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一種垂直結(jié)構(gòu)的led芯片的制作方法

文檔序號(hào):7108245閱讀:1028來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種垂直結(jié)構(gòu)的led芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于LED技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管廣泛應(yīng)用于儀表指示燈、大尺寸LED背光源、電子廣告牌等領(lǐng)域。在生長(zhǎng)LED外延層時(shí),主要選擇藍(lán)寶石作為襯底,但是藍(lán)寶石的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率較差,導(dǎo)致LED的制作工藝復(fù)雜,散熱差,壽命短,限值高亮度LED的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中藍(lán)寶石的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率較差,導(dǎo)致LED的制作工藝復(fù)雜,散熱差,壽命短,限值高亮度LED的發(fā)展的問(wèn)題。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片,所述垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片具體包·括
高熱導(dǎo)率的支撐襯底;
設(shè)置在所述支撐襯底上表面的鍵合材料層;
涂覆在所述鍵合材料層上的反射層;
所述發(fā)射層上面設(shè)有透明導(dǎo)電層;
所述透明導(dǎo)電層上表面依次設(shè)置P-GaN層、有源層、n-GaN層和歐姆接觸電極。本發(fā)明提供的LED芯片采用垂直結(jié)構(gòu),該垂直結(jié)構(gòu)將藍(lán)寶石襯底逐步剝離,制作工藝簡(jiǎn)單,提升了 LED的散熱效果,同時(shí)增長(zhǎng)了器壽命。


圖I是本發(fā)明提供的垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。圖I示出了本發(fā)明提供的垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,為了便于說(shuō)明,圖中僅給出了與本發(fā)明相關(guān)的部分。本發(fā)明提供的垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片具體包括
高熱導(dǎo)率的支撐襯底I ;
設(shè)置在所述支撐襯底I上表面的鍵合材料層2 ;
涂覆在所述鍵合材料層2上的反射層3 ;
所述發(fā)射層3上面設(shè)有透明導(dǎo)電層4 ;
所述透明導(dǎo)電層4上表面依次設(shè)置P-GaN層5、有源層6、n-GaN層7和歐姆接觸電極8。在本發(fā)明中,上述鍵合材料層2為導(dǎo)電聚合物,所述反射層3為鋁材料,歐姆接觸電極8又分為多層,在此不再贅述,但不用以限制本發(fā)明。本發(fā)明提供的LED芯片采用垂直結(jié)構(gòu),該垂直結(jié)構(gòu)將藍(lán)寶石襯底逐步剝離,制作工藝簡(jiǎn)單,提升了 LED的散熱效果,同時(shí)增長(zhǎng)了器壽命。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明 ,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片,其特征在于,所述垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片具體包括高熱導(dǎo)率的支撐襯底;設(shè)置在所述支撐襯底上表面的鍵合材料層;涂覆在所述鍵合材料層上的反射層;所述發(fā)射層上面設(shè)有透明導(dǎo)電層;所述透明導(dǎo)電層上表面依次設(shè)置P-GaN層、有源層、n-GaN層和歐姆接觸電極。
全文摘要
本發(fā)明適用于LED技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片,所述垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片具體包括高熱導(dǎo)率的支撐襯底;設(shè)置在所述支撐襯底上表面的鍵合材料層;涂覆在所述鍵合材料層上的反射層;所述發(fā)射層上面設(shè)有透明導(dǎo)電層;所述透明導(dǎo)電層上表面依次設(shè)置p-GaN層、有源層、n-GaN層和歐姆接觸電極。本發(fā)明提供的LED芯片采用垂直結(jié)構(gòu),該垂直結(jié)構(gòu)將藍(lán)寶石襯底逐步剝離,制作工藝簡(jiǎn)單,提升了LED的散熱效果,同時(shí)增長(zhǎng)了器壽命。
文檔編號(hào)H01L33/64GK102891246SQ20121034592
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月18日
發(fā)明者徐廣忠 申請(qǐng)人:泰州普吉光電股份有限公司
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