體操作同實(shí)施例1。
[0188]通過光刻膠的直徑和厚度控制半球形凸起的直徑為11 μ m，高度為8 μ m。通過控制曝光，使得每兩個(gè)相鄰的半球形凸起的間距為3 μ m。
[0189]4、在玻璃基底設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的一面磁控濺射形成陽極。
[0190]本底真空度為2 X10_4Pa，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為lOOnm。
[0191]5、按照質(zhì)量比為3:1將PEDOT和PSS混合后配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的溶液，并將該溶液旋涂在陽極上，接著在200°C下加熱20min，控制厚度為40nm，得到空穴注入層。
[0192]6、依次在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0193]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0194]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成紅光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(F-BT)2Ir (acac) (二 [2- (2_氟苯基)-1，3_苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))的TPD(N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺)，(F-BT)2Ir (acac)占紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0195]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在紅光發(fā)光層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為8-羥基喹啉招(Alq3),形成的電子傳輸層的厚度為30nm。
[0196]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Li2CO3的8-羥基喹啉鋁(Alq3), Li2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0197]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Ag,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0198]實(shí)施例5:
[0199]1、提供厚度為1.1mm的潔凈的玻璃基底。
[0200]2、在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0201]具體操作同實(shí)施例1。
[0202]通過光刻膠的尺寸來控制方形凸起的高度為6 μ m,底面的邊長為8 μ m。通過控制光刻顯影，使得每兩個(gè)相鄰的方形凸起的間距為4 μ m。[0203]3、在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0204]具體操作同實(shí)施例1。
[0205]通過光刻膠的直徑和厚度控制半球形凸起的直徑為8 μ m，高度為6 μ m。通過控制曝光，使得每兩個(gè)相鄰的半球形凸起的間距為4 μ m。
[0206]4、在玻璃基底設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的一面磁控濺射形成陽極。
[0207]本底真空度為2X 10_4Pa，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0，厚度為lOOnm。
[0208]5、按照質(zhì)量比為5:1將PEDOT和PSS混合后配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4%的溶液，并將該溶液旋涂在陽極上，接著在120°C下加熱30min，控制厚度為50nm，得到空穴注入層。
[0209]6、依次在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0210]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0211]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成紅光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir(btp)2(acac) (二(2_苯并噻吩_2_基-吡唳)(乙酰丙酮)合銥(III))的TAPC (I, 1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)，Ir(btp)2(acac)占紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的紅光發(fā)光層的厚度為20nmo
[0212]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在紅光發(fā)光層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ),形成的電子傳輸層的厚度為50nm。
[0213]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 LiF的3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，LiF占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0214]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0215]實(shí)施例6
[0216]1、提供厚度為1mm的潔凈的玻璃基底。
[0217]2、在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
[0218]具體操作同實(shí)施例1。
[0219]通過光刻膠的尺寸來控制方形凸起的高度為15μ m，底面的邊長為7μ m。通過控制光刻顯影，使得每兩個(gè)相鄰的方形凸起的間距為4 μ m。
[0220]3、在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
[0221 ] 具體操作同實(shí)施例1。
[0222]通過光刻膠的直徑和厚度控制半球形凸起的直徑為7 μ m,高度為9 μ m。通過控制曝光，使得每兩個(gè)相鄰的半球形凸起的間距為4 μ m。
[0223]4、在玻璃基底設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的一面磁控濺射形成陽極。
[0224]本底真空度為2X 10_4Pa，陽極的材質(zhì)為IT0，厚度為lOOnm。[0225]5、按照質(zhì)量比為4:1將PEDOT和PSS混合后配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4%的溶液，并將該溶液旋涂在陽極上，接著在160°C下加熱40min，控制厚度為60nm，得到空穴注入層。
[0226]6、依次在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0227]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0228]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成紅光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir(Piq)3 (三(1-苯基-異喹啉)合銥)的ADN (9，10-雙(1-萘基)蒽)，Ir(Piq)3占紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0229]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以lA/S的蒸發(fā)速度，在紅光發(fā)光層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，形成的電子傳輸層的厚度為30nm。
[0230]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Li2O的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI), Li2O占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0231]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0232]實(shí)施例7 (對比例)
[0233]提供ITO厚度為150nm的ITO玻璃，厚度為0.9mm的玻璃層作為玻璃基板，ITO層作為陽極，并對其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0234]按照質(zhì)量比為3:1將PEDOT和PSS混合后配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的溶液，并將該溶液旋涂在陽極上，接著在150°C下加熱40min，控制厚度為70nm，得到空穴注入層。
[0235]依次在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0236]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0237]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成紅光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (MDQ) 2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)的TCTA (4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺)，Ir(MDQ)2 (acac)占紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0238]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在紅光發(fā)光層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，形成的電子傳輸層的厚度為40nmo[0239]在真空度5X10_5Pa的條件下，以ΙΑ/S的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Cs2CO3的1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，Cs2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度40nmo
[0240]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為80nm。
[0241]如圖5所示的實(shí)施例f實(shí)施例7制備的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖，讀
圖可以得到下表:
[0242]
【權(quán)利要求】
1.一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu): 玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極； 所述玻璃基底靠近所述陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起； 所述玻璃基底遠(yuǎn)離所述陽極的一面設(shè)有多個(gè)陣列排布的半球形凸起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述方形凸起的高度為5μm-?5μm,底面的邊長為5μm-20μm,每兩個(gè)相鄰的所述方形凸起的間距為I μ m~5 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述半球形凸起的直徑為5 μ m-20 μ m,高度為5 μ m-10 μ m,每兩個(gè)相鄰的所述半球形凸起的間距為I μ m-5 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的厚度為 0.1mnin
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極遠(yuǎn)離所述玻璃基底的一側(cè)設(shè)置設(shè)有多個(gè)陣列排布的方形凸起。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為質(zhì)量比為2:1飛:I的聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽； 所述空穴注入層的厚度為20nnT80nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料的主體材料； 所述主體材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1- 二[4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷和9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種；所述紅光客體材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [2- (2-氟苯基)-1，3_苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)和二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)中的至少一種； 所述紅光客體材料占所述紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2% ； 所述紅光發(fā)光層的厚度為10nnT30nm。
8.—種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供潔凈的玻璃基底； 在所述玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起； 在所述玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起； 在所述玻璃基底設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的一面依次形成陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述在玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起的步驟為: 制備表面設(shè)置有多個(gè)陣列排布的方形凸起的聚甲基丙烯酸甲酯模型； 將所述聚甲基丙烯酸甲酯模型貼附在所述玻璃基底的一面，通過反應(yīng)離子刻蝕在所述玻璃基底的一面形成多個(gè)陣列排布的方形凸起。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述在玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣列排布的半球形凸起的步驟為: 將光刻膠涂覆在所述玻璃基底的另一面，曝光后形成陣列排布的圓柱形光刻膠柱； 加熱所述玻璃基底，使得所述圓柱形光刻膠柱熔化并形成多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起; 以所述多個(gè)陣列排布的微透鏡狀凸起作為掩模，通過反應(yīng)離子刻蝕在所述玻璃基底的另一面形成多個(gè)陣 列排布的半球形凸起。
【文檔編號】H01L51/54GK103633252SQ201210312861
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司