專(zhuān)利名稱(chēng)：固體電解電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體電解電容器及其制造方法，尤其涉及將多個(gè)閥作用金屬基體堆積而構(gòu)成層疊體的固體電解電容器及其制造方法。
背景技術(shù)：
例如在國(guó)際公開(kāi)第2006/129639號(hào)小冊(cè)子(專(zhuān)利文獻(xiàn)I)中記載有對(duì)于本發(fā)明來(lái)說(shuō)關(guān)注的固體電解電容器。專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的固體電解電容器具備將多個(gè)閥(弁)作用金屬基體堆積而成的層疊體，這多個(gè)閥作用金屬基體具有芯部和沿著芯部的表面形成的蝕刻部，且施加有陽(yáng)極部和陰極部。
在各閥作用金屬基體的表面形成有電介質(zhì)覆膜，在閥作用金屬基體的陰極部中的電介質(zhì)覆膜上形成有陰極層，在陰極層上連接有陰極外部端子。陰極層由導(dǎo)電性高分子層、 在導(dǎo)電性高分子層上形成的碳糊料層以及在碳糊料層上形成的銀糊料層構(gòu)成，上述的導(dǎo)電性高分子層、碳糊料層以及銀糊料層通過(guò)在液狀或糊料狀的各原料溶液中浸潰形成有電介質(zhì)覆膜的閥(弁)作用金屬基體而形成。
另一方面，多個(gè)閥作用金屬基體的陽(yáng)極部形成為以向一個(gè)部位集中的方式集成的狀態(tài)，并與陽(yáng)極外部端子連接。在此，由于在閥作用金屬基體的陽(yáng)極部不存在上述的陰極層，因此當(dāng)將多個(gè)閥作用金屬基體的陽(yáng)極部以向一個(gè)部位集中的方式集成時(shí)，閥作用金屬基體的成為陽(yáng)極部的各端部彎曲與陰極層的厚度對(duì)應(yīng)的量，但在專(zhuān)利文獻(xiàn)I所記載的固體電解電容器中，在多個(gè)閥作用金屬基體的成為陽(yáng)極部的各端部中的相鄰的端部之間插入有能夠補(bǔ)償陰極層的厚度的隔離體。
隔離體以如下方式發(fā)揮作用將閥作用金屬基體的上述的彎曲抑制成最小限度， 從而消除因該彎曲而在與陽(yáng)極部相鄰的陰極部上的陰極層作用有不希望的應(yīng)力這樣的問(wèn)題。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中記載有隔離體優(yōu)選通過(guò)電阻焊接(抵抗溶接)與閥作用金屬基體接合(接合)。為了使這樣的電阻焊接容易，而使得隔離體例如由銅或銅系合金構(gòu)成，且在其表面設(shè)有熔點(diǎn)比較低的例如由錫或錫系合金構(gòu)成的接合材料。
然而，在實(shí)施上述的電阻焊接時(shí)，有時(shí)產(chǎn)生圖8所示那樣的問(wèn)題。圖8是表示一個(gè)閥作用金屬基體I的陽(yáng)極部側(cè)的圖，尤其示出在其兩主面上分別配置有隔離體2的部分。在圖8中，(A)表示電阻焊接前的狀態(tài)，(B)表示電阻焊接后的狀態(tài)。
閥作用金屬基體I具有芯部3和沿著芯部3的表面形成的蝕刻部4。另外，在隔離體2的表面設(shè)有熔點(diǎn)比較低的接合材料，但該接合材料的圖示被省略。
如圖8(A)所示，當(dāng)形成為隔離體2與閥作用金屬基體I的陽(yáng)極部重疊的狀態(tài)來(lái)實(shí)施電阻焊接時(shí)，在電阻焊接中流過(guò)大電流，因此根據(jù)電阻焊接的條件的不同，有時(shí)如圖8(B) 所示那樣閥作用金屬基體I的芯部3熔出，其結(jié)果是，存在閥作用金屬基體I與隔離體2的接合強(qiáng)度或閥作用金屬基體I自身的強(qiáng)度降低的情況。
在圖8(B)中圖示出 因芯部3的熔出而產(chǎn)生的飛濺5，并且圖示出芯部3與焊接前的圖8 (A)所示的厚度相比變得更加薄的狀態(tài)。在極端的情況下，芯部3在焊接后可能消失。 尤其是當(dāng)閥作用金屬基體I的堆積張數(shù)進(jìn)一步增多時(shí)，電阻焊接(抵抗溶接)時(shí)的電流進(jìn)一步增大，因此這樣的課題變得更加顯著而呈現(xiàn)出來(lái)。
在先技術(shù)文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)I國(guó)際公開(kāi)第2006/129639號(hào)小冊(cè)子發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠解決上述的課題的固體電解電容器，即在于提供一種閥作用金屬基體的芯部不會(huì)熔出，且閥作用金屬基體與隔離體之間以充分的強(qiáng)度接合的固體電解電容器。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種在通過(guò)電阻焊接接合閥作用金屬基體與隔離體時(shí)，以使閥作用金屬基體的芯部不熔出的方式進(jìn)行控制的固體電解電容器的制造方法。
本發(fā)明首先涉及一種固體電解電容器，其具備多個(gè)閥作用金屬基體，它們具有芯部和沿著芯部的表面形成的蝕刻部，且施加有陽(yáng)極部和陰極部；電介質(zhì)覆膜，其形成在各閥作用金屬基體的至少陰極部上；陰極層，其形成在各閥作用金屬基體的陰極部中的電介質(zhì)覆膜上，其中，多個(gè)閥作用金屬基體堆積而構(gòu)成層疊體，在該層疊體中，在各閥作用金屬基體的陽(yáng)極部之間夾有隔離體，該隔離體在表面設(shè)有接合材料，為了解決上述的技術(shù)的問(wèn)題， 所述固體電解電容器的特征在于，具備如下這樣的結(jié)構(gòu)。
S卩，本發(fā)明涉及的固體電解電容器的特征在于，閥作用金屬基體中的位于陽(yáng)極部的芯部的厚度Ta與位于陰極部的芯部的厚度Tc滿(mǎn)足|Tc-Ta|/TcX100彡10[%]的條件， 且在隔離體設(shè)置的接合材料的至少一部分向閥作用金屬基體的蝕刻部滲透。
在本發(fā)明涉及的 固體電解電容器中，優(yōu)選在隔離體上設(shè)置的接合材料的熔點(diǎn)比閥作用金屬基體的熔點(diǎn)低。由此，在隔離體上設(shè)置的接合材料更容易向閥作用金屬基體的蝕刻部滲透，由此，能夠進(jìn)一步提高閥作用金屬基體與隔離體的接合性。
本發(fā)明還涉及一種固體電解電容器的制造方法。
在本發(fā)明涉及的固體電解電容器的制造方法中，首先，準(zhǔn)備多個(gè)閥作用金屬基體， 所述多個(gè)閥作用金屬基體具有芯部和沿著芯部的表面形成的蝕刻部，且施加有陽(yáng)極部和陰極部，并且準(zhǔn)備隔離體，該隔離體在表面設(shè)有接合材料，且具有比接合材料的熔點(diǎn)高的熔
接著，實(shí)施在上述的閥作用金屬基體的至少陰極部的表面形成電介質(zhì)覆膜的工序、在各閥作用金屬基體的陰極部中的電介質(zhì)覆膜上形成陰極層的工序、在各閥作用金屬基體的陽(yáng)極部之間夾有隔離體的狀態(tài)下堆積多個(gè)閥作用金屬基體的工序。
并且，為了得到堆積有閥作用金屬基體的層疊體，而實(shí)施進(jìn)行電阻焊接，以使閥作用金屬基體與隔離體接合的工序，而在該電阻焊接工序中，其特征在于，以?xún)H使在隔離體上設(shè)置的接合材料熔融的方式控制焊接電流。
在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，閥作用金屬基體由鋁或以鋁為主要成分的合金構(gòu)成，接合材料由錫或以錫為主要成分的合金構(gòu)成，隔離體由銅或以銅為主要成分的合金構(gòu)成。根據(jù)該優(yōu)選的實(shí)施方式，能夠以低成本提供固體電解電容器，并且在閥作用金屬基體及隔離體中能夠?qū)崿F(xiàn)高的導(dǎo)電率，另外，能夠使閥作用金屬基體的操作性良好，并且在閥作用金屬基體與接合材料之間能夠賦予400°C以上的熔點(diǎn)差，因此在電阻焊接工序中，能夠可靠地實(shí)現(xiàn)僅接合材料的熔融。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，在閥作用金屬基體的陽(yáng)極部上接合隔離體時(shí)，能夠防止閥作用金屬基體的芯部的熔出。另外，能夠使熔融了的接合材料向閥作用金屬基體的蝕刻部滲透而表現(xiàn)出錨定效果。由此，能夠抑制閥作用金屬基體自身的接合強(qiáng)度降低，并同時(shí)能夠提高閥作用金屬基體與隔離體的接合強(qiáng)度。


圖1是表不本發(fā)明的一實(shí)施方式的固體電解電容器11的剖面圖。
圖2是將圖1的部分C放大而示出的剖面圖。
圖3是將圖1的部分D放大而示出的剖面圖。
圖4是用于說(shuō)明圖1所示的固體電解電容器11的制造方法的圖，是表示多個(gè)閥作用金屬基體14的剖面圖。
圖5是表示在圖4所示的閥作用金屬基體14上形成有陰極層16的狀態(tài)的剖面圖。
圖6是表不將圖5所不的閥作用金屬基體14與隔尚體27及28、陰極外部端子25 以及陽(yáng)極外部端子26 —起堆積的工序的剖面圖。
圖7是表示在陰極部22和陽(yáng)極部23中對(duì)電阻焊接后的閥作用金屬基體14的芯部17的厚度進(jìn)行對(duì)比而示出的剖面圖。
圖8是表示用于說(shuō)明本發(fā)明要解決的課題的一個(gè)閥作用金屬基體I的陽(yáng)極部側(cè)的圖，(A)表示電阻焊接前的狀態(tài)，(B)表示電阻焊接后的狀態(tài)。
符號(hào)說(shuō)明
11固體電解電容器
12電容器單元
13層疊體
14閥作用金屬基體
15電介質(zhì)覆膜
16陰極層`
17 芯部
18蝕刻部
22陰極部
23陽(yáng)極部
27、28 隔離體
29接合材料具體實(shí)施方式
參照?qǐng)D1至圖3，對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式的固體電解電容器11進(jìn)行說(shuō)明。
如圖1所示，固體電解電容器11例如具備將四個(gè)電容器單元12堆積而構(gòu)成的層疊體13。上述的四個(gè)電容器單元12的各自的結(jié)構(gòu)相同。
各電容器單元12具備閥(弁)作用金屬基體14、在閥作用金屬基體14的表面形成的電介質(zhì)覆膜15 (在圖1中由粗線表示。)、以及在電介質(zhì)覆膜15上形成的陰極層16。
閥作用金屬基體14例如由招、鉭(夕 > 夕 > )或鈮(二才)構(gòu)成，優(yōu)選由鋁或以鋁為主要成分的合金構(gòu)成。作為一例，閥作用金屬基體14由鋁箔構(gòu)成，并通過(guò)實(shí)施蝕刻處理而使表面粗面化，由此，具有芯部17和沿著其表面而形成的蝕刻部18。電介質(zhì)覆膜15 例如通過(guò)使閥作用金屬基體14的表面氧化而形成。
如圖2所示，陰極層16由導(dǎo)電性高分子層19、導(dǎo)電性高分子層19上的碳糊料層 20及碳糊料層20上的銀糊料層21構(gòu)成。上述的層19 21如之后詳細(xì)地說(shuō)明的那樣，通過(guò)施加各自對(duì)應(yīng)的原料溶液而形成。
另外，在圖2及圖3中，閥作用金屬基體14的蝕刻部18由波狀線表示，該波狀線用于對(duì)蝕刻部18進(jìn)行示意性地圖解。實(shí)際上，蝕刻部18具有更復(fù)雜的表面形狀。
閥作用金屬基體14在形成有陰極層16的部分施加陰極部22,在未形成陰極層16 的部分施加陽(yáng)極部23。
在閥作用金屬基體14的陰極部22與陽(yáng)極部23的邊界設(shè)有遮斷構(gòu)件24。遮斷構(gòu)件24用于遮斷為了形成陰極層16而施加的陰極原料溶液，以免其進(jìn)入陽(yáng)極部23。遮斷構(gòu)件24例如由電絕緣性的樹(shù)脂構(gòu)成，以其一部分向閥作用金屬基體14的蝕刻部18的內(nèi)部埋入了的狀態(tài)或滲透了的狀態(tài)配置。
在特定的電容器單元12之間配置有陰極外部端子25及陽(yáng)極外部端子26，且它們被向外部引出。陰極外部端子25例如經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑(未圖示。)與陰極層16中的銀糊料層21連接。另外，對(duì)于彼此相鄰的電容器單元12中的陰極層16之間，根據(jù)需要也例如經(jīng)由導(dǎo)電性粘接劑(未圖示。)進(jìn)行連接。
在層疊體13中，在各閥作用金屬基體14的陽(yáng)極部23之間夾有隔離體27或28。 隔離體28以?shī)A著上述的陽(yáng)極外部端子26的方式設(shè)置，其厚度尺寸比隔離體27小。另外， 也可以不是將這樣厚度尺寸彼此不同的兩種隔離體27及28分開(kāi)使用，而是例如僅使用厚度尺寸比較大的隔離體27那樣的厚度尺寸相同的僅一種隔離體。
隔離體27及28優(yōu)選由銅或以銅為主要成分的合金構(gòu)成，如圖3所示，在其表面設(shè)有接合材料(接合材)29。接合材料29優(yōu)選由錫或以錫為主要成分的合金構(gòu)成，其熔點(diǎn)比隔離體27及28的熔點(diǎn)低自不用說(shuō)，且還比閥作用金屬基體14的熔點(diǎn)低。接合材料29例如通過(guò)實(shí)施鍍錫而施加到隔離體27及28的表面上。
上述的閥作用金屬基體14、隔離體27及28、陽(yáng)極外部端子26通過(guò)電阻焊接而彼此接合。在該電阻焊接中，在隔離體27及28的表面設(shè)置的接合材料29熔融而滲透到閥作用金屬基體14的蝕刻部18中。另外，在閥作用金屬基體14的陽(yáng)極部23的表面還形成有電介質(zhì)覆膜15，但在實(shí)施電阻焊接時(shí)，熔融了的接合材料29在焊接時(shí)的載荷的作用下，能夠沖破電介質(zhì)覆膜15而向蝕刻部18滲透。為了對(duì)該情 況進(jìn)行模型化地圖解，在圖1及圖 3中，利用虛線表示沖破后的電介質(zhì)覆膜15。
另外，在圖1中雖未進(jìn)行明確地圖示，但如圖3所示，當(dāng)接合材料29和閥作用金屬基體14的芯部17形成為接觸的狀態(tài)時(shí)，能夠進(jìn)一步提高接合材料29與閥作用金屬基體14 的接合強(qiáng)度。
固體電解電容器11具備以覆蓋層疊體13的方式成形的例如由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的外裝樹(shù)脂30(在圖1中，由虛線表示其輪廓。)。
接著，主要參照?qǐng)D4至圖6，對(duì)上述的固體電解電容器11的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，如圖4所示，準(zhǔn)備多個(gè)閥作用金屬基體14。閥作用金屬基體14例如由具有約100 μ m的厚度的鋁箔構(gòu)成，如上所述，通過(guò)實(shí)施蝕刻處理而使表面粗面化，由此具有芯部17和沿著芯部17的表面形成的蝕刻部18。另外，閥作用金屬基體14的表面被氧化，由此例如形成由氧化鋁構(gòu)成的電介質(zhì)覆膜15。
接著，如圖5所示，在閥作用金屬基體14的蝕刻部18設(shè)置遮斷構(gòu)件24。如上所述，遮斷構(gòu)件24的一部分成為向蝕刻部18的內(nèi)部埋入了的狀態(tài)或滲透了的狀態(tài)。
接著，同樣如圖5所示，將陰極層16形成在各閥作用金屬基體14的陰極部22中的電介質(zhì)覆膜15上。參照?qǐng)D2而如上所述，陰極層16由導(dǎo)電性高分子層19、導(dǎo)電性高分子層19上的碳糊料層20及碳糊料層20上的銀糊料層21構(gòu)成。
首先，為了形成導(dǎo)電性高分子層19，將閥作用金屬基體14的陰極部22浸潰于導(dǎo)電性高分子原料溶液內(nèi)中。此時(shí)，通過(guò)遮斷構(gòu)件24來(lái)限制導(dǎo)電性高分子原料溶液的施加區(qū)域。之后，將閥作用金屬基體14的陰極部22從導(dǎo)電性高分子原料溶液拉起，并根據(jù)需要而實(shí)施干燥，由此將導(dǎo)電性高分子層19形成在閥作用金屬基體14的陰極部22上。
以下，對(duì)導(dǎo)電性高分子層的形成工序的一具體例進(jìn)行記載，如上所述，將閥作用金屬基體14的陰極部22浸潰于含有作為導(dǎo)電性高分子原料溶液的3，4_乙撐二氧酚噻(3， 4_工予 > > 夕才今予才7工 > )的異丙醇(4 y 7° 口 7 —;)溶液中，之后反復(fù)進(jìn)行 20次向過(guò)硫酸銨(7 > 二々Λ )與蒽醌-2-磺酸鈉(7 >卜9 # 7 > 2 7 >酸于卜 V 的混合溶液浸潰的操作，由此形成由聚乙撐二羥噻吩(*。U工f >夕才々 子才7 二 >)構(gòu)成的導(dǎo)電性高分子層。
接著，將形成有導(dǎo)電性高分子層19的閥作用金屬基體14的陰極部22浸潰于碳糊料內(nèi)。此時(shí)，通過(guò)遮斷構(gòu)件24來(lái)限制碳糊料的施加區(qū)域。然后，將閥作用金屬基體14的陰極部22從碳糊料拉起，并根據(jù)需要進(jìn)行干燥，由此將碳糊料層20形成在導(dǎo)電性高分子層19 上。
接著，將形成有導(dǎo)電性高分子層19及碳糊料層20的閥作用金屬基體14的陰極部 22浸潰于銀糊料內(nèi)。此時(shí)，通過(guò)遮斷構(gòu)件24來(lái)限制銀糊料的施加區(qū)域。然后，將閥作用金屬基體14的陰極部22從銀糊料拉起，并根據(jù)需要進(jìn)行干燥，由此將銀糊料層21形成在碳糊料層20上。
通過(guò)以上那樣，如圖5所示，將陰極層16形成在閥作用金屬基體14的陰極部22 中的電介質(zhì)覆膜15上。
接著，如圖6所示，實(shí)施堆積形成有陰極層16的多個(gè)閥作用金屬基體14、即多個(gè)電容器單元12的工序。在多個(gè)電容器單元12的堆積時(shí)，在特定的電容器單元12之間以與陰極層16電連接的方式配置陰極外部端子25，并且，形成將隔離體27或28夾在各閥作用金屬基體14的陽(yáng)極部 23之間，且將陽(yáng)極外部端子26夾在兩個(gè)隔離體28之間的狀態(tài)。
接著，為了得到堆積有多個(gè)閥作用金屬基體14、即多個(gè)電容器單元12的層疊體 13，實(shí)施對(duì)閥作用金屬基體14與隔離體27及28進(jìn)行接合的電阻焊接。在該電阻焊接中， 以?xún)H使設(shè)置在隔離體27及28上的接合材料29(參照?qǐng)D3)熔融的方式控制焊接電流。另外，對(duì)于陽(yáng)極外部端子26而言，也具有與隔離體27及28同樣的結(jié)構(gòu)，例如由實(shí)施了鍍錫的銅板構(gòu)成。因此，在陽(yáng)極外部端子26與隔離體28之間也能實(shí)現(xiàn)電阻焊接。
上述的電阻焊接的結(jié)果是，如圖3所示，對(duì)于隔離體27而言，設(shè)置在隔離體27及 28上的接合材料29的至少一部分向閥作用金屬基體14的蝕刻部18滲透。
另外，參照?qǐng)D7進(jìn)行說(shuō)明，以使閥作用金屬基體14中的位于陽(yáng)極部23的芯部17 的厚度Ta與位于陰極部22的芯部17的厚度Tc滿(mǎn)足| Tc-Ta|/TcX 100 ( 10[% ]的條件的方式控制上述的電阻焊接中的焊接電流。
若滿(mǎn)足上述條件，則在電阻焊接時(shí)，能夠防止閥作用金屬基體14的陽(yáng)極部23中的芯部17的熔出，且能夠使熔融了的接合材料29向閥作用金屬基體14的蝕刻部18滲透而表現(xiàn)出錨固(了 >力一)效果。由此，能夠提高閥作用金屬基體14、隔離體27及28、陽(yáng)極外部端子26各自之間的接合強(qiáng)度。
另外，之前敘述了在實(shí)施電阻焊接時(shí)，熔融的接合材料29在焊接時(shí)的載荷的作用下，沖破電介質(zhì)覆膜15而向蝕刻部18滲透的情況，但也可以?xún)H將電介質(zhì)覆膜15形成在閥作用金屬基體14的陰極部22上。因此，如圖5所示，在閥作用金屬基體14上設(shè)置遮斷構(gòu)件24之后，且在形成陰極層16之前，對(duì)閥作用金屬基體14的陰極部22例如實(shí)施陽(yáng)極氧化處理，由此，可以將作為氧化覆膜的電介質(zhì)覆膜15僅形成在閥作用金屬基體14的陰極部22 上。
接著，形成外裝樹(shù)脂30，完成固體電解電容器11。
以下，對(duì)為了確認(rèn)本發(fā)明所得到的效果而實(shí)施的實(shí)驗(yàn)例進(jìn)行說(shuō)明。
首先，準(zhǔn)備圖4所示那樣的多個(gè)閥作用金屬基體。閥作用金屬基體由鋁構(gòu)成，具有芯部和蝕刻部，且在表面形成有由氧化鋁構(gòu)成的電介質(zhì)覆膜。
接著，如圖5所示，在閥作用金屬基體的表面設(shè)置遮斷構(gòu)件，由此對(duì)陽(yáng)極部和陰極部進(jìn)行區(qū)分，在陰極部的電介質(zhì)覆膜表面形成由導(dǎo)電性高分子層、碳糊料層及銀糊料層構(gòu)成的陰極層。這樣，得到多個(gè)電容器單元。
另一方面，準(zhǔn)備利用實(shí)施了鍍錫的銅板制作的隔離體以及陰極外部端子及陽(yáng)極外部端子。
接著，將上述的電容器單元、隔離體、陰極外部端子及陽(yáng)極外部端子形成為圖6所示那樣堆積的狀態(tài)，然后，通過(guò)電阻焊接對(duì)閥作用金屬基體的陽(yáng)極部、隔離體及陽(yáng)極外部端子各自之間進(jìn)行接合。在電阻焊接中，采用以下的表I所示的三種條件。
表I
權(quán)利要求
1.一種固體電解電容器，其特征在于，具備多個(gè)閥作用金屬基體，其具有芯部和沿著所述芯部的表面形成的蝕刻部，且備有陽(yáng)極部和陰極部；電介質(zhì)覆膜，其形成在各所述閥作用金屬基體的至少所述陰極部上；陰極層，其在各所述閥作用金屬基體的所述陰極部中形成于所述電介質(zhì)覆膜上，多個(gè)所述閥作用金屬基體堆積而構(gòu)成層疊體，在所述層疊體中，在各所述閥作用金屬基體的所述陽(yáng)極部之間夾有隔離體，該隔離體在表面設(shè)有接合材料，所述閥作用金屬基體中的位于所述陽(yáng)極部的所述芯部的厚度Ta與位于所述陰極部的所述芯部的厚度Tc滿(mǎn)足I Tc-TaI/TcX 100彡10[% ]的條件，并且在所述隔離體上設(shè)置的所述接合材料的至少一部分向所述閥作用金屬基體的所述蝕刻部滲透。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其特征在于，在所述隔離體上設(shè)置的所述接合材料的熔點(diǎn)比所述閥作用金屬基體的熔點(diǎn)低。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體電解電容器，其特征在于，所述閥作用金屬基體由鋁或以鋁為主要成分的合金構(gòu)成，所述接合材料由錫或以錫為主要成分的合金構(gòu)成，所述隔離體由銅或以銅為主要成分的合金構(gòu)成。
4.一種固體電解電容器的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備多個(gè)閥作用金屬基體的工序，所述多個(gè)閥作用金屬基體具有芯部和沿著所述芯部的表面形成的蝕刻部，且備有陽(yáng)極部和陰極部；準(zhǔn)備隔離體的工序，該隔離體在表面設(shè)有接合材料，且具有比所述接合材料的熔點(diǎn)高的熔點(diǎn)；在所述閥作用金屬基體的至少所述陰極部的表面形成電介質(zhì)覆膜的工序；在各所述閥作用金屬基體的所述陰極部中在所述電介質(zhì)覆膜上形成陰極層的工序； 在各所述閥作用金屬基體的所述陽(yáng)極部之間夾有所述隔離體的狀態(tài)下堆積多個(gè)所述閥作用金屬基體的工序；以及為了得到堆積有多個(gè)所述閥作用金屬基體的層疊體，在以?xún)H使在所述隔離體上設(shè)置的所述接合材料熔融的方式控制焊接電流的同時(shí)，進(jìn)行電阻焊接以使所述閥作用金屬基體和所述隔離體接合的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，所述閥作用金屬基體由鋁或以鋁為主要成分的合金構(gòu)成，所述接合材料由錫或以錫為主要成分的合金構(gòu)成，所述隔離體由銅或以銅為主要成分的合金構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種固體電解電容器及固體電解電容器的制造方法，該固體電解電容器具備堆積的多個(gè)閥作用金屬基體，這多個(gè)閥作用金屬基體具有芯部和蝕刻部，其中，為了將不存在陰極層的閥作用金屬基體的陽(yáng)極部在不彎曲的情況下集中于一個(gè)部位，而插入隔離體，在通過(guò)電阻焊接將隔離體與閥作用金屬基體接合時(shí)，閥作用金屬基體的芯部熔出，從而存在閥作用金屬基體與隔離體的接合強(qiáng)度降低的情況。以?xún)H使在隔離體(27、28)上設(shè)置的熔點(diǎn)比較低的接合材料熔融的方式控制焊接電流，并同時(shí)進(jìn)行電阻焊接，以使作用金屬基體(14)和隔離體接合。使在隔離體上設(shè)置的接合材料的至少一部分向閥作用金屬基體的蝕刻部(18)滲透，且使閥作用金屬基體中的位于陽(yáng)極部(23)的芯部(17)的厚度(Ta)和位于陰極部(22)的芯部(17)的厚度(Tc)滿(mǎn)足|Tc-Ta|/Tc×100≤10[％]的條件。
文檔編號(hào)H01G9/04GK103065802SQ201210375919
公開(kāi)日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月21日
發(fā)明者北山裕樹(shù), 勝部彰夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所