專利名稱：發(fā)光二極管裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管裝置的制造方法，詳細而言，涉及發(fā)光二極管元件通過封裝樹脂層封裝的發(fā)光二極管裝置的制造方法。
背景技術：
迄今，已知有發(fā)光二極管元件(LED)被封裝樹脂層封裝的發(fā)光二極管裝置。例如，提出了如下的發(fā)光二極管裝置的制造方法將安裝在基板上的LED與具有凹部的模具相對配置并使樹脂層夾在它們之間，接著，相對于基板按壓模具，從而通過樹脂層封裝LED (例如參照日本特開2010-123802號公報。)。
通過該方法，能夠將樹脂層形成為與模具的凹部對應的形狀，并且形成為與各LED對應的圖案。

發(fā)明內容
然而，在日本特開2010-123802號公報所記載的方法中，需要將模具的凹部以在沿厚度方向投影時與LED重合的方式進行配置。因此，需要相對于LED精確定位模具。如此一來，同時需要進行模具定位和利用模具的按壓這兩方，因此，制造工序變繁雜。本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，該制造方法能夠確實地將發(fā)光二極管元件封裝、簡便且高效地制造可靠性優(yōu)異的發(fā)光二極管裝置。本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的特征在于，其是發(fā)光二極管元件通過封裝樹脂層封裝的發(fā)光二極管裝置的制造方法，該制造方法包括以下工序準備層疊體的工序，所述層疊體具備支撐層、形成在前述支撐層的厚度方向一側的約束層、和形成在前述約束層的厚度方向一側的、由封裝樹脂制成的前述封裝樹脂層；對前述層疊體中的前述封裝樹脂層和前述約束層切入與前述發(fā)光二極管元件對應的圖案的工序；在切入了前述圖案的前述封裝樹脂層和前述約束層中，將與前述發(fā)光二極管元件不對應的部分除去的工序；使與前述發(fā)光二極管元件對應的前述封裝樹脂層和前述發(fā)光二極管元件相對，將它們朝彼此接近的方向按壓，通過前述封裝樹脂層將前述發(fā)光二極管元件封裝的工序；以及，將前述支撐層和前述約束層從前述層疊體上除去的工序。此外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，封裝樹脂為熱固性樹月旨，前述封裝樹脂層由熱固性樹脂的B階樹脂形成。此外，在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在前述準備層疊體的工序中，使熒光體層夾在前述約束層與前述封裝樹脂層之間，并且將前述封裝樹脂層形成在前述熒光體層的厚度方向一側。在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法中，對層疊體中的封裝樹脂層和約束層切入與發(fā)光二極管元件對應的圖案，然后，使與發(fā)光二極管元件對應的封裝樹脂層和發(fā)光二極管元件相對，將它們朝彼此接近的方向按壓，通過封裝樹脂層將發(fā)光二極管元件封裝。因此，能夠省去上述的模具定位，因而能夠簡便且高效地通過封裝樹脂層將發(fā)光二極管元件封裝。進而，在層疊體中，封裝樹脂層形成在約束層的厚度方向一側，因而能夠通過所述約束層約束封裝樹脂層。因此，能夠通過約束層約束封裝樹脂層，并且以優(yōu)異的精度切入與發(fā)光二極管元件對應的圖案。進而，然后，能夠一邊利用約束層進行約束一邊確實地將與發(fā)光二極管元件不對應的部分的封裝樹脂層除去。進而，能夠通過約束層約束殘留的封裝樹脂層的形狀以實現形狀的維持。再者，能夠通過與發(fā)光二極管元件對應的部分的封裝樹脂層確實地將發(fā)光二極管 元件封裝。因此，能夠通過實現了形狀的維持的封裝樹脂層確實地將發(fā)光二極管元件封裝。其結果，能夠簡便且高效地制造可靠性優(yōu)異的發(fā)光二極管裝置。


圖I為表示本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一個實施方式中所準備的層疊體的剖視圖。圖2為表示用于說明圖I所示的層疊體的制造方法的工序圖，(a)表示準備約束層的工序，(b)表示形成熒光體層的工序，(c)表示形成封裝樹脂層的工序，(d)表示形成脫模層的工序，(e)表示形成支撐層的工序。圖3表示切入層疊體的工序，(a)為剖視圖，(b)為俯視圖。圖4表示將外框部的脫模層、封裝樹脂層、熒光體層和約束層剝離的工序。圖5為表示將脫模層從層疊體上剝離并通過封裝樹脂層將發(fā)光二極管元件封裝的工序圖，(a)表示配置粘合薄膜的工序，(b)表示將粘合薄膜貼附在脫模層上的工序，(C)表示將脫模層剝離的工序，(d)表示配置發(fā)光二極管元件的工序，(e)表示將安裝基板壓接在封裝樹脂層上的工序，(f)表示將約束層剝離的工序。圖6表示在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的另一實施方式中對層疊體切入圖案并將各個單元切開的工序，(a)為剖視圖，(b)為俯視圖。圖7為表示接著圖6用于說明發(fā)光二極管裝置的制造方法的工序圖，
(a)表示將脫模層從層疊體上剝離的工序，(b)表示使發(fā)光二極管元件與封裝樹脂層相對的工序，(c)表示將發(fā)光二極管元件埋設在封裝樹脂層中的工序，(d)表示將約束層從層疊體上剝離的工序。圖8為表示用于說明在圖7的(b)所示的工序中將多個單元排列在工作臺的上表面的工序的立體圖。圖9為表示用于說明在圖7的(C)所示的工序中對單元集合體進行按壓的工序的局部剖切立體圖。
具體實施方式

圖I是表示本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的一個實施方式中所準備的層疊體的剖視圖，圖2是表示用于說明圖I所示的層疊體的制造方法的工序圖，圖3表示切入層疊體的工序，圖4表示將外框部的脫模層、封裝樹脂層、熒光體層和約束層剝離的工序，圖5是表示將脫模層從層疊體上剝離并通過封裝樹脂層將發(fā)光二極管元件封裝的工序圖。該方法如圖5所示，是制造發(fā)光二極管元件21被封裝樹脂層5封裝的發(fā)光二極管裝置22的方法。該方法通過輥對輥方式實施接下來說明的圖2 圖5的各工序，所述輥對輥方式通過未圖示的輥一邊將各構件連續(xù)輸送一邊進行處理。需要說明的是，在圖2 圖5中，為了方便起見，將各構件的輸送方向設定為自紙面左側朝向紙面右側的方向來進行說明。在該方法中，首先，準備圖I所示的層疊體I。層疊體I形成為沿輸送方向(參照圖4和圖5)的縱長的平帶薄膜形狀。層疊體I具備支撐層2、形成在支撐層2上(厚度方向一側)的約束層3、形成在約束層3上(厚度方向一側)的突光體層4、形成在突光體層4上(厚度方向一側)的封裝樹脂層5、和形成在封裝樹脂層5上的脫模層6。支撐層2形成為與層疊體I的外形形狀對應的平帶薄膜形狀，作為用于支撐整個層疊體I的支撐膠帶(支撐薄膜)，并且作為輥對輥方式中的載帶(載體薄膜)。支撐層2例如由樹脂薄膜、金屬箔等形成。作為形成樹脂薄膜的樹脂材料，例如可列舉出丙烯酸類樹脂、聚氨酯樹脂、有機硅樹脂(silicone resin)等弱粘合樹脂。作為形成金屬箔的金屬材料，例如可列舉出鐵、銅、不銹鋼等。優(yōu)選列舉出由弱粘合樹脂形成的樹脂薄膜。支撐層2的厚度例如為20 200 μ m,優(yōu)選為50 90 μ m。其中，在支撐層2由金屬箔形成的情況下，也可以層疊未圖示的粘合層(弱粘合層、粘性層)，實施粘合處理(弱粘合處理、粘性處理)。約束層3形成為與支撐層2大致相同的形狀(縱長的平帶薄膜狀)。約束層3作為維持形成在其上的熒光體層4和封裝樹脂層5的形狀的約束薄膜(基材薄膜)。約束層3例如由樹脂薄膜、金屬箔等形成。作為形成樹脂薄膜的樹脂材料，例如可列舉出丙烯酸類樹脂、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等)等。作為形成金屬箔的金屬材料，例如可列舉出鐵、銅、不銹鋼等。約束層3優(yōu)選由樹脂薄膜形成。
約束層3的厚度例如為12 250 μ m,優(yōu)選為25 75 μ m。另外，可以在約束層3的上表面實施脫模處理。熒光體層4形成在約束層3的整個上表面。熒光體層4例如由含有熒光體和樹脂的熒光體組合物形成。作為熒光體，例如可列舉出能夠將藍色光轉換成黃色光的黃色熒光體。作為這種熒光體，例如可列舉出Y3Al5O12 = Ce (YAG (釔 鋁·石榴石)Ce)等石榴石型熒光體等。此外，熒光體例如呈顆粒狀，平均粒徑例如為O. f 30 μ m，優(yōu)選為O. 2 10 μ m。樹脂是使熒光體分散的基質，可列舉出例如熱固性有機硅樹脂、環(huán)氧樹脂、熱固性 聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、熱固性聚氨酯樹脂等熱固性樹脂，例如丙烯酸類樹脂等熱塑性樹脂。從耐久性的角度出發(fā)，優(yōu)選列舉出熱固性樹脂，進一步優(yōu)選列舉出熱固性有機硅樹脂。熒光體的配混比例例如相對于100質量份樹脂為例如5 50質量份。熒光體層4的厚度例如為10 1000 μ m,優(yōu)選為50 600 μ m。封裝樹脂層5形成在熒光體層4的整個上表面。此外，封裝樹脂層5在厚度方向上與約束層3 —起夾持熒光體層4。S卩，熒光體層4夾在約束層3與封裝樹脂層5之間。作為用于形成封裝樹脂層5的封裝樹脂，可列舉出與在熒光體組合物中例示的樹脂同樣的樹脂，優(yōu)選列舉出熱固性樹脂，進一步優(yōu)選列舉出熱固性有機硅樹脂。如果封裝樹脂為熱固性樹脂，則將其制成B階樹脂來形成封裝樹脂層5，由此能夠以較小的按壓力埋設發(fā)光二極管元件21 (參照圖5)，能夠通過之后的加熱固化將發(fā)光二極管元件21封裝并賦予封裝樹脂層5耐熱性。此外，在封裝樹脂中，根據需要，還可以以適當的比例添加上述的熒光體、填充劑(硅石等)來將封裝樹脂制備成封裝樹脂組合物。封裝樹脂層5的厚度例如為50 5000 μ m，優(yōu)選為100 1000 μ m。脫模層6層疊在封裝樹脂層5的整個上表面。脫模層6形成為與支撐層2大致相同的形狀(縱長的平帶薄膜形狀)，由例如聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜等聚酯樹脂薄膜、例如乙烯-四氟乙烯共聚樹脂薄膜等氟系樹脂薄膜形成。優(yōu)選由聚酯樹脂薄膜形成。此外，還可以對脫模層6的下表面實施脫模處理。脫模層6的厚度例如為12 250 μ m,優(yōu)選為25 75 μ m。接著，參照圖2說明該層疊體I的制造方法。首先，如圖2的(a)所示，準備約束層3。接著，如圖2的(b)所示，將熒光體層4形成在約束層3上。為了形成熒光體層4，首先，制備上述的熒光體組合物。其中，熒光體組合物制備成液態(tài)物質。為了將熒光體組合物制備成液態(tài)物質，使用常溫下為液態(tài)的樹脂或配混公知的溶劑。接著，將液態(tài)的熒光體組合物涂布在約束層3的整個上表面。作為將熒光體組合物涂布在約束層3的整個上表面的方法，例如可列舉出刮刀法、凹版涂布法、噴注涂布法等方法。接著，將涂布在約束層3的上表面的熒光體組合物例如在10(T300°C下加熱5 30分鐘。由此，在樹脂為熱固性樹脂的情況下，使樹脂完全固化(使其為C階狀態(tài))。此外，在熒光體組合物中配混有溶劑時，將溶劑蒸餾除去。由此，將熒光體層4形成在約束層3上。接著，如圖2的(C)所示，將封裝樹脂層5形成在熒光體層4上。為了形成封裝樹脂層5，首先，制備上述的封裝樹脂。其中，封裝樹脂制備成液態(tài)物質。為了將封裝樹脂制備成液態(tài)物質，使用常溫下為液態(tài)的封裝樹脂或配混公知的溶劑。接著，將液態(tài)的封裝樹脂涂布在熒光體層4的整個上表面。
作為將封裝樹脂涂布在熒光體層4的整個上表面的方法，例如可列舉出刮刀法、凹版涂布法、噴注涂布法等方法。接著，將涂布在熒光體層4的上表面的封裝樹脂例如在4(Tl50°C下加熱1飛0分鐘。由此，在封裝樹脂為熱固性樹脂的情況下，使封裝樹脂半固化(使其為B階狀態(tài))。此外，在封裝樹脂中配混有溶劑時，將溶劑蒸餾除去。由此，將由B階樹脂形成的封裝樹脂層5形成在熒光體層4上。接著，如圖2的(d)所示，將脫模層6形成在封裝樹脂層5上。具體而言，將脫模層6貼附在封裝樹脂層5的整個上表面。由此，封裝樹脂層5被脫模層6保護。然后，如圖2的(e)所示，將支撐層2形成在約束層3下。具體而言，將支撐層2貼附在約束層3的下表面。由此，得到圖I所示的層疊體I。接著，在該方法中，如圖3的(a)和圖3的(b)所示，對層疊體I中的約束層3、熒光體層4、封裝樹脂層5和脫模層6切入與發(fā)光二極管元件21 (參照圖5)對應的圖案(劃分發(fā)光二極管元件21的埋設區(qū)域(部分)的圖案)(形成切口 7)。具體而言，對于約束層3、熒光體層4、封裝樹脂層5和脫模層6，使用大致圓環(huán)形的刀模，自上側向下側沿縱長方向彼此隔開間隔地形成多個俯視呈大致圓環(huán)形的切口 7 (圖3的(a)的單點虛線)。切口 7以在厚度方向上支撐層2不被切斷、且支撐層2上的各層、即約束層3、熒光體層4、封裝樹脂層5和脫模層6被切斷的方式形成。由此，切口 7形成為在俯視下，在層疊體I中，將在切口 7的內側作為與發(fā)光二極管元件21對應的部分的埋設部分10、和在切口 7的外側作為與發(fā)光二極管元件21不對應的部分的外框部12隔開。外框部12形成為如下圖案在層疊體I的寬度方向(與厚度方向和縱長方向正交的方向)的兩端部沿縱長方向連續(xù)，且在各埋設部分10之間配置并將寬度方向上的兩端部連接。埋設部分10的直徑(最大長度)例如為5 300mm，優(yōu)選為7 200mm。此外，各埋設部分10的間隔(縱長方向上的間隔)例如為2(Tl000mm，優(yōu)選為5(T200mm。接著，在該方法中，如圖4所示，將與發(fā)光二極管元件21 (參照圖5)不對應的約束層3、熒光體層4、封裝樹脂層5和脫模層6除去。
S卩，將外框部12的約束層3從支撐層2上剝離。具體而言，將外框部12的約束層
3、熒光體層4、封裝樹脂層5和脫模層6向上方拉起。由此，在埋設部分10處，層疊在支撐層2上的約束層3、熒光體層4、封裝樹脂層5和脫模層6形成為與切口 7對應的圖案。接著，在該方法中，如圖5的(a) 圖5的(C)所示，將埋設部分10的脫模層6從封裝樹脂層5上剝離。為了將埋設部分10的脫模層6從封裝樹脂層5上剝離，例如，如圖5的(a)所示，首先，將粘合薄膜19相對配置在封裝樹脂層5上。粘合薄膜19例如形成為與支撐層2大致相同的形狀(縱長的平帶薄膜形狀)，例如由丙烯酸系粘合劑等公知的粘合劑形成。粘合薄膜19的厚度例如為3(Γ300μπι。 接著，如圖5的(b)所示，將粘合薄膜19貼附在脫模層6的上表面。由此，脫模層6粘附在粘合薄膜19的下表面。然后，如圖5的(C)的箭頭所示，將粘合薄膜19向上方拉起，從而將脫模層6從封裝樹脂層5上剝離。接著，在該方法中，如圖5的(d)所示，使與發(fā)光二極管元件21對應的封裝樹脂層5和發(fā)光二極管元件21相對。具體而言，在埋設部分10的封裝樹脂層5上相對配置發(fā)光二極管元件21。此時，相對于封裝樹脂層5定位發(fā)光二極管元件21。其中，發(fā)光二極管元件21的相對于封裝樹脂層5的定位是通過將輥對輥方式中的連續(xù)輸送暫時停下而實施的。發(fā)光二極管元件21安裝在安裝基板20上，具體而言，發(fā)光二極管元件21通過壓焊(wire bonding)或倒裝焊接等安裝在安裝基板20的下表面。更具體而言,發(fā)光二極管元件21以在沿厚度方向投影時被包含在安裝基板20中的方式設置，詳細而言，其設置在安裝基板20的下表面中央部。需要說明的是，在圖5的(d)中，安裝基板20由未圖示的拾取裝置(吸引裝置)等支撐。接著，在該方法中，如圖5的(d)的箭頭和圖5的(e)所示，將發(fā)光二極管元件21和封裝樹脂層5朝彼此接近的方向按壓。具體而言，將安裝基板20向下方按下，將安裝基板20壓接在封裝樹脂層5上。安裝基板20的相對于封裝樹脂層5的按壓力例如為O.OflOMPa，優(yōu)選為O.I 4MPa。由此，發(fā)光二極管元件21被壓入封裝樹脂層5而埋設在封裝樹脂層5內。由此，能夠通過封裝樹脂層5將發(fā)光二極管元件21封裝。接著，在該方法中，如圖5的(f)的箭頭所示，將支撐層2和約束層3從層疊體I上除去。具體而言，相對于封裝樹脂層5將支撐層2和約束層3向下方拉下而將約束層3從封裝樹脂層5上剝離。其中，在將支撐層2和約束層3拉下的過程中，它們由于支撐層2的粘合性而相互密合不剝離。此外，在將支撐層2和約束層3拉下的過程中，在輥對輥方式中，會恢復已停止的連續(xù)輸送。然后，在封裝樹脂為熱固性樹脂時，將封裝樹脂層5的封裝樹脂例如在15(T300°C下加熱5 300分鐘，從而使其完全固化(使其為C階狀態(tài))。由此，得到具備安裝基板20、發(fā)光二極管元件21、封裝樹脂層5和熒光體層4的發(fā)光二極管裝置22。需要說明的是，發(fā)光二極管裝置22由未圖示的拾取裝置(吸引裝置)等支撐。而且，在該方法中，對層疊體I中的脫模層6、封裝樹脂層5、熒光體層4和約束層3切入與發(fā)光二極管元件21對應的圖案，然后，使埋設部分10中的封裝樹脂層5與發(fā)光二極管元件21相對，將它們朝彼此接近的方向按壓，通過封裝樹脂層5將發(fā)光二極管元件21封裝。
因此，能夠省去日本特開2010-123802號公報中記載的模具定位，因而能夠簡便且高效地通過封裝樹脂層5將發(fā)光二極管元件21封裝。進而，在層疊體I中，由于封裝樹脂層5和熒光體層4形成在約束層3上，因而能夠通過所述約束層3約束封裝樹脂層5和熒光體層4。因此，能夠一邊通過約束層3約束封裝樹脂層5和熒光體層4，一邊以優(yōu)異的精度切入與發(fā)光二極管元件21對應的圖案。進而，之后，能夠一邊通過約束層3約束外框部12的脫模層6、封裝樹脂層5和熒光體層4, 一邊確實地將其除去。進而，能夠通過約束層3約束殘留的埋設部分10的封裝樹脂層5和熒光體層4的形狀來實現形狀的維持。再者，能夠通過埋設部分10的封裝樹脂層5確實地將發(fā)光二極管元件21封裝。因此，能夠通過實現了形狀的維持的封裝樹脂層5確實地將發(fā)光二極管元件21封裝。其結果，能夠簡便且高效地制造可靠性優(yōu)異的發(fā)光二極管裝置22。需要說明的是，在圖I和圖2的實施方式中，將熒光體層4設置在層疊體I上，但例如，雖未圖示，也可以不將熒光體層4設置在層疊體I上，而通過封裝樹脂層5將發(fā)光二極管元件21封裝之后，另行將熒光體層4層疊(貼附)在封裝樹脂層5的下表面。優(yōu)選預先在層疊體I上設置熒光體層4。通過該方法，能夠省去另行在將發(fā)光二極管元件21封裝之后的封裝樹脂層5上設置熒光體層4的工序。因此，能夠更簡便地制造發(fā)光二極管裝置22。進而，在圖5的實施方式中，在層疊體I中將支撐層2配置在下側，此外，在發(fā)光二極管裝置22中將安裝基板20配置在上側，但對上下方向的配置沒有特別限定，例如，雖未圖示，但也可將它們反過來層疊。即，可以在層疊體I中將支撐層2配置在上側，在發(fā)光二極管裝置22中將安裝基板20配置在下側。圖6表示在本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置的制造方法的另一實施方式中對層疊體切入圖案并將各個單元切開的工序，圖7是表示接著圖6用于說明發(fā)光二極管裝置的制造方法的工序圖，圖8是表示用于說明在圖7的(b)所示的工序中將多個單元排列在工作臺的上表面的工序的立體圖，圖9是表示用于說明在圖7的(c)所示的工序中對單元集合體進行按壓的工序的局部剖切立體圖。
需要說明的是，對于與上述的各部對應的構件，在之后的各附圖中標以相同的附圖標記，省略其詳細說明。在圖3的(b)的實施方式中，將埋設部分10在寬度方向上設置了 I列，而例如可以在寬度方向設置多列，具體而言，可以如圖6的(b)所示，在寬度方向上設置2列。此外，在圖5的(e)的實施方式中，將I個發(fā)光二極管元件21埋設在I個埋設部分10的封裝樹脂層5中，但例如，雖未圖示，也可以將多個發(fā)光二極管元件21埋設在I個埋設部分10的封裝樹脂層5中。進而，在該情況下，可以將多個發(fā)光二極管元件21分別安裝在各個安裝基板20上，或者也可以將多個發(fā)光二極管元件21 —起安裝在I個安裝基板20 (大的安裝基板20,具體而目為晶圓等)上。此外，在圖5的實施方式中，通過輥對輥方式實施各工序，但例如也可以如圖 圖9所示，通過單片方式(分批方式)實施。 接著，參照9說明通過單片方式實施除了準備層疊體I的工序(圖2)和切入層疊體I的工序(圖6)以外的各工序的發(fā)光二極管裝置22的制造方法。在該方法中，首先，如圖I和圖2所示，準備縱長平帶狀的層疊體I。接著，在該方法中，如圖6所示，切入層疊體I中的約束層3、熒光體層4、封裝樹脂層5和脫模層6，且將各個包括多個埋設部分10的單元15切開。具體而言，通過在層疊體I的寬度方向和縱長方向上成列狀地形成切口 7，形成在寬度方向和縱長方向上排列的埋設部分10。此外，將層疊體I切開為排列成寬度方向上2列、縱長方向上2列的包括埋設部分10的、俯視呈大致矩形的單元15。S卩，將支撐層2、約束層3、熒光體層4、封裝樹脂層5和脫模層6切斷以與單元15對應。單元15的尺寸可適當選擇，縱長方向上的長度例如為10(Tl000mm，寬度方向上的長度為100 1000mm。各埋設部分10之間的縱長方向上的間隔和寬度方向上的間隔例如為20 500臟，優(yōu)選為50 200臟。接著，如圖7的(a)所示，將各單元15的埋設部分10的脫模層6剝離。具體而言，將粘合薄膜19貼附在脫模層6的上表面，接著，將粘合薄膜19向上方拉起。然后，如圖8所示，將剝離了脫模層6的單元15載置在工作臺16上。具體而言，將單元15以各單元15在寬度方向和縱長方向上彼此隔開間隔排列的方式載置于工作臺16的上表面。各單元15間的間隔例如為l(Tl00mm。工作臺16呈大致矩形板狀，例如由鐵板、不銹鋼板等金屬板形成。由此，在工作臺16上制作載置有多個單元15的單元集合體18。接著，如圖7的(b)和圖8所示，使發(fā)光二極管元件21與單元集合體18中的封裝樹脂層5相對配置。然后，如圖7的(C)所示，將發(fā)光二極管元件21和封裝樹脂層5朝彼此接近的方向按壓而將發(fā)光二極管元件21埋設在封裝樹脂層5內。具體而言，在安裝基板20的上表面配置加熱板17，所述加熱板17按壓安裝基板20。即，通過加熱板17和工作臺16在厚度方向上的夾合，在厚度方向上按壓發(fā)光二極管元件21和封裝樹脂層5。加熱板17的溫度例如為12(T200°C，優(yōu)選為14(Tl65°C。加熱板17形成為略大于單元集合體18的大致矩形板狀。接著，將加熱板17升起，將各單元15從工作臺16上取下，接著如圖7的(d)所示，將支撐層2和約束層3從層疊體I上除去。具體而言，將約束層3從封裝樹脂層5上剝離。然后，在封裝樹脂為熱固性樹脂時，通過將封裝樹脂層5例如在15(T300°C下加熱5^300分鐘，使其完全固化(使其為C階狀態(tài))。由此，得到發(fā)光二極管裝置22。而且，圖7的實施方式可發(fā)揮與圖3飛的實施方式同樣的作用效果，進而，由于其為單片方式，因此在根據發(fā)光二極管元件21和發(fā)光二極管裝置22的種類或尺寸等而進行小批量生產時，能夠降低制造成本。實施例
以下舉出實施例來進一步詳細說明本發(fā)明，但本發(fā)明完全不受其限定。實施例I輻對輻方式通過輥對輥方式實施下述各工序。層疊體的制造準備上表面經脫模處理的由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成的約束層(參照圖2的
(a))。需要說明的是，約束層呈縱長平帶狀，寬度300mm，厚度50μ m。接著，將熒光體層形成在約束層上(參照圖2的(b))。具體而言，首先，制備含有100質量份常溫為液態(tài)的熱固性有機硅樹脂和26質量份熒光體(顆粒狀，平均粒徑10 μ m，YAG顆粒)的液態(tài)的熒光體組合物，接著，用刮刀法將其涂布在約束層的整個上表面，接著，在100°C下加熱5分鐘，形成厚度100 μ m的完全固化狀態(tài)(C階)的熒光體層。接著，將封裝樹脂層形成在熒光體層上(參照圖2的(C))。具體而言，首先，用刮刀法將常溫為液態(tài)的熱固性有機硅樹脂涂布在熒光體層的整個上表面，接著，在120°C下加熱10分鐘，形成厚度900 μ m的半固化狀態(tài)(B階狀態(tài))的封裝樹脂層。接著，將下表面經脫模處理的由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成的厚度50 μ m的脫模層貼附在封裝樹脂層的整個上表面(參照圖2的(d))。需要說明的是，脫模層形成為尺寸與約束層相同的縱長平帶狀。然后，將由丙烯酸類樹脂(弱粘合劑)形成的厚度70 μ m的支撐層貼附在約束層的整個下表面(參照圖2的(e))。由此，制造層疊體(參照圖I)。發(fā)光二極管裝置的制造通過圓環(huán)形狀的刀模對層疊體中的約束層、熒光體層、封裝樹脂層和脫模層切入與發(fā)光二極管元件(參照圖5)對應的圖案，形成圓環(huán)形狀的切口(參照圖3的(a)和圖3的
(b))。切口的直徑為100mm，各切口間的間隔為50mm。接著，將由切口的外側所隔出的外框部的約束層、熒光體層、封裝樹脂層和脫模層從支撐層上除去(參照圖4)。接著，將由丙烯酸系粘合劑形成的厚度70 μ m的粘合薄膜相對配置在封裝樹脂層上(參照圖5的(a))，接著，將粘合薄膜貼附在脫模層的上表面(參照圖5的(b))，然后，將粘合薄膜向上方拉起，從而將脫模層從封裝樹脂層上剝離(參照圖5的(c)的箭頭)。接著，使埋設部分的封裝樹脂層與安裝在安裝基板的下表面的發(fā)光二極管元件相對，相對于封裝樹脂層定位發(fā)光二極管元件(參照圖5的(d))。接著，將安裝基板向下方按下，以2. 77MPa的壓力將安裝基板壓接在封裝樹脂層上，從而將發(fā)光二極管元件壓入封裝樹脂層，將發(fā)光二極管元件埋設于封裝樹脂層內(參照圖5的(d)的箭頭和圖5的(e))。由此，通過封裝樹脂層將發(fā)光二極管元件封裝。然后，將支撐層和約束層相對于封裝樹脂層向下方拉下，將約束層從封裝樹脂層上剝離(參照圖5的(f)的箭頭)。
然后，通過在150°C下加熱120分鐘，使封裝樹脂層完全固化(使其為C階狀態(tài))。由此，得到發(fā)光二極管裝置。實施例2輥對輥方式和單片方式通過輥對輥方式實施準備層疊體的工序(參照圖2)和切入層疊體的工序(參照圖6)，通過單片方式實施除上述以外的各工序。S卩，與實施例I同樣地處理，制造層疊體(參照圖I和圖2)。接著，切入層疊體中的約束層、熒光體層、封裝樹脂層和脫模層，并且將各個包括4個埋設部分的單元切開(參照圖6的(b))。各單元的尺寸為300X 300mm，各埋設部分的直徑為100mm，各埋設部分間的間隔為 50mm。接著，將由丙烯酸系粘合劑形成的厚度70μπι的粘合薄膜貼附在脫模層的上表面，接著通過將粘合薄膜向上方拉起而將埋設部分的脫模層剝離(參照圖7的(a))。然后，將單元以寬度方向和縱長方向上彼此隔開間隔排列的方式載置于工作臺的上表面(參照圖8)。各單元間的間隔為20mm。將發(fā)光二極管元件與埋設部分的封裝樹脂層相對配置(參照圖7的(b)和圖8)。接著，在安裝基板的上表面配置160°C的加熱板，通過其按壓安裝基板(參照圖7的(C)和圖9)。然后，將加熱板升起，將各單元從工作臺上取下，并且將支撐層和約束層從層疊體上除去。然后，通過在150°C下加熱120分鐘，使封裝樹脂層完全固化(使其為C階狀態(tài))。由此，得到發(fā)光二極管裝置(參照圖7的(d))。另外，雖然作為本發(fā)明的例示實施方式給出了上述說明，但這僅僅是例示，不應做限定性解釋。本領域技術人員所清楚的本發(fā)明的變形例是包括在本發(fā)明的保護范圍內的。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于，其是發(fā)光二極管元件通過封裝樹脂層封裝的發(fā)光二極管裝置的制造方法，該制造方法包括以下工序 準備層疊體的工序，所述層疊體具備支撐層、形成在所述支撐層的厚度方向一側的約束層、和形成在所述約束層的厚度方向一側的、由封裝樹脂制成的所述封裝樹脂層； 對所述層疊體中的所述封裝樹脂層和所述約束層切入與所述發(fā)光二極管元件對應的圖案的工序； 在切入了所述圖案的所述封裝樹脂層和所述約束層中，將與所述發(fā)光二極管元件不對應的部分除去的工序； 使與所述發(fā)光二極管元件對應的所述封裝樹脂層和所述發(fā)光二極管元件相對，將它們朝彼此接近的方向按壓，通過所述封裝樹脂層將所述發(fā)光二極管元件封裝的工序；以及， 將所述支撐層和所述約束層從所述層疊體上除去的工序。
2.根據權利要求I所述的發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于， 封裝樹脂為熱固性樹脂， 所述封裝樹脂層由熱固性樹脂的B階樹脂形成。
3.根據權利要求I所述的發(fā)光二極管裝置的制造方法，其特征在于， 在準備所述層疊體的工序中，使熒光體層夾在所述約束層與所述封裝樹脂層之間， 將所述封裝樹脂層形成在所述熒光體層的厚度方向一側。
全文摘要
提供發(fā)光二極管裝置的制造方法，該制造方法包括以下工序準備層疊體的工序，所述層疊體具備支撐層、形成在支撐層的厚度方向一側的約束層、和形成在約束層的厚度方向一側的、由封裝樹脂制成的封裝樹脂層；對層疊體中的封裝樹脂層和約束層切入與發(fā)光二極管元件對應的圖案的工序；在切入了圖案的封裝樹脂層和約束層中，將與發(fā)光二極管元件不對應的部分除去的工序；使與發(fā)光二極管元件對應的封裝樹脂層和發(fā)光二極管元件相對，將它們朝彼此接近的方向按壓，通過封裝樹脂層將發(fā)光二極管元件封裝的工序；以及，將支撐層和約束層從層疊體上除去的工序。
文檔編號H01L33/48GK102969429SQ20121031701
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月30日 優(yōu)先權日2011年8月30日
發(fā)明者大藪恭也, 片山博之, 塚原大祐, 三谷宗久 申請人:日東電工株式會社