專利名稱：一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶圓選片缺陷掃描技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝和生產(chǎn)的加速發(fā)展，制程機(jī)臺(tái)的晶圓通過率越來越快。為了降低產(chǎn)品生產(chǎn)的周期時(shí)間，缺陷掃描的取樣和選片也變得越來越具有挑戰(zhàn)，有效的選片系統(tǒng)能夠不影響產(chǎn)品產(chǎn)出率的同時(shí)，快速準(zhǔn)確沒有遺漏地發(fā)現(xiàn)異常晶圓，及時(shí)檢查制程機(jī)臺(tái)的異常，減少受影響產(chǎn)品的數(shù)目。所以一個(gè)有效的缺陷掃描晶圓選片規(guī)則顯得尤為重要。在晶圓廠中制程機(jī)臺(tái)多種多樣，有不同的運(yùn)作原理。當(dāng)制程機(jī)臺(tái)某些部分，比如某個(gè)反應(yīng)腔、某支機(jī)械臂等出現(xiàn)異常時(shí)，會(huì)持續(xù)對(duì)產(chǎn)品中晶圓盒卡槽的特定一個(gè)或幾個(gè)位 置晶圓產(chǎn)生缺陷。如果缺陷掃描站點(diǎn)對(duì)固定的晶圓選片規(guī)則(如圖I所示)，即固定選擇第1，2，23，24片晶圓進(jìn)行缺陷掃描，而沒有選中這特定卡槽的晶圓進(jìn)行掃描，就難以及時(shí)發(fā)現(xiàn)制程機(jī)臺(tái)的異常。等到發(fā)現(xiàn)時(shí)往往已經(jīng)持續(xù)了很長時(shí)間，影響到大量產(chǎn)品的良率。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，現(xiàn)提供了一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法及系統(tǒng)的技術(shù)方案，具體如下
一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，適用于動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的選片缺陷掃描，其中，步驟包括
步驟a，建立缺陷掃描站點(diǎn)，所述缺陷掃描站點(diǎn)用于對(duì)動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓進(jìn)行缺陷掃描；步驟b，選取通過所述缺陷掃描站點(diǎn)的第一個(gè)過站產(chǎn)品中的固定兩片晶圓，并且選取所述固定兩片晶圓的鄰近兩片晶圓，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描；
步驟C，選取通過所述缺陷掃描站點(diǎn)的第二個(gè)過站產(chǎn)品中的所述固定兩片晶圓，并且選取之前未掃描過的鄰近兩片晶圓，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描；
步驟d，選取通過所述缺陷掃描站點(diǎn)的第三個(gè)過站產(chǎn)品中的所述固定兩片晶圓，并且選取之前兩次均未掃描過的鄰近兩片晶圓，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描；
步驟e，采用上述方法掃描其余過站產(chǎn)品，直到所有晶圓盒卡槽位置的晶圓都被掃描到。優(yōu)選的，該動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，其中，在完成所述步驟e后，返回所述步驟b。優(yōu)選的，該動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，其中，所述缺陷掃描方法在一個(gè)預(yù)設(shè)的時(shí)間周期內(nèi)完成。優(yōu)選的，該動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，其中，選擇位于固定卡槽位置的晶圓進(jìn)行缺陷掃描。優(yōu)選的，該動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，其中，選擇位于非固定卡槽位置的晶圓進(jìn)行缺陷掃描。一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描系統(tǒng)，其中，采用上述缺陷掃描方法。上述技術(shù)方案的有益效果是使缺陷掃描站點(diǎn)對(duì)不同晶圓盒卡槽位置的晶圓在一個(gè)時(shí)間周期內(nèi)都有缺陷掃描結(jié)果，及時(shí)發(fā)現(xiàn)造成缺陷的情況，能有效減少受影響產(chǎn)品的數(shù)量，提升良率，并降低成本。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)中缺陷掃描方法的示意 圖2是本發(fā)明一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法的實(shí)施例的示意圖；
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。在目前的缺陷掃描選片系統(tǒng)中加入新穎的動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，該缺陷掃描方法所掃描的晶圓包括但不限于選擇固定卡槽位置的晶圓。如圖2所示，首先，設(shè)置掃描缺陷站點(diǎn)，對(duì)該站點(diǎn)的第一個(gè)過站產(chǎn)品固定選取兩片晶圓I和24，并選取晶圓I和24的鄰近兩片晶圓2和23，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描；
其次，對(duì)該站點(diǎn)的第二個(gè)過站產(chǎn)品固定選取晶圓I和24，并選取未被掃描過的鄰近兩片晶圓3和22，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描；
再次，對(duì)該站點(diǎn)的第三個(gè)過站產(chǎn)品固定選取晶圓I和24，并選取未被掃描過的鄰近兩片晶圓4和21，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描；
以此類推，對(duì)其余晶圓進(jìn)行同樣的動(dòng)態(tài)缺陷掃描，直至所有晶圓盒卡槽位置的晶圓都被掃描到后，則重頭開始動(dòng)態(tài)選片，即重新選擇固定兩片晶圓，重復(fù)以上步驟。在本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例中，一制程機(jī)臺(tái)甲具有六個(gè)反應(yīng)腔,其中第六號(hào)反應(yīng)腔異常；另一臺(tái)制程機(jī)臺(tái)乙有四個(gè)反應(yīng)腔，其中第二個(gè)反應(yīng)腔有異常，先后過甲機(jī)臺(tái)的六個(gè)反應(yīng)腔和乙機(jī)臺(tái)的二個(gè)反應(yīng)腔的晶圓會(huì)出現(xiàn)特定缺陷，即晶圓盒卡槽位置為6和18的晶圓會(huì)出現(xiàn)缺陷，則使用包括上述缺陷掃描方法的缺陷掃描系統(tǒng)進(jìn)行缺陷掃描，能在第五個(gè)產(chǎn)品經(jīng)過該缺陷掃描站點(diǎn)時(shí)檢測出上述問題。該使用上述缺陷掃描方法的缺陷掃描系統(tǒng)中包括一個(gè)定時(shí)裝置，該定時(shí)裝置可用于設(shè)定一個(gè)預(yù)設(shè)的時(shí)間周期，在該預(yù)設(shè)的時(shí)間周期內(nèi)，缺陷掃描系統(tǒng)完成上述晶圓的缺陷掃描工作，并對(duì)晶圓都有缺陷掃描結(jié)果。以上所述僅為本發(fā)明較佳的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的實(shí)施方式及保護(hù)范圍，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，應(yīng)當(dāng)能夠意識(shí)到凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應(yīng)當(dāng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，適用于動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的選片缺陷掃描，其特征在于，步驟包括 步驟a，建立缺陷掃描站點(diǎn)，所述缺陷掃描站點(diǎn)用于對(duì)動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓進(jìn)行缺陷掃描；步驟b，選取通過所述缺陷掃描站點(diǎn)的第一個(gè)過站產(chǎn)品中的固定兩片晶圓，并且選取所述固定兩片晶圓的鄰近兩片晶圓，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描； 步驟C，選取通過所述缺陷掃描站點(diǎn)的第二個(gè)過站產(chǎn)品中的所述固定兩片晶圓，并且選取之前未掃描過的鄰近兩片晶圓，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描； 步驟d，選取通過所述缺陷掃描站點(diǎn)的第三個(gè)過站產(chǎn)品中的所述固定兩片晶圓，并且選取之前兩次均未掃描過的鄰近兩片晶圓，對(duì)上述四片晶圓進(jìn)行缺陷掃描； 步驟e，采用上述方法掃描其余過站產(chǎn)品，直到所有晶圓盒卡槽位置的晶圓都被掃描到。
2.如權(quán)利要求I所述的動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，其特征在于，在完成所述步驟e后，返回所述步驟b。
3.如權(quán)利要求I所述的動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，其特征在于，所述缺陷掃描方法在一個(gè)預(yù)設(shè)的時(shí)間周期內(nèi)完成。
4.如權(quán)利要求I所述的動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，其特征在于，選擇位于固定卡槽位置的晶圓進(jìn)行缺陷掃描。
5.如權(quán)利要求4所述的動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法，其特征在于，選擇位于非固定卡槽位置的晶圓進(jìn)行缺陷掃描。
6.一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描系統(tǒng)，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種動(dòng)態(tài)互補(bǔ)晶圓的缺陷掃描方法及系統(tǒng)，屬于晶圓選片缺陷掃描技術(shù)領(lǐng)域，步驟包括步驟a，建立缺陷掃描站點(diǎn)；步驟b，選取第一個(gè)過站產(chǎn)品中的固定兩片晶圓，并且選取固定兩片晶圓的鄰近兩片晶圓，進(jìn)行缺陷掃描；步驟c，選取第二個(gè)過站產(chǎn)品中的固定兩片晶圓，并且選取之前未掃描過的鄰近兩片晶圓，進(jìn)行缺陷掃描；步驟d，選取第三個(gè)過站產(chǎn)品中的固定兩片晶圓，并且選取之前兩次均未掃描過的鄰近兩片晶圓，進(jìn)行缺陷掃描；步驟e，采用上述方法掃描其余過站產(chǎn)品，直到所有晶圓盒卡槽位置的晶圓都被掃描到。上述技術(shù)方案的有益效果是能及時(shí)發(fā)現(xiàn)造成缺陷的情況，能有效減少受影響產(chǎn)品的數(shù)量，提升良率，并降低成本。
文檔編號(hào)H01L21/66GK102867761SQ20121034344
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者郭賢權(quán), 許向輝, 顧珍 申請人:上海華力微電子有限公司