專利名稱：一種發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
· 以藍寶石為襯底的發(fā)光二極管LED，主要是藍光、綠光以及加熒光粉后的白光LED。目前，發(fā)光二極管LED的取光效率較低，大部分能量都轉(zhuǎn)換為熱量，為了保證LED的壽命，一般要求散熱效果較好的結(jié)構(gòu)，但是，藍寶石和GaN材料的散熱效果較差，如果LED芯片的熱量散不出去，則會加速芯片的老化，芯片失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中藍寶石和GaN材料的散熱效果較差，如果LED芯片的熱量散不出去，則會加速芯片的老化，芯片失效的問題。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括發(fā)光二極管芯片和反光二極管基板，所述發(fā)光二極管芯片倒置的方式設(shè)置在所述反光二極管基板上，其中
所述發(fā)光二極管芯片設(shè)有一透明的藍寶石襯底，通過焊接方式設(shè)置在所述藍寶石襯底上的GaN結(jié)構(gòu)層，所述GaN結(jié)構(gòu)層的下表面設(shè)置有P電極和N電極；
所述反光二極管基板一摻雜有N型單面拋光單晶形成的單晶襯底，所述單晶襯底的拋光面上設(shè)有一層生長氧化層，所述生長氧化層上設(shè)有若干個用以形成P型層的擴散窗口，所述P型層上設(shè)有接觸層，所述接觸層上設(shè)有金屬層，所述金屬層連接發(fā)光二極管芯片的電極，所述接觸層上設(shè)有延伸電極。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，使用該發(fā)光二極管的LED，散熱效果好，保證了 LED的使用壽命。


圖I是本發(fā)明提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。圖I示出了本發(fā)明提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，為了便于說明，圖中僅給出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。本發(fā)明提供的發(fā)光二極管包括發(fā)光二極管芯片I和反光二極管基板2，所述發(fā)光二極管芯片I倒置的方式設(shè)置在所述反光二極管基板2上，其中
本發(fā)明提供的發(fā)光二極管芯片I設(shè)有一透明的藍寶石襯底11，通過焊接方式設(shè)置在所述藍寶石襯底11上的GaN結(jié)構(gòu)層12，所述GaN結(jié)構(gòu)層12的下表面設(shè)置有P電極13和N電極14，所述發(fā)光二極管芯片以倒置的方式設(shè)置在基板上。在本發(fā)明中，P電極13和N電極14為整面結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的發(fā)光二極管2包括一摻雜有N型單面拋光單晶形成的單晶襯底21，所述單晶襯底I的拋光面上設(shè)有一層生長氧化層22，所述生長氧化層22上設(shè)有若干個用以形成P型層23的擴散窗口，所述P型層23上設(shè)有接觸層24，所述接觸層24上設(shè)有金屬層25，所述金屬層25連接發(fā)光二極管芯片的電極，所述接觸層上設(shè)有延伸電極26。為了便于理解，下述給出本發(fā)明提供的發(fā)光二極管的制作工藝
1.選擇單晶硅片作為單晶襯底；
2.用熱生長的方法在所述單晶襯底的拋光面上形成生長氧化層；
3.用光刻腐蝕出擴散窗口；
4.用半導體擴散工藝形成P型層結(jié)構(gòu)；
5.在P型層上通過蒸發(fā)形成接觸層；
6.在所述接觸層焊接形成金屬層?！け景l(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，使用該發(fā)光二極管的LED，散熱效果好，保證了 LED的使用壽命。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括發(fā)光二極管芯片和反光二極管基板，所述發(fā)光二極管芯片倒置的方式設(shè)置在所述反光二極管基板上，其中 所述發(fā)光二極管芯片設(shè)有一透明的藍寶石襯底，通過焊接方式設(shè)置在所述藍寶石襯底上的GaN結(jié)構(gòu)層，所述GaN結(jié)構(gòu)層的下表面設(shè)置有P電極和N電極； 所述反光二極管基板一摻雜有N型單面拋光單晶形成的單晶襯底，所述單晶襯底的拋光面上設(shè)有一層生長氧化層，所述生長氧化層上設(shè)有若干個用以形成P型層的擴散窗口，所述P型層上設(shè)有接觸層，所述接觸層上設(shè)有金屬層，所述金屬層連接發(fā)光二極管芯片的電極，所述接觸層上設(shè)有延伸電極。
全文摘要
本發(fā)明適用于光電技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管芯片和反光二極管基板，發(fā)光二極管芯片倒置的方式設(shè)置在反光二極管基板上，其中發(fā)光二極管芯片設(shè)有一透明的藍寶石襯底，通過焊接方式設(shè)置在藍寶石襯底上的GaN結(jié)構(gòu)層，GaN結(jié)構(gòu)層的下表面設(shè)置有P電極和N電極；反光二極管基板一摻雜有N型單面拋光單晶形成的單晶襯底，單晶襯底的拋光面上設(shè)有一層生長氧化層，生長氧化層上設(shè)有若干個用以形成P型層的擴散窗口，P型層上設(shè)有接觸層，接觸層上設(shè)有金屬層，金屬層連接發(fā)光二極管芯片的電極，所述接觸層上設(shè)有延伸電極。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，使用該發(fā)光二極管的LED，散熱效果好，保證了LED的使用壽命。
文檔編號H01L33/02GK102891227SQ20121034588
公開日2013年1月23日 申請日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月18日
發(fā)明者徐廣忠 申請人:泰州普吉光電股份有限公司