專利名稱：形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法技術(shù)領(lǐng)域
一般來說，本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，更具體而言，涉及一種制造高電子遷移率晶體管的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體技術(shù)中，由于其特性，基于II1-V族元素的高電子遷移率晶體管具有許多吸引人的性質(zhì)，包括高電子遷移率和高頻率傳輸信號(hào)的能力等。
然而，通過采用傳統(tǒng)的II1-V族工藝制造基于II1-V族元素的高電子遷移率晶體管的成本很高。例如，傳統(tǒng)的II1-V族工藝需要通過蒸發(fā)形成金屬以及采用含金的歐姆結(jié)構(gòu)，所有這些可能都是非常昂貴的。因此，需要開發(fā)一種工藝，通過該工藝使用現(xiàn)有的硅制造工具就能夠制造基于II1-V族元素的晶體管。發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括提供第一層；在所述第一層上形成第二層；在所述第二層上形成絕緣層；去除所述絕緣層的部分，以形成兩個(gè)開口并暴露出所述第二層的頂面；在所述兩個(gè)開口中均形成金屬部件；以及對(duì)所述金屬部件進(jìn)行退火，以形成相應(yīng)的金屬間化合物。
在該方法中，在對(duì)所述金屬部件進(jìn)行退火，以形成相應(yīng)的金屬間化合物之后，在所述金屬間化合物之間的所述絕緣層上形成柵極。
在該方法中，在所述第一層中實(shí)施硅注入。
在該方法中，在所述第一層和所述第二層之間形成界面。
在該方法中，使用含鎵前體和含氮前體，通過金屬有機(jī)物汽相外延來外延生長(zhǎng)所述第一層。
在該方法中，使用含鋁前體、含鎵前體、和含氮前體，通過金屬有機(jī)物汽相外延在所述第一層上外延生長(zhǎng)所述第二層。
在該方法中，采用反應(yīng)離子蝕刻工藝來去除所述絕緣層的部分。
在該方法中，所述退火是快速熱退火工藝。
在該方法中，所述退火在750°C和1200°C之間的溫度下進(jìn)行。
在該方法中，所述退火的持續(xù)時(shí)間在10秒至300秒之間。
在該方法中，所述退火使得所述金屬間化合物形成合金。
在該方法中，在對(duì)所述金屬部件進(jìn)行退火，以形成相應(yīng)的金屬間化合物之后，在所述金屬間化合物和所述絕緣層的上方沉積介電保護(hù)層。
在該方法中，采用化學(xué)汽相沉積方法實(shí)施所述介電保護(hù)層沉積。
在該方法中，所述金屬間化合物擴(kuò)散穿過所述第二層并擴(kuò)散到所述第一層中，從而接觸位于所述界面處的載流子溝道。
在該方法中，所述金屬間化合物中均具有頂部寬度和底部寬度，并且所述頂部寬度大于所述底部寬度。
在該方法中，所述金屬間化合物的所述頂部寬度覆蓋了所述第二層的一部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括第一層；第二層，設(shè)置在所述第一層上，并且在組分上與所述第一層不同，其中，在所述第一層和所述第二層之間存在界面；第三層，設(shè)置在所述第二層上；柵極，設(shè)置在所述第三層上；金屬間化合物，設(shè)置在所述柵極的每一側(cè)上。
在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述金屬間化合物均嵌入在所述第二層和所述第三層中。
在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述金屬間化合物均不包含Au。
在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，還包括介電保護(hù)層，設(shè)置在所述金屬間化合物和所述第三層上。


根據(jù)下面詳細(xì)的描述和附圖可以更好地理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，對(duì)各種部件沒有按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚討論起見，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的具有高電子遷移率晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例形成具有高電子遷移率晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。
圖3至圖12是根據(jù)圖2的方法的一些實(shí)施例的處于不同制造階段的形成具有高電子遷移率晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施方式

在下面詳細(xì)討論示例性實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實(shí)施例僅僅是示例性的，而不用于限制本發(fā)明的范圍。
在圖1中示出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的截面圖，其反映了本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例形成具有GaN高遷移率晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法 200的流程圖。圖3至圖12是根據(jù)圖2的方法200的一些實(shí)施例處于不同的制造階段形成具有GaN高遷移率晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的截面圖。應(yīng)注意到在圖2的方法200之前、 期間、或之后可以提供其他工藝。為了更好地理解本發(fā)明的發(fā)明概念，已簡(jiǎn)化了各個(gè)附圖。
參考圖1，簡(jiǎn)單地示出了具有GaN高遷移率晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 100包括襯底102。襯底102可以是碳化硅(SiC)襯底、藍(lán)寶石襯底或硅襯底。
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括在兩個(gè)不同的半導(dǎo)體材料層，比如，形成在具有不同帶隙的材料層之間異質(zhì)結(jié)。例如，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括未摻雜的窄帶隙溝道層和寬帶隙η型供體層(donor-supply layer)。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括形成在襯底102上的第一層104 (即，溝道層)以及在形成溝道層104上的第二層106 (即，供體層)。一般而言， 溝道層104和供體層106在組分上彼此不同，如在這種情況中。溝道層104是未摻雜的或者無意摻雜的(WD)。在本實(shí)例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100中，溝道層104包括氮化鎵(GaN)層(還被稱為GaN層104)。供體層106包括氮化鋁鎵(AlGaN)層(還被稱為AlGaN層106)。在本實(shí)施例中，GaN層104和AlGaN層106彼此直接接觸。在另一個(gè)實(shí)例中，溝道層104包括 GaAs層或InP層。供體層106包括AlGaAs層或AlInP層。
在一些實(shí)施例中，GaN層104是未摻雜的?？蛇x地，GaN層104是無意摻雜的，比如，輕度摻雜有由于用于形成GaN層104的前體而產(chǎn)生的η型雜質(zhì)。在一個(gè)實(shí)例中，GaN層 104的厚度處于約O. 5微米和約10微米之間的范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)例中，GaN層104的厚度為約2微米。
在一些實(shí)施例中，AlGaN層106是無意摻雜的。在一個(gè)實(shí)例中，AlGaN層106的厚度處于約5納米和約50納米之間的范圍內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)例中，AlGaN層106的厚度為約15 納米。
AlGaN層106中的來自壓電效應(yīng)的電子進(jìn)入GaN層104中，在GaN層104中形成了非常薄的高遷移性導(dǎo)電電子層108。該薄層108被稱為二維電子氣(2-DEG)，形成載流子溝道(也被稱為載流子溝道108)。2-DEG薄層108位于AlGaN層106和GaN層104的界面處。因此，載流子溝道具有高電子遷移率，這是因?yàn)镚aN層104是未摻雜的或無意摻雜的， 并且電子可以自由移動(dòng)而不與雜質(zhì)碰撞或者大大減少了碰撞。
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括源極部件和漏極部件，該源極部件和漏極部件被設(shè)置在 AlGaN層106上并被配置成電連接至載流子溝道108。源極部件和漏極部件均包含相應(yīng)的金屬間化合物118。在該實(shí)施例中，金屬間化合物118穿過AlGaN層106并陷入GaN層104 中。在一個(gè)實(shí)例中，金屬間化合物118不包含Au，而包含Al、T1、或Cu。在另一個(gè)實(shí)例中， 金屬間化合物118不包含Au，而包含AlN、TiN、Al3Ti或AlTi2N。
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括設(shè)置在源極和漏極部件118之間的AlGaN層106上的柵極 119。柵極119包括導(dǎo)電 材料層，該導(dǎo)電材料層用于配置為電壓偏置并且與載流子溝道108 電連接的柵電極。在各個(gè)實(shí)例中，導(dǎo)電材料層可以包含難熔金屬或其化合物，例如鎢(W)、 氮化鈦(TiN)和鉭(Ta)。在一個(gè)實(shí)例中，柵極119被直接設(shè)置在AlGaN層106上。在另一個(gè)實(shí)例中，在柵極119和AlGaN層106之間形成介電層,如氮化娃層120。介電層還可以由包括氧化娃(SiO2)、氮化娃(Si3N4)、氧化招(Al2O3)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋅 (ZnO2)、或氧化鉿(HfO2)的材料制成。介電層的厚度處于約3nm和約IOOnm之間的范圍內(nèi)。 介電層提供隔離以防止柵極泄露并進(jìn)一步改進(jìn)器件轉(zhuǎn)換速度。
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括在柵極119和源極/漏極部件(即，金屬間化合物118)的上方設(shè)置的介電層121 (也被稱為介電保護(hù)層)。介電保護(hù)層121覆蓋了源極/漏極部件， 并暴露出源極/漏極部件的一部分，以形成功能電路。柵極119至少部分地嵌入介電保護(hù)層121中。介電保護(hù)層121可以由氮化硅制成。
在上面所述的實(shí)施例中，柵極119、源極/漏極部件和GaN層104中的載流子溝道 108被配置為增強(qiáng)型晶體管，其中，當(dāng)對(duì)柵疊層施加的用于正向偏置的正電壓足夠大時(shí)，增強(qiáng)型(E-型)晶體管被打開。
現(xiàn)在我們將描述制造圖1中所述的以及上面所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝。
現(xiàn)在參考圖2方法200的流程圖，在操作201中，在襯底上形成GaN層。接下來， 方法200繼續(xù)到操作202，在操作202中，在GaN層上沉積AlGaN層。
圖3是執(zhí)行操作201和202之后的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的襯底102的一部分的放大截面圖。襯底102可以是碳化硅(SiC)襯底、藍(lán)寶石襯底或硅襯底。在襯底102上生長(zhǎng)層 104，該生長(zhǎng)層104也被稱為溝道層。在該實(shí)施例中，層104是指氮化鎵(GaN)層(也被稱為GaN層104)?？梢酝ㄟ^金屬有機(jī)物汽相外延(MOVPE)使用含鎵前體和含氮前體來外延生長(zhǎng)GaN層104。含鎵前體包括三甲基鎵(TMG)、三乙基鎵(TEG)、或其他合適的化學(xué)品。含氮前體包括氨(NH3)、叔丁基胺(TBAm)、苯肼、或其他合適的化學(xué)品。在一個(gè)實(shí)施例中，GaN層 104的厚度處于約O. 5微米和約10微米之間的范圍內(nèi)。
在GaN層104上生長(zhǎng)第二層106，該第二層106還被稱為供體層。在GaN層104和 AlGaN層106之間存在界面。2-DEG的載流子溝道108位于該界面處。在該實(shí)施例中，可以通過MOVPE采用含鋁前體、含鎵前體、和含氮前體在GaN層104上外延生長(zhǎng)AlGaN層106。 含鋁前體包括TMA、TEA、或其他合適的化學(xué)品。含鎵前體包括TMG、TEG、或其他合適的化學(xué)品。含氮前體包括氨、TBAm、苯肼、或其他合適的化學(xué)品。AlGaN層106的厚度處于約5納米和約50納米之間的范圍內(nèi)。在其他實(shí)施例中，AlGaN層106可以包括AlGaAs層或AlInP 層。
接下來回到圖2，方法200繼續(xù)到操作203，在操作203中，在源極和漏極區(qū)中，在氮化娃絕緣層120的下面實(shí)施娃注入。具體而言，在AlGaN層106上沉積光刻膠層。此后， 進(jìn)行光刻和后續(xù)的蝕刻工藝以在光刻膠層中形成兩個(gè)開口，暴露出將進(jìn)行硅注入的地方的 AlGaN層106。最終進(jìn)行離子注入來建立Si注入?yún)^(qū)。
接下來，根據(jù)圖2，方法200繼續(xù)到下一操作204，在操作204中，在AlGaN層106 上沉積氮化硅層120。然后在操作205中，通過光刻暴露出LPSN層120的一部分表面。
圖4是執(zhí)行操作205之后的結(jié)構(gòu)100的截面圖。在氮化硅層120的頂面上形成掩模層110,并暴露出氮化娃層120表面上的兩個(gè)開口。掩模層110可以是包含氮化娃或光刻膠的硬掩模。一旦形成了掩膜層110，通過合適的光刻和蝕刻工藝圖案化掩模層110以形成開口并暴露出氮化硅層120的頂面的這些部分。
接下來，如圖5所示，通過諸如反應(yīng)離子蝕刻(RIE)的合適工藝完全去除氮化硅層 120通過開口暴露的部分，從而暴露出氮化硅層120正下方的AlGaN層106的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，用等離子工藝，例如IS氣(Ar)、氯氣(Cl2)、或三氯化硼(BCl3),在約30mTorr 的壓力下蝕刻氮化硅層120。然后在蝕刻步驟之后去除掩模層110。
接著，參考圖2，方法200繼續(xù)到操作206，在操作206中，在之前的步驟中形成的氮化硅層120的兩個(gè)開口中形成金屬部件。
圖6至圖10是執(zhí)行操作206的各個(gè)工藝步驟之后的結(jié)構(gòu)100的截面圖。首先，如圖6所示，在氮化硅層120上方沉積金屬層114，并過填充氮化硅層120中的兩個(gè)開口以暴露出AlGaN層106的頂面。金屬層114可以包含一種或多種導(dǎo)電材料。在一個(gè)實(shí)例中，金屬層114包含鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)或鋁銅(AlCu)合金。在另一個(gè)實(shí)例中，金屬層114包括底部T/TiN層、位于底部T/TiN層上面的AlCu層、以及位于AlCu層上面的頂部Ti層。 底部T/TiN層的厚度處于約IOOA和約1000A之間的范圍內(nèi)。AlCu層的厚度處于約100A和約5000A之間的范圍內(nèi)。頂部Ti層的厚度處于約IOOA和約IOOOA之間的范圍內(nèi)。金屬層114的形成方法包括ALD或物理汽相沉積(PVD)工藝。
然后，在圖7至圖9中，在金屬層114上方形成光刻膠層116，并顯影以在氮化硅介電保護(hù)層120中的兩個(gè)開口的上方形成部件。在去除光刻膠層116的某些部分從而暴露出金屬層114的某些部分之后，通過反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝去除金屬層114的暴露部分， RIE工藝將金屬層114的暴露部分向下蝕刻到下面的氮化硅絕緣層120。然后去除光刻膠層。
結(jié)果，在蝕刻工藝之后生成位于氮化硅絕緣層120中的兩個(gè)開口的上方的兩個(gè)金屬部件118。
接下來參考圖2，方法200繼續(xù)到操作207，在操作207中對(duì)金屬部件118進(jìn)行退火以形成相應(yīng)的金屬間化合物。
圖10是對(duì)金屬部件118實(shí)施該退火操作207之后的結(jié)構(gòu)100的截面圖?？梢詫?duì)金屬部件118應(yīng)用熱退火工藝，從而使得金屬部件118、AlGaN層106和GaN層104反應(yīng)形成金屬間化合物118。金屬間化合物118被配置為用于有效電連接至載流子溝道108的S/ D部件。作為一個(gè)實(shí)例，對(duì)該退火應(yīng)用快速熱退火(RTA)裝置和工藝。在處于約750°C和約 1200°C之間的范圍內(nèi)的退火溫度下實(shí)施該熱退火。由于在AlGaN層106中形成開口，因此， 金屬間化合物118中的金屬元素可以更深地?cái)U(kuò)散至AlGaN層106和GaN層104中。金屬間化合物118可以改進(jìn)電連接，并在源極/漏極部件和載流子溝道108之間形成歐姆接觸件。 在一個(gè)實(shí)例中，金屬間化合物118不包含Au，而包含Al、T1、或Cu。在另一個(gè)實(shí)例中，金屬間化合物118不包含八11，而包含41隊(duì)11隊(duì)41311或4111#。在一個(gè)實(shí)例中，在絕緣層120的開口中形成金屬間化合物118，因此，金屬間化合物118具有非平坦的頂面。在另一個(gè)實(shí)例中，金屬間化合物118覆蓋了絕緣層120的一部分。金屬間化合物118具有頂部寬度和底部寬度。頂部寬度比底部寬度寬。在又一個(gè)實(shí)例中，金屬間化合物118沒有覆蓋絕緣層120 的一部分。頂部寬度和底部寬部基本上相同。
接著參考圖2，方法200繼續(xù)到操作208，在操作208中，在金屬間化合物之間形成柵極。
在形成柵極之前，如圖11中所示，在金屬間化合物118和AlGaN層106上方沉積絕緣層109。該絕緣層109還被稱為介電保護(hù)層(dielectric cap layer)。在該實(shí)施例中， 絕緣層109(或保護(hù)層)由氮化硅制成。介電保護(hù)層109的厚度處于約IOOA和約5000A 之間的范圍內(nèi)。介電保護(hù)層109可以包含Si02*Si3N4。在一個(gè)實(shí)例中，介電保護(hù)層109是 Si3N4并以包含SiH4和NH3的化學(xué)汽相沉積(CVD)方法形成。操作溫度處于約650°C和約 800°C的范圍內(nèi)。操作壓力處于約O.1Torr和約ITorr之間的范圍內(nèi)。如圖11所示，然后， 通過光刻蝕刻去除一部分絕緣層109，以暴露出一部分氮化硅絕緣層120。
實(shí)施操作208之后，在圖12中形成柵極119。在源極和漏極部件之間的氮化硅絕緣層120上設(shè)置柵極109。氮化硅絕緣層120提供隔離以防止柵極泄露并進(jìn)一步改進(jìn)器件轉(zhuǎn)換速度。
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例可以用于改進(jìn)具有GaN高遷移率晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。例如，在開口中形成的金屬間化合物118可以改進(jìn)電連接并在源極/漏極部件和載流子溝道 108之間形成歐姆接觸件。金屬間化合物118不包含Au，而包含Al、Ti或Cu。在金屬間化合物118中不使用Au的情況下，該方法200也可以被實(shí)現(xiàn)在硅襯底上生產(chǎn)集成電路的生產(chǎn)線中。消除了對(duì)硅制造工藝的Au污染的擔(dān)憂。在源極/漏極部件中用不包含Au的金屬間化合物118替換包含Au的晶體管。成本也降低了。
本發(fā)明的實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一層；第二層，該第二層被設(shè)置在第一層上，并且在組分上與第一層不同，其中，在第一層和第二層之間存在界面。柵極該柵極被設(shè)置在第二層上。源極部件和漏極部件被設(shè)置在柵極的相對(duì)側(cè)上，源極部件和漏極部件均包含至少部分地嵌入在第二層中的相應(yīng)金屬間化合物，相應(yīng)的金屬間化合物均不包含Au，而包含Al、Ti或Cu，并接觸位于界面處的載流子溝道。
本發(fā)明的另一實(shí)施例描述了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括在襯底上設(shè)置的 GaN層。在GaN層上設(shè)置的AlGaN層。在AlGaN層上設(shè)置的柵極。在柵極的相反兩側(cè)設(shè)置的源極部件和漏極部件，該源極部件和漏極部件均包含至少部分地嵌入在AlGaN層中的相應(yīng)的金屬間化合物，金屬間化合物均具有非平坦的頂面。
本發(fā)明還公開了形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的實(shí)施例。該方法包括提供第一層。在第一層上外延生長(zhǎng)第二層。在第一層和第二層之間存在界面。在第二層上設(shè)置第三層。蝕刻第三層形成兩個(gè)開口以暴露出第二層的頂面。在兩個(gè)開口中均形成金屬部件。退火該金屬部件以形成相應(yīng)的金屬間化合物。金屬間化合物均接觸位于界面處的載流子溝道。在金屬間化合物之間的第三層上形成柵極。
盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，在其中進(jìn)行各種不同的改變、替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本申請(qǐng)的公開內(nèi)容將很容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以應(yīng)用現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與本文所述相應(yīng)實(shí)施例基本上相同的功能或獲得基本上相同的結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。因此，所附權(quán)利要求預(yù)期在其范圍內(nèi)包括這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括提供第一層；在所述第一層上形成第二層；在所述第二層上形成絕緣層；去除所述絕緣層的部分，以形成兩個(gè)開口并暴露出所述第二層的頂面；在所述兩個(gè)開口中均形成金屬部件；以及對(duì)所述金屬部件進(jìn)行退火，以形成相應(yīng)的金屬間化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在對(duì)所述金屬部件進(jìn)行退火，以形成相應(yīng)的金屬間化合物之后，在所述金屬間化合物之間的所述絕緣層上形成柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一層中實(shí)施硅注入。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一層和所述第二層之間形成界面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用含鎵前體和含氮前體，通過金屬有機(jī)物汽相外延來外延生長(zhǎng)所述第一層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，使用含鋁前體、含鎵前體、和含氮前體，通過金屬有機(jī)物汽相外延在所述第一層上外延生長(zhǎng)所述第二層。
7.—種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括第一層;第二層，設(shè)置在所述第一層上，并且在組分上與所述第一層不同，其中，在所述第一層和所述第二層之間存在界面；第三層，設(shè)置在所述第二層上；柵極，設(shè)置在所述第三層上；金屬間化合物，設(shè)置在所述柵極的每一側(cè)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬間化合物均嵌入在所述第二層和所述第三層中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬間化合物均不包含Au。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括介電保護(hù)層，設(shè)置在所述金屬間化合物和所述第三層上。
全文摘要
公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一層。第二層被設(shè)置在第一層上，并且在組分上與第一層不同。在第一層和第二層之間存在界面。第三層被設(shè)置在第二層上。柵極被設(shè)置在第三層上。源極部件和漏極部件被設(shè)置在柵極的相對(duì)側(cè)上。源極部件和漏極部件均包括至少部分地嵌入第二層和第三層中的相應(yīng)金屬部件。相應(yīng)的金屬間化合物位于每一個(gè)金屬部件的下面。金屬間化合物均接觸位于界面處的載流子溝道。本發(fā)明還提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。
文檔編號(hào)H01L21/335GK103000516SQ20121034328
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月15日
發(fā)明者陳柏智, 余俊磊, 姚福偉, 許竣為, 楊富智, 蔡俊琳 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司