紅光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu)：導(dǎo)電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、第一紅光發(fā)光層、第一電荷控制層、第二紅光發(fā)光層、第二電荷控制層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極；所述第一紅光發(fā)光層和所述第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)相同，且所述第一電荷控制層和所述第二電荷控制層的材質(zhì)相同。這種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的第一紅光發(fā)光層和第二紅光發(fā)光層材質(zhì)相同，第一電荷控制層和第二電荷控制層材質(zhì)相同，從而形成量子阱結(jié)構(gòu)，使電子空穴平衡后在發(fā)光區(qū)域復(fù)合，提高了發(fā)光效率，與傳統(tǒng)的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件相比，發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種上述紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】紅光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件，也稱為有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)，是一種將電能直接轉(zhuǎn)化為光能的器件。1987年，C.W.Tang及其合作者首次將空穴傳輸材料N，N' - 二苯基N，N' -二(3甲苯基)-4,4-'聯(lián)苯胺作為空穴傳輸層、具有電子傳輸能力的8-羥基喹啉鋁作為電子傳輸層和發(fā)光層，制成了具有雙層結(jié)構(gòu)的小分子有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計(jì)所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計(jì)照明光源時(shí)更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時(shí)顯示信息；(5)0LED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個(gè)人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。
[0004]傳統(tǒng)的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件中由于空穴遷移率比電子遷移率要大得多，空穴和電子不平衡，從而使得器件的發(fā)光效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，提供一種發(fā)光效率較高的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0006]—種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):
[0007]導(dǎo)電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、第一紅光發(fā)光層、第一電荷控制層、第二紅光發(fā)光層、第二電荷控制層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極；
[0008]所述第一紅光發(fā)光層和所述第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)相同，且所述第一電荷控制層和所述第二電荷控制層的材質(zhì)相同。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了氧化物的2，6-二[4-(2-苯基苯并咪唑)苯基]-9-苯基咔唑、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉和4-(2，4，6-三苯基-1，3，5-三
嗪)苯基三苯基娃中的至少一種。
[0010]在一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化物為Mo03、W03、V205和ReO3中的至少一種。
[0011 ] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化物占所述第一電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%?15%。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電荷控制層的厚度為5nnTl5nm。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料的主體材料；[0014]所述主體材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(1，3-苯基)二_9!1-咔唑)，4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、
I,1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷和9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種；
[0015]所述紅色客體材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯并噻唑-隊(duì)02](乙酰丙酮)合銥(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)和三(1-苯基-異喹啉)合銥中的至少一種。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，所述紅光客體材料占所述紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2%。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，所述紅光發(fā)光層的厚度為10nnT30nm。
[0018]—種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):
[0019]導(dǎo)電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、第一紅光發(fā)光層、第一電荷控制層、第二紅光發(fā)光層、第二電荷控制層、第三紅光發(fā)光層、第三電荷控制層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極；
[0020]所述第一紅光發(fā)光層、所述第二紅光發(fā)光層和所述第三紅光發(fā)光層的材質(zhì)均相同，且所述第一電荷控制層、所述第二電荷控制層和所述第三電荷控制層的材質(zhì)均相同。
[0021]一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0022]提供潔凈的導(dǎo)電基底；
[0023]在所述導(dǎo)電基底上依次形成導(dǎo)電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、第一紅光發(fā)光層、第一電荷控制層、第二紅光發(fā)光層、第二電荷控制層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極；其中，所述第一紅光發(fā)光層和所述第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)相同，且所述第一電荷控制層和所述第二電荷控制層的材質(zhì)相同。
[0024]在這種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件中，第一紅光發(fā)光層、第一電荷控制層、第二紅光發(fā)光層和第二電荷控制層依次層疊，第一紅光發(fā)光層和第二紅光發(fā)光層材質(zhì)相同，第一電荷控制層和第二電荷控制層材質(zhì)相同，從而形成量子阱結(jié)構(gòu)，使電子空穴平衡后在發(fā)光區(qū)域復(fù)合，提高了發(fā)光效率，與傳統(tǒng)的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件相比，發(fā)光效率較高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為一實(shí)施方式的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為另一實(shí)施方式的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為如圖1所示的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0028]圖4為實(shí)施例f實(shí)施例6制備的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0030]如圖1所示的一實(shí)施方式的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的如下結(jié) 構(gòu)：
[0031]導(dǎo)電基底110、空穴注入層120、空穴傳輸層130、第一紅光發(fā)光層135、第一電荷控 制層145、第二紅光發(fā)光層155、第二電荷控制層165、電子傳輸層170、電子注入層180以及 陰極190。
[0032]導(dǎo)電基底110可以選擇IT0玻璃基板，IT0的厚度可以為100nnTl50nm。
[0033]空穴注入層120材質(zhì)為摻雜了 Mo03、W03、V205和Re03中至少一種的空穴傳輸材料。
[0034]空穴傳輸材料可以為N，N’_ 二苯基_N，N’_ 二（1_萘基）_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺 (NPB)、4，4，，4”_ 三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4，4，- 二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、N，N，- 二 (3-甲基苯基）-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺（TPD)和 1，1-二 [4_[N，N' -二 (p-甲苯 基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)中的至少一種。
[0035]Mo03、W03、V205和Re03占空穴注入層120的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%?35%。
[0036]空穴注入層120的厚度可以為10nnTl5nm。
[0037]空穴傳輸層130的材質(zhì)可以為N，N’ - 二苯基_N，N’ -二（1_萘基）_1，1’ _聯(lián) 苯-4，4，-二胺（NPB)、4，4，，4”-三（咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)、4，4’ -二（9-咔唑) 聯(lián)苯（CBP)、N，N’ -二（3-甲基苯基）-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺（TPD)和 1，1-二 [4-[N, N' -二（p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒（TAPC)中的至少一種。
[0038]空穴傳輸層130的厚度可以為30nnT50nm。
[0039]第一紅光發(fā)光層135的厚度為10nnT30nm。
[0040]第二紅光發(fā)光層155的厚度為10nnT30nm。
[0041]第一紅光發(fā)光層135和第二紅光發(fā)光層155的材質(zhì)相同，下面僅介紹第一紅光發(fā) 光層135的材質(zhì)。
[0042]第一紅光發(fā)光層135的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料的主體材料。
[0043]紅光客體材料占第一紅光發(fā)光層135的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0. 5%?2%。
[0044]主體材料可以為TCTA (4，4，，4”_三(咔唑-9-基）三苯胺)、mCP (9，9，_(1，3_苯 基）二-9H-咔唑)、CBP (4，4’-二（9-咔唑)聯(lián)苯)、丁卩0 (N，N，-二（3-甲基苯基)-N，N’_ 二 苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺)、TAPC (1，1- 二 [4-[N，N' - 二（p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷) 和ADN (9，10-雙（1-萘基）蒽）中的至少一種。
[0045]紅光客體材料可以為Ir (MDQ) 2 (acac) (二（2_甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥)、PQIr (二 [2-苯基喹啉基）-N，C2](乙酰丙酮）合銥（III))、(fbi)2Ir (acac) (二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基）苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥（111))、$-81')211'(&0&(3) (二 [2- (2-氟苯基）-1，3_ 苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮）合銥（III))、Ir(btp)2(acac) (二 (2-苯并噻吩-2-基-吡啶）（乙酰丙酮）合銥（III))和Ir(piq)3 (三（1-苯基-異喹啉) 合銥）中的至少一種。
[0046]第一電荷控制層145的厚度為5nnTl5nm。
[0047]第二電荷控制層165的厚度為5nnTl5nm。
[0048]第一電荷控制層145和第二電荷控制層165的材質(zhì)相同，下面僅介紹第一電荷控 制層145的材質(zhì)。[0049]第一電荷控制層145的材質(zhì)為摻雜了氧化物的LPGH 154 (2，6_ 二 [4_(2_苯基苯并咪唑)苯基]-9-苯基咔唑)、Bphen(4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉)、BAlq(4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁)、BCP(4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉)和DTBT (4-(2，4，6-三苯基-1，3, 5-三嗪)苯基三苯基娃)中的至少一種。
[0050]氧化物為Mo03、WO3> V2O5和ReO3中的至少一種。
[0051]氧化物占第一電荷控制層145的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%~?5%。
[0052]電子傳輸層170的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)和
1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0053]電子傳輸層170的厚度可以為10nnT60nm。
[0054]電子注入層180的材質(zhì)可以為摻雜了 Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O中至少一種的電子傳輸材料。
[0055]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0056]Cs2C03、CsF、 CsN3、Li2C03、LiF和Li2O占電子注入層180的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的259^35%。
[0057]電子注入層180的厚度可以為20nnT40nm。
[0058]陰極190的材質(zhì)可以為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)等，陰極80的厚度為50nm~200nmo
[0059]在這種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件中，第一紅光發(fā)光層135、第一電荷控制層145、第二紅光發(fā)光層155和第二電荷控制層165依次層疊,第一紅光發(fā)光層135和第二紅光發(fā)光層155材質(zhì)相同,第一電荷控制層145和第二電荷控制層165材質(zhì)相同，從而形成量子講結(jié)構(gòu)，使電子空穴在發(fā)光區(qū)域復(fù)合，提高了發(fā)光效率，與傳統(tǒng)的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件相比，發(fā)光效率較高。
[0060]如圖2所示的另一實(shí)施方式的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件200，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu):
[0061]導(dǎo)電基底210、空穴注入層220、空穴傳輸層230、第一紅光發(fā)光層235、第一電荷控制層240、第二紅光發(fā)光層245、第二電荷控制層250、第三紅光發(fā)光層255、第三電荷控制層260、電子傳輸層270、電子注入層280以及陰極290。
[0062]紅光有機(jī)電致發(fā)光器件200的結(jié)構(gòu)和材質(zhì)與紅光有機(jī)電致發(fā)光器件100基本相同，區(qū)別點(diǎn)僅在于第三紅光發(fā)光層255和第三電荷控制層260。
[0063]第三紅光發(fā)光層255的厚度為10nnT30nm,第三紅光發(fā)光層255、第一紅光發(fā)光層235和第二紅光發(fā)光層245的材質(zhì)均相同。
[0064]第三電荷控制層260的厚度為5nnTl5nm，第三電荷控制層260、第一電荷控制層240和第二電荷控制層250的材質(zhì)均相同。
[0065]在其他的實(shí)施例中，還可以提供結(jié)構(gòu)與紅光有機(jī)電致發(fā)光器件100基本相同，紅光發(fā)光層和電荷控制層重復(fù)四次、五次或更多次的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0066]如圖3所示的上述紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0067]S10、提供潔凈的導(dǎo)電基底110。
[0068]導(dǎo)電基底110依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干待用。
[0069]洗凈后的導(dǎo)電基底110還可以進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電基底110表面的含氧量，提高導(dǎo)電基底110表面的功函數(shù)。 [0070]S20、在SlO得到的導(dǎo)電基底上依次形成空穴注入層120、空穴傳輸層130、第一紅光發(fā)光層135、第一電荷控制層145、第二紅光發(fā)光層155、第二電荷控制層165、電子傳輸層170、電子注入層180以及陰極190。
[0071]空穴注入層120材質(zhì)為摻雜了 MoO3、W03、V205和ReO3中至少一種的空穴傳輸材料。
[0072]蒸發(fā)條件為:真空度8 X KT5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.1A~IA/S。
[0073]空穴傳輸材料可以為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，-聯(lián)苯_4，4’-二胺(NPB)、4，4，，4”_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)和 I, 1-二 [4-[N, N1-二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中的至少一種。
[0074]MoO3> WO3> V2O5和ReO3占空穴注入層120的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%~35%。
[0075]空穴注入層120的厚度可以為10nnTl5nm。
[0076]空穴傳輸層130的材質(zhì)可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ -二(1_萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4，-二胺(NPB)、4，4，，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N，-二(3-甲基苯基)-N, N，- 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)和 I, 1-二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)中的至少一種。
[0077]蒸發(fā)條件為:真空度8\10-%~3父10、&，蒸發(fā)速度0.1人~2力3。
[0078]空穴傳輸層130的厚度可以為30nnT50nm。
[0079]第一紅光發(fā)光層135的厚度為10nnT30nm。
[0080]第二紅光發(fā)光層155的厚度為10nnT30nm。
[0081]第一紅光發(fā)光層135和第二紅光發(fā)光層155的材質(zhì)和蒸發(fā)條件均相同,下面僅介紹第一紅光發(fā)光層135的材質(zhì)和蒸發(fā)條件。
[0082]第一紅光發(fā)光層135的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料的主體材料。
[0083]蒸發(fā)條件為:真空度8\10-%~3父10、&，蒸發(fā)速度0.1八.、..1人/3。
[0084]紅光客體材料占第一紅光發(fā)光層135的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2%。
[0085]主體材料可以為TCTA (4，4，，4”_三(咔唑-9-基)三苯胺)、mCP (9，9，-(1，3_苯基)二-9H-咔唑)、CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)、丁卩0 (N, N，-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺)、TAPC (1，1- 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)和ADN (9，10-雙(1-萘基)蒽)中的至少一種。
[0086]紅光客體材料可以為Ir (MDQ) 2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)、PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))、(fbi)2Ir (acac)(二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))、(F-BT)2IHacac) (二[2- (2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))、Ir(btp)2(acac) (二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III))和Ir(Piq)3 (三(1-苯基-異喹啉)合銥)中的至少一種。
[0087]第一電荷控制層145的厚度為5nnTl5nm。
[0088]第二電荷控制層165的厚度為5nnTl5nm。
[0089]第一電荷控制層145和第二電荷控制層165的材質(zhì)和蒸發(fā)條件均相同,下面僅介紹第一電荷控制層145的材質(zhì)和蒸發(fā)條件。
[0090]第一電荷控制層145的材質(zhì)為摻雜了氧化物的LPGH 154 (2，6_ 二 [4_(2_苯基苯并咪唑)苯基]-9-苯基咔唑)、Bphen(4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉)、BAlq(4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁)、BCP(4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉)和DTBT (4-(2，4，6-三苯基-1，3, 5-三嗪)苯基三苯基娃)中的至少一種。
[0091]蒸發(fā)條件為:真空度8 X KT5Pa~3 X10_4Pa，蒸發(fā)速度O l4~lA/s。
[0092]氧化物為Mo03、TO3J2O5和ReO3中的至少一種。
[0093]氧化物占第一電荷控制層145的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%~?5%。
[0094]電子傳輸層170的材質(zhì)可以為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4, 7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)和1,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0095]蒸發(fā)條件為:真空度8父10-%~3\10、&，蒸發(fā)速度0.1人~21^。
[0096]電子傳輸層170的厚度可以為10nnT60nm。
[0097]電子注入層180的材質(zhì)可以為摻雜了 Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O中至少一種的電子傳輸材料。
[0098]蒸發(fā)條件為:真空度8 X 10_5Pa~3 X 10_4Pa，蒸發(fā)速度0.lA~2A/s0
[0099]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中的至少一種。
[0100]Cs2C03、CsF、CsN3、Li2C03、LiF和Li2O占電子注入層180的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的259^35%。
[0101]電子注入層180的厚度可以為20nnT40nm。
[0102]陰極190的材質(zhì)可以為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)等。
[0103]蒸發(fā)條件為:真空度8父10-%~3父10、&，蒸發(fā)速度0.1 Λ-θΑ/So
[0104]陰極80的厚度為50nm~200nm。
[0105]以下為具體實(shí)施例
[0106]實(shí)施例1
[0107]提供ITO厚度為150nm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分 別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。[0108]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上形成空穴注入層，空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的N，N’ - 二苯基-N，N’ -二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ -二胺(NPB)，MoO3占空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的空穴注入層的厚度為12.5nm。
[0109]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’ - 二苯基-N，N7 - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ -二胺(NPB)，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0110]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成第一紅光發(fā)光層，第一紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (MDQ)2 (acac) (二(2-甲基-二苯基[f, h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)的TCTA (4，4，，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)，Ir (MDQ)2 (acac)占第一紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的第一紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0111]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/'S的蒸發(fā)速度，在第一紅光發(fā)光層上形成第一電荷控制層，第一電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的LPGH 154，MoO3占第一電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，形成的第一電荷控制層的厚度為10nm。
[0112]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一電荷控制層上形成第二紅光發(fā)光層，第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (MDQ)2(acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)的TCTA (4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)，Ir(MDQ)2 (acac)占第二光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的第二紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0113]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二紅光發(fā)光層上形成第二電荷控制層，第二電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的LPGH 154，MoO3占第二電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，形成的第二電荷控制層的厚度為10nm。
[0114]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第二電荷控制層上形成第三紅光發(fā)光層，第三紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (MDQ)2(acac) (二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥)的TCTA (4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)，Ir(MDQ)2 (acac)占第三紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的第三紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0115]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第三紅光發(fā)光層上形成第三電荷控制層，第三電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的LPGH 154，MoO3占第三電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，形成的第三電荷控制層的厚度為10nm。
[0116]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在第三電荷控制層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen),形成的電子傳輸層的厚度為35nm。
[0117]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Cs2CO3的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，Cs2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0118]在真空度5X10_5Pa的條件下，以3A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Ag,形成的陰極的厚度為125nm。
[0119]實(shí)施例2
[0120]提供ITO厚度為130nm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0121]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上形成空穴注入層，空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，W03占空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%，形成的空穴注入層的厚度為10nm。
[0122]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.lA/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4” -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0123]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成第一紅光發(fā)光層，第一紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N, C2](乙酰丙酮)合銥(III))的mCP (9，9’ -(1，3_苯基)二-9H-咔唑)，PQIr占第一紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%，形成的第一紅光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0124]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s.孩發(fā)速度，在第一紅光發(fā)光層上形成第一電荷控制層，第一電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的Bphen (4，7-二苯基-1，10-菲羅啉)，V205占第一電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%，形成的第一電荷控制層的厚度為5nm。
[0125]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/'S的蒸發(fā)速度，在第一電荷控制層上形成第二紅光發(fā)光層，第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)M^mCP (9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑)，PQIr占第二紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%，形成的第二紅光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0126]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在第二紅光發(fā)光層上形成第二電荷控制層，第二電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的Bphen (4，7-二苯基-1，10-菲羅啉)，V205占第二電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%，形成的第二電荷控制層的厚度為5nm。
[0127]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/S的蒸發(fā)速度，在第二電荷控制層上形成第三紅光發(fā)光層，第三紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)M^mCP (9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑)，PQIr占第三紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%，形成的第三紅光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0128]在真空度5 X 10_5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在第三紅光發(fā)光層上形成第三電荷控制層，第三電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的Bphen (4，7-二苯基-1，10-菲羅啉)，V205占第三電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%，形成的第三電荷控制層的厚度為5nm。
[0129]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.lA/s的蒸發(fā)速度，在第三電荷控制層上形成第四紅光發(fā)光層，第四紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)M^mCP (9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑)，PQIr占第四紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%，形成的第四紅光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0130]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.1 A/S的蒸發(fā)速度，在第四紅光發(fā)光層上形成第四電荷控制層，第四電荷 控制層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的Bphen (4，7-二苯基-1，10-菲羅啉)，V2O5占第四電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%，形成的第四電荷控制層的厚度為5nm。
[0131]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.lA/s的蒸發(fā)速度，在第四電荷控制層上形成第五紅光發(fā)光層，第五紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 PQIr (二 [2-苯基喹啉基)-N, C2](乙酰丙酮)合銥(III)M^mCP (9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑)，PQIr占第五紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%，形成的第五紅光發(fā)光層的厚度為10nm。
[0132]在真空度5 X IO-5Pa的條件下，以0.lA/s的蒸發(fā)速度，在第五紅光發(fā)光層上形成第五電荷控制層，第五電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的Bphen (4，7-二苯基-1，10-菲羅啉)，V205占第五電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%，形成的第五電荷控制層的厚度為5nm。
[0133]在真空度5 X IO-5Pa的條件下，以0.1 A/s的蒸發(fā)速度，在第五電荷控制層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP),形成的電子傳輸層的厚度為10nm。
[0134]在真空度5X10_5Pa的條件下，以《)丨八s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 CsF的4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)，CsF占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%，形成的電子注入層的厚度20nm。
[0135]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.lA/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為50nm。
[0136]實(shí)施例3
[0137]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙 酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0138]在真空度5 X 10_5Pa的條件下，以I人/S的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上形成空穴注入層，空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBPXV2O5占空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的35%，形成的空穴注入層的厚度為15nm。
[0139]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，形成的空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0140]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成第一紅光發(fā)光層，第一紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(fbi)2lr (acac) (二 [N-異丙基_2_(4_氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))的CBP (4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯)，(fbi)2Ir(acac)占第一紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的2%,形成的第一紅光發(fā)光層的厚度為30nm。
[0141]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在第一紅光發(fā)光層上形成第一電荷控制層，第一電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的BAlq(4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基_8_羥基喹啉)合招)，W03占第一電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的15%,形成的第一電荷控制層的厚度為15nm。
[0142]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在第一電荷控制層上形成第二紅光發(fā)光層，第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(fbi)2Ir (acac) (二 [N-異丙基_2_(4_氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))的CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)，(fbi)2Ir (acac)占第二紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的2%，形成的第二紅光發(fā)光層的厚度為30nm。[0143]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第二紅光發(fā)光層上形成第二電荷控制層，第二電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的BAlq(4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基_8_羥基喹啉)合鋁)，W03占第二電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的15%，形成的第二電荷控制層的厚度為15nm。
[0144]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在第二電荷控制層上形成第三紅光發(fā)光層，第三紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(fbi)2Ir (acac) (二 [N-異丙基_2_(4_氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))的CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)，(fbi)2Ir (acac)占第三紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的2%，形成的第三紅光發(fā)光層的厚度為30nm。
[0145]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第三紅光發(fā)光層上形成第三電荷控制層，第三電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的BAlq(4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基_8_羥基喹啉)合鋁)，W03占第三電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的15%，形成的第三電荷控制層的厚度為15nm。
[0146]在真空度5X10_5Pa的條件下，以丨人/S的蒸發(fā)速度，在第三電荷控制層上形成第四紅光發(fā)光層，第四紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(fbi)2Ir (acac) (二 [N-異丙基_2_(4_氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))的CBP (4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯)，(fbi)2Ir (acac)占第四紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的2%，形成的第四紅光發(fā)光層的厚度為30nm。
[0147]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/S的蒸發(fā)速度，在第四紅光發(fā)光層上形成第四電荷控制層，第四電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 WO3的BAlq(4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基_8_羥基喹啉)合鋁)，W03占第四電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的15%，形成的第四電荷控制層的厚度為15nm。
[0148]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在第四電荷控制層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)，形成的電子傳輸層的厚度為60nm。
[0149]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 CsN3的4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq), CsN3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的35%，形成的電子注入層的厚度40nm。
[0150]在真空度5X10_5Pa的條件下，以5人/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Au,形成的陰極的厚度為200nm。
[0151]實(shí)施例4
[0152]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0153]在真空度5 X KT5Pa的條件下，以0.5A/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上形成空穴注入層，空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 ReO3的N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))，ReO3占空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的空穴注入層的厚度為 13nm。
[0154]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以iA,'S的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0155]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成第一紅光發(fā)光層，第一紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(F-BT)2Ir (acac) (二 [2-(2_氟苯基)_1，3_苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))的TPD (N，N’ -二(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基-4，4’_聯(lián)苯二胺)，(F-BT)2Ir (acac)占第一紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的第一紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0156]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.2A/s的蒸發(fā)速度，在第一紅光發(fā)光層上形成第一電荷控制層，第一電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 ReO3的BCP (4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉)，ReO3占第一電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，形成的第一電荷控制層的厚度為 10nm。
[0157]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一電荷控制層上形成第二紅光發(fā)光層，第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了(F-BT)2Ir(acac) (二 [2-(2-氟苯基)-1,3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III))的TPD(N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺)，(F-BT)2Ir (acac)占第二紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的I %，形成的第二紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0158]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.2A/S的蒸發(fā)速度，在第二紅光發(fā)光層上形成第二電荷控制層，第二電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 ReO3的BCP (4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉)，ReO3占第二電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，形成的第二電荷控制層的厚度為 10nm。
[0159]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在第二電荷控制層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì) 為8-羥基喹啉招(Alq3),形成的電子傳輸層的厚度為30nm。
[0160]在真空度5X10_5Pa的條件下，以lA/s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Li2CO3的8-羥基喹啉鋁(Alq3), Li2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0161]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/S的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Ag,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0162]實(shí)施例5:
[0163]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0164]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.2人/s的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上形成空穴注入層，空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的1，1- 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，Mo03占空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的25%，形成的空穴注入層的厚度為 10nm。
[0165]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二 [4-[隊(duì)^ -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0166]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成第一紅光發(fā)光層，第一紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir (btp)2(acac) (二(2_苯并噻吩_2_基-批啶)(乙酰丙酮)合銥(III))的TAPC (I, 1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)，Ir(btp)2(acac)占第一紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的第一紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0167]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以0.2A/S的蒸發(fā)速度，在第一紅光發(fā)光層上形成第一電荷控制層，第一電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的DTBT, MoO3占第一電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，形成的第一電荷控制層的厚度為10nm。
[0168]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在第一電荷控制層上形成第二紅光發(fā)光層，第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir(btp)2(acac) (二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III))的TAPC (1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷)，lr(btp)2(acac)占第二紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的第二紅光發(fā)光層的厚度為20nm。
[0169]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.2A/S的蒸發(fā)速度，在第二紅光發(fā)光層上形成第二電荷控制層，第二電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了 MoO3的DTBT，MoO3占第二電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的10%，形成的第二電荷控制層的厚度為10nm。
[0170]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I人/s的蒸發(fā)速度，在第二電荷控制層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)，形成的電子傳輸層的厚度為50nm。
[0171]在真空度5X10_5Pa的條件下，以IA/S的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 LiF的3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)，LiF占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0172]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2A/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0173]實(shí)施例6 (對比例)
[0174]提供ITO厚度為IOOnm的ITO玻璃基板作為導(dǎo)電基底，并對其進(jìn)行如下處理:洗潔精清洗一去離子水清洗一丙酮清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復(fù)3次的方法，然后再用烘箱烘干。對烘干后的ITO玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加ITO表面的含氧量，提高ITO表面的功函數(shù)。
[0175]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在ITO玻璃上形成空穴注入層，空穴注入層的材質(zhì)為摻雜了 V2O5的4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，V2O5占空穴注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的空穴注入層的厚度為12nm。
[0176]在真空度5X 10_5Pa的條件下，以丨人/s的蒸發(fā)速度，在空穴注入層上形成空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4” -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，形成的空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0177]在真空度5X10_5Pa的條件下，以0.5A/S的蒸發(fā)速度，在空穴傳輸層上形成紅光發(fā)光層，紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了 Ir(piq)3 (三(1-苯基-異喹啉)合銥)的TCTA(4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺)，Ir (Piq)3占紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的1%，形成的紅光發(fā)光層的厚度為20nm。[0178]在真空度5X10_5Pa的條件下，以I A/s的蒸發(fā)速度，在紅光發(fā)光層上形成電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，形成的電子傳輸層的厚度為40nmo
[0179]在真空度5X10_5Pa的條件下，以】A/s的蒸發(fā)速度，在電子傳輸層上形成電子注入層，電子注入層的材質(zhì)為摻雜了 Cs2CO3的4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)，Cs2CO3占電子注入層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的30%，形成的電子注入層的厚度30nm。
[0180]在真空度5X10_5Pa的條件下，以2^/s的蒸發(fā)速度，在電子注入層上形成陰極，陰極的材質(zhì)為Al,形成的陰極的厚度為lOOnm。
[0181]如圖4所示的實(shí)施例f實(shí)施例6制備的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖，讀
圖可以得到下表:
[0182]
【權(quán)利要求】
1.一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu): 導(dǎo)電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、第一紅光發(fā)光層、第一電荷控制層、第二紅光發(fā)光層、第二電荷控制層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極； 所述第一紅光發(fā)光層和所述第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)相同，且所述第一電荷控制層和所述第二電荷控制層的材質(zhì)相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電荷控制層的材質(zhì)為摻雜了氧化物的2，6-二 [4-(2-苯基苯并咪唑)苯基]-9-苯基咔唑、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉和4-(2，4，6-三苯基-1，3，5-三嗪)苯基三苯基硅中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物為Mo03、WO3> V2O5和ReO3中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物占所述第一電荷控制層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的5%~15%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電荷控制層的厚度為5nm~15nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一紅光發(fā)光層的材質(zhì)為摻雜了紅光客體材料的主體材料； 所述主體材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’ -(1,3-苯基)二-9H-咔唑)，4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、I,1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷和9，10-雙(1-萘基)蒽中的至少一種；` 所述紅色客體材料為二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二 [2-苯基喹啉基)-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二 [N-異丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑](乙酰丙酮)合銥(III))、二 [2- (2-氟苯基)-1，3-苯并噻唑-N，C2](乙酰丙酮)合銥(III)、二(2-苯并噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮)合銥(III)和三(1-苯基-異喹啉)合銥中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光客體材料占所述紅光發(fā)光層的總質(zhì)量的質(zhì)量百分比的0.5%~2%。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紅光有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光發(fā)光層的厚度為10nm~30nm。
9.一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,包括依次層疊的如下結(jié)構(gòu): 導(dǎo)電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、第一紅光發(fā)光層、第一電荷控制層、第二紅光發(fā)光層、第二電荷控制層、第三紅光發(fā)光層、第三電荷控制層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極； 所述第一紅光發(fā)光層、所述第二紅光發(fā)光層和所述第三紅光發(fā)光層的材質(zhì)均相同，且所述第一電荷控制層、所述第二電荷控制層和所述第三電荷控制層的材質(zhì)均相同。
10.一種紅光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供潔凈的導(dǎo)電基底； 在所述導(dǎo)電基底上依次形成導(dǎo)電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、第一紅光發(fā)光層、第一電荷控制層、第二紅光發(fā)光層、第二電荷控制層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極；其中，所述第一紅光發(fā)光層和所述第二紅光發(fā)光層的材質(zhì)相同，且所述第一電荷控制層和所述第二電荷控制層的材 質(zhì)相同。
【文檔編號】H01L51/56GK103633246SQ201210312865
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月29日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司