專利名稱：轉(zhuǎn)移疊層的方法以及制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)移疊層的方法。此外，本發(fā)明涉及具有由半導(dǎo)體元件，典型地說(shuō)是由薄膜晶體管構(gòu)成的電路的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，包含半導(dǎo)體元件的待要?jiǎng)冸x的物體被轉(zhuǎn)移到襯底。例如，本發(fā)明涉及典型為液晶模塊的電光器件、典型為EL模塊的發(fā)光器件、或安裝這種器件作為其部件的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，注意力已經(jīng)被集中在利用形成在具有絕緣表面的襯底上的半導(dǎo)體層(厚度約為幾nm到幾百nm)來(lái)制作薄膜晶體管的技術(shù)上。薄膜晶體管被廣泛地應(yīng)用于諸如集成電路和電光器件之類的電子裝置中，特別是已經(jīng)加速了薄膜晶體管作為圖象顯示器件的開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)發(fā)。 已經(jīng)預(yù)想了利用這種圖象顯示器件的許多不同的應(yīng)用，特別是在便攜式裝置中的應(yīng)用已經(jīng)登上了中心舞臺(tái)。期望有重量輕、耐沖擊、并能夠承受一定形變的裝置。玻璃和石英目前常常被用于薄膜晶體管襯底，而這些襯底的缺點(diǎn)是重而易破裂。而且，難以制作大尺寸的玻璃和石英襯底，因此，從大批量生產(chǎn)的觀點(diǎn)看，玻璃和石英不適合于作為薄膜晶體管的襯底。因而已經(jīng)嘗試在重量輕和耐用的塑料襯底上，典型為諸如塑料膜之類的具有柔性的襯底上制作薄膜晶體管。但目前的情況是塑料的抗熱性差，因而制作薄膜晶體管的最高工藝溫度必須低。結(jié)果，無(wú)法制作電學(xué)特性與制作在諸如玻璃襯底和石英襯底之類的抗熱性比較高的襯底上的薄膜晶體管一樣好的薄膜晶體管。另一方面，已經(jīng)提出了用來(lái)從襯底剝離通過(guò)分離層存在于襯底上的待要?jiǎng)冸x的物體的剝離方法。例如，JP 10-125929A(第4-10頁(yè))和JP 10-125931A(第6-10頁(yè))討論的技術(shù)就是這種方法，其中，形成了由非晶硅(或結(jié)晶硅)組成的分離層，并借助于將激光通過(guò)襯底從而放出包含在非晶硅中的氫而在非晶硅(或結(jié)晶硅)中發(fā)展出空氣隙。然后從待要?jiǎng)冸x的物體剝離襯底。此外，在JP 2002-217391A(第 3-6頁(yè)，圖 9)中，報(bào)道了相似于 JP 10-125929A和 JP10-125931A技術(shù)的工藝，用來(lái)形成由非晶硅(或結(jié)晶硅)組成的分離層；利用可溶于水的暫時(shí)粘合層，在待要?jiǎng)冸x的物體(在公報(bào)中稱為待要?jiǎng)冸x的層，典型指的是薄膜晶體管)的表面上形成第二襯底(暫時(shí)轉(zhuǎn)移部件)；通過(guò)襯底將激光照射到分離層間絕緣膜；從待要?jiǎng)冸x的物體剝離第一襯底(玻璃襯底)，從而將待要?jiǎng)冸x的物體轉(zhuǎn)移到第三襯底(膜)上；將第三襯底浸入水中，溶解可溶于水的暫時(shí)粘合層；以及從第二襯底剝離待要?jiǎng)冸x的物體，從而暴露待要?jiǎng)冸x的物體的表面。但利用JP 10-125929A和JP 10-125931A所公開(kāi)的方法，采用透光性良好的襯底是重要的，因此，存在著能夠被使用的襯底受到限制的問(wèn)題。而且，為了提供足以通過(guò)襯底并引起包含在非晶硅中的氫放出的能量，必須有比較大功率的激光輻照，因此，存在著激光可能損傷待要?jiǎng)冸x的物體的問(wèn)題。
而且，若在元件制造工藝中執(zhí)行高溫?zé)崽幚?，則當(dāng)用上述方法在分離層上制造元件時(shí)，包含在分離層中的氫發(fā)生擴(kuò)散并被減少，從而存在著即使激光被輻照到分離層也無(wú)法充分進(jìn)行剝離的問(wèn)題。此外，轉(zhuǎn)移部件被用固化粘合劑固定到待要?jiǎng)冸x的物體的表面，因此，當(dāng)從待要?jiǎng)冸x的物體剝離襯底時(shí)，待要?jiǎng)冸x的物體的表面，例如薄膜晶體管的表面，具體地說(shuō)是布線或象素電極，不被暴露，因此，在剝離掉襯底之后，難以估計(jì)待要?jiǎng)冸x的物體的特性。對(duì)于用具有這種結(jié)構(gòu)的待要?jiǎng)冸x的物體制造液晶顯示器件或發(fā)光器件的情況，此結(jié)構(gòu)成為其中多個(gè)襯底彼此鍵合的結(jié)構(gòu)，且液晶顯示器件或發(fā)光器件的厚度變得更大，因而存在著當(dāng)使用液晶顯示器件或發(fā)光器件時(shí)無(wú)法將電子裝置做得更小的問(wèn)題。而且存在著來(lái)自液晶顯示器件的后照光的投射光以及發(fā)光器件中發(fā)光元件發(fā)射的光都無(wú)法有效地出射的問(wèn)題。
在JP 2002-217391A所公開(kāi)的發(fā)明中，待要?jiǎng)冸x的物體和第二襯底被可溶于水的粘合劑鍵合，但被暴露于水的可溶于水粘合劑的表面區(qū)域?qū)嶋H上是很小的，因而存在著剝離第二襯底很費(fèi)時(shí)間的問(wèn)題。關(guān)于這一問(wèn)題，借助于清除部分第二襯底并暴露暫時(shí)粘合層更大的表面區(qū)域，有可能縮短剝離時(shí)間。在此情況下，第二襯底是一次性的，但存在著當(dāng)在第二襯底中采用諸如石英玻璃或稀有材料之類的昂貴材料時(shí)會(huì)提高成本的問(wèn)題。此外，若有機(jī)樹(shù)脂被用于是為待要?jiǎng)冸x的物體的薄膜晶體管的層間絕緣膜，則存在著由于有機(jī)樹(shù)脂容易吸收潮氣而使層間絕緣膜體積膨脹且薄膜變形，薄膜晶體管布線從而會(huì)剝離的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問(wèn)題而提出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種將待要?jiǎng)冸x的物體鍵合到轉(zhuǎn)移部件上的方法，此待要?jiǎng)冸x的物體在短時(shí)間內(nèi)從襯底被剝離，而不對(duì)疊層中待要?jiǎng)冸x的物體造成損傷。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種轉(zhuǎn)移疊層的方法，它包括在襯底上形成剝離層和待要?jiǎng)冸x的物體；通過(guò)可剝離的粘合劑媒質(zhì)，鍵合待要?jiǎng)冸x的物體和支座；用物理方法從剝離層剝離待要?jiǎng)冸x的物體，然后將待要?jiǎng)冸x的物體鍵合到轉(zhuǎn)移部件上；以及從待要?jiǎng)冸x的物體剝離支座和雙面膠帶。而且，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種轉(zhuǎn)移疊層的方法，它包括在襯底上形成剝離層和待要?jiǎng)冸x的物體；通過(guò)可剝離的粘合劑媒質(zhì)，鍵合待要?jiǎng)冸x的物體和支座；用物理方法從剝離層剝離待要?jiǎng)冸x的物體，然后將待要?jiǎng)冸x的物體的一面鍵合到第一轉(zhuǎn)移部件上；從待要?jiǎng)冸x的物體剝離支座和可剝離的粘合劑媒質(zhì)；以及將待要?jiǎng)冸x的物體的另一面鍵合到第二轉(zhuǎn)移部件。而且，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，它包括形成剝離層和待要?jiǎng)冸x的物體，包括襯底上的半導(dǎo)體元件；通過(guò)可剝離的粘合劑媒質(zhì)，鍵合待要?jiǎng)冸x的物體和支座；用物理方法從剝離層剝離待要?jiǎng)冸x的物體，然后將待要?jiǎng)冸x的物體鍵合到轉(zhuǎn)移部件上；以及從待要?jiǎng)冸x的物體剝離支座和可剝離的粘合劑媒質(zhì)。而且，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，它包括在襯底上形成剝離層和待要?jiǎng)冸x的物體；通過(guò)可剝離的粘合劑媒質(zhì)，鍵合待要?jiǎng)冸x的物體和支座；用物理方法從剝離層剝離待要?jiǎng)冸x的物體，然后將待要?jiǎng)冸x的物體的一面鍵合到第一轉(zhuǎn)移部件上；從待要?jiǎng)冸x的物體剝離支座和可剝離的粘合劑媒質(zhì)；以及將第二轉(zhuǎn)移部件鍵合到待要?jiǎng)冸x的物體的另一面。而且，半導(dǎo)體元件是薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、薄膜二極管、光電轉(zhuǎn)換元件、或電阻元件。通過(guò)娃PIN結(jié)制成的光電轉(zhuǎn)換元件可以作為光電轉(zhuǎn)換元件的典型例子。而且，待要?jiǎng)冸x的物體具有接觸剝離層的氧化物層，典型為氧化硅或金屬氧化物組成的單層，或其疊層結(jié)構(gòu)。而且，剝離層是金屬膜或氮化物膜。此金屬膜或氮化物膜包括含有選自由鈦、鋁、鉭、鶴、鑰、銅、鉻、釹、鐵、鎳、鈷、釕、錯(cuò)、鈕、鋨、銥組成的組的元素的單層、主要含有這些元素的合金材料、或這些元素的氮化物、或它們的疊層結(jié)構(gòu)。而且，可剝離粘合劑媒質(zhì)是能夠被熱剝離的粘合劑(以下稱為熱剝離粘合劑)和/或能夠被紫外線輻照剝離的粘合劑(以下稱為紫外線剝離粘合劑)。 而且，塑料，典型地說(shuō)是具有塑料膜那樣的柔性的塑料，能夠成為第一轉(zhuǎn)移部件的典型例子。而且，防水性差的材料(例如用于轉(zhuǎn)移部件的紙、布料、木材、以及金屬)能夠被用于第一轉(zhuǎn)移部件。而且還能夠采用具有導(dǎo)熱性的材料。而且，塑料，典型地說(shuō)是具有塑料膜那樣的柔性的塑料，能夠成為第二轉(zhuǎn)移部件的典型例子。而且，防水性差的材料(例如用于轉(zhuǎn)移部件的紙、布料、木材、以及金屬)能夠被用于第一轉(zhuǎn)移部件。而且還能夠采用具有導(dǎo)熱性的材料。而且，物理方法的典型例子包括使用手工和從噴嘴噴出的氣體風(fēng)壓的方法以及用諸如超聲波之類的較小的力來(lái)進(jìn)行剝離的方法。注意，其中在襯底二側(cè)上形成粘合劑的帶狀材料(雙面膠帶)、相似的片狀材料(雙面膠片)、相似的膜狀材料(雙面膠膜)等，能夠成為可剝離粘合劑媒質(zhì)的例子。雖然下面將用雙面膠帶作為各個(gè)實(shí)施方案模式和實(shí)施方案中可剝離粘合劑媒質(zhì)的典型例子來(lái)解釋本發(fā)明，但也可以對(duì)其使用雙面膠片和雙面膠膜。


在附圖中圖1A-1E示出了本發(fā)明實(shí)施方案模式I的概念；圖2A-2D是剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案I的有源矩陣襯底的制造工藝；圖3A-3D是剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案I的有源矩陣襯底的制造工藝；圖4A-4C是剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案I的有源矩陣襯底的制造工藝；圖5A和5B是剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案I的有源矩陣襯底的制造工藝；圖6A和6B是剖面圖，分別示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案I的有源矩陣襯底的剝離工藝和轉(zhuǎn)移工藝；圖7A和7B是剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案2的EL模塊的制造工藝；圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案3的EL模塊的俯視圖；圖9A和9B是剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案4的液晶模塊的制造工藝；圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案5的液晶模塊的俯視圖11A-11F示出了本發(fā)明的實(shí)施方案模式2的概念；圖12A-12F示出了其中應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施方案6的電子裝置；圖13A-13C示出了其中應(yīng)用了本發(fā)明實(shí)施方案6的電子裝置；圖14A和14B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案I制造的TFT的電學(xué)特性；而圖15是照片，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案2制造的EL模塊。
具體實(shí)施例方式實(shí)施方案模式下面解釋本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方案模式
「實(shí)施方案模式11主要用圖1A-1E來(lái)解釋利用本發(fā)明的典型轉(zhuǎn)移方法的手續(xù)。首先，參照?qǐng)DIA來(lái)描述。參考號(hào)10表不襯底,參考號(hào)11表不剝離層，參考號(hào)12表示氧化物層，參考號(hào)13表示待要?jiǎng)冸x的物體，且包括氧化物層12。玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底等能夠被用作襯底10。而且，也可以使用硅襯底、金屬襯底、以及不銹鋼襯底。是為氮化物層或金屬層的剝離層11，被形成在襯底10上。金屬層的典型例子包括由選自由鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、鑰(Mo)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Ne)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、錯(cuò)(Rh)、鈕(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)組成的組的元素組成的單層、或主要含有上述元素的合金、或它們的疊層結(jié)構(gòu)。氮化物層的典型例子是由上述金屬元素的氮化物，例如氮化鈦、氮化鎢、氮化鉭、或氮化鑰組成的單層，或它們的疊層結(jié)構(gòu)。接著，在是為氮化物層或金屬層的剝離層11上，形成包含氧化物層12的待要?jiǎng)冸x的物體13。采用氧化硅、氮氧化硅、或金屬氧化物的氧化物層，可以被形成為氧化物層12。注意，可以用諸如濺射、等離子體CVD、涂敷之類的任何成膜方法，來(lái)形成氧化物層12。在待要?jiǎng)冸x的物體13中，還可以包括半導(dǎo)體元件(例如薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、薄膜二極管、光電轉(zhuǎn)換元件、電阻元件等)。接著，參照?qǐng)DIB來(lái)進(jìn)行描述。雙面膠帶14的一個(gè)表面被鍵合到待要?jiǎng)冸x的物體13上。采用了涂敷有紫外線剝離粘合劑或熱剝離粘合劑的雙面膠帶。若此時(shí)氣泡進(jìn)入到待要?jiǎng)冸x的物體13與雙面膠帶14之間，則在稍后的剝離工藝中容易在待要?jiǎng)冸x的物體13中產(chǎn)生破裂，因此，進(jìn)行鍵合時(shí)要使氣泡不進(jìn)入到待要?jiǎng)冸x的物體13與雙面膠帶14之間。注意，在此工藝中利用膠帶安裝裝置，能夠在短時(shí)間內(nèi)執(zhí)行鍵合，致使氣泡不進(jìn)入到待要?jiǎng)冸x的物體13與雙面膠帶14之間。雙面膠帶14的另一面被鍵合到支座15。支座15可以是例如石英玻璃、金屬、陶瓷等。此時(shí)必須將支座15牢固地固定到雙面膠帶14。這是為了防止支座15和雙面膠帶14在待要?jiǎng)冸x的物體13從襯底10剝離時(shí)首先剝離。注意，在此工藝中，利用加壓機(jī)，能夠在短時(shí)間內(nèi)將雙面膠帶鍵合到支座。接著，參照?qǐng)DIC來(lái)進(jìn)行描述。借助于將物理力施加到由氮化物層或金屬層組成的剝離層11和氧化物層12，剝離層11被從待要?jiǎng)冸x的物體13剝離。此處示出了一個(gè)例子，其中襯底的機(jī)械強(qiáng)度足夠。若剝離層11與氧化物層12之間的粘合牢固，且襯底10的機(jī)械強(qiáng)度低，則在剝離過(guò)程中存在著襯底10會(huì)破裂的危險(xiǎn)。因此，若在例如塑料、玻璃、金屬、陶瓷等支座(圖中未示出)被安裝到襯底背面(其上不形成剝離層的表面)之后進(jìn)行剝離，就有可能進(jìn)行更有效的剝離。注意，物理力是諸如人手施加的手工力、從噴嘴噴出的氣體的速度力、以及超聲波之類的比較小的力。
下面參照?qǐng)DID來(lái)進(jìn)行描述。用粘合劑16將待要?jiǎng)冸x的物體13鍵合到轉(zhuǎn)移部件17。注意，可以用能夠被反應(yīng)剝離的粘合劑(以下表示為反應(yīng)硬化粘合劑)、能夠被熱剝離的粘合劑(以下表示為熱硬化粘合劑)、或諸如紫外線硬化粘合劑之類的能夠被光剝離的粘合劑(以下表示為光硬化粘合劑)作為粘合劑16。環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等，能夠成為其典型例子。接著，參照?qǐng)DIE來(lái)進(jìn)行描述。待要?jiǎng)冸x的物體13與雙面膠帶14被剝離開(kāi)。若紫外線剝離雙面膠帶被用作雙面膠帶14，則能夠借助于短時(shí)間輻照紫外光，具體地說(shuō)是輻照50-100秒鐘，來(lái)進(jìn)行剝離。而且，若熱剝離雙面膠帶被用作雙面膠帶14，則能夠借助于加熱襯底來(lái)進(jìn)行剝離。在此情況下，加熱溫度被設(shè)定為90-150°C，最好是110-120°C，且加熱時(shí)間短到2-3分鐘。支座15與雙面膠帶14被首先剝離開(kāi)，然后，待要?jiǎng)冸x的物體13與雙面膠帶14被剝離開(kāi)。利用上述各個(gè)步驟，能夠?qū)⒋獎(jiǎng)冸x的物體轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移部件上。注意，分離襯底也可以被安裝在暴露的待要?jiǎng)冸x的物體上。注意，如在本說(shuō)明書中所用的那樣，術(shù)語(yǔ)轉(zhuǎn)移部件表示在襯底從待要?jiǎng)冸x的物體被剝離之后，待要?jiǎng)冸x的物體被鍵合于其上的物體。對(duì)用于轉(zhuǎn)移部件的材料沒(méi)有限制，可以采用諸如塑料、玻璃、金屬、陶瓷之類的任何材料。同樣，如在本說(shuō)明書中所用的那樣，術(shù)語(yǔ)支座表示當(dāng)用物理方法剝離襯底時(shí)，待要?jiǎng)冸x的物體被鍵合于其上的物體。對(duì)用于支座的材料沒(méi)有限制，可以采用諸如塑料、玻璃、金屬、陶瓷之類的任何材料。而且，對(duì)轉(zhuǎn)移部件或支座的形狀沒(méi)有限制，它們可以具有平坦表面、彎曲表面、柔性、以及薄膜形狀。而且，若最優(yōu)先考慮重量要輕，則最好采用薄膜形狀的塑料，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚硫醚乙二醇(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龍、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯(PBT)、由具有極性基的降冰片烯樹(shù)脂制成的ARTON(JSP公司制造的)之類。諸如氮化鋁或氮氧化鋁之類的具有導(dǎo)熱性的薄膜也可以被形成在這些塑料的表面上。而且，鐵、銅、鋁、氮化鋁、氧化鎂等也可以被分散在這些塑料中。對(duì)于諸如CPU之類的執(zhí)行高速運(yùn)行的半導(dǎo)體電路或存儲(chǔ)器被制作在待要?jiǎng)冸x的物體上的情況，若這種塑料被用于轉(zhuǎn)移部件，則對(duì)于轉(zhuǎn)移部件，有可能吸收由于驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生的熱。而且，在本發(fā)明中不存在浸入工藝，防水性差的材料(例如用于轉(zhuǎn)移部件的紙、布料、木材、以及金屬)因而也能夠被用于轉(zhuǎn)移部件。而且，也能夠采用具有導(dǎo)熱性的樹(shù)脂。此夕卜，還有可能采用其上制作半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件(例如邏輯電路、存儲(chǔ)器、驅(qū)動(dòng)電路、電源電路、或開(kāi)關(guān))作為轉(zhuǎn)移部件，并將分立的半導(dǎo)體器件轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移部件上。在此情況下，能夠?qū)彶楦鱾€(gè)半導(dǎo)體器件的特性，并能夠僅僅層疊具有優(yōu)異特性的那些器件(無(wú)缺陷的器件)。因而能夠有效地提高總體成品率?！笇?shí)施方案模式2]此處解釋用于本發(fā)明轉(zhuǎn)移工藝的可剝離粘合劑媒質(zhì)(雙面膠帶被用作典型例子)的結(jié)構(gòu)。解釋圖IlA和圖IlB。用于本發(fā)明的雙面膠帶是這樣一種雙面膠帶，其中，具有第一粘合劑510的第一襯底502與具有第二粘合劑503的第二襯底504被固化的粘合劑505連結(jié)到一起。熱剝離粘合劑和/或紫外線剝離粘合劑能夠被用于第一粘合劑或第二粘合齊U。而且，可被光(可見(jiàn)光、紅外光等)輻照剝離的粘合劑以及可被化學(xué)反應(yīng)剝離的粘合劑(反應(yīng)剝離粘合劑)也能夠被用來(lái)代替紫外線剝離粘合劑和熱剝離粘合劑。熱剝離粘合劑和紫外線剝離粘合劑在本實(shí)施方案模式中被用作典型例子。注意，也可以采用其它的粘合劑。注意，在本實(shí)施方案模式中，第一粘合劑501指的是鍵合到支座506的粘合劑，而第二粘合劑509指的是鍵合到待要?jiǎng)冸x的物體507的粘合劑。圖IlB示出了在第一粘合劑508中采用熱剝離粘合劑而在第二粘合劑509中采用 紫外線剝離粘合劑的例子，但對(duì)于這一組合不存在限制。如圖IlC所示，也能夠在第一粘合劑510中采用紫外線剝離粘合劑而在第二粘合劑511中采用熱剝離粘合劑。此外，也可以在第一粘合劑和第二粘合劑中采用相同的粘合劑類型。圖IlD示出了在第一粘合劑512和第二粘合劑513中采用熱剝離粘合劑的例子，而圖IlE示出了在第一粘合劑514和第二粘合劑515中采用紫外線剝離粘合劑的雙面膠帶。另一方面，雖然圖11A-11E示出了其中第一襯底502與第二襯底504被鍵合的雙面膠帶，但如在圖IlF中那樣，第一襯底516的二個(gè)面也可以具有熱剝離粘合劑517和/或紫外線剝離粘合劑518。注意，雖然在本實(shí)施方案模式中示出了在一個(gè)或多個(gè)襯底的二個(gè)面上具有粘合劑的可剝離粘合劑媒質(zhì)，但可剝離粘合劑媒質(zhì)不局限于這些。僅僅由可剝離粘合劑組成的粘合劑媒質(zhì)也能夠被應(yīng)用于本發(fā)明。實(shí)施方案「實(shí)施方案11利用圖2A-6B來(lái)解釋本發(fā)明的實(shí)施方案。此處解釋將具有薄膜晶體管的疊層轉(zhuǎn)移到待要?jiǎng)冸x的物體的方法。首先，解釋在同一個(gè)襯底上與制作在象素部分外圍中的驅(qū)動(dòng)電路TFT同時(shí)制造象素部分的方法。參照?qǐng)D2A來(lái)進(jìn)行描述。是為氮化物膜或金屬膜的剝離層101、氧化物層102、是為基底膜的氧化硅膜103、以及非晶硅膜104，被形成在襯底100上，且包含鎳的溶液105被涂敷在頂部上。在本實(shí)施方案中，玻璃襯底被用作襯底100，但襯底100不局限于玻璃，也可以采用石英襯底、半導(dǎo)體襯底、金屬襯底、陶瓷襯底等。而且，若金屬膜被用于剝離層101，則由選自由鈦(Ti)、鋁(A I)、鉭(Ta)、鎢(W)、鑰(Mo)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Ne)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)的元素組成的單層、或主要含有上述元素的合金或化合物、或它們的疊層，可以被用于剝離層101。另一方面，若氮化物膜被用于剝離層101，則可以采用由氮化鈦、氮化鎢、氮化鉭、或氮化鑰組成的單層或它們的疊層。此處采用用濺射方法形成的厚度為50nm的鶴月旲。而且，由氧化硅或金屬氧化物組成的厚度為10-600nm，最好為150_200nm的單層，或這些單層的疊層結(jié)構(gòu)，可以被用作氧化物層102。此處采用用濺射方法形成的膜厚度為200nm的氧化硅層。金屬層101與氧化物層102之間的鍵合力相對(duì)于熱處理是強(qiáng)的，不引起剝離等，因而能夠在氧化物層中，在氧化物層與金屬層之間的界面處，或在氧化物層與氮化物層之間的界面處，簡(jiǎn)單地用物理方法進(jìn)行剝離。而且，用等離子體CVD方法，在淀積溫度為400°C，SiH4和N2O的材料氣體流速分別為4sccm和800sccm的成膜條件下形成的膜厚度為10_200nm(最好為50nm)的氮氧化娃膜(組分比為Si = 32%，O = 27%，N= 24%，H= 17% )，被用作基底絕緣層103。接著，用等離子體CVD方法，在成膜溫度為300°C下，用SiH4作為成膜氣體，形成膜厚度為25-80nm，在本實(shí)施方案中為54nm的非晶硅膜104。注意，對(duì)半導(dǎo)體膜材料沒(méi)有限制，可以用已知的方法(例如濺射、LPCVD、等離子體CVD等)，用硅和硅鍺合金(SixGei_x，其中x=O. 0001-0. 02)等，來(lái)形成非晶硅膜104。而且，可以恰當(dāng)?shù)卣{(diào)整鎳溶液105的濃度。在本實(shí)施方案中，含有IOppm重量比的鎳的鎳乙酸鹽溶液被采用，并被甩涂機(jī)涂敷到非晶硅膜上。用濺射方法將鎳元素加入到非晶硅膜的整個(gè)表面的方法，也可以被用來(lái)代替涂敷。 接著，參照?qǐng)D2B來(lái)進(jìn)行描述。借助于執(zhí)行熱處理，非晶半導(dǎo)體膜被晶化。在熱處理中，可以采用電爐熱處理或強(qiáng)光輻照。若在電爐中執(zhí)行熱處理，則可以在500-650°C的溫度下進(jìn)行4-24小時(shí)。此處，在脫氫熱處理(在500°C下加熱I小時(shí))之后，執(zhí)行晶化熱處理(在550°C下加熱4小時(shí))，從而得到結(jié)晶硅膜106。注意，此處用爐子熱處理來(lái)執(zhí)行非晶半導(dǎo)體膜的晶化，但也可以用燈退火裝置來(lái)執(zhí)行晶化。還要注意的是，雖然此處采用了利用鎳作為促進(jìn)硅晶化的金屬元素的晶化技術(shù)，但也可以采用其它已知的晶化技術(shù)，例如固相生長(zhǎng)或激光晶化。接著，在空氣中，或在氧氣氛中，輻照第一激光(XeCl，波長(zhǎng)為308nm)，以便在用氫氟酸之類清除結(jié)晶半導(dǎo)體膜表面上的氧化物膜之后修復(fù)殘留在晶粒中的缺陷并改善結(jié)晶性。波長(zhǎng)等于或小于400nm的準(zhǔn)分子激光以及YAG激光器的二次諧波或三次諧波，被用作此激光。無(wú)論采用哪種激光，都使用重復(fù)頻率約為ΙΟ-ΙΟΟΟΗζ的脈沖激光。此激光被光學(xué)系統(tǒng)會(huì)聚成100-500mJ/cm2，然后在以90-95%的重疊比被輻照的情況下，在硅膜表面上掃描。此處，第一激光以30Hz的重復(fù)頻率和393mJ/cm2的能量密度在空氣中輻照。注意，第一激光輻照由于在空氣中或在氧氣氛中執(zhí)行，故在表面上形成氧化物膜。然后用稀釋的氫氟酸清除此氧化物膜，再用液態(tài)臭氧在表面上形成極薄的氧化物膜。接著，執(zhí)行少量雜質(zhì)(硼或磷)的摻雜，以便控制薄膜晶體管的閾值(圖中未示出)。此處采用離子摻雜方法，其中雙硼烷(B2H6)被等離子體激發(fā)而不分離質(zhì)量。摻雜條件如下被氫稀釋到1%的雙硼烷以30sccm的流速被引入到工作室中，并施加15kV的加速電壓。劑量約為lX1013/cm2的硼于是被加入到非晶半導(dǎo)體膜。接著，參照?qǐng)D2C來(lái)進(jìn)行描述。非晶半導(dǎo)體膜的表面然后被液態(tài)臭氧(aqueousozone)處理120秒鐘,形成由l_5nm厚的氧化物膜組成的勢(shì)魚(yú)層107。接著，用濺射方法在勢(shì)壘層107上形成厚度為50nm的成為吸雜位置的包含氬元素的非晶硅膜108。在本實(shí)施方案中，可以恰當(dāng)?shù)卣{(diào)整成膜條件，并采用濺射方法。成膜壓力被設(shè)定為0. 3Pa,気氣流速被設(shè)定為50sccm,成膜功率被設(shè)定為3kW,而成膜溫度被設(shè)定為150°C。注意，在上述條件下，包含在非晶硅膜中的氬元素的原子濃度為3X102°/cm3-6X 102CI/cm3,而氧的原子濃度為I X 1019/cm3-3X 1019/cm3。然后在電爐中于550°C下進(jìn)行4小時(shí)熱處理，從而執(zhí)行金屬元素吸雜。接著，參照?qǐng)D2D來(lái)進(jìn)行描述。用NMD 3溶液(包含O. 2-0. 5%氫氧化四甲銨的水溶液)，并利用勢(shì)壘層106作為腐蝕停止層清除包含氬元素作為吸雜位置的非晶硅膜108。然后用稀釋的氫氟酸清除氧化物膜勢(shì)壘層。接著，參照?qǐng)D3A來(lái)進(jìn)行描述。用液態(tài)臭氧對(duì)得到的結(jié)晶半導(dǎo)體膜的表面進(jìn)行處理，形成極薄的氧化物膜(圖中未示出)。在其上形成由抗蝕劑組成的掩模，并被圖形化，結(jié)晶半導(dǎo)體膜接著被腐蝕成預(yù)定的形狀，形成分隔開(kāi)的半導(dǎo)體層121-124。然后清除抗蝕劑組成的掩模。接著，在清洗硅膜表面之后，形成成為柵絕緣膜的以硅作為其主要成分的絕緣膜125。在本實(shí)施方案中，用3化4和隊(duì)0作為成膜氣體，在4/8008(^111的氣體流速下，在4001的成膜溫度下，用等離子體CVD方法，形成膜厚度為155nm的氮氧化硅膜。
接著，在柵絕緣膜上層疊厚度為20-100nm的第一導(dǎo)電膜和厚度為100_400nm的第二導(dǎo)電膜。依次在柵絕緣膜上層疊厚度為30nm的氮化鉭(TaN)膜126，并在氮化鉭(TaN)膜上層疊厚度為370nm的鎢(W)膜127。第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜由選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)的元素、或主要包含這些元素的合金或化合物組成。而且，半導(dǎo)體膜，典型為其中已經(jīng)摻雜了諸如磷之類的雜質(zhì)的多晶硅膜，以及由銀、鈀、銅組成的合金膜(AgPdCu合金膜)，也可以被用作第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜。而且，對(duì)采用雙層結(jié)構(gòu)沒(méi)有限制，例如也可以采用三層結(jié)構(gòu)，其中依次層疊膜厚度為50nm的鎢膜、膜厚度為500nm的鋁和硅(Al-Si合金膜)、以及膜厚度為30nm的氮化鈦膜。而且，若采用三層結(jié)構(gòu)，則也可以用氮化鎢來(lái)代替第一導(dǎo)電膜中的鎢，也可以用鋁和鈦的合金代替第二導(dǎo)電膜中的鋁和硅的合金，并也可以用鈦膜代替第三導(dǎo)電膜中的氮化鈦膜。而且，也可以采用單層結(jié)構(gòu)。接著，參照?qǐng)D3B來(lái)進(jìn)行描述。借助于在光刻工藝中暴露于光而形成由抗蝕劑組成的掩模128-131，并執(zhí)行第一腐蝕工藝以便形成柵電極和布線(圖中未示出)。在第一和第二腐蝕條件下執(zhí)行第一腐蝕工藝?？梢杂肐CP (感應(yīng)耦合等離子體)腐蝕方法來(lái)進(jìn)行腐蝕。在使用ICP腐蝕時(shí)，借助于適當(dāng)?shù)卣{(diào)整腐蝕條件(例如施加到線圈形電極的電能量、施加到襯底側(cè)電極的電能量、襯底側(cè)電極的溫度等)，薄膜能夠被腐蝕成具有所需的錐形形狀。注意，氯氣體，典型為氯氣(Cl2)、三氯化硼(BCl3)、四氯化硅(SiCl4)、四氯化碳(CCl4)等，氟氣體，典型為四氟化碳(CF4)、六氟化硫(SF6)、三氟化氮(NF3)等，以及氧(O2)，能夠被適當(dāng)?shù)赜米鞲g氣體。在本實(shí)施方案中于第一腐蝕條件下進(jìn)行腐蝕，利用四氟化碳(CF4)、氯氣(Cl2)、以及氧(O2)作為腐蝕氣體，將各個(gè)氣體的流速設(shè)定為25/25/lOsccm，并在I. 5Pa的壓力下將500W的RF(13. 56MHz)功率引入到線圈形電極，從而產(chǎn)生等離子體。150W的RF(13. 56MHz)功率還被引入到襯底側(cè)(樣品臺(tái))，從而實(shí)際上施加負(fù)自偏置電壓。注意，襯底側(cè)上電極表面區(qū)域的尺寸為12. 5cmX12. 5cm，而線圈形電極的表面區(qū)域(其上形成線圈的石英圓盤)的尺寸是直徑為25cm。鎢膜被第一腐蝕條件腐蝕，且第一導(dǎo)電層的邊沿部分取錐形形狀。鎢膜在第一腐蝕條件下的腐蝕速率為200. 39nm/min，而氮化鉭膜的腐蝕速率為80. 32nm/min,因此，鎢對(duì)氮化鉭的選擇比約為2. 5。而且，在第一腐蝕條件下，鎢的錐角變成約為26度。接著，腐蝕條件被改變到第二腐蝕條件而不清除由抗蝕劑組成的掩模128-131。然后以大約15秒的時(shí)間周期進(jìn)行腐蝕，利用四氟化碳(CF4)和氯氣(Cl2)作為腐蝕氣體，將各個(gè)氣體的流速設(shè)定為30/30sccm，并在I. 5Pa的壓力下將500W的RF (13. 56MHz)功率引入到線圈形電極，從而產(chǎn)生等離子體。IOW的RF(13. 56MHz)功率還被引入到襯底側(cè)(樣品臺(tái))，從而實(shí)際上施加負(fù)自偏置電壓。在四氟化碳(CF4)和氯氣(Cl2)被混合的第二腐蝕條件下，鎢膜和氮化鉭膜被腐蝕相似的量。鎢膜在第二腐蝕條件下的腐蝕速率為58. 97nm/min,而氮化鉭膜的腐蝕速率為66. 43nm/min，注意，還可以增加大約10-20%的腐蝕時(shí)間，以便執(zhí)行腐蝕而不在柵絕緣膜上留下任何殘留物。于是由第一腐蝕工藝形成了包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層(第一導(dǎo)電層132a-135a以及第二導(dǎo)電層132b_135b)的第一形狀導(dǎo)電層132-135。成為柵絕緣膜的絕緣膜125被腐蝕大約10-20nm,而未被第一導(dǎo)電層131-134覆蓋的區(qū)域成為一個(gè)被減薄了的柵絕緣膜136。 接著，參照?qǐng)D3C來(lái)進(jìn)行描述。接著執(zhí)行第二腐蝕工藝而不清除由抗蝕劑組成的掩模128-131。此處以大約25秒的時(shí)間周期進(jìn)行腐蝕，利用六氟化硫(SF4)、氯氣(Cl2)、以及氧(O2)作為腐蝕氣體，將各個(gè)氣體的流速設(shè)定為24/12/24SCCm，并在2. OPa的壓力下將700W的RF(13. 56MHz)功率引入到線圈形電極，從而產(chǎn)生等離子體。4W的RF(13. 56MHz)功率還被引入到襯底側(cè)(樣品臺(tái))，以便充分地施加負(fù)自偏置電壓。鎢(W)被第二腐蝕工藝腐蝕的速率為227. 3nm/min，且鎢對(duì)氮化鉭(TaN)的選擇比為7. I。作為絕緣膜的氮氧化硅膜的腐蝕速率為33. 7nm/min，且W對(duì)氮氧化硅膜的選擇比為6. 83。這樣，當(dāng)在腐蝕氣體中采用六氟化硫(SF6)時(shí)，對(duì)絕緣膜136的選擇比就高，因而能夠抑制薄膜減薄。用第二腐蝕工藝來(lái)形成第二導(dǎo)電層137b_140b。是為鎢膜的第二導(dǎo)電層137b-140b的錐角成為大約70度。另一方面，第一導(dǎo)電層幾乎完全不被腐蝕，并成為第一導(dǎo)電層137a-140a。而且，由抗蝕劑組成的掩模128-131由于第二腐蝕工藝而成為掩模145-148。接著，參照?qǐng)D3D來(lái)進(jìn)行描述。在清除由抗蝕劑組成的掩模145-148之后，執(zhí)行第一摻雜工藝，從而得到圖3D的狀態(tài)?？梢杂秒x子摻雜或離子注入來(lái)執(zhí)行此摻雜工藝。離子摻雜的條件是以5X IO1Vcm2的劑量和50kV的加速電壓來(lái)進(jìn)行磷⑵摻雜。也可以用As (砷)來(lái)代替P(磷)作為提供η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素。在此情況下，第一導(dǎo)電膜131-134以及第二導(dǎo)電膜137-140成為對(duì)提供η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的掩模，并以自對(duì)準(zhǔn)方式形成第一雜質(zhì)區(qū)141-144。提供η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素以I X IO16-I X IO1Vcm3的濃度被加入到第一雜質(zhì)區(qū)141-144。此處，濃度范圍與第一雜質(zhì)區(qū)相同的各個(gè)區(qū)域被稱為η區(qū)。注意，雖然在本實(shí)施方案中，在清除抗蝕劑組成的掩模145-148之后執(zhí)行第一摻雜工藝，但也可以不清除由抗蝕劑組成的掩模145-148而執(zhí)行第一摻雜工藝。接著，參照?qǐng)D4Α來(lái)進(jìn)行描述。形成由抗蝕劑組成的掩模150-153，并執(zhí)行第二摻雜工藝。掩模150是保護(hù)用來(lái)形成驅(qū)動(dòng)電路的P溝道TFT的半導(dǎo)體層的溝道形成區(qū)以及此溝道形成區(qū)外圍區(qū)域的掩模。掩模151是保護(hù)用來(lái)形成驅(qū)動(dòng)電路的η溝道TFT的半導(dǎo)體層的溝道形成區(qū)以及此溝道形成區(qū)外圍區(qū)域的掩模。掩模152和153是保護(hù)用來(lái)形成象素區(qū)TFT的半導(dǎo)體層的溝道形成區(qū)以及此溝道形成區(qū)外圍區(qū)域的掩模。
第二摻雜工藝中的離子摻雜條件是以3. 5 X IO1Vcm2的劑量和65kV的加速電壓來(lái)進(jìn)行磷(P)摻雜。從而形成第二雜質(zhì)區(qū)155。提供η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素以I X IO20-I X IO21/cm3的濃度被加入到第二雜質(zhì)區(qū)155。此處，濃度范圍與第二雜質(zhì)區(qū)相同的各個(gè)區(qū)域被稱為η+區(qū)。接著，參照?qǐng)D4Β來(lái)進(jìn)行描述。清除由抗蝕劑組成的掩模150-153，重新形成由抗蝕劑組成的掩模158，并執(zhí)行第三摻雜工藝。用第三摻雜工藝，在驅(qū)動(dòng)電路中形成第三雜質(zhì)區(qū)150-161以及第四雜質(zhì)區(qū)162-164，其中，提供P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素被加入到形成P溝道TFT的半導(dǎo)體層。進(jìn)行雜質(zhì)元素的加入，致使提供P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素以I X IO2ci-I X 1021/cm3的濃度被加入到第三雜質(zhì)區(qū)159-161。注意，雖然在先前工藝中被加入了 P(磷)的第三雜質(zhì)區(qū)159-161中存在著一些區(qū)域(η-區(qū))，但提供P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素以1.5-3倍于提供η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的濃度被加入，第三雜質(zhì)區(qū)159-161中的導(dǎo)電類型因而成為P型。此 處，濃度范圍與第三雜質(zhì)區(qū)相同的各個(gè)區(qū)域被稱為P+區(qū)。而且，進(jìn)行雜質(zhì)元素的加入，致使提供P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素以I X IO18-I X IO20/cm3的濃度被加入到第四雜質(zhì)區(qū)162-164。此處，濃度范圍與第四雜質(zhì)區(qū)相同的各個(gè)區(qū)域被稱為P-區(qū)。于是，用上述各個(gè)工藝就在各個(gè)半導(dǎo)體層中形成了具有η型導(dǎo)電性或P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)區(qū)。導(dǎo)電層137-140成為TFT的柵電極。接著，參照?qǐng)DC來(lái)進(jìn)行描述。在形成厚度為IOOnm的由氮化硅膜組成的第一鈍化膜165之后,在300-550°C的溫度下進(jìn)行1-12小時(shí)的熱處理。半導(dǎo)體層于是被氫化。在本實(shí)施方案中，在氮?dú)鈿夥罩?，?10°C下進(jìn)行I小時(shí)熱處理。此工藝是用包含在第一鈍化膜165中的氫來(lái)終止半導(dǎo)體層中的懸掛鍵的工藝。接著，在第一鈍化膜上形成由無(wú)機(jī)絕緣體或有機(jī)絕緣體組成的第一層間絕緣膜166。正型光敏有機(jī)樹(shù)脂和負(fù)型光敏有機(jī)樹(shù)脂能夠被用作有機(jī)絕緣體。對(duì)于采用光敏有機(jī)樹(shù)脂的情況，若用光刻工藝執(zhí)行曝光過(guò)程，然后腐蝕光敏有機(jī)樹(shù)脂，則能夠形成具有彎曲部分的第一窗口部分。形成具有彎曲部分的窗口部分，具有提高稍后形成的電極的覆蓋性的作用。在本實(shí)施方案中，形成了厚度為I. 05微米的光敏丙烯酸樹(shù)脂膜作為第一層間絕緣膜。接著，對(duì)第一層間絕緣膜進(jìn)行圖形化和腐蝕，形成具有緩慢斜率的內(nèi)壁的第一窗口部分。注意，正型光敏樹(shù)脂是褐色的，因此，若正型光敏有機(jī)樹(shù)脂被用于第一層間絕緣膜166，則在腐蝕之后必須對(duì)光敏有機(jī)樹(shù)脂進(jìn)行脫色。而且，若由無(wú)機(jī)絕緣體組成的薄膜被用于第一層間絕緣膜166，則其表面也可以被勻平。接著，形成由氮化物絕緣膜(典型地說(shuō)是氮化硅膜或氮氧化硅膜)組成的第二鈍化膜180，以便覆蓋窗口部分和第一層間絕緣膜。在本實(shí)施方案中，氮化硅膜被用于第二鈍化膜。作為成膜條件，利用硅靶，并用氮?dú)庾鳛闉R射氣體，在高頻放電下進(jìn)行濺射。可以恰當(dāng)?shù)卦O(shè)定壓力，并可以采用O. 5-1. OPa的壓力、2. 5-3. 5KW的放電功率、以及室溫(25°C )到250°C范圍內(nèi)的成膜溫度。借助于形成由氮化物絕緣膜組成的第二鈍化膜，能夠控制第一層間絕緣膜的放氣。借助于在第一層間絕緣膜上形成氮化物絕緣膜，有可能防止來(lái)自襯底側(cè)的潮氣和從第一層間絕緣膜放氣造成的氣體進(jìn)入稍后形成的EL元件。于是能夠抑制EL元件的退化。而且，氮化物絕緣膜具有在下列剝離工藝中使鍵合的雙面膠帶容易剝離開(kāi)的作用，從而不需要用來(lái)清除剩下的粘合劑的工藝，因而能夠簡(jiǎn)化工藝。接著，在用光刻工藝執(zhí)行曝光過(guò)程之后，依次腐蝕第二鈍化膜180、第一鈍化膜165、以及柵絕緣膜136，形成第二窗口部分。此時(shí)，干法腐蝕或濕法腐蝕可以被用作腐蝕工藝。在本實(shí)施方案中，用干法腐蝕方法來(lái)形成第二窗口部分。在形成第二窗口部分之后，接著在第二鈍化膜上和第二窗口部分中形成金屬膜。在用光刻工藝曝光之后，對(duì)金屬膜進(jìn)行腐蝕，于是形成源電極和漏電極181-188以及布線(圖中未示出)。由選自鋁(Al)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鎢(W)、以及硅(Si)的元素組成的膜，或這些元素組成的合金膜，被用作此金屬膜。在層疊膜厚度分別為100nm、350nm、IOOnm的鈦膜、鈦鋁合金膜、鈦膜(Ti/Al-Si/Ti)之后，通過(guò)腐蝕，此疊層被圖形化成所需的形狀，從而形成源電極、漏電極、以及布線(圖中未示出)。接著，形成象素電極190。諸如ΙΤ0、SnO2之類的透明導(dǎo)電膜可以被用于象素電極190。在本實(shí)施方案中，形成了厚度為IlOnm的ITO膜，并腐蝕成所需的形狀，于是形成象素電極190。注意，雖然由于討論的是制造透射(向下發(fā)射型)顯示器件而在本實(shí)施方案中象素電極被制作成透明電極，但當(dāng)制造反射(向上發(fā)射型)顯示器件時(shí)，最好采用諸如以鋁(Al)或銀(Ag)作為其主要組分的具有優(yōu)異反射性的材料、或這些膜的疊層結(jié)構(gòu)作為象素電極。接著，參照?qǐng)D5B來(lái)進(jìn)行描述。在第二鈍化膜、源電極、漏電極、以及象素電極上形成由有機(jī)絕緣體組成的膜之后，用光刻工藝執(zhí)行曝光處理。然后，借助于腐蝕由有機(jī)絕緣體 組成的膜并形成第三窗口部分，形成第二層間絕緣膜200。正型有機(jī)樹(shù)脂和負(fù)型有機(jī)樹(shù)脂能夠被用作有機(jī)絕緣體。在本實(shí)施方案中，利用厚度為I. 5微米的光敏丙烯酸樹(shù)脂，然后用濕法腐蝕方法進(jìn)行腐蝕形成了第二層間絕緣膜。然后在第二層間絕緣膜200上形成第三鈍化膜315，之后，在象素電極190上形成第四窗口部分。借助于用第三鈍化膜315覆蓋第二層間絕緣膜200，能夠抑制從第二層間絕緣膜產(chǎn)生的放氣。采用由氮化物絕緣膜組成的膜(典型為氮化硅膜或氮氧化硅膜)作為第三鈍化膜是有效的。于是在同一個(gè)襯底上能夠形成由P溝道TFT 195和η溝道TFT 196組成的驅(qū)動(dòng)電路201以及具有象素TFT 197和P溝道TFT 198的象素部分202。于是完成了有源矩陣襯底A 203。接著示出了用來(lái)從有源矩陣襯底A剝離開(kāi)玻璃襯底以及將其轉(zhuǎn)移到塑料襯底的工藝。接著，參照?qǐng)D6Α來(lái)進(jìn)行描述。雙面膠帶210的一個(gè)表面被鍵合到第三鈍化膜和象素電極190。此時(shí)，若氣泡進(jìn)入到雙面膠帶210與第二層間絕緣膜200或象素電極190之間，則存在著是為剝離層的鎢膜101和玻璃襯底無(wú)法均勻地從有源矩陣襯底A 203剝離的危險(xiǎn)，因此，必須執(zhí)行鍵合，使氣泡不被引入。在本實(shí)施方案中，采用了其一側(cè)上具有紫外線剝離粘合劑，而另一側(cè)上具有熱剝離粘合劑的雙面膠帶，且具有紫外線粘合劑的一側(cè)被鍵合到第三鈍化膜315和象素電極190。當(dāng)然，也可以采用二側(cè)上具有紫外線剝離粘合劑的雙面膠帶。
接著，支座211被鍵合到雙面膠帶210的另一個(gè)表面(具有熱剝離粘合劑的一側(cè))。石英玻璃、金屬、陶瓷等能夠被用作支座211。注意，雙面膠帶210和支座211必須牢固地固定在一起。這是為了防止在襯底從有源矩陣襯底A 203剝離時(shí)支座211與雙面膠帶剝離開(kāi)。在本實(shí)施方案中，石英玻璃被用作支座211，且具有熱剝離粘合劑的雙面膠帶表面被鍵合到石英玻璃。接著，借助于將物理力施加到氮化物層或金屬層101和由氧化物膜組成的層102，金屬層101和玻璃襯底100被從有源矩陣襯底剝離開(kāi)。已經(jīng)剝離開(kāi)玻璃襯底100的有源矩陣襯底被表示為有源矩陣襯底B215。此處示出了玻璃襯底100的機(jī)械強(qiáng)度足夠的例子。若氮化物層或金屬層101與由氧化物膜組成的層102之間的粘合牢固，且玻璃襯底100的機(jī)械強(qiáng)度低，則存在著玻璃襯底100破裂的可能性。因此，若在剝離之前，支座(圖中未示出)，例如塑料、玻璃、金屬、陶瓷等被鍵合到玻璃襯底背面(其上不制作TFT的表面)，則有可能更有效地進(jìn)行剝離。
接著，參照?qǐng)D6B來(lái)進(jìn)行描述。利用粘合劑212，由氧化硅膜組成的層102被鍵合到轉(zhuǎn)移部件213。有可能采用反應(yīng)硬化的粘合劑、熱硬化的粘合劑、或諸如紫外線硬化的粘合劑之類的光硬化的粘合劑作為粘合劑212，其典型例子是環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等。在本實(shí)施方案中，紫外線硬化的粘合劑被用作粘合劑212，而聚碳酸酯膜被用作轉(zhuǎn)移部件213?？梢赃m當(dāng)?shù)卦O(shè)定鍵合條件，并借助于輻照120秒鐘紫外線，同時(shí)在電爐上加熱到大約50-100°C的溫度，聚碳酸酯膜被固定到有源矩陣襯底。接著，雙面膠帶210和支座211被從有源矩陣襯底B 215剝離開(kāi)。在初始加熱到90-150°C，最好是110-120°C之后，石英玻璃襯底211被從雙面膠帶210剝離開(kāi)。紫外線輻照被執(zhí)行60秒鐘，雙面膠帶210被從第二層間絕緣膜200和象素電極190剝離開(kāi)。雖然本實(shí)施方案采用了其中紫外線剝離粘合劑被用于待要?jiǎng)冸x的物體側(cè)上而熱剝離粘合劑被用于支座側(cè)上的雙面膠帶，但粘合劑不局限于這種組合。也可以采用其中熱剝離粘合劑被用于待要?jiǎng)冸x的物體側(cè)上且熱剝離粘合劑被用于支座側(cè)上的雙面膠帶。同樣，也可以采用僅僅具有熱剝離粘合劑的雙面膠帶以及僅僅具有紫外線剝離粘合劑的雙面膠帶。此外，也可以采用光剝離粘合劑和反應(yīng)剝離粘合劑，并可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定各個(gè)剝離條件。利用上述各個(gè)工藝，薄膜晶體管能夠被轉(zhuǎn)移到塑料襯底上。接著，圖14A和14B示出了根據(jù)本實(shí)施方案的薄膜晶體管的電壓-電流特性。注意，Vds(源區(qū)與漏區(qū)之間的電壓差)被設(shè)定為IV。首先參照?qǐng)D14A來(lái)進(jìn)行描述。圖14A示出了 η溝道TFT的電學(xué)特性。轉(zhuǎn)移到塑料襯底上的η溝道TFT的電學(xué)特性相對(duì)于轉(zhuǎn)移之前的TFT的電學(xué)特性表現(xiàn)出幾乎沒(méi)有變化，亦即，形成在玻璃襯底上的η溝道TFT的電學(xué)特性幾乎不改變。于是認(rèn)為η溝道TFT被轉(zhuǎn)移到了塑料襯底上而沒(méi)有引起其缺陷。接著，參照?qǐng)D14Β來(lái)進(jìn)行描述，圖14Β示出了 P溝道TFT的電學(xué)特性。與圖14Α相似，轉(zhuǎn)移到塑料襯底上的P溝道TFT的電學(xué)特性相對(duì)于轉(zhuǎn)移之前的TFT的電學(xué)特性表現(xiàn)出沒(méi)有變化，亦即，形成在玻璃襯底上的P溝道TFT的電學(xué)特性幾乎不改變。于是認(rèn)為P溝道TFT被轉(zhuǎn)移到了塑料襯底上而沒(méi)有引起其缺陷。于是，就有可能利用具有紫外線剝離粘合劑或熱剝離粘合劑的雙面膠帶，在短時(shí)間內(nèi)將形成在玻璃襯底上的薄膜晶體管轉(zhuǎn)移到塑料襯底上。而且，能夠在塑料襯底上制造電學(xué)特性與制造在玻璃襯底上的薄膜晶體管相同的薄膜晶體管。而且，當(dāng)從玻璃襯底剝離包含薄膜晶體管的待要?jiǎng)冸x的物體時(shí)，有可能利用雙面膠帶將是為支座的石英玻璃襯底剝離開(kāi)而不引起其損傷。因而能夠重新使用支座。對(duì)于像石英玻璃這樣的昂貴材料被用作支座的情況，因而能夠獲得成本的大幅度降低。此外，待要?jiǎng)冸x的物體的表面被暴露，因而有可能在將薄膜晶體管轉(zhuǎn)移到塑料襯底之后對(duì)其電學(xué)特性進(jìn)行估量。L實(shí)施方案21在本實(shí)施方案中，解釋了使配備有EL(電致發(fā)光)元件316的EL模塊形成在塑料襯底上的例子。圖7A和7B被用于此解釋。首先，根據(jù)實(shí)施方案I制造圖6B的有源矩陣襯底C 216，然后在第三鈍化膜315和 象素電極190上形成EL層313。此EL層313通常由諸如發(fā)光層、電荷注入層、以及電荷輸運(yùn)層之類的薄膜的疊層構(gòu)成。由通過(guò)單重態(tài)激發(fā)而發(fā)光(熒光)的發(fā)光材料(單重態(tài)化合物)組成的薄膜以及由通過(guò)三重態(tài)激發(fā)而發(fā)光(磷光)的發(fā)光材料(三重態(tài)化合物)組成的薄膜，能夠被用作EL層。而且，EL層313的各個(gè)層可以是僅僅由有機(jī)材料組成的薄膜，也可以是由有機(jī)材料組成的薄膜和由無(wú)機(jī)材料組成的薄膜的疊層結(jié)構(gòu)。此外，此有機(jī)材料可以是高分子量或低分子量材料。各種已知的材料能夠被用作這些有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料。各種已知的方法被用作各個(gè)層的成膜方法。在本實(shí)施方案中，用蒸發(fā)方法層疊了膜厚度為20nm的CuPc膜、膜厚度為30nm的a -NPD膜、膜厚度為50nm的Alq3膜、以及膜厚度為2nm的BaF2膜，從而形成EL層313。接著，在EL層313上形成陰極314，此外，在陰極314上形成第四鈍化膜(圖中未示出)。包含周期表I族或2族元素的金屬薄膜可以被用于陰極314，且其中O. 2-1. 5% (最好是O. 5-1.0% )重量比的鋰被加入到鋁的金屬膜由于其電荷注入特性等而成為適合的金屬膜。注意，利用本發(fā)明的第一到第四鈍化膜，鋰元素進(jìn)入薄膜晶體管的擴(kuò)散受到了控制，因此，鋰元素不影響薄膜晶體管的工作。于是，通過(guò)上述各個(gè)エ藝就由象素電極190、EL層313、以及陰極314形成了 EL元件 316。圖7A所示的結(jié)構(gòu)涉及到ー種向下發(fā)射的發(fā)光器件，從EL元件發(fā)射的光通過(guò)象素電極190而從塑料襯底213側(cè)發(fā)射。另ー方面，用具有反射性的金屬膜代替象素電極190，并在陰極314中采用膜厚度小(最好是10-50nm)的金屬膜，從EL元件發(fā)射的光通過(guò)陰極而被發(fā)射。由功函數(shù)大的Pt(鉬)和Au(金)組成的金屬膜被用作具有反射性的金屬膜，以便使此金屬膜用作陽(yáng)極。包含周期表I族或2族元素的金屬膜被用于陰扱。在這種向上發(fā)射的發(fā)光器件中，光不通過(guò)象素電極下方部分，因而有可能形成存儲(chǔ)器元件和電阻元件，從而不存在與第一層間絕緣膜166有顏色相關(guān)的問(wèn)題。結(jié)果，也有可能在設(shè)計(jì)中獲得高的自由度，進(jìn)ー步簡(jiǎn)化了制造エ藝。接著，參照?qǐng)D7B來(lái)進(jìn)行描述。在第四鈍化膜上形成第三層間絕緣膜。在形成第三層間絕緣膜319之后，最好進(jìn)一步勻平其表面。注意，不總是必須形成第三層間絕緣膜319。借助于用粘合層317將反襯底318鍵合其上而密封EL元件。諸如PES (聚硫醚こニ醇)、PC (聚碳酸酯)、PET (聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯)、以及PEN (聚萘ニ甲酸こニ醇酯)之類的塑料，可以被用于反襯底。在本實(shí)施方案中，采用了聚碳酸酯膜。注意，對(duì)于具有反射性的金屬膜被用作象素電極190的代替物的情況，塑料襯底必須由具有透光特性的材料制成，且膜厚度小(最好為10-50nm)的金屬膜被用作陰極314。在本實(shí)施方案中，環(huán)氧樹(shù)脂被用作粘合層317，而聚碳酸酯膜被用作反襯底。若由相同的材料組成的襯底被用于是為轉(zhuǎn)移部件的襯底213和反襯底318，則他們的熱膨脹系數(shù)相等，襯底從而對(duì)溫度改變?cè)斐傻膽?yīng)力應(yīng)變不敏感。而且，轉(zhuǎn)移部件213和反襯底318按需要被分割成所需的形狀。然后用已知的技術(shù)將FPC (圖中未示出)鍵合到其上。接著，參照?qǐng)D15來(lái)進(jìn)行描述。圖15是根據(jù)本實(shí)施方案制造的EL元件的上表面照片。從這一照片可以理解用本實(shí)施方案的エ藝制造在塑料襯底上的EL模塊的發(fā)光。而且，聚碳酸酯膜被用于EL模塊的轉(zhuǎn)移部件和反襯底，因而能夠制造極薄的EL模塊。
「實(shí)施方案31利用俯視圖8來(lái)解釋根據(jù)實(shí)施方案I和實(shí)施方案2得到的EL模塊的結(jié)構(gòu)。實(shí)施方案2中的轉(zhuǎn)移部件213對(duì)應(yīng)于塑料襯底900。圖8是俯視圖，示出了具有配備有EL元件的發(fā)光器件的一種模塊(以下稱為EL模塊)。象素部分902、源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路901、以及柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路903被形成在塑料襯底900 (典型為塑料膜襯底)上。可以用上述各個(gè)實(shí)施方案來(lái)制造象素部分和驅(qū)動(dòng)電路。而且，參考號(hào)918表示密封材料，而參考號(hào)919表示保護(hù)膜。密封材料918覆蓋象素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分，而保護(hù)膜919覆蓋密封材料。注意，最好采用對(duì)可見(jiàn)光盡可能透明或半透明的材料作為密封材料918。而且，密封材料918最好是潮氣和氧盡可能少通過(guò)其中的材料。借助于用密封材料918和保護(hù)膜919對(duì)其進(jìn)行密封，能夠?qū)l(fā)光元件完全隔絕于外界。從而能夠防止諸如潮氣和氧之類的促使例如氧化的EL層退化的來(lái)自外界的物質(zhì)的進(jìn)入。此外，當(dāng)采用具有導(dǎo)熱性的薄膜(例如AlON膜或AlN膜)作為保護(hù)膜時(shí)，能夠發(fā)散驅(qū)動(dòng)過(guò)程中產(chǎn)生的熱，從而能夠獲得具有高可靠性的發(fā)光器件。此外，用粘合材料將其與反襯底(圖中未示出)密封。對(duì)反襯底的形狀和支座的形狀沒(méi)有特別的限制，可以采用具有平坦表面的形狀、具有彎曲表面的形狀、具有柔性的形狀、以及具有薄膜形狀的形狀。為了承受熱和外力等造成的形變，反襯底最好由與薄膜襯底900相同的材料制成，例如塑料襯底。而且，雖然圖中未示出，但為了防止背景由于從所用金屬層(在此情況下是陰極等)的反射而被反映在其中，還可以在襯底900上提供稱為圓偏振片并由延遲片(四分之一波長(zhǎng)片)或偏振片組成的圓偏振裝置。注意，參考號(hào)908表不各種布線,用來(lái)傳輸輸入到源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路901和柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路903的信號(hào)以及通過(guò)其接收來(lái)自成為外部輸入端子的FPC(柔性印刷電路)909的視頻信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)。而且，本實(shí)施方案的發(fā)光器件可以采用數(shù)字驅(qū)動(dòng)和模擬驅(qū)動(dòng)，且視頻信號(hào)可以是數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)。注意，雖然圖中僅僅示出了 FPC，但印刷電路板(PWB)也可以被固定到FPC。本說(shuō)明書中定義的發(fā)光器件的范疇不僅包括發(fā)光器件主體，而且還包括以FPC和PWB形式固定于其上的部分。而且，雖然也有可能在與象素部分和驅(qū)動(dòng)電路同一個(gè)襯底上形成復(fù)雜的集成電路(例如存儲(chǔ)器、CPU、控制器、或D/A控制器)，但難以用少量的掩模來(lái)加以制造。因此，最好用COG(玻璃上芯片)方法、TAB(帶自動(dòng)鍵合)方法、或引線鍵合方法來(lái)安裝配備有存儲(chǔ)器、CPU、控制器、D/A轉(zhuǎn)換器等的集成電路芯片。用上述各個(gè)エ藝，能夠在塑料襯底上制造具有電學(xué)特性良好的高度可靠薄膜晶體管的EL模塊。而且，用塑料膜作為塑料襯底，能夠制造尺寸非常小且重量輕的EL模塊。￡實(shí)施方案41本實(shí)施方案解釋在塑料襯底上制造液晶模塊的例子。圖9A和9B被用于此解釋。首先參照?qǐng)D9A來(lái)進(jìn)行描述。在根據(jù)實(shí)施方案I得到圖6B狀態(tài)的有源矩陣襯底C216之后，用已知的技術(shù)，在襯底能夠承受的溫度范圍內(nèi)，在圖6B的有源矩陣襯底C上形成定向膜。然后形成定向膜617,并執(zhí)行摩擦エ藝,從而制造有源矩陣襯底D 600。注意，圖9A的元件a601、元件b602、元件c603、以及元件d604，分別對(duì)應(yīng)于圖6B的P溝道TFT 195、n溝道TFT 196、象素TFT 197、以及p溝道TFT 198。還要注意的是，為 了勻平有源矩陣襯底的表面，可以采用已知的技木。在形成源電極和漏電極605-612以及布線(圖中未示出)之后，形成第二層間絕緣膜。此外，形成第二窗ロ部分，并形成連接布線614和象素電極615和616。接著制備反襯底620。諸如PES (聚硫醚こニ醇)、PC (聚碳酸酯)、PET (聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯)、以及PEN(聚萘ニ甲酸こニ醇酷)之類的塑料，可以被用于反襯底。其中有顔色的層和遮光層對(duì)應(yīng)于各個(gè)象素被排列的濾色片(圖中未示出)，被形成在反襯底620上。而且，遮光層(圖中未示出)還被形成在驅(qū)動(dòng)電路部分內(nèi)。形成勻平膜(圖中未示出)來(lái)覆蓋濾色片和遮光層。接著，在勻平膜上形成由透明電極組成的反電極621，并在整個(gè)反襯底上形成定向膜622，并執(zhí)行摩擦エ藝?？梢杂靡阎募夹g(shù)，在反襯底能夠承受的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行這些エ藝。接著，用密封材料624鍵合其上形成象素部分和驅(qū)動(dòng)電路的有源矩陣襯底D 600以及反襯底620。填充劑被混合到密封材料中，且ニ個(gè)襯底以填充劑造成的均勻間隔被鍵合到一起。然后將液晶材料623注入到ニ個(gè)襯底之間，再用密封劑(圖中未示出)完全密封。已知的液晶材料可以被用作此液晶材料。如有需要，有源矩陣襯底D 600和反襯底620被分成所需形狀。此外，可以用已知技術(shù)適當(dāng)?shù)匦纬善衿?圖中未示出)等。還可以用已知技術(shù)鍵合FPC(圖這未示出)。注意，倘若其中保持固定厚度的結(jié)構(gòu)被應(yīng)用于液晶顯示器件，則諸如塑料膜之類的具有柔性的塑料襯底可以被用作塑料襯底213和反襯底620。于是能夠制造具有高可靠性和良好電學(xué)特性的有源矩陣液晶模塊。塑料被用于襯底，因而能夠制造重量非常輕的液晶模塊。Γ實(shí)施方案5]參照俯視圖10來(lái)描述基于實(shí)施方案I和4的這樣得到的液晶模塊的結(jié)構(gòu)。象素部分704被置于有源矩陣襯底701的中心。用來(lái)驅(qū)動(dòng)源信號(hào)線的源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路702被置于象素部分704上。用來(lái)驅(qū)動(dòng)?xùn)判盘?hào)線的柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路703被置于象素部分704的左右。雖然在本實(shí)施方案中柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路703相對(duì)于象素部分是對(duì)稱的，但液晶模塊可以僅僅在象素部分的ー側(cè)具有ー個(gè)柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。設(shè)計(jì)者可以選擇適合于更好地考慮液晶模塊的襯底尺寸等的安排。但就諸如電路工作可靠性和驅(qū)動(dòng)效率而言，圖10所示柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的對(duì)稱安排是優(yōu)選的。
各種信號(hào)從柔性印刷電路(FPC) 705被輸入到驅(qū)動(dòng)電路。在層間絕緣膜和樹(shù)脂膜中開(kāi)出接觸孔并形成連接電極309之后，F(xiàn)PC 705通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜之類被壓配合，以便達(dá)及排列在襯底701給定位置中的布線。在本實(shí)施方案中，連接電極由ITO組成。
密封劑707沿著襯底外圍被涂敷在驅(qū)動(dòng)電路和象素部分周圍。然后，反襯底706被鍵合到襯底701，同時(shí)，預(yù)先形成在有源矩陣襯底上的間隔物保持ニ個(gè)襯底之間的間隙恒定。液晶元素通過(guò)未被密封劑707涂敷的部分被注入。然后用密封劑708密封ニ個(gè)襯底。通過(guò)上述各個(gè)步驟就完成了液晶模塊。雖然此處所有的驅(qū)動(dòng)電路被形成在襯底上，但ー些集成電路可以被用于某些驅(qū)動(dòng)電路。如上所述，能夠制造具有高可靠性、良好電學(xué)特性、以及重量輕的有源矩陣液晶模塊?！笇?shí)施方案61實(shí)施方案1-5所示的有源矩陣襯底以及采用此有源矩陣襯底的液晶模塊和EL模塊，能夠被應(yīng)用于各種電子裝置的顯示部分。這種電子裝置包括攝象機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、投影儀、頭戴式顯示器(風(fēng)鏡式顯示器)、車輛導(dǎo)航系統(tǒng)、汽車音響、個(gè)人計(jì)算機(jī)、移動(dòng)信息終端(例如移動(dòng)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、或電子圖書等)等。圖12和13示出了其實(shí)際例子。圖12A示出了ー種個(gè)人計(jì)算機(jī)，它包括主體3001、圖象輸入部分3002、顯示部分3003、鍵盤3004等。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成小巧而重量輕的個(gè)人計(jì)算機(jī)。圖12B示出了一種攝象機(jī)，它包括主體3101、顯示部分3102、聲音輸入部分3103、操作開(kāi)關(guān)3104、電池3105、圖象接收部分3106等。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成小巧而重量輕的攝象機(jī)。圖12C示出了ー種移動(dòng)計(jì)算機(jī)，它包括主體3201、相機(jī)部分3202、圖象接收部分3203、操作開(kāi)關(guān)3204、顯示部分3205等。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成小巧而重量輕的移動(dòng)計(jì)算機(jī)。圖12D示出了一種風(fēng)鏡式顯示器，它包括主體3301、顯示部分3302、鏡臂部分3303等。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成小巧而重量輕的風(fēng)鏡式顯示器。圖12E示出了一種采用其上記錄程序的記錄媒質(zhì)(以下稱為記錄媒質(zhì))的播放器，此播放器包括主體3401、顯示部分3402、揚(yáng)聲器部分3403、記錄媒質(zhì)3404、操作開(kāi)關(guān)3405等。此游戲機(jī)使用DVD(數(shù)字萬(wàn)能碟盤)和CD等作為記錄媒質(zhì)，并使用戶能夠欣賞音樂(lè)、電影、游戲、以及上網(wǎng)。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成小巧而重量輕的游戲機(jī)。圖12F示出了一種數(shù)碼相機(jī)，它包括主體3501、顯示部分3502、目鏡3503、操作開(kāi)關(guān)3504、圖象接收部分(未示出)等。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成小巧而重量輕的數(shù)碼相機(jī)。圖13A不出了一種移動(dòng)電話,它包括主體3901、聲音輸出部分3902、聲音輸入部分3903、顯示部分3904、操作開(kāi)關(guān)3905、天線3906等。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成小巧而重量輕的移動(dòng)電話。圖13B示出了ー種移動(dòng)圖書(電子圖書)，它包括主體4001、顯示部分4002和4003、儲(chǔ)存媒質(zhì)4004、操作開(kāi)關(guān)4005、天線4006等。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成小巧而重量輕的移動(dòng)記事本。圖13C示出了一種顯示器，它包括主體4101、支座4102、顯示部分4103等。借助于實(shí)施本發(fā)明，能夠完成本發(fā)明的小巧而重量輕的顯示器。正如從上面的描述可見(jiàn)，本發(fā)明的應(yīng)用范圍極為廣闊，本發(fā)明能夠被應(yīng)用于其中具有半導(dǎo)體器件的任何種類的電子裝置。借助于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，能夠獲 得下面所示的效果。疊層的待要?jiǎng)冸x的物體能夠從襯底被轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移部件上，特別是轉(zhuǎn)移到塑料襯底上。而且，具有半導(dǎo)體元件(例如薄膜晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、薄膜ニ極管、光電轉(zhuǎn)換元件、以及電阻元件)的待要?jiǎng)冸x的物體，能夠在短時(shí)間內(nèi)被轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移部件上，特別是轉(zhuǎn)移到塑料襯底上。而且，在從襯底剝離待要?jiǎng)冸x的物體并將其轉(zhuǎn)移到塑料襯底之后，有可能估量各種半導(dǎo)體元件，典型地說(shuō)是各種薄膜晶體管的特性。此外，在將待要?jiǎng)冸x的物體轉(zhuǎn)移到塑料襯底上之后，形成在待要?jiǎng)冸x的物體上的支座被剝離開(kāi)，具有待要?jiǎng)冸x的物體的器件的厚度因而變得較小，從而能夠獲得整個(gè)器件的小型化。若此器件是向下發(fā)射的發(fā)光器件或透射型液晶顯示器件，則能夠提高從發(fā)光元件發(fā)射的光或后照光的透射率。此外，有可能從襯底剝離待要?jiǎng)冸x的物體而不損傷支座，從而能夠重新使用此支座。因此，若像石英玻璃這樣的昂貴材料或稀有材料被用作支座，則能夠大幅度降低成本。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，它包含 在襯底上形成剝離層； 在所述剝離層上形成晶體管； 在所述晶體管上形成像素電極； 從所述襯底剝離所述晶體管和所述像素電極，以及將膠帶鍵合到所述像素電極； 從所述像素電極剝離所述膠帶；以及 在從所述像素電極剝離所述膠帶后，在所述像素電極上形成EL層。
2.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，它包含 在襯底上形成剝離層； 在所述剝離層上形成氧化物層； 在所述氧化物層上形成晶體管； 在所述晶體管上形成像素電極； 從所述襯底剝離所述氧化物層、所述晶體管和所述像素電極，以及將膠帶鍵合到所述像素電極； 通過(guò)紫外線輻射將所述膠帶從所述像素電極剝離，以及將轉(zhuǎn)移部件鍵合到所述氧化物層；以及 在從所述像素電極剝離所述膠帶后，在所述像素電極上形成EL層。
3.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，它包含 在襯底上形成剝離層； 在所述剝離層上形成氧化物層； 在所述氧化物層上形成晶體管； 在所述晶體管上形成像素電極； 從所述襯底剝離所述氧化物層、所述晶體管和所述像素電極，以及將膠帶和支座鍵合到所述像素電極； 通過(guò)紫外線輻射將所述膠帶和支座從所述像素電極剝離，以及將轉(zhuǎn)移部件鍵合到所述氧化物層； 在從所述像素電極剝離所述膠帶和所述支座后，在所述像素電極上形成EL層； 在所述EL層上形成陰極；以及 在所述陰極上鍵合反襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一個(gè)的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述剝離層包含金屬層，以及 其中，所述金屬層包含選自鈦、招、鉭、鶴、鑰、銅、鉻、釹、鐵、鎳、鈷、釕、錯(cuò)、鈕、鋨、銥的至少ー種元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一個(gè)的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述剝離層包含氮化物層；以及 所述氮化物層包含選自鈦、鋁、鉭、鎢、鑰、銅、鉻、釹、鐵、鎳、鈷、釕、銠、鈀、鋨、銥的至少ー種元素。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述氧化物層包含氧化硅或金屬氧化物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一個(gè)的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述膠帶包含紫外線剝離粘合剤。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一個(gè)的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述膠帶包含熱剝離粘合剤。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任何一個(gè)的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述膠帶包含第一粘合劑和第二粘合劑，所述第一粘合劑和所述第二粘合劑間置入第二襯底， 其中所述第一粘合劑和所述第二粘合劑的ー個(gè)是熱剝離粘合劑，且 其中所述第一粘合劑和所述第二粘合劑的另ー個(gè)是紫外線剝離粘合剤。
10.根據(jù)權(quán)利要求3的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述支座包含石英玻璃、金屬或陶瓷。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3的制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中，所述轉(zhuǎn)移部件包含塑料。
全文摘要
本發(fā)明的名稱為轉(zhuǎn)移疊層的方法以及制造半導(dǎo)體器件的方法，其目的是提供一種在短時(shí)間內(nèi)將待要?jiǎng)冸x的物體轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移部件上而不對(duì)疊層中待要?jiǎng)冸x的物體造成損傷的方法。而且，本發(fā)明的另一目的是提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，制造在襯底上的半導(dǎo)體元件被轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移部件，典型地說(shuō)是塑料襯底上。此方法的特征在于包括在襯底上形成剝離層和待要?jiǎng)冸x的物體；通過(guò)雙面膠帶鍵合待要?jiǎng)冸x的物體和支座；用物理方法從剝離層剝離待要?jiǎng)冸x的物體，然后將待要?jiǎng)冸x的物體鍵合到轉(zhuǎn)移部件上；以及從待要?jiǎng)冸x的物體剝離支座和雙面膠帶。
文檔編號(hào)H01L21/20GK102867736SQ20121035256
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2003年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月17日
發(fā)明者高山徹, 后藤裕吾, 丸山純矢, 大野由美子 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所