一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的導(dǎo)電陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層，電子注入層的材質(zhì)為堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中形成的混合材料；電子注入材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、4,7－二苯基－1,10－鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基－二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。本發(fā)明一種有機(jī)電致發(fā)光器件具有良好的發(fā)光效率和發(fā)光性能。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是一種以有機(jī)材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應(yīng)快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為三明治結(jié)構(gòu)，在金屬陰極和透明陽(yáng)極之間夾有一層或多層有機(jī)薄膜。在含多層結(jié)構(gòu)的器件中，兩極內(nèi)側(cè)主要包括發(fā)光層、注入層及傳輸層。一般認(rèn)為有機(jī)電致發(fā)光器件屬于注入式發(fā)光，具體地說(shuō)，主要有四個(gè)過(guò)程:(I)在外加電場(chǎng)作用下，載流子分別從陽(yáng)極和陰極注入有機(jī)功能薄膜；(2)載流子在有機(jī)層中遷移；(3)正負(fù)載流子結(jié)合形成激子；(4)激子輻射復(fù)合發(fā)光。
[0004]電極注入載流子的能力是決定其發(fā)光亮度和發(fā)光效率的主要因素之一。通常電子注入層材料為鋰鹽和/或銫鹽，但鋰鹽和/或銫鹽需要與特定的電子傳輸層如三(8-羥基喹啉)招(tr1-(8-quinolinolato) aluminum, Alq3)等協(xié)同作用才能提高器件的性能，單獨(dú)使用鋰鹽或銫鹽作為電子注入材料時(shí)，制得的有機(jī)電致發(fā)光器件容易發(fā)光猝滅、性能差、效率低。以及電子注入層的厚度很薄，在工藝上難以控制。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。本發(fā)明提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件具有良好的發(fā)光效率和發(fā)光性能。本發(fā)明制備工藝易于控制，有利于器件的工業(yè)化生產(chǎn)，以及加工成本低廉，具有極為廣闊的商業(yè)化發(fā)展前
旦
-5^ O
[0006]—方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層，所述電子注入層的材質(zhì)為堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中形成的混合材料；所述電子注入材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、
3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI )，所述堿金屬氫氧化物在電子注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-20wt%，所述鋰鹽或銫鹽在電子注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25-35wt%。
[0007]電子注入層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在電子傳輸層上。
[0008]優(yōu)選地，堿金屬氫氧化物為L(zhǎng)iOH、NaOH, KOH、RbOH或CsOH。
[0009]優(yōu)選地，鋰鹽為L(zhǎng)iF、LiN3或Li3N,銫鹽為CsF、CsN3或Cs3N。
[0010]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20_40nm。
[0011]本發(fā)明中，所述電子注入層的材質(zhì)為堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中形成的混合材料，使堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽可得到良好的性能互補(bǔ)及電荷平衡，降低了陰極功函數(shù)與有機(jī)層的LUMO能級(jí)之間的勢(shì)壘，提高了電子注入效率，使空穴電子達(dá)到平衡，最終提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。并且，在保證發(fā)光效率的同時(shí)降低器件發(fā)光猝滅的幾率，從而提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光性能。
[0012]優(yōu)選地，導(dǎo)電陽(yáng)極基底可以為導(dǎo)電玻璃基板，選自銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)。
[0013]優(yōu)選地，導(dǎo)電陽(yáng)極基底的厚度為lOOnm。
[0014]空穴注入層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在導(dǎo)電陽(yáng)極基底上。
[0015]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為P型材料摻雜到空穴注入材料中形成的混合材料。更優(yōu)選地，P型材料為Mo03、W03、V2O5或ReO3,其在空穴注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25-35wt%。更優(yōu)選地，空穴注入材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1- 二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0016]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10_15nm。
[0017]空穴傳輸層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在空穴注入層上。
[0018]優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’_ 二苯基-N，N’_ 二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4,4’-二胺(NPB)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。[0019]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30_50nm。
[0020]綠色發(fā)光層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在空穴傳輸層上。
[0021]優(yōu)選地，綠色發(fā)光層的材質(zhì)為綠光客體材料摻雜到主體材料中形成的混合材料:
[0022]該主體材料為4，4’，4"-三(咔唑_9-基)三苯胺(1'0^)、9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4, 4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、1，1-二 [4-[N, N1-二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)或9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)；
[0023]該綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥(11'&口7)2(303(3))或三[2-(對(duì)甲苯基)吡唳]合銥(III) (Ir (mppy)3),其在綠色發(fā)光層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-10wt%。
[0024]優(yōu)選地，綠色發(fā)光層的厚度為10_30nm。
[0025]電子傳輸層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在綠色發(fā)光層上。
[0026]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基一I, 10 一鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)或I, 3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0027]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10_60nm。
[0028]陰極層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在電子注入層上。
[0029]優(yōu)選地，陰極層的材質(zhì)為銀、金或鋁。[0030]優(yōu)選地，陰極層的厚度為50_200nm。
[0031]另一方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包括如下步驟:
[0032](I)將導(dǎo)電陽(yáng)極基底進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后對(duì)其進(jìn)行表面活化處理；
[0033](2)在經(jīng)過(guò)表面活化處理后的導(dǎo)電陽(yáng)極基底表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；
[0034](3)在該電子注入層上真空蒸鍍陰極層；
[0035]所述電子注入層的材質(zhì)為堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中形成的混合材料；所述電子注入材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述堿金屬氫氧化物在電子注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-20wt% ;所述鋰鹽或銫鹽在電子注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25-35wt%。
[0036]電子注入層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在電子傳輸層上。優(yōu)選地，電子注入層的蒸鍍速率為0.1-2 Α/s,真空度為 ixio_5-1xio_3Pa。
[0037]優(yōu)選地，堿金屬氫氧化物為L(zhǎng)iOH、NaOH, KOH、RbOH或CsOH。
[0038]優(yōu)選地，鋰鹽為L(zhǎng)iF、LiN3或Li3N,銫鹽為CsF、CsN3或Cs3N。
[0039]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20_40nm。
[0040]本發(fā)明中，電子注入層的材質(zhì)為堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中形成的混合材料，使堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽可得到良好的性能互補(bǔ)及電荷平衡，降低了陰極功函數(shù)與有機(jī)層的LUMO能級(jí)之間的勢(shì)壘，提高了電子注入效率，使空穴電子達(dá)到平衡，最終提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。并且，在保證發(fā)光效率的同時(shí)降低器件發(fā)光猝滅的幾率，從而提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光性能。
[0041]步驟(I)中，通過(guò)超聲清洗的方法去除導(dǎo)電陽(yáng)極基底表面的有機(jī)物污染物。優(yōu)選地，依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇超聲清洗，再進(jìn)行表面活化處理。優(yōu)選地，表面活化處理方法為使用氧等離子處理。
[0042]優(yōu)選地，導(dǎo)電陽(yáng)極基底可以為導(dǎo)電玻璃基板，選自銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)。
[0043]優(yōu)選地，導(dǎo)電陽(yáng)極基底的厚度為lOOnm。
[0044]步驟(2)中，在經(jīng)過(guò)表面活化處理后的導(dǎo)電陽(yáng)極基底表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0045]空穴注入層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在導(dǎo)電陽(yáng)極基底上。優(yōu)選地，空穴注入層的蒸鍍速率為0.1-1 人/s，真空度為ixio_5-1xio_3Pa。
[0046]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為P型材料摻雜到空穴注入材料中形成的混合材料。更優(yōu)選地，P型材料為Mo03、W03、V2O5或ReO3,其在空穴注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25-35wt%。更優(yōu)選地，空穴注入材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1- 二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0047]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10_15nm。[0048]空穴傳輸層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在空穴注入層上。優(yōu)選地，空穴傳輸層的蒸鍍速率為0.1-2 A/s，真空度為 lX10-5-lX10_3Pa。
[0049]優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’_ 二苯基-N，N’-二(1_萘基)_1，I'-聯(lián)苯-4,4’-二胺(NPB)、4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0050]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30_50nm。
[0051]綠色發(fā)光層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在空穴傳輸層上。優(yōu)選地，綠色發(fā)光層的蒸鍍速率為CU-2 A/s,真空度為 ixio_5-1xio_3Pa。
[0052]優(yōu)選地，綠色發(fā)光層的材質(zhì)為綠光客體材料摻雜到主體材料中形成的混合材料:
[0053]該主體材料為4，4’，4"-三(咔唑_9-基)三苯胺(1'0^)、9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、4, 4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、1，1-二 [4-[N, N1-二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)或9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)；
[0054]該綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥(11'&口7)2(303(3))或三[2-(對(duì)甲苯基)吡唳]合銥(III) (Ir (mppy)3),其在綠色發(fā)光層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-10wt%。[0055]優(yōu)選地，綠色發(fā)光層的厚度為10_30nm。
[0056]電子傳輸層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在綠色發(fā)光層上。優(yōu)選地，電子傳輸層的蒸鍍速率為0.1-2 A/s,真空度為 IX 10_5-1 X 10?.[0057]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、4, 7 —二苯基一 1，10—鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)或I, 3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0058]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10_60nm。
[0059]步驟(3)中，在電子注入層表面蒸鍍陰極層，最后得到所需要的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0060]陰極層通過(guò)真空蒸鍍法沉積在電子注入層上。優(yōu)選地，陰極層的蒸鍍速率為0.1 -5 人/S，真空度為 I X 10_5-1 X 10_3Pa。
[0061]優(yōu)選地，陰極層的材質(zhì)為銀、金或鋁。
[0062]優(yōu)選地，陰極層的厚度為50_200nm。
[0063]本發(fā)明提供的一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，具有以下有益效果:
[0064]( I)本發(fā)明中，電子注入層的材質(zhì)為堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中形成的混合材料，使堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽可得到良好的性能互補(bǔ)及電荷平衡，降低了陰極功函數(shù)與有機(jī)層的LUMO能級(jí)之間的勢(shì)壘，提高了電子注入效率，使空穴電子達(dá)到平衡，最終提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。并且，在保證發(fā)光效率的同時(shí)降低器件發(fā)光猝滅的幾率，從而提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光性能。
[0065](2)本發(fā)明制備工藝易于控制，各功能層厚度均勻，成膜效果與質(zhì)量較好，有利于器件的工業(yè)化生產(chǎn)，以及加工成本低廉，具有極為廣闊的商業(yè)化發(fā)展前景?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0066]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中:
[0067]圖1為本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，部件101-107依次為導(dǎo)電陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層。
[0068]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光效率-亮度曲線對(duì)比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0069]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0070]實(shí)施例1
[0071]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0072](I)導(dǎo)電陽(yáng)極基底預(yù)處理
[0073]將厚度為IOOnm的ITO基底依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇進(jìn)行超聲清洗，每次先清洗5分鐘，后停止5分鐘，分別重復(fù)3次；然后再用烘箱烘干待用；之后，用氧等離子處理，時(shí)間為10分鐘，功率為35W。
[0074](2)空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的制備
[0075]將預(yù)處理的ITO基底置于真空腔內(nèi)，抽真空至I X W5Pa,再將MoO3按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30wt%摻入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)中作為空穴注入層，以0.5A/S的蒸鍍速度將厚度為12.5nm的空穴注入層蒸鍍?cè)谠揑TO基底上；
[0076]以lA/s的蒸鍍速度將N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)蒸鍍?cè)诳昭ㄗ⑷雽由献鳛榭昭▊鬏攲?，其厚度?0nm ；
[0077]將三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)6wt%摻入4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中作為綠色發(fā)光層，以0.5A/S的蒸鍍速度將厚度為20nm的綠色發(fā)光層蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由希?br> [0078]以I Α/S的蒸鍍速度將4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)蒸鍍?cè)诰G色發(fā)光層上作為電子傳輸層，其厚度為35nm ；
[0079]將LiF和LiOH分別按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30被％和10wt%摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)中作為電子注入層，以1A/S的蒸鍍速度將厚度為30nm的電子注入層蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由希?br> [0080](3)陰極層的制備
[0081]在本發(fā)光器件中，陰極由厚度為125nm的銀(Ag)組成，以3A/s的蒸鍍速度蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由稀?br> [0082]上述步驟完成后，得到結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03:NPB/NPB/TCTA:1r(ppy)3/Bphen/Bphen:LiF:LiOH/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件電子注入層的材質(zhì)為BpheruLiF和LiOH。
[0083]實(shí)施例2
[0084]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0085]( I)導(dǎo)電陽(yáng)極基底預(yù)處理[0086]將厚度為IOOnm的FTO基底依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇進(jìn)行超聲清洗，每次先清洗5分鐘，后停止5分鐘，分別重復(fù)3次；然后再用烘箱烘干待用；之后，用氧等離子處理，時(shí)間為10分鐘，功率為35W。
[0087](2)空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的制備
[0088]將預(yù)處理的FTO基底置于真空腔內(nèi)，抽真空至IX 10_5Pa，再將WO3按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)25被％摻入4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中作為空穴注入層，以0.1人/s的蒸鍍速度將厚度為IOnm的空穴注入層蒸鍍?cè)谠揊TO基底上；
[0089]以0.1 A/S的蒸鍍速度將4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)蒸鍍?cè)诳昭ㄗ⑷雽由献鳛榭昭▊鬏攲?，其厚度?0nm ；
[0090]將乙酰丙酮酸二(2-苯基批卩定)銥(Ir(ppy)2(acac))按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)2wt%摻入9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)中作為綠色發(fā)光層，以0.1人/s的蒸鍍速度將厚度為IOnm的綠色發(fā)光層蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由希?br> [0091]以0.lA/s的蒸鍍速度將4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉(BCP)蒸鍍?cè)诰G色發(fā)光層上作為電子傳輸層，其厚度為IOnm ；
[0092]將LiN3和NaOH分別按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)25wt%和20wt%摻入4，7 — 二苯基一1，10 一鄰菲羅啉(BCP)中作為電子注入層，以0.1 A/S的蒸鍍速度將厚度為20nm的電子注入層蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由希?br> [0093](3)陰極層的制備
[0094]在本發(fā)光器件中，陰極由厚度為50nm的鋁(Al)組成，以0.1 Α/s的蒸鍍速度蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由稀?br> [0095]上述步驟完成后，得到結(jié)構(gòu)為FT0/W03: TCTA/TCTA/mCP:1r (ppy) 2 (acac) /BCP/BCP: LiN3:NaOH/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件電子注入層的材質(zhì)為BCP、LiN3和NaOH。
[0096]實(shí)施例3
[0097]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0098]( I)導(dǎo)電陽(yáng)極基底預(yù)處理
[0099]將厚度為IOOnm的AZO基底依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇進(jìn)行超聲清洗，每次先清洗5分鐘，后停止5分鐘，分別重復(fù)3次；然后再用烘箱烘干待用；之后，用氧等離子處理，時(shí)間為10分鐘，功率為35W。
[0100]( 2 )空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的制備
[0101]將預(yù)處理的AZO基底置于真空腔內(nèi)，抽真空至5X 10_5Pa，再將V2O5按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)35wt%摻入4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)中作為空穴注入層，以lA/s的蒸鍍速度將厚度為15nm的空穴注入層蒸鍍?cè)谠揂ZO基底上；
[0102]以2A/S的蒸鍍速度將4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)蒸鍍?cè)诳昭ㄗ⑷雽由献鳛榭昭▊鬏攲樱浜穸葹?0nm ；
[0103]將三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)10被％摻入4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)中作為綠色發(fā)光層，以1人S的蒸鍍速度將厚度為30nm的綠色發(fā)光層蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由希?br> [0104]以2 A/S的蒸鍍速度將4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)蒸鍍?cè)诰G色發(fā)光層上作為電子傳輸層，其厚度為60nm ；[0105]將Li3N和KOH分別按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)35wt%和5wt%摻入4_聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)中作為電子注入層，以2 Α/S的蒸鍍速度將厚度為40nm的電子注入層蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由希?br> [0106](3)陰極層的制備
[0107]在本發(fā)光器件中，陰極由厚度為200nm的金(Au)組成，以5 A/s的蒸鍍速度蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由稀?br> [0108]上述步驟完成后，得到結(jié)構(gòu)為AZ0/V205:CBP/CBP/CBP:1r (mppy) 3/BAlq/BAlq:Li3N:K0H/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件電子注入層的材質(zhì)為Κ0Η。
[0109]實(shí)施例4
[0110]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0111](I)導(dǎo)電陽(yáng)極基底預(yù)處理
[0112]將厚度為IOOnm的IZO基底依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇進(jìn)行超聲清洗，每次先清洗5分鐘，后停止5分鐘，分別重復(fù)3次；然后再用烘箱烘干待用；之后，用氧等離子處理，時(shí)間為10分鐘，功率為35W。
[0113](2)空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的制備
[0114]將預(yù)處理的IZO基底置于真空腔內(nèi)，抽真空至5X 10_5Pa，再將ReO3按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30wt%摻入N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))中作為空穴注入層，以0.5人/s的蒸鍍速度將厚度為13nm的空穴注入層蒸鍍?cè)谠揑ZO基底上；
[0115]以0.5 Α/S的蒸鍍速度將N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)蒸鍍?cè)诳昭ㄗ⑷雽由献鳛榭昭▊鬏攲?，其厚度?5nm ；
[0116]將三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)5wt%摻入N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TH))中作為綠色發(fā)光層，以0.5 A/s的蒸鍍速度將厚度為20nm的綠色發(fā)光層蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由希?br> [0117]以0.5 Α/s的蒸鍍速度將8-羥基喹啉鋁(Alq3)蒸鍍?cè)诰G色發(fā)光層上作為電子傳輸層，其厚度為40nm ；
[0118]將CsF和RbOH分別按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30wt%和8wt%摻入8_羥基喹啉鋁(Alq3)中作為電子注入層，以0.5人/s的蒸鍍速度將厚度為30nm的電子注入層蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由?
[0119](3)陰極層的制備
[0120]在本發(fā)光器件中，陰極由厚度為IOOnm的銀(Ag)組成，以2 Α/S的蒸鍍速度蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由稀?br> [0121]上述步驟完成后，得到結(jié)構(gòu)為IZ0/Re03:TPD/TPD/TPD:1r(ppy)3/Alq3/Alq3:CsF:RbOH/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件電子注入層的材質(zhì)為Alq3、CsF和RbOH。
[0122]實(shí)施例5
[0123]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0124](I)導(dǎo)電陽(yáng)極基底預(yù)處理
[0125]將厚度為IOOnm的ITO基底依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇進(jìn)行超聲清洗，每次先清洗5分鐘，后停止5分鐘，分別重復(fù)3次；然后再用烘箱烘干待用；之后，用氧等離子處理，時(shí)間為10分鐘，功率為35W。[0126](2)空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的制備
[0127]將預(yù)處理的ITO基底置于真空腔內(nèi)，抽真空至5X 10_5Pa，再將MoO3按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)25wt%摻入1，1_ 二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中作為空穴注入層，以0.2 A/S的蒸鍍速度將厚度為IOnm的空穴注入層蒸鍍?cè)谠揑TO基底上；
[0128]以0.8 A/s的蒸鍍速度將1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)蒸鍍?cè)诳昭ㄗ⑷雽由献鳛榭昭▊鬏攲?，其厚度?0nm ；
[0129]將乙酰丙酮酸二(2-苯基批卩定)銥(Ir (ppy)2 (acac))按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)7wt%摻入1，1_ 二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)中作為綠色發(fā)光層，以
0.8 A/s的蒸鍍速度將厚度為15nm的綠色發(fā)光層蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由希?br> [0130]以1.5 A/s的蒸鍍速度將3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)蒸鍍?cè)诰G色發(fā)光層上作為電子傳輸層，其厚度為50nm ；
[0131]將CsN3和CsOH分別按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30wt%和15wt%摻入3_(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)中作為電子注入層，以
0.8 A/s的蒸鍍速度將厚度為30nm的電子注入層蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由希?br> [0132](3)陰極層的制備
[0133]在本發(fā)光器件中，陰極由厚度為175nm的鋁(Al)組成，以0.5 A/s的蒸鍍速度蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由稀?br> [0134]上述步驟完成后，得到結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03: TAPC/TAPC/TAPC:1r (ppy) 2 (acac) /TAZ/TAZ:CsN3:CsOH/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件電子注入層的材質(zhì)為TAZ、CsNdP CsOH。
[0135]實(shí)施例6
[0136]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0137](I)導(dǎo)電陽(yáng)極基底預(yù)處理
[0138]將厚度為IOOnm的AZO基底依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇進(jìn)行超聲清洗，每次先清洗5分鐘，后停止5分鐘，分別重復(fù)3次；然后再用烘箱烘干待用；之后，用氧等離子處理，時(shí)間為10分鐘，功率為35W。
[0139](2)空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的制備
[0140]將預(yù)處理的AZO基底置于真空腔內(nèi)，抽真空至I X 10_3Pa，再將WO3按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30wt%摻入N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)中作為空穴注入層，以0.3 A/S的蒸鍍速度將厚度為12nm的空穴注入層蒸鍍?cè)谠揂ZO基底上；
[0141]以1.5 A/s 的蒸鍍速度將 N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(NPB)蒸鍍?cè)诳昭ㄗ⑷雽由献鳛榭昭▊鬏攲?，其厚度?5nm ；
[0142]將三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III) (Ir (mppy)3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)6wt%摻入9，10-雙(1-萘基)蒽(ADN)中作為綠色發(fā)光層，以0.2 A/S的蒸鍍速度將厚度為25nm的綠色發(fā)光層蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由希?br> [0143]以0.8 A/S的蒸鍍速度將1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)蒸鍍?cè)诰G色發(fā)光層上作為電子傳輸層，其厚度為30nm ；
[0144]將Cs3N和CsOH分別按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)35wt%和10wt%摻入1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中作為電子注入層，以1.5 A/s的蒸鍍速度將厚度為30nm的電子注入層蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由?；[0145](3)陰極層的制備
[0146]在本發(fā)光器件中，陰極由厚度為150nm的鋁(Al)組成，以4 A/s的蒸鍍速度蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由稀?br> [0147]上述步驟完成后，得到結(jié)構(gòu)為AZ0/W03:NPB/NPB/ADN:1r (mppy) 3/TPBI/TPB1: Cs3N: CsOH/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件電子注入層的材質(zhì)為CsOH。
[0148]對(duì)比例
[0149]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0150](I)導(dǎo)電陽(yáng)極基底預(yù)處理
[0151]將厚度為IOOnm的ITO基底依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇進(jìn)行超聲清洗，每次先清洗5分鐘，后停止5分鐘，分別重復(fù)3次；然后再用烘箱烘干待用；之后，用氧等離子處理，時(shí)間為10分鐘，功率為35W。
[0152]( 2 )空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層的制備
[0153]將預(yù)處理的ITO基底置于真空腔內(nèi)，抽真空至5X 10_5Pa，再將V2O5按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30wt%摻入4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)中作為空穴注入層，以0.5 A/s的蒸鍍速度將厚度為12nm的空穴注入層蒸鍍?cè)谠揑TO基底上；
[0154]以I A/s的蒸鍍速度將4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)蒸鍍?cè)诳昭ㄗ⑷雽由献鳛榭昭▊鬏攲?，其厚度?0nm ；
[0155]將三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)8wt%摻入4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中作為綠色發(fā)光層，以0.5 A/s的蒸鍍速度將厚度為20nm的綠色發(fā)光層蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲由希?br> [0156]以I人/s的蒸鍍速度將4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)蒸鍍?cè)诰G色發(fā)光層上作為電子傳輸層，其厚度為40nm ；
[0157]將Cs3N按照摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)32wt%摻入4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)中作為電子注入層，以I A/s的蒸鍍速度將厚度為30nm的電子注入層蒸鍍?cè)陔娮觽鬏攲由希?br> [0158](3)陰極層的制備
[0159]在本發(fā)光器件中，陰極由厚度為IOOnm的鋁(Al)組成，以2 A/s的蒸鍍速度蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由稀?br> [0160]上述步驟完成后，得到結(jié)構(gòu)為IT0/V205: CBP/TCTA/TCTA:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen:Cs3N/A1的常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光器件,該器件電子注入層的材質(zhì)為Bphen和Cs3N。
[0161]效果實(shí)施例
[0162]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1-6與具有結(jié)構(gòu)為ITOA2O5: CBP/TCTA/TCTA:1r (ppy) JBphen/Bphen:Cs3N/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件(對(duì)比例)的發(fā)光效率-亮度曲線對(duì)比圖。
[0163]從圖2中可以看到，實(shí)施例1-6器件在不同亮度下的發(fā)光效率均大于對(duì)比例器件在相應(yīng)亮度下的發(fā)光效率。
[0164]通過(guò)對(duì)比可以得知，實(shí)施例1-6器件在不同亮度下的發(fā)光效率均大于對(duì)比例器件在相應(yīng)亮度下的發(fā)光效率，且效率提高0.5-4.4倍不等，這說(shuō)明堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中，使堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽得到良好的性能互補(bǔ)及電荷平衡，降低了陰極功函數(shù)與有機(jī)層的LUMO能級(jí)之間的勢(shì)壘，提高了電子注入效率，使空穴電子達(dá)到平衡，最終提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。[0165]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽(yáng)極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層，其特征在于:所述電子注入層的材質(zhì)為堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中形成的混合材料；所述電子注入材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一 1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯，所述堿金屬氫氧化物在電子注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-20wt%，所述鋰鹽或銫鹽在電子注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25-35wt%。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述堿金屬氫氧化物為L(zhǎng)iOH、NaOH, KOH、RbOH 或 CsOH。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述鋰鹽為L(zhǎng)iF、LiN3*Li3N，所述銫鹽為CsF、CsN3或Cs3N。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述電子注入層的厚度為20_40nm。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述空穴注入層的材質(zhì)為P型材料摻雜到空穴注入材料中形成的混合材料，所述P型材料為Mo03、WO3> V2O5或ReO3，所述P型材料在空穴注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25-35wt% ;所述空穴注入材料為N，N’ - 二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N，-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺或I, 1-二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述空穴傳輸層的材質(zhì)為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二( 9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’ - 二( 3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述綠色發(fā)光層的材質(zhì)為綠光客體材料摻雜到主體材料中形成的混合材料，所述主體材料為4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺，9，9’ -(1，3-苯基)二-9H-咔唑，4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯，N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺，1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷或9，10-雙(1-萘基)蒽；所述綠光客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥，乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥或三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥(III)，其在綠色發(fā)光層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-10wt%。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述電子傳輸層的材質(zhì)為4，7_ 二苯基-1，10-菲羅琳、4，7 —二苯基一 1，10 一鄰菲羅琳、4-聯(lián)苯酌.基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)將導(dǎo)電陽(yáng)極基底進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后對(duì)其進(jìn)行表面活化處理； (2)在經(jīng)過(guò)表面活化處理后的導(dǎo)電陽(yáng)極基底表面依次層疊蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、綠色發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；(3)在該電子注入層上真空蒸鍍陰極層； 所述電子注入層的材質(zhì)為堿金屬氫氧化物以及鋰鹽或銫鹽摻雜到電子注入材料中形成的混合材料；所述電子注入材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7 一二苯基一.1，10 一鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述堿金屬氫氧化物在電子注入層中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5-20wt% ;所述鋰鹽或銫鹽在電子注入層 中的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25-35wt%。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK103682161SQ201210319064
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司