專利名稱：主動(dòng)元件、驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)以及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于ー種電子元件，且特別是有關(guān)于ー種主動(dòng)元件、驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)及顯示面板。
背景技術(shù)：
近年來，有許多研究指出氧化物半導(dǎo)體(oxide semiconductor)薄膜晶體管相對(duì)于非晶(amorphous)娃薄膜晶體管,具有較高的載子移動(dòng)率(mobility),而氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管相對(duì)于低溫多晶娃(low temperature polycrystalline silicon)薄膜晶體管，貝1J具有較佳的臨界電壓(threshold voltage, Vth)均勻性。因此，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管有潛力成為下一代電子裝置的關(guān)鍵元件。 然而，當(dāng)薄膜晶體管被要求具備有高的通道寬度與通道長(zhǎng)度的比值(W/L ratio)并且需要被設(shè)置于有限的面積內(nèi)時(shí)，薄膜晶體管的源極與漏極需要設(shè)計(jì)為特定的布局方式，這使得源極與漏極之間可能發(fā)生寄生電流而影響薄膜晶體管的性能。如此ー來，即使使用氧化物半導(dǎo)體材料制作薄膜晶體管的通道，仍無法改善薄膜晶體管的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種主動(dòng)元件，可以具有理想的通道寬度與通道長(zhǎng)度的比值以及理想的元件特性。本發(fā)明提供ー種驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，包括有高通道寬度與通道長(zhǎng)度的比值以及理想元件特性的主動(dòng)元件。本發(fā)明提供一種顯示面板，設(shè)置有元件特性良好的主動(dòng)元件而具有理想的品質(zhì)。本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件，其配置于ー基板的一元件配置區(qū)中。主動(dòng)元件包括一柵極、ー柵絕緣層、一半導(dǎo)體層、ー蝕刻終止層、一源極與ー漏極。柵極包括多個(gè)第一方向部以及多個(gè)第二方向部。第一方向部與第二方向部交替連接而在基板上構(gòu)成ー蜿蜒圖案，其中第一方向部彼此平行，第二方向部彼此平行，且第一方向部的延伸方向相交于第二方向部的延伸方向。柵絕緣層覆蓋柵極。半導(dǎo)體層配置于柵絕緣層上，且位于該柵極上方。半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出上述元件配置區(qū)。蝕刻終止層配置于柵絕緣層以及半導(dǎo)體層上，并具有暴露出半導(dǎo)體層且彼此互不連通的一第一接觸開ロ以及ー第二接觸開ロ。第一接觸開ロ具有平行于第一方向部的多個(gè)第一指狀部以及連接于第一指狀部且平行于第二方向部的至少ー第一連接部。第二接觸開ロ具有平行于第一方向部的多個(gè)第二指狀部以及連接于第二指狀部且平行于第二方向部的至少ー第二連接部。各個(gè)第一指狀部與其中ー個(gè)第二指狀部分別位于其中ー個(gè)第一方向部的兩側(cè)。源極配置于蝕刻終止層上并通過第一接觸開ロ接觸于半導(dǎo)體層。漏極配置于蝕刻終止層上并通過第二接觸開ロ接觸于半導(dǎo)體層，且源極與漏極彼此分離。本發(fā)明另提出ー種驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其配置于ー基板上。基板具有至少一元件配置區(qū)以及至少ー構(gòu)件區(qū)，且驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)用以驅(qū)動(dòng)構(gòu)件區(qū)中的至少ー構(gòu)件，其中驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)包括位于元件配置區(qū)中的至少ー主動(dòng)元件。主動(dòng)元件包括ー柵極、ー柵絕緣層、一半導(dǎo)體層、ー蝕刻終止層、一源極與ー漏扱。柵極包括多個(gè)第一方向部以及多個(gè)第二方向部。第一方向部與第二方向部交替連接而在基板上構(gòu)成ー蜿蜒圖案，其中第一方向部彼此平行，第二方向部彼此平行，且第一方向部的延伸方向相交于第二方向部的延伸方向。柵絕緣層覆蓋柵扱。半導(dǎo)體層配置于柵絕緣層上，且位于該柵極上方。半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出上述元件配置區(qū)。蝕刻終止層配置于柵絕緣層以及半導(dǎo)體層上，并具有暴露出半導(dǎo)體層且彼此互不連通的一第一接觸開ロ以及ー第二接觸開ロ。第一接觸開ロ具有平行于第一方向部的多個(gè)第一指狀部以及連接于第一指狀部且平行于第二方向部的至少ー第一連接部。第ニ接觸開ロ具有平行于第一方向部的多個(gè)第二指狀部以及連接于第二指狀部且平行于第二方向部的至少ー第二連接部。各個(gè)第一指狀部與其中ー個(gè)第二指狀部分別位于其中ー個(gè)第一方向部的兩側(cè)。源極配置于蝕刻終止層上并通過第一接觸開ロ接觸于半導(dǎo)體層。漏極配置于蝕刻終止層上并通過第二接觸開ロ接觸于半導(dǎo)體層，且源極與漏極彼此分離。本發(fā)明更提出一種顯示面板，包括一基板以及位于基板上的多個(gè)像素?；寰哂兄辽侃`顯示區(qū)以及位于顯示區(qū)周邊的至少一周邊區(qū)，且像素位于顯示區(qū)中，其中各像素包 括至少ー主動(dòng)元件以及電性連接主動(dòng)元件的至少ー像素電極。主動(dòng)元件包括ー柵極、ー柵絕緣層、一半導(dǎo)體層、ー蝕刻終止層、一源極與ー漏扱。柵極包括多個(gè)第一方向部以及多個(gè)第二方向部。第一方向部與第二方向部交替連接而在基板上構(gòu)成ー蜿蜒圖案，其中第一方向部彼此平行，第二方向部彼此平行，且第一方向部的延伸方向相交于第二方向部的延伸方向。柵絕緣層覆蓋柵極。半導(dǎo)體層配置于柵絕緣層上，且位于該柵極上方。半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出上述元件配置區(qū)。蝕刻終止層配置于柵絕緣層以及半導(dǎo)體層上，并具有暴露出半導(dǎo)體層且彼此互不連通的一第一接觸開ロ以及ー第二接觸開ロ。第一接觸開ロ具有平行于第一方向部的多個(gè)第一指狀部以及連接于第一指狀部且平行于第二方向部的至少ー第一連接部。第二接觸開ロ具有平行于第一方向部的多個(gè)第二指狀部以及連接于第二指狀部且平行于第二方向部的至少ー第二連接部。各個(gè)第一指狀部與其中ー個(gè)第二指狀部分別位于其中ー個(gè)第一方向部的兩側(cè)。源極配置于蝕刻終止層上并通過第一接觸開ロ接觸于半導(dǎo)體層。漏極配置于蝕刻終止層上并通過第二接觸開ロ接觸于半導(dǎo)體層，且源極與漏極彼此分尚。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述柵絕緣層與蝕刻終止層更延伸至元件配置區(qū)外，且蝕刻終止層在元件配置區(qū)外接觸于該柵絕緣層。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，部分第二方向部連接于第一方向部的一端而其余第二方向部連接于第一方向部的另一端，且各第二方向部連接于兩個(gè)第一方向部以構(gòu)成蜿蜒圖案。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述第一接觸開ロ的第一連接部與第二接觸開ロ的第二連接部分別位于柵極的第一方向部的相對(duì)兩側(cè)。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述至少ー第一連接部的數(shù)量為多個(gè)，而第一接觸開ロ更包括多個(gè)第一輔助連接部，各第一輔助連接部連接于其中兩個(gè)第一指狀部，且第一輔助連接部以及第ー連接部分別位于第一指狀部的兩端。源極可以具有多個(gè)源極指狀圖案，且各源極指狀圖案通過其中ー個(gè)第一輔助連接部及此第一輔助連接部所連接的兩第一指狀部接觸于半導(dǎo)體層。另外，至少ー第二連接部的數(shù)量可以為多個(gè)，而第二接觸開ロ更包括多個(gè)第二輔助連接部。各第二輔助連接部連接于其中兩個(gè)第二指狀部，且第二輔助連接部與第ニ連接部分別位于第二指狀部的兩端。此時(shí)，漏極可以具有多個(gè)漏極指狀圖案，且各漏極指狀圖案通過其中ー個(gè)第二輔助連接部及此第二輔助連接部所連接的兩第二指狀部接觸于半導(dǎo)體層。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述之主動(dòng)元件更包括多個(gè)電容電極圖案，連接于柵極，其中各電容電極圖案配置于兩相鄰第一方向部之間，且電容電極圖案與源極彼此重疊而定義
出一第一電容結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述之半導(dǎo)體層具有多個(gè)指狀開ロ，各指狀開ロ對(duì)應(yīng)于第一接觸開ロ的其中ー個(gè)第一指狀部并小于第一指狀部，且源極部分地位于指狀開口中井部分地接觸于半導(dǎo)體層。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述之蝕刻終止層具有至少ー電容開ロ，暴露出第一電容結(jié)構(gòu)的面積。
在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述顯示面板更包括一驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，位于周邊區(qū)中用以驅(qū)動(dòng)像素。驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)包括一周邊主動(dòng)元件，且周邊主動(dòng)元件包括一周邊柵極、一周邊半導(dǎo)體層、一周邊源極以及一周邊漏扱。周邊柵極包括多個(gè)第一周邊方向部以及多個(gè)第二周邊方向部。第一周邊方向部與第二周邊方向部交替連接而在基板上構(gòu)成另一蜿蜒圖案。柵絕緣層更覆蓋該周邊柵極，其中第一周邊方向部彼此平行，第二周邊方向部彼此平行，且第一周邊方向部的延伸方向相交于第二周邊方向部的延伸方向。周邊半導(dǎo)體層配置于柵絕緣層上，且位于該周邊柵極上方。周邊半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出一周邊元件配置區(qū)。蝕刻終止層延伸至周邊區(qū)且更具有暴露出周邊半導(dǎo)體層且彼此互不連通的一第一周邊接觸開ロ以及一第二周邊接觸開ロ。第一周邊接觸開ロ具有平行于第一周邊方向部的多個(gè)第一周邊指狀部以及連接于第一周邊指狀部且平行于第二周邊方向部的至少ー第一周邊連接部。第二周邊接觸開ロ具有平行于第一周邊方向部的多個(gè)第二周邊指狀部以及連接于第二周邊指狀部且平行于第二周邊方向部的至少ー第二周邊連接部，其中各個(gè)第一周邊指狀部與其中ー個(gè)第二周邊指狀部分別位于其中ー個(gè)第一周邊方向部的兩側(cè)。周邊源極配置于蝕刻終止層上并通過第一周邊接觸開ロ接觸于周邊半導(dǎo)體層。周邊漏極配置于蝕刻終止層上并通過第二周邊接觸開ロ接觸于周邊半導(dǎo)體層，且周邊源極與周邊漏極彼此分離。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述蝕刻終止層在周邊元件配置區(qū)以及元件配置區(qū)外接觸于柵絕緣層。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，部分第二周邊方向部連接于第一周邊方向部的一端而其余第二周邊方向部位連接第一周邊方向部的另一端，且各第二方向部連接于兩個(gè)第一方向部以構(gòu)成周邊蜿蜒圖案。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述第一周邊接觸開ロ的至少ー第一周邊連接部與第二周邊接觸開ロ的至少ー第二周邊連接部分別位于周邊柵極的第一周邊方向部的相對(duì)兩側(cè)。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述至少ー第一周邊連接部的數(shù)量為多個(gè)，而第一周邊接觸開ロ更包括多個(gè)第一周邊輔助連接部，各第一周邊輔助連接部連接于其中兩個(gè)第一周邊指狀部，且第一周邊輔助連接部與第一周邊連接部分別位于第一周邊指狀部的兩端。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述周邊源極具有多個(gè)周邊源極指狀圖案，且各周邊源極指狀圖案通過其中ー個(gè)第一周邊輔助連接部及其所連接的兩第一周邊指狀部接觸于周邊半導(dǎo)體層。
在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述至少ー第二周邊連接部的數(shù)量為多個(gè)，而第二周邊接觸開ロ更包括多個(gè)第二周邊輔助連接部。各第二周邊輔助連接部連接于其中兩個(gè)第二周邊指狀部，且第二輔助周邊連接部與第二周邊連接部分別位于第二周邊指狀部的兩端。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述周邊漏極具有多個(gè)周邊漏極指狀圖案，且各周邊漏極指狀圖案通過其中ー個(gè)第二周邊輔助連接部及其所連接的第二周邊指狀部接觸于周邊半導(dǎo)體層。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述之驅(qū)動(dòng)電路更包括多個(gè)電容電極圖案，連接于柵極，其中各電容電極圖案配置于兩相鄰第一方向部之間，且電容電極圖案與源極彼此重疊而定義
出一第一電容結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述之半導(dǎo)體層具有多個(gè)指狀開ロ，各指狀開ロ對(duì)應(yīng)于第一接觸開ロ的其中ー個(gè)第一指狀部并小于第一指狀部，且源極部分地位于指狀開口中井部分地接觸于半導(dǎo)體層。在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述之驅(qū)動(dòng)電路更包括一電容下電極以及一電容上電極，位于元件配置區(qū)旁井分別連接于柵極與源極，其中電容下電極與電容上電極彼此重疊而定義出一第二電容結(jié)構(gòu)，且第一電容結(jié)構(gòu)的電容值小于第二電容結(jié)構(gòu)的電容值。在本發(fā)明ー實(shí)施例中，上述之蝕刻終止層具有至少ー電容開ロ，暴露出第一電容結(jié)構(gòu)與第二電容結(jié)構(gòu)至少一者的面積?；谏鲜?，本發(fā)明在半導(dǎo)體層上所形成的蝕刻終止層實(shí)質(zhì)上覆蓋于基板大部分的面積，使得主動(dòng)元件的源極與漏極通過蝕刻終止層中的接觸開ロ連接于半導(dǎo)體層。此時(shí)，源極與漏極實(shí)質(zhì)上配置于蝕刻終止層上因而可以降低源極與漏極之間產(chǎn)生不必要的寄生電流，藉此提升主動(dòng)元件的性能。此外，本發(fā)明部分實(shí)施例中將電容電極圖案制作在柵極在結(jié)構(gòu)上所具有的部分間隙內(nèi)，此電容電極圖案可以和源極構(gòu)成一第一電容結(jié)構(gòu)以有效利用布局空間。本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)與顯示面板也因?yàn)榫哂羞@樣的主動(dòng)元件而可以具有理想的品質(zhì)。為讓本發(fā)明之上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。


圖I繪示為本發(fā)明ー實(shí)施例的電子裝置的示意圖。圖2A至圖5A繪示為本發(fā)明ー實(shí)施例的主動(dòng)元件的制作流程的各步驟中所制作的構(gòu)件的上視圖。圖2B至圖5B分別為圖2A至圖5A的上視圖中沿剖線A_A’的剖面示意圖。圖6繪示為主動(dòng)元件的電流與柵極電壓的關(guān)系(或稱主動(dòng)元件的特征曲線)。圖7A至圖8A繪示為本發(fā)明另一實(shí)施例的主動(dòng)元件的制作流程的各步驟中所制作的構(gòu)件的上視圖。圖7B至圖8B分別為圖2A至圖5A的上視圖中沿剖線B_B’的剖面示意圖。圖9A至圖12A繪示為本發(fā)明ー實(shí)施例的主動(dòng)元件包括電容結(jié)構(gòu)時(shí)的制作流程的各步驟中所制作的構(gòu)件的上視圖。圖9B至圖12B分別為圖9A至圖12A的上視圖中沿剖線C_C’的剖面示意圖。
圖13A至圖15A繪示為本發(fā)明ー實(shí)施例的主動(dòng)元件包括電容結(jié)構(gòu)時(shí)的另ー實(shí)施例的制作流程的各步驟中所制作的構(gòu)件的上視圖。圖13B至圖15B分別為圖13A至圖15A的上視圖中沿剖線D_D’的剖面示意圖。其中，附圖標(biāo)記10、110:基板100 :顯示面板112:顯示區(qū)114:周邊區(qū)120 :像素122、132、200、300 :主動(dòng)元件 124 :像素電極

130 :驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)(周邊電路結(jié)構(gòu))200A、300A :元件配置區(qū)200B :區(qū)域210 :柵極212 :第一方向部214:第二方向部220 :柵絕緣層230:半導(dǎo)體層232:指狀開ロ240、340 :蝕刻終止層242、342 :第一接觸開ロ242A、342A :第一指狀部242B、342B :第一連接部244、344 :第二接觸開ロ244A、344A :第二指狀部244B、344B :第二連接部246 電容開 ロ250,350 :源極252、352 :源極指狀圖案254,354 :源極連接圖案260、360 :漏極262,362 :漏極指狀圖案264、364 :漏極連接圖案270 :電容電極圖案280 :電容下電極290:電容上電極342C:第一輔助連接圖案344C :第二輔助連接圖案A-A，、B-B’、C-C，、D-D’ 剖線 Cl C4 曲線D1、D2:延伸方向S1、S2、S3 :蜿蜒圖案S4、S5:條狀圖案W1、W2:線寬X:區(qū)段R :第一側(cè)L :第二側(cè)C5、C7:第一電容結(jié)構(gòu)C6、C8:第二電容結(jié)構(gòu)
具體實(shí)施例方式薄膜晶體管可以控制電子信號(hào)的傳遞而往往在電子裝置中扮演開關(guān)的角色來實(shí)現(xiàn)所需要的功能。由于薄膜晶體管可應(yīng)用的范圍很廣，以下實(shí)施例將以設(shè)置在顯示面板中的主動(dòng)元件來說明本發(fā)明所提出的主動(dòng)元件設(shè)計(jì)。本發(fā)明的主動(dòng)元件設(shè)計(jì)可運(yùn)用于顯示面板的顯示區(qū)與周邊區(qū)其中至少ー者。也就是說，本發(fā)明的主動(dòng)元件設(shè)計(jì)可運(yùn)用于周邊區(qū)、顯示區(qū)、或同時(shí)運(yùn)用于周邊區(qū)與顯示區(qū)。較佳地，優(yōu)先運(yùn)用于周邊區(qū)中。另外，以下實(shí)施例所述的主動(dòng)元件設(shè)計(jì)也可以應(yīng)用于其他的電子裝置中，本發(fā)明不應(yīng)以此為限。圖I繪示為本發(fā)明ー實(shí)施例的電子裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)DI，本實(shí)施例的電子裝置例如是一顯示面板100。顯示面板100包括有基板110、設(shè)置于基板110上的像素120以及用來驅(qū)動(dòng)這些像素120的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)(或稱為周邊電路結(jié)構(gòu))130。本實(shí)施例以顯示面板100為例進(jìn)行說明，所以基板110上所設(shè)置的構(gòu)件包括多個(gè)像素120。不過，其他實(shí)施例的電子裝置可以是感測(cè)裝置、觸控裝置、光電轉(zhuǎn)換裝置、或是其它合適的裝置，所以設(shè)置于基板Iio上由驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)130來驅(qū)動(dòng)的構(gòu)件可以是諸如觸控元件、感測(cè)元件、光電轉(zhuǎn)換元件、或其它合適的元件。整體而言，本發(fā)明不以圖I所示構(gòu)件為限。
在本實(shí)施例中，基板110具有顯示區(qū)112以及位于顯示區(qū)112周邊的一周邊區(qū)114。多個(gè)像素120大致上于顯示區(qū)112中排列成陣列，而驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)130設(shè)置在周邊區(qū)114中。圖I中所標(biāo)示的顯示區(qū)112實(shí)質(zhì)上是指設(shè)置有這些像素120的區(qū)域而周邊區(qū)114實(shí)質(zhì)上是指這些像素120所在區(qū)域之外的區(qū)域。因此，顯示區(qū)112與周邊區(qū)114之間的界線不需限定是以實(shí)體的構(gòu)件定義出來的，而此界線可以視這些像素120的配置面積而設(shè)定。另外，這里的顯示區(qū)112是指顯示面板100中設(shè)置有顯示構(gòu)件(即像素120)的區(qū)域，所以也可命名為構(gòu)件區(qū)。各個(gè)像素120實(shí)質(zhì)上包括有至少ー主動(dòng)元件122以及電性連接于主動(dòng)元件122的至少ー像素電極124。主動(dòng)元件122可控制電子信號(hào)是否輸入至像素電極124以通過像素電極124所獲得的電子信號(hào)來驅(qū)動(dòng)顯示面板100的顯示介質(zhì)(未繪示)以顯示畫面。另夕卜，位于周邊區(qū)114的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)130可以包括至少ー個(gè)主動(dòng)元件132，其用來驅(qū)動(dòng)這些像素120。此時(shí)，主動(dòng)元件132亦可以稱為周邊主動(dòng)元件。因此，主動(dòng)元件122所在區(qū)域可以稱為(主動(dòng))元件配置區(qū)而主動(dòng)元件132所在位置可以稱為周邊(主動(dòng))元件配置區(qū)。具體來說，像素120中的主動(dòng)元件122可以通過多條掃描線(未繪示)以及多條資料線(未繪示)來驅(qū)動(dòng)，其中掃描線(未繪示)用來控制主動(dòng)元件122的開啟與否。主動(dòng)元件122在開啟狀態(tài)下可以讓資料線(未繪示)上所傳遞的電子信號(hào)輸入給像素電極124。在此，驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)130則可以用來驅(qū)動(dòng)掃描線(未繪示)或是資料線(未繪示)以在對(duì)應(yīng)的時(shí)序下傳遞對(duì)應(yīng)的信號(hào)。因此，驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)130在命名上可以稱之為掃描驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)或是資料驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)理想的顯示品質(zhì),主動(dòng)元件122與主動(dòng)元件132必須具有理想的元件特性。因此，以下將根據(jù)本發(fā)明的精神提出不同實(shí)施例來說明主動(dòng)元件的設(shè)計(jì)。值得ー提的是，下列實(shí)施例中所描述的主動(dòng)元件可以作為上述主動(dòng)元件122與主動(dòng)元件132至少其中一者的實(shí)施方式，即下列實(shí)施例所描述的主動(dòng)元件可運(yùn)用于主動(dòng)元件122、主動(dòng)元件132、或者是主動(dòng)元件122與132中且前述二者122與132的類型可相同或不同。另外，由于本發(fā)明所述的電子裝置不限定為圖I所繪示的顯示面板，下列具體實(shí)施例中所描述的主動(dòng)元件還可以作為顯示面板以外的其他電子裝置中的主動(dòng)元件的實(shí)施方式。圖2A至圖5A繪示為本發(fā)明ー實(shí)施例的主動(dòng)元件的制作流程的各步驟中所制作的構(gòu)件的上視圖，而圖2B至圖5B分別為圖2A至圖5A的上視圖中沿剖線A-A’的剖面示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D2A與圖2B，在基板10上形成柵極210，其中基板10可以是要構(gòu)成任何電子裝置的基板。舉例而言，當(dāng)電子裝置為圖I所繪示的顯示面板100時(shí)，基板10可以視為圖I中的基板110。在此步驟中，柵極210可以是由形成于基板10上的一圖案化導(dǎo)體層(未繪示)所構(gòu)成。因此，柵極210的制作方法可以包括有導(dǎo)體材料層的形成以及導(dǎo)體材料層的圖案化，其中導(dǎo)體材料層的圖案化可以包括微影以及蝕刻制作過程。另外，柵極210也可以通過印刷的方式、噴墨的方式、激光剝除的方式、抬升(lift-off)的方法、或其它合適的方式將導(dǎo)體材料形成于基板10的局部面積上以構(gòu)成特定的圖案。具體而言，柵極210包括多個(gè)第一方向部212以及多個(gè)第二方向部214。第一方向部212與第二方向部214交替連接而在基板10上構(gòu)成ー蜿蜒圖案SI (如圖2A所示的俯視圖)。在此，第一方向部212彼此平行，第二方向部214彼此平行，且第一方向部212的延伸方向Dl相交于第二方向部214的延伸方向D2。值得ー提的是，部分第二方向部214連接于第一方向部212在圖面中位于左側(cè)的一端而其余第二方向部214連接于第一方向部212在圖面中位于右側(cè)的另一端。并且,各第二方向部214連接于兩個(gè)第一方向部212以構(gòu)成蜿蜒圖案SI。蜿蜒圖案SI中各兩個(gè)相鄰的第一方向部212具有間隔(未標(biāo)示)，而兩個(gè)最相鄰的間隔的開ロ是不同的，即兩個(gè)最相鄰的間隔其中一個(gè)的開ロ是朝向有Dl標(biāo)記處，而兩個(gè)最相鄰的間隔其中另ー個(gè)的開ロ是朝向沒有Dl標(biāo)記處，以使得各該間隔為交替排列，且間隔的形狀可任意的形狀，例如多邊形或具有曲率的形狀。也就是說，柵極210實(shí)質(zhì)上配置于ー預(yù)定形狀的面積中，例如矩 形面積，且此矩形面積的寬與長(zhǎng)實(shí)質(zhì)上各自平行于延伸方向Dl與延伸方向D2。于其它實(shí)施例中，預(yù)定形狀的面積可以是任何形狀的多邊形或具有曲率的形狀。另外，由于蜿蜒圖案SI的設(shè)計(jì)，沿延伸方向D2延伸的直線可以截切過柵極210的多個(gè)第一方向部212 (如圖2B所示)。這樣的蜿蜒圖案SI設(shè)計(jì)可使柵極210在有限的配置面積下具有相當(dāng)長(zhǎng)的路徑長(zhǎng)度，而有助于縮減元件所需要的配置面積。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3A與圖3B，于基板10上形成覆蓋住柵極210的柵絕緣層220以及位于柵絕緣層220上的半導(dǎo)體層230。半導(dǎo)體層230位于柵極210的上方。由上視圖(如圖3A)來看，半導(dǎo)體層230與柵極210的面積實(shí)質(zhì)上重疊在一起。也就是說，半導(dǎo)體層230在此ー樣具有預(yù)定圖案，其與柵極210的預(yù)定形狀的面積相互搭配，例如具有矩形圖案而定義出一元件配置區(qū)200A，且元件配置區(qū)200A實(shí)質(zhì)上為柵極210所在的區(qū)域。另外，半導(dǎo)體層230可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材質(zhì)較佳地是氧化物半導(dǎo)體材料。不過，在其他的實(shí)施例中，半導(dǎo)體層230的材質(zhì)也可以為非晶娃、多晶娃、微晶娃、單晶娃、納米晶娃、有機(jī)半導(dǎo)體材料、其它合適材料、或是上述任意至少二者的組合。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4A與圖4B，于基板10上形成ー蝕刻終止層240。蝕刻終止層240配置于半導(dǎo)體層230上并延伸至元件配置區(qū)200A外而實(shí)質(zhì)上覆蓋于基板10大部分的面積上。因此，在半導(dǎo)體層230所定義的元件配置區(qū)200A之外(例如區(qū)域200B)，蝕刻終止層240接觸于柵絕緣層220。具體而言，蝕刻終止層240具有暴露出半導(dǎo)體層230且彼此互不連通的一第一接觸開ロ 242以及ー第二接觸開ロ 244，其中圖4A表示有柵極210的配置位置與這兩個(gè)接觸開ロ 242、244的配置位置的關(guān)系。第一接觸開ロ 242具有多個(gè)第一指狀部242A以及ー第一連接部242B。第一指狀部242A實(shí)質(zhì)上平行于柵極210的第一方向部212的延伸方向Dl而第一連接部242B連接于所有的第一指狀部242A且實(shí)質(zhì)上平行于柵極210的第二方向部214的延伸方向D2。也就是說，第一指狀部242A對(duì)應(yīng)于柵極210中該些間隔的一部份，而第一連接部242B對(duì)應(yīng)于柵極210其中ー側(cè)的第二方向部214。第二接觸開ロ 244具有多個(gè)第二指狀部244A以及ー第二連接部244B。第二指狀部244A實(shí)質(zhì)上平行于柵極210的第一方向部212的延伸方向Dl而第二連接部244B連接于所有的第一指狀部242A且實(shí)質(zhì)上平行于柵極210的第二方向部214的延伸方向D2。也就是說，第二指狀部244A對(duì)應(yīng)于柵極210中該些間隔的另一部份，而第二連接部244B對(duì)應(yīng)于柵極210其中另ー側(cè)的第二方向部214。第一接觸開ロ 242的第一連接部242B與第二接觸開ロ 244的第二連接部244B分別位于柵極210的這些第一方向部212的相對(duì)兩側(cè)。也就是說，第一連接部242B與第二連接部244B位于預(yù)定形狀的面積 中，例如矩形的元件配置區(qū)200A的相對(duì)兩側(cè)，而第一指狀部242A與第二指狀部244A皆位于第一連接部242B與第二連接部244B之間。此時(shí)，第一指狀部242A可以視為由第一連接部242B指向第二連接部244B的開ロ圖案，而第二指狀部244A可以視為由第二連接部244B指向第一連接部242B的開ロ圖案。另外，各個(gè)第一指狀部242A與其中ー個(gè)第二指狀部244A分別位于柵極210的其中ー個(gè)第一方向部212的相對(duì)兩側(cè)。第一指狀部242A與第二指狀部244A沿著延伸方向D2交替地排列。每ー個(gè)第一指狀部242A位于柵極210的相鄰兩個(gè)第一方向部212之間，且每ー個(gè)第二指狀部244A也位于柵極210的相鄰兩個(gè)第一方向部212之間。如此ー來，由圖4A可知，蝕刻終止層240可以通過第一接觸開ロ 242與第二接觸開ロ 244而定義出一蜿蜒圖案S2，其中根據(jù)圖4A，蜿蜒圖案S2的路徑長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上順應(yīng)著蜿蜒圖案SI的路徑長(zhǎng)度，但是蜿蜒圖案SI的線寬Wl實(shí)質(zhì)上大于蜿蜒圖案S2的線寬W2。也就是說，蝕刻終止層240的蜿蜒圖案S2實(shí)質(zhì)上對(duì)應(yīng)于柵極210的蜿蜒圖案SI，但兩者具有不同線寬設(shè)計(jì)。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D5A與圖5B，于蝕刻終止層240上形成一源極250與ー漏極260以在元件配置區(qū)200A中構(gòu)成主動(dòng)元件200。源極250配置于蝕刻終止層240上并通過第一接觸開ロ 242接觸于半導(dǎo)體層230。漏極260則通過第二接觸開ロ 244接觸于半導(dǎo)體層230，且源極250與漏極260彼此分離。在此，為了清楚表示源極250與漏極260相對(duì)于第一與第二接觸開ロ 242與244之間的配置關(guān)系，圖5A中省略了柵極210。因此，柵極210相對(duì)于源極250與漏極260的配置關(guān)系可以同時(shí)參照?qǐng)D4A與圖5A而理解。源極250與漏極260可以由ー導(dǎo)體層經(jīng)微影及蝕刻制作過程圖案化而成。半導(dǎo)體層230采用氧化物半導(dǎo)體材料制作吋，半導(dǎo)體層230往往會(huì)在將導(dǎo)體層圖案化成源極250與漏極260的蝕刻過程中受到蝕刻。不過，本實(shí)施例將蝕刻終止層240設(shè)置于半導(dǎo)體層230上，而避免了半導(dǎo)體層230在制作源極250與漏極260的過程中受到損傷。也就是說，主動(dòng)元件200的半導(dǎo)體層230具有理想的品質(zhì)。當(dāng)然，若更需要考慮半導(dǎo)體層230品質(zhì)因素，源極250與漏極260可使用印刷的方式、噴墨的方式、激光剝除的方式、抬升(lift-off)的方法、或其它合適的方式來制作圖案化半導(dǎo)體層230。由圖5A可知，源極250可以具有多個(gè)源極指狀圖案252以及連接所有源極指狀圖案252的一源極連接圖案254。各源極指狀圖案252通過第一接觸開ロ 242的其中ー個(gè)第一指狀部242A接觸于半導(dǎo)體層230。源極連接圖案254則通過第一接觸開ロ 242的第一連接部242B接觸于半導(dǎo)體層230。所以，源極250所構(gòu)成的圖案可以對(duì)應(yīng)于第一接觸開ロ242的圖案，不過兩圖案的線寬設(shè)計(jì)不同。漏極260可以具有多個(gè)漏極指狀圖案262以及連接所有漏極指狀圖案262的一漏極連接圖案264。各漏極指狀圖案262通過第二接觸開ロ 244的其中ー個(gè)第二指狀部244A接觸于半導(dǎo)體層230。漏極連接圖案264則通過第二接觸開ロ 244的第二連接部244B接觸于半導(dǎo)體層230。所以，漏極260所構(gòu)成的圖案可以對(duì)應(yīng)于第二接觸開ロ 244的圖案，并且源極250與漏極260彼此分離而不連接在一起。值得ー提的是，漏極260所構(gòu)成的圖案與第二接觸開ロ 244的圖案具有不同的線寬設(shè)計(jì)。在本實(shí)施例中，蝕刻終止層240實(shí)質(zhì)上配置于基板10的大部分面積上。所以，主動(dòng)元件200的源極250與漏極260都是配置于蝕刻終止層240上，而不接觸柵絕緣層220。另夕卜，源極250與漏極260僅在第一接觸開ロ 242與第二接觸開ロ 244接觸于半導(dǎo)體層230。如此ー來，主動(dòng)元件200運(yùn)作時(shí)，源極250與漏極260之間的寄生電流可以有效地改善，而使主動(dòng)元件200的元件特性獲得改善。再者,本實(shí)施例中，于元件配置區(qū)200A之外(例如區(qū)域200B)更可選擇性設(shè)置一對(duì)電極(未繪示)夾設(shè)位于區(qū)域200B中的前述介電層(例如蝕刻終止層240與柵絕緣層220)，來構(gòu)成儲(chǔ)存電容。較佳地，該對(duì)電極其中一者(上電扱)，可連接源極250，而該對(duì)電極另外一者(下電極)可選擇性的連接本主動(dòng)元件的柵極210。 舉例來說，圖6繪示為主動(dòng)元件的電流與柵極電壓的關(guān)系(或稱主動(dòng)元件的特征曲線)。圖6中，曲線C1、C2為ー主動(dòng)元件的源極與漏極發(fā)生寄生電流現(xiàn)象時(shí)的特征曲線，而曲線C3、C4為根據(jù)上述實(shí)施例的設(shè)計(jì)所制作的主動(dòng)元件的特征曲線。曲線C1、C2中，區(qū)段X表示著主動(dòng)元件的元件特性并不理想。相比之下，由曲線C3、C4可知，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的設(shè)計(jì)，主動(dòng)元件可以具有相當(dāng)理想的性能。在此，圖2A至圖5A以及圖2B至圖5B僅是示例性地說明本發(fā)明其中一種主動(dòng)元件的實(shí)施方式，但本發(fā)明不以此為限。因此，以下將搭配附圖舉例說明另一種主動(dòng)元件的實(shí)施方式。圖7A至圖8A繪示為本發(fā)明另一實(shí)施例的主動(dòng)元件的制作流程的各步驟中所制作的構(gòu)件的上視圖，而圖7B至圖SB分別為圖2A至圖5A的上視圖中沿剖線B-B’的剖面示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D7A與圖7B，于基板10上依序形成柵極210、柵絕緣層220、半導(dǎo)體層230以及蝕刻終止層340。值得ー提的是，本實(shí)施例的柵極210、柵絕緣層220以及半導(dǎo)體層230的制作方法及元件布局方式可以參照?qǐng)D2A至圖3A及圖2B至圖3B，而不另贅述。具體來說，本實(shí)施例的蝕刻終止層340具有暴露出半導(dǎo)體層230且彼此互不連通的一第一接觸開ロ 342以及ー第二接觸開ロ 344。第一接觸開ロ 342具有多個(gè)第一指狀部342A、多個(gè)第一連接部342B以及多個(gè)第一輔助連接部342C。第二接觸開ロ 344具有多個(gè)第ニ指狀部344A、多個(gè)第二連接部344B以及多個(gè)第二輔助連接部344C。第一指狀部342A平行于柵極210的第一方向部212的延伸方向D1。第一連接部342B以及第一輔助連接部342C平行于柵極210的第二方向部214的延伸方向D2。每ー個(gè)第一連接部342B最多連接于兩個(gè)第一指狀部342A，而每ー個(gè)第一輔助連接部342C連接于兩個(gè)第一指狀部342A。第一連接部342B與第一輔助連接部342C分別位于這些第一指狀部342A的兩端。第二指狀部344A平行于柵極210的第一方向部212的延伸方向Dl。第二連接部344B以及第二輔助連接部344C皆平行于柵極210的第二方向部214的延伸方向D2。每ー個(gè)第二連接部344B最多連接于兩個(gè)第二指狀部344A，而每ー個(gè)第二輔助連接部344C連接于兩個(gè)第二指狀部344A。第二連接部344B與第二輔助連接部344C分別位于這些第二指狀部344A的兩端。
在此，第一接觸開ロ 342與第二接觸開ロ 344之間的蝕刻終止層340定義出蜿蜒圖案S3，其中蜿蜒圖案S3實(shí)質(zhì)上對(duì)應(yīng)于柵極210所定義出來的蜿蜒圖案SI (如圖2A所示)。第一接觸開ロ 342的第一指狀部342A之間更使蝕刻終止層340定義出多個(gè)條狀圖案S4，而第二接觸開ロ 344的第二指狀部344A之間更使蝕刻終止層340定義出多個(gè)條狀圖案S5。也就是說,于圖4A中,在柵極210的各兩個(gè)相鄰的第一方向部212具有間隔(未標(biāo)示)，而兩個(gè)最相鄰的間隔中的其中一個(gè)的正上方是對(duì)應(yīng)于蝕刻終止層240中第一接觸開ロ 242的第一指狀部242A以及兩個(gè)最相鄰的間隔中的其中另ー個(gè)的正上方是對(duì)應(yīng)于蝕刻終止層240中第二接觸開ロ 244的第二指狀部244A。在本實(shí)施例的第7A圖中，在柵極210的各兩個(gè)相鄰的第一方向部212所具有間隔(未標(biāo)示)，而兩個(gè)最相鄰的間隔中的其中ー個(gè)的正上方是對(duì)應(yīng)于蝕刻終止層340中第一接觸開ロ 342的ニ個(gè)第一指狀部342A與條狀圖案S4以及兩個(gè)最相鄰的間隔中的其中另ー個(gè)的正上方是對(duì)應(yīng)于蝕刻終止層340中第二接觸開ロ 344的ニ個(gè)第二指狀部344A與條狀圖案S5。由圖7B可知，沿延伸方向D2截取剖面吋，條狀圖案S4、蜿蜒圖案S3、條狀圖案S5、條狀圖案S3可以依序地排列。其中，條狀圖案S4、條狀圖案S5及條狀圖案S3的形狀可相同或不同，且上述至少ー者的形狀包含多邊形、 具有曲率的形狀、或其它合適的形狀，而蜿蜒圖案S3的形狀包含多邊形、具有曲率的形狀、或其它合適的形狀。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D8A與圖8B，于蝕刻終止層340上形成一源極350與ー漏極360以在元件配置區(qū)300A中構(gòu)成主動(dòng)元件300，其中元件配置區(qū)300A可以是由半導(dǎo)體層230所在面積定義而成。源極350配置于蝕刻終止層340上并通過第一接觸開ロ 342接觸于半導(dǎo)體層230。漏極360則通過第二接觸開ロ 344接觸于半導(dǎo)體層230，且源極350與漏極360彼此分離。在此，為了清楚表示源極350與漏極360相對(duì)于第一與第二接觸開ロ 342與344之間的配置關(guān)系，圖8A中省略了柵極210。因此，柵極210相對(duì)于源極350與漏極360的配置關(guān)系可以同時(shí)參照?qǐng)D7A與圖8A而理解。源極350可以具有多個(gè)源極指狀圖案352以及連接這些源極指狀圖案352的源極連接圖案354。各源極指狀圖案352通過圖7A中的其中ー個(gè)第一輔助連接部342C及此第一輔助連接部342C所連接的兩第一指狀部342A接觸于半導(dǎo)體層230。也就是說，第一指狀部342A之間定義出來的各個(gè)條狀圖案S4會(huì)被源極350的其中一個(gè)源極指狀圖案352所覆
至JHL ο漏極360可以具有多個(gè)漏極指狀圖案362以及連接這些漏極指狀圖案362的漏極連接圖案364。各漏極指狀圖案362通過圖7A中的其中ー個(gè)第二輔助連接部344C及此第ニ輔助連接部344C所連接的兩第二指狀部344A接觸于半導(dǎo)體層230。也就是說，第二指狀部344A之間定義出來的各個(gè)條狀圖案S5會(huì)被漏極360的其中一個(gè)漏極指狀圖案362所覆
至JHL ο在本實(shí)施例中，蝕刻終止層340實(shí)質(zhì)上配置于基板10的大部分面積上。所以，主動(dòng)元件300的源極350與漏極360都是配置于蝕刻終止層340上，而不接觸柵絕緣層220。另夕卜，源極350與漏極360僅在第一接觸開ロ 342與第二接觸開ロ 344接觸于半導(dǎo)體層230。如此ー來，主動(dòng)元件300運(yùn)作時(shí)，源極350與漏極360之間的寄生電流可以有效地改善，而使主動(dòng)元件300的元件特性獲得改善。再者，本實(shí)施例中，于元件配置區(qū)200A之外更可選擇性設(shè)置一對(duì)電極(未繪示)夾設(shè)位于元件配置區(qū)200A之外的前述介電層(例如蝕刻終止層340與柵絕緣層220)，來構(gòu)成儲(chǔ)存電容。較佳地，該對(duì)電極其中一者(上電極)，可連接源極350，而該對(duì)電極另外一者(下電極)可選擇性的連接本主動(dòng)元件的柵極210。圖9A至圖12A繪示為本發(fā)明ー實(shí)施例的主動(dòng)元件包括電容結(jié)構(gòu)時(shí)的制作流程的各步驟中所制作的構(gòu)件的上視圖。而圖9B至圖12B分別為圖9A至圖12A的上視圖中沿剖線C-C’的剖面示意圖。較佳地，本實(shí)施例主動(dòng)元件是運(yùn)用于驅(qū)動(dòng)電路中。于其它實(shí)施例中，本實(shí)施例主動(dòng)元件也可選擇性地運(yùn)用于像素120中。請(qǐng)先參考圖9A與圖9B，在基板10上形成柵極210、電容電極圖案270以及ー電容下電極280。在此，基板10可以是要構(gòu)成任何電子裝置的基板。舉例而言，當(dāng)電子裝置為圖I所繪示的顯示面板100時(shí)，基板10可以視為圖I中的基板110。具體而言，柵極210，相似于前述實(shí)施例的設(shè)計(jì)包括多個(gè)第一方向部212以及多個(gè)第二方向部214。第一方向部212與第二方向部214交替連接而在基板10上構(gòu)成ー蜿蜒圖案SI (如圖9A所示的俯視圖)。在此，第一方向部212彼此平行，第二方向部214彼此平行，且第一方向部212的延伸方向Dl相交于第二方向部214的延伸方向D2。也就是說，第 二方向部214連接所有的第一方向部212。電容電極圖案270配置在兩個(gè)相鄰的第一方向部212之間，并與柵極210連接。在本實(shí)施例中，電容電極圖案270可以和柵極210由同樣的膜層制作而成。此外，電容下電極280同樣可以與電容電極圖案270以及柵極210由同樣的膜層制作而成。詳細(xì)而言，如圖9A中所繪示，蜿蜒圖案SI例如具有開ロ朝向第一側(cè)R的間隙區(qū)域與開ロ朝向第二側(cè)L的間隙區(qū)域，而各電容電極圖案270是位在蜿蜒圖案SI的開ロ朝向第ニ側(cè)L的間隙區(qū)域，并與柵極210接觸。接著，請(qǐng)參照?qǐng)DIOA與圖10B，于基板10上形成柵絕緣層220以及位于柵絕緣層220上的半導(dǎo)體層230。在此，柵絕緣層220會(huì)同時(shí)覆蓋柵極210、各電容電極圖案270以及電容下電極280。在柵絕緣層220形成之后，半導(dǎo)體層230隨之形成于柵絕緣層220的上方。在此，由圖IOA的上視圖來看，半導(dǎo)體層230與柵極210的面積實(shí)質(zhì)上重疊在一起。也就是說，半導(dǎo)體層230在此ー樣具有預(yù)定圖案，其與柵極210的面積相互搭配。亦即，半導(dǎo)體層230例如具有矩形圖案而定義出一元件配置區(qū)200A，且元件配置區(qū)200A實(shí)質(zhì)上為柵極210所在的區(qū)域。此時(shí)，電容電極圖案270可以是落在元件配置區(qū)200A之內(nèi)。此外，如圖IOA與圖IOB中所繪示，電容下電極280是位在元件配置區(qū)200A旁，并與柵極210接觸。接著，請(qǐng)參照?qǐng)DIlA與圖11B，于基板10上形成ー蝕刻終止層240。蝕刻終止層240配置于半導(dǎo)體層230上并延伸至元件配置區(qū)200A外而實(shí)質(zhì)上覆蓋于基板10大部分的面積上。因此，蝕刻終止層240除了覆蓋元件配置區(qū)200A中的構(gòu)件外，也覆蓋了電容下電極280。具體而言，蝕刻終止層240具有暴露出半導(dǎo)體層230且彼此互不連通的一第一接觸開ロ 242以及ー第二接觸開ロ 244，其中圖IlA表示有柵極210的配置位置與這兩個(gè)接觸開ロ 242、244的配置位置的關(guān)系。第一接觸開ロ 242具有多個(gè)第一指狀部242A以及ー第一連接部242B。第一指狀部242A實(shí)質(zhì)上平行于柵極210的第一方向部212的延伸方向Dl而第一連接部242B連接于所有的第一指狀部242A且實(shí)質(zhì)上平行于柵極210的第二方向部214的延伸方向D2。此夕卜，第一接觸開ロ 242例如也暴露出這些電容電極圖案270所在面積。第二接觸開ロ 244具有多個(gè)第二指狀部244A以及ー第二連接部244B。第二指狀部244A實(shí)質(zhì)上平行于柵極210的第一方向部212的延伸方向Dl而第二連接部244B連接于所有的第二指狀部244A且實(shí)質(zhì)上平行于柵極210的第二方向部214的延伸方向D2。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D12A與圖12B，于蝕刻終止層240上形成一源極250與ー漏極260以在元件配置區(qū)200A中構(gòu)成主動(dòng)元件200。此外，在蝕刻終止層240上形成ー電容上電極290，其與源極250接觸(如圖12A的上視圖所繪示)。電容上電極290是位在元件配置區(qū)200A旁，重疊于電容下電極280所在的面積。源極250可以具有多個(gè)源極指狀圖案252以及連接所有源極指狀圖案252的一源極連接圖案254。各源極指狀圖案252通過第一接觸開ロ 242的其中ー個(gè)第一指狀部242A接觸于半導(dǎo)體層230。源極連接圖案254則通過第一接觸開ロ 242的第一連接部242B接觸于半導(dǎo)體層230。漏極260可以具有多個(gè)漏極指狀圖案262以及連接所有漏極指狀圖案262的一漏極連接圖案264。各漏極指狀圖案262通過第二接觸開ロ 244的其中ー個(gè)第二指狀部244A接觸于半導(dǎo)體層230。漏極連接圖案264則通過第二接觸開ロ 244的第二連接部244B接觸于半導(dǎo)體層230。 在此，各電容電極圖案270與源極指狀圖案252彼此重疊定義出一第一電容結(jié)構(gòu)C5，且電容下電極280與電容上電極290彼此重疊而定義出ー個(gè)第二電容結(jié)構(gòu)C6。其中，較佳地，電容上電極290連接本主動(dòng)元件的源極250，而電容下電極280可選擇性連接本主動(dòng)元件的柵極210。此外，如圖12A與圖12B所繪示，電容電極圖案270與源極指狀圖案252彼此重疊的面積是小于電容下電極280以及電容上電極290彼此重疊的面積。必需說明的是，第一電容結(jié)構(gòu)C5投影于基板上的面積可降低第二電容結(jié)構(gòu)C6投影于基板上的面積至少12%。由于重疊的面積相關(guān)于電容結(jié)構(gòu)的電容值大小，所以第一電容結(jié)構(gòu)C5的電容值，較佳地，在此可以是小于第二電容結(jié)構(gòu)C6的電容值。在其他實(shí)施例中，第一電容結(jié)構(gòu)C5的電容值可以選擇地是等于或是大于第二電容結(jié)構(gòu)C6的電容值。甚至，在其他的設(shè)計(jì)中，第一電容結(jié)構(gòu)C5的電容值就足夠?qū)崿F(xiàn)需要的元件特性時(shí)，第二電容結(jié)構(gòu)C6可以省略。在本實(shí)施例中，將電容電極圖案270制作在元件配置區(qū)200A既有的面積內(nèi)，使電容電極圖案270與源極指狀圖案252構(gòu)成連接于主動(dòng)元件200的第一電容結(jié)構(gòu)C5。如此ー來，第一電容結(jié)構(gòu)C5的設(shè)置不須占據(jù)元件配置區(qū)200A之外的面積，而有助于提高空間利用效率。為了實(shí)現(xiàn)所需要的元件特性，主動(dòng)元件200所連接的電容結(jié)構(gòu)需要具有一定大小的電容值。此時(shí)，可選擇單獨(dú)以配置于元件配置區(qū)200A之外的第二電容結(jié)構(gòu)C6來實(shí)現(xiàn)這樣的電容值大小?；蚴?，可選擇同時(shí)設(shè)置第一電容結(jié)構(gòu)C5與第二電容結(jié)構(gòu)C6兩者來實(shí)現(xiàn)所需要的電容值大小。相較之下，第二電容結(jié)構(gòu)C6的面積在前者的設(shè)計(jì)中(即單獨(dú)以配置于元件配置區(qū)200A之外的第二電容結(jié)構(gòu)C6)勢(shì)必大于后者的設(shè)計(jì)(即同時(shí)設(shè)置第一電容結(jié)構(gòu)C5與第二電容結(jié)構(gòu)C6)。因此，原本制作在元件配置區(qū)200A外的構(gòu)件的配置面積得以減少，以達(dá)到有效利用布局空間的優(yōu)點(diǎn)。換言之，本實(shí)施例是將原本制作在元件配置區(qū)200A外的構(gòu)件所需面積的一部分移至元件配置區(qū)200A內(nèi)，而在可達(dá)到所需總電容值的情況下節(jié)省構(gòu)件布局空間。圖13A至圖15A繪示為本發(fā)明ー實(shí)施例的主動(dòng)元件包括電容結(jié)構(gòu)時(shí)的另ー實(shí)施例的制作流程的各步驟中所制作的構(gòu)件的上視圖。圖13B至圖15B分別為圖13A至圖15A的上視圖中沿剖線D-D’的剖面示意圖。較佳地，本實(shí)施例主動(dòng)元件是運(yùn)用于驅(qū)動(dòng)電路中。于其它實(shí)施例中，本實(shí)施例主動(dòng)元件也可選擇性地運(yùn)用于像素120中。本實(shí)施例的柵極210、柵絕緣層220、電容電極圖案270以及電容下電極280的制作方法及元件布局方式可以參照?qǐng)D9A至圖IOA及圖9B至圖10B，因此在此不另贅述。請(qǐng)先參照?qǐng)D13A與圖13B，具體來說，本實(shí)施例中，在半導(dǎo)體層230制作完成之后，半導(dǎo)體層230會(huì)具有多個(gè)指狀開ロ 232，其中指狀開ロ 232例如對(duì)應(yīng)于電容電極圖案270所在位置或面積。接著請(qǐng)參照?qǐng)D14A與圖14B，在半導(dǎo)體層230上方形成蝕刻終止層240，其中蝕刻終止層240可以具有第一接觸開ロ 242、第二接觸開ロ 244以及電容開ロ 246。在此，第一接觸開ロ 242與第二接觸開ロ 244的圖案設(shè)計(jì)以及位置可以參照前述實(shí)施例(例如圖IlA與圖11B)的說明而不另贅述。半導(dǎo)體層230的各指狀開ロ 232對(duì)應(yīng)于第一接觸開ロ 242的其中ー個(gè)第一指狀部242A，且各個(gè)指狀開ロ 232的寬度可以是實(shí)質(zhì)上小于第一指狀部242A的寬度(如圖14B所示)。在本實(shí)施例中，每ー個(gè)第一指狀部242A中都具有相應(yīng)的指狀開ロ 232而暴露出部分的柵絕緣層220。此外，電容開ロ 246的位置例如是制作在電容下電極280的面積內(nèi)。具體而言，此處所謂的電容開ロ是指蝕刻終止層240中所設(shè)置以暴露出電容結(jié)構(gòu)所在面積的開 ロ。所以，第一接觸開ロ 242的各第一指狀部242A，因?yàn)榭梢员┞冻鲭娙蓦姌O圖案270而也可視為電容開ロ的ー種。請(qǐng)接著參照?qǐng)D15A與圖15B，于蝕刻終止層240上形成一源極250與ー漏極260以在元件配置區(qū)200A中構(gòu)成主動(dòng)元件200。此外，在電容開ロ 246上形成ー電容上電極290，其與源極250接觸(如圖15A的上視圖所繪示)。源極250可以具有多個(gè)源極指狀圖案252以及連接所有源極指狀圖案252的一源極連接圖案254。各源極指狀圖案252通過第一接觸開ロ 242的其中ー個(gè)第一指狀部242A接觸于半導(dǎo)體層230。源極連接圖案254則通過第一接觸開ロ 242的第一連接部242B接觸于半導(dǎo)體層230。漏極260可以具有多個(gè)漏極指狀圖案262以及連接所有漏極指狀圖案262的一漏極連接圖案264。各漏極指狀圖案262通過第二接觸開ロ 244的其中ー個(gè)第二指狀部244A接觸于半導(dǎo)體層230。漏極連接圖案264則通過第二接觸開ロ 244的第二連接部244B接觸于半導(dǎo)體層230。在此，一部分的源極指狀圖案252會(huì)位在半導(dǎo)體層230的指狀開ロ 232內(nèi)，并部分地接觸于半導(dǎo)體層230。位在指狀開ロ 232內(nèi)的源極指狀圖案252會(huì)與電容電極圖案270重疊而定義出第一電容結(jié)構(gòu)C7，且位在電容開ロ 246的電容上電極290會(huì)與電容下電極280重疊而定義出第二電容結(jié)構(gòu)C8。其中，較佳地，電容上電極290連接本主動(dòng)元件的源極250，而電容下電極280可選擇性連接本主動(dòng)元件的柵極210。如圖15B的剖面示意圖中所繪示，電容開ロ 246以及各第一指狀部242A分別會(huì)暴露出第一電容結(jié)構(gòu)C7與第二電容結(jié)構(gòu)C8的面積。值得注意的是，如圖15B的剖面示意圖中所繪示，由于源極250是位在指狀開ロ232內(nèi)，所以源極指狀圖案252與電容電極圖案270的距離會(huì)較前ー實(shí)施例較近，約為柵絕緣層220的膜厚。相似地，由于電容上電極290是位在電容開ロ 246內(nèi)，所以電容上電極290與電容下電極280的距離會(huì)較前ー實(shí)施例為近。在本實(shí)施例中的第一電容結(jié)構(gòu)C7中，源極250與電容電極圖案270之間只有ー層?xùn)沤^緣層220，而在第二電容結(jié)構(gòu)中C8，電容上電極290與電容下電極280之間也只有一層?xùn)沤^緣層220。由于導(dǎo)體之間的距離變小，所以第一電容結(jié)構(gòu)C7的電容值的大小以及第ニ電容結(jié)構(gòu)C8的電容值的大小可以獲得提升。但是，如圖15A與圖15B所繪示，電容電極圖案270與源極指狀圖案252彼此重疊的面積是小于電容下電極280以及電容上電極290彼此重疊的面積。必需說明的是，第一電容結(jié)構(gòu)C7投影于基板上的面積可降低第二電容結(jié)構(gòu)C8投影于基板上的面積至少12%。由于重疊的面積也相關(guān)于電容結(jié)構(gòu)的電容值大小，所以第一電容結(jié)構(gòu)C7的電容值，較佳地，在此可以是小于第二電容結(jié)構(gòu)C8的電容值。在其他實(shí)施例中，第一電容結(jié)構(gòu)C7的電容值可以選擇地是等于或是大于第二電容結(jié)構(gòu)C8的電容值。甚至，在其他的設(shè)計(jì)中，第一電容結(jié)構(gòu)C7的電容值就足夠?qū)崿F(xiàn)需要的元件特性吋，第二電容結(jié)構(gòu)C8可以省略。 此外，在本實(shí)施例中，在柵極210部分的間隙內(nèi)填入電容電極圖案270，使電容電極圖案270與源極指狀圖案252重疊而形成位于既有的元件配置區(qū)200A內(nèi)的第一電容結(jié)構(gòu)C7。此第一電容結(jié)構(gòu)C7配合制作在元件配置區(qū)200A旁的第二電容結(jié)構(gòu)C8，可以提供適當(dāng)?shù)目偤想娙葜?，并有效利用布局空間。綜上所述，本發(fā)明在半導(dǎo)體層上配置實(shí)質(zhì)上覆蓋住基板大部分的面積的蝕刻終止層，而源極與漏極緊在蝕刻終止層中的接觸開ロ接觸于半導(dǎo)體層。此時(shí)，源極與漏極之間不容易有寄生電流產(chǎn)生，而有助于提升主動(dòng)元件的元件特性。此外，本發(fā)明部分實(shí)施例中，于既有的元件配置面積中填入電容電極圖案，使電容電極圖案與源極重疊而形成一第一電容結(jié)構(gòu)。此第一電容結(jié)構(gòu)配合制作在元件配置區(qū)旁的第二電容結(jié)構(gòu)，可以提供適當(dāng)?shù)目偤想娙葜?，并有效利用布局空間。另外，將本發(fā)明實(shí)施例的主動(dòng)元件應(yīng)用于電子裝置中作為驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)的構(gòu)件或是應(yīng)用于顯示面板中作為像素的開關(guān)都有助于提升電子裝置以及顯示面板的品質(zhì)。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的變更與修改，故本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)元件，配置于ー基板的一元件配置區(qū)中，其特征在干，該主動(dòng)元件包括 ー柵極，包括多個(gè)第一方向部以及多個(gè)第二方向部，該些第一方向部與該些第二方向部交替連接而在該基板上構(gòu)成ー蜿蜒圖案，其中該些第一方向部彼此平行，該些第二方向部彼此平行，且該些第一方向部的延伸方向相交于該些第二方向部的延伸方向； ー柵絕緣層，覆蓋該柵扱； 一半導(dǎo)體層，配置于該柵絕緣層上，且該半導(dǎo)體層位于該柵極上方，且該半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出該元件配置區(qū)； ー蝕刻終止層，配置于該柵絕緣層以及該半導(dǎo)體層上，該蝕刻終止層具有暴露出該半導(dǎo)體層且彼此互不連通的一第一接觸開ロ以及ー第二接觸開ロ，該第一接觸開ロ具有平行于該些第一方向部的多個(gè)第一指狀部以及連接于該些第一指狀部且平行于該些第二方向 部的至少ー第一連接部，該第二接觸開ロ具有平行于該些第一方向部的多個(gè)第二指狀部以及連接于該些第二指狀部且平行于該些第二方向部的至少ー第二連接部，其中各個(gè)第一指狀部與其中ー個(gè)第二指狀部分別位于其中ー個(gè)第一方向部的兩側(cè)； 一源扱，配置于該蝕刻終止層上并通過該第一接觸開ロ接觸于該半導(dǎo)體層；以及 ー漏極，配置于該蝕刻終止層上并通過該第二接觸開ロ接觸于該半導(dǎo)體層，且該源極與該漏極彼此分尚。
2.如權(quán)利要求I所述的主動(dòng)元件，其特征在于，該柵絕緣層與該蝕刻終止層更延伸至該元件配置區(qū)外，且該蝕刻終止層在該元件配置區(qū)外接觸于該柵絕緣層。
3.如權(quán)利要求I所述的主動(dòng)元件，其特征在于，部分該些第二方向部連接于該些第一方向部的一端而其余該些第二方向部連接于該些第一方向部的另一端，且各該第二方向部連接于兩個(gè)第一方向部以構(gòu)成該蜿蜒圖案。
4.如權(quán)利要求I所述的主動(dòng)元件，其特征在于，該第一接觸開ロ的該至少一第一連接部與該第二接觸開ロ的該至少一第二連接部分別位于該柵極的該些第一方向部的相對(duì)兩偵れ
5.如權(quán)利要求I所述的主動(dòng)元件，其特征在干，該至少一第一連接部的數(shù)量為多個(gè)，而該第一接觸開ロ還包括多個(gè)第一輔助連接部，各該第一輔助連接部連接于其中兩個(gè)第一指狀部，且該些第一輔助連接部以及該些第一連接部分別位于該些第一指狀部的兩端。
6.如權(quán)利要求5所述的主動(dòng)元件，其特征在干，該源極具有多個(gè)源極指狀圖案，且各該源極指狀圖案通過其中ー個(gè)第一輔助連接部及該第一輔助連接部所連接的該兩第一指狀部接觸于該半導(dǎo)體層。
7.如權(quán)利要求5所述的主動(dòng)元件，其特征在干，該至少一第二連接部的數(shù)量為多個(gè)，而該第二接觸開ロ還包括多個(gè)第二輔助連接部，各該第二輔助連接部連接于其中兩個(gè)第二指狀部，且該些第二輔助連接部與該些第二連接部分別位于該些第二指狀部的兩端。
8.如權(quán)利要求7所述的主動(dòng)元件，其特征在干，該漏極具有多個(gè)漏極指狀圖案，且各該漏極指狀圖案通過其中ー個(gè)第二輔助連接部及該第二輔助連接部所連接的該兩第二指狀部接觸于該半導(dǎo)體層。
9.如權(quán)利要求I所述的主動(dòng)元件，其特征在于，還包括多個(gè)電容電極圖案，連接于該柵極，其中各該電容電極圖案配置于兩相鄰第一方向部之間，且該些電容電極圖案與該源極彼此重疊而定義出ー第一電容結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的主動(dòng)元件，其特征在干，該半導(dǎo)體層具有多個(gè)指狀開ロ，各該指狀開ロ對(duì)應(yīng)于該第一接觸開ロ的其中ー個(gè)第一指狀部并小于該第一指狀部，且該源極部分地位于該些指狀開口中井部分地接觸于該半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求9所述的主動(dòng)元件，其特征在于，該蝕刻終止層具有至少ー電容開ロ，暴露出該第一電容結(jié)構(gòu)的面積。
12.—種驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在干，配置于ー基板上，該基板具有至少一元件配置區(qū)以及至少ー構(gòu)件區(qū)，該驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)用以驅(qū)動(dòng)該構(gòu)件區(qū)中的至少ー構(gòu)件，其中該驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)包括位于該元件配置區(qū)中的至少ー主動(dòng)元件，且該主動(dòng)元件包括 ー柵極，包括多個(gè)第一方向部以及多個(gè)第二方向部，該些第一方向部與該些第二方向部交替連接而自該基板上構(gòu)成ー蜿蜒圖案，其中該些第一方向部彼此平行，該些第二方向部彼此平行，且該些第一方向部的延伸方向相交于該些第二方向部的延伸方向； ー柵絕緣層，覆蓋該柵扱； 一半導(dǎo)體層，配置于該柵絕緣層上，且該半導(dǎo)體層位于該柵極上方，且該半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出該元件配置區(qū)； ー蝕刻終止層，配置于該柵絕緣層以及該半導(dǎo)體層上，該蝕刻終止層具有暴露出該半導(dǎo)體層且彼此互不連通的一第一接觸開ロ以及ー第二接觸開ロ，該第一接觸開ロ具有平行于該些第一方向部的多個(gè)第一指狀部以及連接于該些第一指狀部且平行于該些第二方向部的至少ー第一連接部，該第二接觸開ロ具有平行于該些第一方向部的多個(gè)第二指狀部以及連接于該些第二指狀部且平行于該些第二方向部的至少ー第二連接部，其中各個(gè)第一指狀部與其中ー個(gè)第二指狀部分別位于其中ー個(gè)第一方向部的兩側(cè)； 一源扱，配置于該蝕刻終止層上并通過該第一接觸開ロ接觸于該半導(dǎo)體層；以及 一漏扱，配置于該蝕刻終止層上并通過該第二接觸開ロ接觸于該半導(dǎo)體層，且該源極與該漏極彼此分尚。
13.如權(quán)利要求12所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵絕緣層與該蝕刻終止層更延伸至該元件配置區(qū)外，且該蝕刻終止層在該元件配置區(qū)外接觸于該柵絕緣層。
14.如權(quán)利要求12所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，部分該些第二方向部連接于該些第一方向部的一端而其余該些第二方向部連接于該些第一方向部的另一端，且各該第二方向部連接于兩個(gè)第一方向部以構(gòu)成該蜿蜒圖案。
15.如權(quán)利要求12所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一接觸開ロ的該至少一第ー連接部與該第二接觸開ロ的該至少一第二連接部分別位于該柵極的該些第一方向部的相對(duì)兩側(cè)。
16.如權(quán)利要求12所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在干，該至少一第一連接部的數(shù)量為多個(gè)，而該第一接觸開ロ還包括多個(gè)第一輔助連接部，各該第一輔助連接部連接于其中兩個(gè)第一指狀部，且該些第一輔助連接部與該些第一連接部分別位于該些第一指狀部的兩端。
17.如權(quán)利要求16所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在干，該源極具有多個(gè)源極指狀圖案，且各該源極指狀圖案通過其中ー個(gè)第一輔助連接部及該第一輔助連接部所連接的該兩第一指狀部接觸于該半導(dǎo)體層。
18.如權(quán)利要求16所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在干，該至少一第二連接部的數(shù)量為多個(gè)，而該第二接觸開ロ還包括多個(gè)第二輔助連接部，各該第二輔助連接部連接于其中兩個(gè)第二指狀部，且該些第二輔助連接部與該些第二連接部分別位于該些第二指狀部的兩端。
19.如權(quán)利要求18所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在干，該漏極具有多個(gè)漏極指狀圖案，且各該漏極指狀圖案通過其中ー個(gè)第二輔助連接部及該第二輔助連接部所連接的該兩第ニ指狀部接觸于該半導(dǎo)體層。
20.如權(quán)利要求12所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括多個(gè)電容電極圖案，連接于該柵極，其中各該電容電極圖案配置于兩相鄰第一方向部之間，且該些電容電極圖案與該源極彼此重疊而定義出ー第一電容結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求20所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體層具有多個(gè)指狀開ロ，各該指狀開ロ對(duì)應(yīng)于該第一接觸開ロ的其中ー個(gè)第一指狀部并小于該第一指狀部，且該源極部分地位于該些指狀開口中井部分地接觸于該半導(dǎo)體層。
22.如權(quán)利要求20所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一電容下電極以及ー電容上電極，位于該元件配置區(qū)旁并分別連接于該柵極與該源極，其中該電容下電極與該電容上電極彼此重疊而定義出一第二電容結(jié)構(gòu)，且該第一電容結(jié)構(gòu)的電容值小于該第二電容結(jié)構(gòu)的電容值。
23.如權(quán)利要求22所述的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，該蝕刻終止層具有至少ー電容開ロ，暴露出該第一電容結(jié)構(gòu)與該第二電容結(jié)構(gòu)至少一者的面積。
24.一種顯示面板，其特征在于，包括一基板以及位于該基板上的多個(gè)像素，該基板具有至少ー顯示區(qū)以及位于顯示區(qū)周邊的至少一周邊區(qū)，且該些像素位于該顯示區(qū)中，其中各該像素包括至少ー主動(dòng)元件以及電性連接該主動(dòng)元件的至少ー像素電極，且該主動(dòng)元件包括 ー柵極，包括多個(gè)第一方向部以及多個(gè)第二方向部，該些第一方向部與該些第二方向部交替連接而在該基板上構(gòu)成ー蜿蜒圖案，其中該些第一方向部彼此平行，該些第二方向部彼此平行，且該些第一方向部的延伸方向相交于該些第二方向部的延伸方向； ー柵絕緣層，覆蓋該柵扱； 一半導(dǎo)體層，配置于該柵絕緣層上，且該半導(dǎo)體層位于該柵極上方，且該半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出一元件配置區(qū)； ー蝕刻終止層，配置于該柵絕緣層以及該半導(dǎo)體層上，該蝕刻終止層具有暴露出該半導(dǎo)體層且彼此互不連通的一第一接觸開ロ以及ー第二接觸開ロ，該第一接觸開ロ具有平行于該些第一方向部的多個(gè)第一指狀部以及連接于該些第一指狀部且平行于該些第二方向部的至少ー第一連接部，該第二接觸開ロ具有平行于該些第一方向部的多個(gè)第二指狀部以及連接于該些第二指狀部且平行于該些第二方向部的至少ー第二連接部，其中各個(gè)第一指狀部與其中ー個(gè)第二指狀部分別位于其中ー個(gè)第一方向部的兩側(cè)； 一源扱，配置于該蝕刻終止層上并通過該第一接觸開ロ接觸于該半導(dǎo)體層；以及 一漏扱，配置于該蝕刻終止層上并通過該第二接觸開ロ接觸于該半導(dǎo)體層，且該源極與該漏極彼此分尚。
25.如權(quán)利要求24所述的顯示面板，其特征在干，該柵絕緣層與該蝕刻終止層更延伸至該元件配置區(qū)外，且該蝕刻終止層在該元件配置區(qū)外接觸于該柵絕緣層。
26.如權(quán)利要求24所述的顯示面板，其特征在于，部分該些第二方向部連接于該些第一方向部的一端而其余該些第二方向部位連接該些第一方向部的另一端，且各該第二方向部連接于兩個(gè)第一方向部以構(gòu)成該蜿蜒圖案。
27.如權(quán)利要求24所述的顯示面板，其特征在干，該第一接觸開ロ的該至少一第一連接部與該第二接觸開ロ的該至少一第二連接部分別位于該柵極的該些第一方向部的相對(duì)兩側(cè)。
28.如權(quán)利要求24所述的顯示面板，其特征在干，該至少一第一連接部的數(shù)量為多個(gè)，而該第一接觸開ロ還包括多個(gè)第一輔助連接部，各該第一輔助連接部連接于其中兩個(gè)第一指狀部，且該些第一輔助連接部與該些第一連接部分別位于該些第一指狀部的兩端。
29.如權(quán)利要求28所述的顯示面板，其特征在干，該源極具有多個(gè)源極指狀圖案，且各該源極指狀圖案通過其中ー個(gè)第一輔助連接部及該第一輔助連接部所連接的該兩第一指狀部接觸于該半導(dǎo)體層。
30.如權(quán)利要求28所述的顯示面板，其特征在干，該至少一第二連接部的數(shù)量為多個(gè)，而該第二接觸開ロ還包括多個(gè)第二輔助連接部，各該第二輔助連接部連接于其中兩個(gè)第二指狀部，且該些第二連接部與該些第二輔助連接部分別位于該些第二指狀部的兩端。
31.如權(quán)利要求30所述的顯示面板，其特征在干，該漏極具有多個(gè)漏極指狀圖案，且各該漏極指狀圖案通過其中ー個(gè)第二輔助連接部及該第二輔助連接部所連接的該兩第二指狀部接觸于該半導(dǎo)體層。
32.如權(quán)利要求24所述的顯示面板，其特征在于，各該像素還包括多個(gè)電容電極圖案，連接于該柵極，各該電容電極圖案配置于兩相鄰第一方向部之間，且該些電容電極圖案與該源極彼此重疊而定義出ー第一電容結(jié)構(gòu)。
33.如權(quán)利要求32所述的顯示面板，其特征在干，該半導(dǎo)體層具有多個(gè)指狀開ロ，各該指狀開ロ對(duì)應(yīng)于該第一接觸開ロ的其中ー個(gè)第一指狀部并小于該第一指狀部，且該源極部分地位于該些指狀開口中井部分地接觸于該半導(dǎo)體層。
34.如權(quán)利要求32所述的顯示面板，其特征在于，各該像素還包括一電容下電極以及ー電容上電極，位于該元件配置區(qū)旁并分別連接于該柵極與該源極，該電容下電極與該電容上電極彼此重疊而定義出一第二電容結(jié)構(gòu)，且該第一電容結(jié)構(gòu)的電容值小于該第二電容結(jié)構(gòu)的電容值。
35.如權(quán)利要求34所述的顯示面板，其特征在于，該蝕刻終止層具有至少ー電容開ロ，暴露出該第一電容結(jié)構(gòu)與該第二電容結(jié)構(gòu)至少一者的面積。
36.如權(quán)利要求24所述的顯示面板，其特征在干，還包括ー驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)，位于該周邊區(qū)中用以驅(qū)動(dòng)該些像素，且該驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)包括一周邊主動(dòng)元件，且該周邊主動(dòng)元件包括 一周邊柵極，包括多個(gè)第一周邊方向部以及多個(gè)第二周邊方向部，該些第一周邊方向部與該些第二周邊方向部交替連接而在該基板上構(gòu)成另一蜿蜒圖案，且該柵絕緣層更覆蓋該周邊柵極，其中該些第一周邊方向部彼此平行，該些第二周邊方向部彼此平行，且該些第一周邊方向部的延伸方向相交于該些第二周邊方向部的延伸方向； 一周邊半導(dǎo)體層，配置于該柵絕緣層上，且該周邊半導(dǎo)體層位于該周邊柵極上方，且該周邊半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出一周邊元件配置區(qū)，且該蝕刻終止層延伸至該周邊區(qū)且還具有暴露出該周邊半導(dǎo)體層的彼此互不連通的一第一周邊接觸開ロ以及一第二周邊接觸開ロ，該第一周邊接觸開ロ具有平行于該些第一周邊方向部的多個(gè)第一周邊指狀部以及連接于該些第一周邊指狀部且平行于該些第二周邊方向部的至少ー第一周邊連接部，該第ニ周邊接觸開ロ具有平行于該些第一周邊方向部的多個(gè)第二周邊指狀部以及連接于該些第二周邊指狀部且平行于該些第二周邊方向部的至少ー第二周邊連接部，其中各個(gè)第一周邊指狀部與其中ー個(gè)第二周邊指狀部分別位于其中ー個(gè)第一周邊方向部的兩側(cè)； 一周邊源極，配置于該蝕刻終止層上并通過該第一周邊接觸開ロ接觸于該周邊半導(dǎo)體層；以及 一周邊漏極，配置于該蝕刻終止層上并通過該第二周邊接觸開ロ接觸于該周邊半導(dǎo)體層，且該周邊源極與該周邊漏極彼此分離。
37.如權(quán)利要求36所述的顯示面板，其特征在干，該蝕刻終止層在該周邊元件配置區(qū)以及該元件配置區(qū)外接觸于該柵絕緣層。
38.如權(quán)利要求36所述的顯示面板，其特征在于，部分該些第二周邊方向部連接于該些第一周邊方向部的一端而其余該些第二周邊方向部位連接該些第一周邊方向部的另ー端，且各該第二方向部連接于兩個(gè)第一方向部以構(gòu)成該周邊蜿蜒圖案。
39.如權(quán)利要求36所述的顯示面板，其特征在干，該第一周邊接觸開ロ的該至少一第一周邊連接部與該第二周邊接觸開ロ的該至少一第二周邊連接部分別位于該周邊柵極的該些第一周邊方向部的相對(duì)兩側(cè)。
40.如權(quán)利要求36所述的顯示面板，其特征在干，該至少一第一周邊連接部的數(shù)量為多個(gè)，而該第一周邊接觸開ロ還包括多個(gè)第一周邊輔助連接部，各該第一周邊輔助連接部連接于其中兩個(gè)第一周邊指狀部，且該些第一周邊輔助連接部與該些第一周邊連接部分別位于該些第一周邊指狀部的兩端。
41.如權(quán)利要求40所述的顯示面板，其特征在干，該周邊源極具有多個(gè)周邊源極指狀圖案，且各該周邊源極指狀圖案通過其中ー個(gè)第一周邊輔助連接部及其所連接的該些第一周邊指狀部接觸于該周邊半導(dǎo)體層。
42.如權(quán)利要求40所述的顯示面板，其特征在干，該至少一第二周邊連接部的數(shù)量為多個(gè)，而該第二周邊接觸開ロ還包括多個(gè)第二周邊輔助連接部，各該第二周邊輔助連接部連接于其中兩個(gè)第二周邊指狀部，且該些第二輔助周邊連接部與該些第二周邊連接部分別位于該些第二周邊指狀部的兩端。
43.如權(quán)利要求42所述的顯示面板，其特征在干，該周邊漏極具有多個(gè)周邊漏極指狀圖案，且各該周邊漏極指狀圖案通過其中ー個(gè)第二周邊輔助連接部及其所連接的該些第二周邊指狀部接觸于該周邊半導(dǎo)體層。
44.如權(quán)利要求36所述的顯示面板，其特征在于，該驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)電容電極圖案，連接于該周邊柵極，其中各該電容電極圖案配置于兩相鄰第一周邊方向部之間，且該些電容電極圖案與該周邊源極彼此重疊而定義出ー第一電容結(jié)構(gòu)。
45.如權(quán)利要求44所述的顯示面板，其特征在干，該周邊半導(dǎo)體層具有多個(gè)指狀開ロ，各該指狀開ロ對(duì)應(yīng)于該第一周邊接觸開ロ的其中ー個(gè)第一周邊指狀部并小于該第一周邊指狀部，且該周邊源極部分地位于該些指狀開口中井部分地接觸于該周邊半導(dǎo)體層。
46.如權(quán)利要求44所述的顯示面板，其特征在于，還包括一電容下電極以及一電容上電極，位于該元件配置區(qū)旁井分別連接于該周邊柵極與該周邊源極，其中該電容下電極與該電容上電極彼此重疊而定義出一第二電容結(jié)構(gòu)，且該第一電容結(jié)構(gòu)的電容值小于該第二電容結(jié)構(gòu)的電容值。
47.如權(quán)利要求46所述的顯示面板，其特征在于，該蝕刻終止層具有至少ー電容開ロ，暴露出該第一電容結(jié)構(gòu)與該第二電容結(jié)構(gòu)至少一者的面積。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種主動(dòng)元件、驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)以及顯示面板。主動(dòng)元件包括一柵極、一柵絕緣層、一半導(dǎo)體層、一蝕刻終止層、一源極與一漏極。柵極在基板上構(gòu)成一蜿蜒圖案。柵絕緣層覆蓋柵極。半導(dǎo)體層配置于柵絕緣層上，且位于該柵極上方。半導(dǎo)體層的面積實(shí)質(zhì)上定義出主動(dòng)元件所在的元件配置區(qū)。蝕刻終止層配置于柵絕緣層以及半導(dǎo)體層上，并具有暴露出半導(dǎo)體層且彼此互不連通的一第一接觸開口以及一第二接觸開口。源極配置于蝕刻終止層上并通過第一接觸開口接觸于半導(dǎo)體層。漏極配置于蝕刻終止層上并通過第二接觸開口接觸于半導(dǎo)體層，且源極與漏極彼此分離。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102856391SQ20121032455
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月8日
發(fā)明者楊朝宇, 邱皓麟, 曹書瑋, 黃士哲, 葉柏良, 林俊男, 曾賢楷 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司