氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，其中前述結(jié)構(gòu)包含一承載體、復(fù)數(shù)個芯片、復(fù)數(shù)條焊線、復(fù)數(shù)個墻體以及一上蓋，其中承載體具有復(fù)數(shù)個晶座及復(fù)數(shù)個引腳，而芯片接合于晶座上；復(fù)數(shù)條焊線用來電性連結(jié)芯片與引腳；復(fù)數(shù)個墻體設(shè)置于承載體上，以形成復(fù)數(shù)個腔室，其中每一個腔室容置有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，且每一墻體設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽，以將封裝體氣腔內(nèi)的空氣排出；而上蓋以封裝膠材覆蓋黏附于墻體上，以將腔室密封而形成密閉氣腔；并包括形成前述結(jié)構(gòu)的方法。
【專利說明】氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片封裝結(jié)構(gòu)及方法，尤指一種適用于高頻或高功率半導(dǎo)體組件的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體芯片制作完成后，須經(jīng)過封裝程序的處理，以提供芯片支撐，并保護(hù)芯片不受濕氣腐蝕及其它損壞。傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片的封裝，先將芯片及焊線接合于一承載體上，再以如聚合物等膠材將芯片整個密封住，以保護(hù)芯片電路避免遭水氣破壞，然而對高頻組件而言，傳統(tǒng)封裝方式會影響組件的高頻特性。
[0003]氣腔式封裝方法在芯片與封裝外殼間形成一密封氣腔，封裝體中的介質(zhì)為氣體(真空氣體、氮氣、一般空氣)，可提供芯片高絕緣性能，進(jìn)而降低功率的損耗，特別適用于高頻率和高功率應(yīng)用，如射頻(RF)系統(tǒng)、微波(Microwave)系統(tǒng)、微機電系統(tǒng)(MEMS)、微光機電系統(tǒng)(MOEMS)以及感光組件(如CCD、CMOS等)。
[0004]然而傳統(tǒng)氣腔式封裝制程當(dāng)封裝膠材在烘烤固化時，常因為封裝體氣腔內(nèi)的氣體排出而造成封裝膠材破孔，若生產(chǎn)復(fù)數(shù)個相連封裝體，當(dāng)封裝膠材同時烘烤固化時，更會造成封裝膠材被氣腔內(nèi)排出的氣體壓力擠壓而溢流至相鄰封裝體內(nèi)，進(jìn)而影響芯片功能，故傳統(tǒng)氣腔式封裝多采用單顆封裝的方式以避免破孔及溢膠，封裝產(chǎn)率也因此受到限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，于復(fù)數(shù)個相連氣腔式封裝體之間設(shè)置開放式氣槽，使封裝體在封裝膠材固化的過程中，氣腔內(nèi)的氣體可從開放式氣槽排出，因此能降低封裝體膠材破孔機率，并能一次封裝復(fù)數(shù)個封裝體，同時提高封裝合格率及
生產(chǎn)率。
[0006]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，包含一承載體(carrier)、復(fù)數(shù)個芯片(die)、復(fù)數(shù)條焊線(wire)、復(fù)數(shù)個墻體(wall)以及一上蓋(lid)，其中該承載體具有復(fù)數(shù)個晶座(die pad)及復(fù)數(shù)個引腳(lead);該復(fù)數(shù)個芯片中的每一芯片接合于一晶座上；該復(fù)數(shù)條焊線用來電性連結(jié)復(fù)數(shù)個芯片與復(fù)數(shù)個引腳；該復(fù)數(shù)個墻體設(shè)置于承載體上，以形成復(fù)數(shù)個腔室，其中每一個腔室容置有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，且每一墻體設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽；而該上蓋以封裝膠材覆蓋黏附于復(fù)數(shù)個墻體上，以將該復(fù)數(shù)個腔室密封而形成復(fù)數(shù)個密閉氣腔；在上蓋與墻體間的封裝膠材固化的過程中，腔室內(nèi)的氣體可從開式氣槽排出；該氣腔式封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)切割即形成復(fù)數(shù)個具有密閉氣腔的封裝體。
[0007]本發(fā)明也提另一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，包含一承載體、復(fù)數(shù)個芯片、復(fù)數(shù)條焊線以及一上蓋，其中該承載體具有復(fù)數(shù)個晶座及引腳；該復(fù)數(shù)個芯片中的每一芯片接合于一晶座上；該復(fù)數(shù)條焊線用來電性連結(jié)復(fù)數(shù)個芯片與復(fù)數(shù)個引腳；該上蓋下方設(shè)有復(fù)數(shù)個腔室，任兩個相鄰腔室之間設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽；而該上蓋以封裝膠材覆蓋黏附于承載體上，使每一個腔室內(nèi)覆蓋有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，并使該復(fù)數(shù)個腔室密封而形成復(fù)數(shù)個密閉氣腔；上蓋與承載體密封過程中，腔室內(nèi)的氣體可從開式氣槽排出；該氣腔式封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)切割即形成復(fù)數(shù)個具有密閉氣腔的封裝體。
[0008]此外，本發(fā)明提供一種氣腔式封裝方法，包括以下步驟:
[0009]Al.提供一承載體，具有復(fù)數(shù)個晶座及復(fù)數(shù)個引腳；
[0010]A2.形成復(fù)數(shù)個墻體于承載體上，以形成復(fù)數(shù)個腔室，其中每一個腔室容置有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，且每一個墻體上設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽；
[0011]A3.提供復(fù)數(shù)個芯片，其中每一個芯片接合于一晶座上；
[0012]A4.提供復(fù)數(shù)條焊線，焊接于復(fù)數(shù)個芯片與復(fù)數(shù)個引腳之間供電性連接；
[0013]A5.提供一上蓋，涂布封裝膠材于該上蓋的下或復(fù)數(shù)個墻體上，將上蓋覆蓋于復(fù)數(shù)個墻體上，固化該封裝膠材使上蓋黏附于復(fù)數(shù)個墻體上，以使復(fù)數(shù)個腔室密封而形成具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體；
[0014]A6.切割該具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體，以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個氣腔式封裝體。
[0015]本發(fā)明也提供另一種氣腔式封裝方法，包括以下步驟:
[0016]B1.提供一承載體，具有復(fù)數(shù)個晶座及復(fù)數(shù)個引腳，并提供復(fù)數(shù)個芯片，其中每一個芯片接合于一晶座上；
[0017]B2.提供復(fù)數(shù)條焊線，焊接于復(fù)數(shù)個芯片與復(fù)數(shù)個引腳之間供電性連接；
[0018]B3.提供一上蓋，其下方設(shè)有復(fù)數(shù)個腔室，且于任兩個相鄰腔室之間設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽；
[0019]B4.涂布封裝膠材于上蓋的下或承載體上，蓋覆該上蓋于該承載體上，使每一腔室內(nèi)至少有一個晶座及復(fù)數(shù)個引腳，固化封裝膠材使上蓋黏附于承載體上，以使該復(fù)數(shù)個腔室密封而形成具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體；
[0020]B5.切割該具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體，以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個氣腔式封裝體。
[0021]于實施時，前述結(jié)構(gòu)中的承載體由金屬材料或陶瓷材料所構(gòu)成。
[0022]于實施時，前述結(jié)構(gòu)中的封裝膠材是環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金。
[0023]于實施時，前述結(jié)構(gòu)中的墻體由高分子聚合物、陶瓷或金屬材料所構(gòu)成。
[0024]于實施時，前述結(jié)構(gòu)中的上蓋由高分子聚合物、陶瓷、玻璃或金屬材料所構(gòu)成。
[0025]于實施時，前述方法的該封裝膠材以加熱方式固化。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有的有益效果是:1.本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，可于一承載體上一次制作大量氣腔式封裝體，因此可提高氣腔式封裝產(chǎn)量。
[0027]2.本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，可適用于任何尺寸、型式與材料的氣腔式封裝體，只要在復(fù)數(shù)個相連氣腔式封裝體之間設(shè)置與外界相連通的開放式氣槽，當(dāng)封裝膠材在固化時氣腔式封裝體的氣腔內(nèi)的氣體壓力就可通過開放式氣槽排出，可以預(yù)防氣腔式封裝體的封裝膠材破孔的發(fā)生，進(jìn)而提高氣腔式封裝合格率。
[0028]3.本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，因氣腔式封裝體膠材破孔的機率降低，故可減少封裝膠材的用量，可避免因溢膠過多而滴落至芯片而影響芯片電性，進(jìn)而提高氣腔式封裝成品合格率。
[0029]4.本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，于承載體上形成設(shè)有開放式氣槽的墻體后，將一上蓋以封裝膠材覆蓋黏于墻體上，將封裝膠材固化后即可進(jìn)行切割形成單顆氣腔式封裝體，或直接制作設(shè)有開放式氣槽的上蓋，再將上蓋以封裝膠材覆蓋黏附于承載體上，即可進(jìn)行切割形成單顆氣腔式封裝體；兩種封裝結(jié)構(gòu)切割后封裝邊緣都不需再經(jīng)過研磨處理，其制作步驟較傳統(tǒng)氣腔式封裝方法簡便，因此可降低生產(chǎn)成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1A及圖1B是本發(fā)明所提供的一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)的一種實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2A及圖2B是本發(fā)明所提供的一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)的另一種實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖3A?圖3G是本發(fā)明所提供的一種氣腔式封裝方法的一種實施步驟；
[0033]圖4是本發(fā)明所提供的一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)的一種實施例中的截面俯視圖；
[0034]圖5A?圖5F是本發(fā)明所提供的一種氣腔式封裝方法的另一種實施步驟；
[0035]圖6是本發(fā)明所提供的一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)的一種實施例中上蓋的仰視圖；
[0036]圖7是本發(fā)明所提供的一種氣腔式封裝方法的流程圖；
[0037]圖8是本發(fā)明所提供的另一種氣腔式封裝方法的流程圖。
[0038]附圖標(biāo)記說明:氣腔式封裝體100 ;承載體101 ;晶座102 ;芯片103 ;焊線104 ;封裝膠材105 ;引腳106 ;墻體110 ;腔室111 ;開放式氣槽112 ;上蓋120 ;氣腔式封裝體200 ；承載體201 ;晶座202 ;芯片203 ;焊線204 ;封裝膠材205 ;引腳206 ;上蓋210 ;腔室211 ;開放式氣槽212。
【具體實施方式】
[0039]圖1A是本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)的一實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包含一承載體101、復(fù)數(shù)個芯片103、復(fù)數(shù)條焊線104、復(fù)數(shù)個墻體110以及一上蓋120，其中承載體101具有復(fù)數(shù)個晶座102及復(fù)數(shù)個引腳106 ;復(fù)數(shù)個芯片103中的每一芯片接合于一晶座102上；復(fù)數(shù)條焊線104用來電性連結(jié)復(fù)數(shù)個芯片103與復(fù)數(shù)個引腳106 ;復(fù)數(shù)個墻體110設(shè)置于承載體101上，以形成復(fù)數(shù)個腔室111，其中每一個腔室111容置有至少一晶座102及復(fù)數(shù)個引腳106，且每一墻體110設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽112 ;而上蓋120以封裝膠材105覆蓋黏附于復(fù)數(shù)個墻體110上，以將復(fù)數(shù)個腔室111密封而形成復(fù)數(shù)個密閉氣腔。將圖1A所示的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，即可獲得復(fù)數(shù)個如圖1B所示的具有密閉氣腔的封裝體100。
[0040]于實施時，前述實施例中的承載體101可為導(dǎo)線架式(lead-frame base)、基板式(substrate base)或陶瓷式(ceramic base),其中導(dǎo)線架式承載體可由銅合金、鎳合金、鈀合金或金合金等金屬材料所構(gòu)成；基板式承載體可由銅、樹脂、綠漆、金等材料組成；陶瓷式承載體可由氧化鋁、氮化鋁、或氧化鈹?shù)忍沾刹牧纤鶚?gòu)成;芯片103為半導(dǎo)體芯片，以化合物半導(dǎo)體芯片為較佳；芯片103可以如銀膠等膠質(zhì)材料黏附接合于晶座102上，一個晶座上可接合一或多個芯片；焊線104由導(dǎo)電性佳的金屬材料所構(gòu)成，其中以金或含金金屬為較佳；墻體110可依承載體上的晶座排列方式以及最后完成封裝體的設(shè)計制作成所需形狀，墻體上的開放式氣槽112可單邊或多邊與外界連通，或通過其它墻體上的開放式氣槽與外界連通，圖4為一墻體的一實施例的俯視圖，其中晶座以數(shù)組方式排列，墻體110縱橫交錯形成于承載體上，以形成數(shù)組方式排列的腔室111，其中每一個腔室容置有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，晶座上接合芯片103，而芯片103以焊線104電性聯(lián)接于引腳，而墻體上的開放式氣槽112互相連通成一網(wǎng)格狀，覆蓋上蓋并以封裝膠材密封后即形成復(fù)數(shù)個相連的封裝體數(shù)組，以2mmX2mm的封裝體為例，一次封裝作業(yè)可生產(chǎn)接近2000個封裝體；黏合墻體110與上蓋120的封裝膠材可選擇為熱固性封裝膠材如環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金；墻體Iio可由高分子聚合物如液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer, LCP)、塑料、陶瓷或金屬材料所構(gòu)成；而上蓋120可由高分子聚合物如液晶高分子聚合物(Liquid CrystalPolymer, LCP)、塑料、陶瓷、玻璃或金屬材料所構(gòu)成。
[0041]圖2A是本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)的另一種實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包含一承載體201、復(fù)數(shù)個芯片203、復(fù)數(shù)條焊線204以及一上蓋210，其中承載體201具有復(fù)數(shù)個晶座202及復(fù)數(shù)個引腳206 ;復(fù)數(shù)個芯片203中的每一芯片接合于一晶座202上；復(fù)數(shù)條焊線204用來電性連結(jié)復(fù)數(shù)個芯片203與復(fù)數(shù)個引腳206 ;上蓋210下方設(shè)有復(fù)數(shù)個腔室211，任兩個相鄰腔室之間設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽212，上蓋210以封裝膠材205黏附于承載體201上，使每一個腔室內(nèi)覆蓋有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，并使該復(fù)數(shù)個腔室密封而形成復(fù)數(shù)個密閉氣腔。將圖2A所示的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，即可獲得復(fù)數(shù)個如圖2B所示的具有密閉氣腔的封裝體200。
[0042]于實施時，前述實施例中的承載體201可為導(dǎo)線架式(lead-frame base)、基板式(substrate base)或陶瓷式(ceramic base),其中導(dǎo)線架式承載體可由銅合金、鎳合金、鈕合金或金合金等金屬材料所構(gòu)成；基板式承載體可由銅、樹脂、綠漆、金等材料組成；陶瓷式承載體可由氧化鋁、氮化鋁、或氧化鈹?shù)忍沾刹牧纤鶚?gòu)成;芯片203為半導(dǎo)體芯片，以化合物半導(dǎo)體芯片為較佳；芯片203可以如銀膠等膠質(zhì)材料黏附接合于晶座202上，一個晶座上可接合一或多個芯片；電性連接芯片與承載體的焊線204由導(dǎo)電性佳的金屬材料所構(gòu)成，其中以金或含金金屬為較佳；本實施例以一個一體成型的上蓋210取代前述實施例于承載體101上設(shè)置復(fù)數(shù)個墻體及腔室的方式，上蓋210的構(gòu)型可依承載體101上的晶座排列方式以及最后完成封裝體的設(shè)計制作成所需形狀，上蓋中所設(shè)置的開放式氣槽212可單邊或多邊與外界連通，或通過其它上蓋中的開放式氣槽與外界連通，圖6為一上蓋的一實施例的仰視圖，上蓋210所形成的腔室211以數(shù)組方式排列，而腔室間的開放式氣槽212互相連通成一網(wǎng)格狀，涂布封裝膠材205于上蓋210的下或承載體201上，覆蓋上蓋210于承載體201上，并將封裝膠材205固化后即形成復(fù)數(shù)個相連的氣腔式封裝體數(shù)組，以2mmX 2mm的封裝體為例，一次封裝作業(yè)可生產(chǎn)接近2000個封裝體；黏合上蓋210與承載體201的封裝膠材是可選擇熱固性封裝膠材如環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金；上蓋210可由聚合物如液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer, LCP)、塑料、陶瓷、玻璃或金屬材料所構(gòu)成。
[0043]圖3A?圖3G是本發(fā)明所提供的氣腔式封裝方法的一種實施步驟:
[0044]Al.提供一承載體101,具有復(fù)數(shù)個晶座102及復(fù)數(shù)個引腳106 ；
[0045]A2.形成復(fù)數(shù)個墻體110于該承載體上，以形成復(fù)數(shù)個腔室111，其中每一個腔室容置有至少一晶座102及復(fù)數(shù)個引腳106 ;于每一個墻體110上設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽112 ;
[0046]A3.提供復(fù)數(shù)個芯片103，其中每一個芯片103接合于一晶座102上；
[0047]A4.提供復(fù)數(shù)條焊線104，焊接于芯片103與復(fù)數(shù)個引腳106之間供電性連接；[0048]A5.提供一上蓋，涂布封裝膠材105于上蓋120的下或復(fù)數(shù)個墻體110上，將上蓋120覆蓋于復(fù)數(shù)個墻體110上，固化封裝膠材105使上蓋120黏附于復(fù)數(shù)個墻體110上，以使復(fù)數(shù)個腔室111密封而形成具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體；
[0049]A6.切割該具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體，以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個氣腔式封裝體100。
[0050]于實施時，前述實施步驟中墻體110上的開放式氣槽112可于墻體形成后再加以切割(如圖3A及B3圖)，或直接于承載體101上形成具有開放式氣槽112的墻體110 ;封裝膠材可選擇為熱固性膠材如環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金，可涂布于上蓋下方或墻體上方，將上蓋120覆蓋于墻體110之后，以加熱方式固化該封裝膠材105,使上蓋120黏附于墻體110上；在此步驟中，因加熱造成腔室111內(nèi)外壓差而使腔室111中的氣體壓力排出，涂布于上蓋120及墻體110間的封裝膠材105會因受擠壓而溢出(如圖3F的箭號所示)，而因本發(fā)明所提供的結(jié)構(gòu)于封裝墻體110間設(shè)有開放式氣槽112，因此溢膠可流入開放式氣槽112，腔室111中的氣體也可從開放式氣槽112排出，而不會破壞相鄰封裝體的結(jié)構(gòu)。
[0051]圖5A?圖5F是本發(fā)明所提供的氣腔式封裝方法的一種實施步驟:
[0052]B1.提供一承載體201，具有復(fù)數(shù)個晶座202及復(fù)數(shù)個引腳206，并提供復(fù)數(shù)個芯片203，其中每一個芯片接合于一晶座202上；
[0053]B2.提供復(fù)數(shù)條焊線204，焊接于復(fù)數(shù)個芯片203與復(fù)數(shù)個引腳206之間供電性連接;
[0054]B3.提供一上蓋210，其下方設(shè)有復(fù)數(shù)個腔室211，且于任兩個相鄰腔室之間設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽212 ；
[0055]B4.涂布封裝膠材于上蓋210的下或承載體201上，蓋覆上蓋210于承載體201上，使每一腔室211內(nèi)至少有一個晶座202及復(fù)數(shù)個引腳206，固化封裝膠材205使上蓋210黏附于承載體201上，以使該復(fù)數(shù)個腔室211密封而形成具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體；
[0056]B5.切割該具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體，以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個氣腔式封裝體200。
[0057]于實施時，前述實施步驟中上蓋210中的開放式氣槽212可于上蓋形成后再加以切割，或直接以模型制作成具有開放式氣槽的上蓋；封裝膠材205可選擇為熱固性膠材如環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金,可涂布于上蓋210下方或承載體上201方,將上蓋210覆蓋于承載體201之后，以加熱方式固化該封裝膠材205，使上蓋210黏附于承載體201上；在此步驟中，因加熱造成腔室211內(nèi)外壓差而使腔室211中的氣體壓力排出，涂布于上蓋210及承載體201間的封裝膠材205會因受擠壓而溢出(如圖5E的箭號所示)，腔室211中排出的氣體及溢膠可從上蓋210中的開放式氣槽212排出，而不會破壞相鄰封裝體的結(jié)構(gòu)。
[0058]本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0059]1.本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，可于一承載體上一次制作大量氣腔式封裝體，因此可提高氣腔式封裝產(chǎn)量。
[0060]2.本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，可適用于任何尺寸、型式與材料的氣腔式封裝體，只要在復(fù)數(shù)個相連氣腔式封裝體之間設(shè)置與外界相連通的開放式氣槽，當(dāng)封裝膠材在固化時氣腔式封裝體的氣腔內(nèi)的氣體壓力就可通過開放式氣槽排出，可以預(yù)防氣腔式封裝體的封裝膠材破孔的發(fā)生，進(jìn)而提高氣腔式封裝合格率。
[0061]3.本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，因氣腔式封裝體膠材破孔的機率降低，故可減少封裝膠材的用量，可避免因溢膠過多而滴落至芯片而影響芯片電性，進(jìn)而提高氣腔式封裝成品合格率。
[0062]4.本發(fā)明所提供的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)及方法，于承載體上形成設(shè)有開放式氣槽的墻體后，將一上蓋以封裝膠材覆蓋黏于墻體上，將封裝膠材固化后即可進(jìn)行切割形成單顆氣腔式封裝體，或直接制作設(shè)有開放式氣槽的上蓋，再將上蓋以封裝膠材覆蓋黏附于承載體上，即可進(jìn)行切割形成單顆氣腔式封裝體；兩種封裝結(jié)構(gòu)切割后封裝邊緣都不需再經(jīng)過研磨處理，其制作步驟較傳統(tǒng)氣腔式封裝方法簡便，因此可降低生產(chǎn)成本。
[0063]綜上所述，本發(fā)明確實可達(dá)到預(yù)期的目的，而提供一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，具有復(fù)數(shù)個相連的氣腔式封裝體，且相鄰封裝體之間設(shè)有開放式氣槽，使氣腔式封裝體的封裝膠材在固化的過程中，氣腔式封裝體的氣腔內(nèi)的氣體壓力可從開放式氣槽排出，因此能降低氣腔式封裝體的封裝膠材破孔機率，并能一次封裝復(fù)數(shù)個氣腔式封裝體，同時提高氣腔式封裝合格率及生產(chǎn)率。其確具有產(chǎn)業(yè)利用的價值，爰依法提出專利申請。
[0064]以上說明對本發(fā)明而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修改、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一承載體，具有復(fù)數(shù)個晶座及復(fù)數(shù)個引腳； 復(fù)數(shù)個芯片，其中每一芯片接合于一晶座上； 復(fù)數(shù)條焊線，用來電性連結(jié)該復(fù)數(shù)個芯片與該復(fù)數(shù)個引腳； 復(fù)數(shù)個墻體，設(shè)置于該承載體上，以形成復(fù)數(shù)個腔室，其中每一個腔室容置有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，且每一墻體設(shè)有至少一與外界相連通的開放式氣槽；以及 一上蓋，以封裝膠材覆蓋黏附于該復(fù)數(shù)個墻體上，以將該復(fù)數(shù)個腔室密封而形成復(fù)數(shù)個密閉氣腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該承載體由金屬材料或陶瓷材料所構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該封裝膠材是環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該墻體由高分子聚合物、陶瓷或金屬材料所構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該上蓋由高分子聚合物、陶瓷、玻璃或金屬材料所構(gòu)成。
6.一種氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含: 一承載體，具有復(fù)數(shù)個晶座及復(fù)數(shù)個引腳； 復(fù)數(shù)個芯片，其中每一芯片接合于一晶座上； 復(fù)數(shù)條焊線，用來電性連結(jié)該復(fù)數(shù)個芯片與該復(fù)數(shù)個引腳；以及一上蓋，其下方設(shè)有復(fù)數(shù)個腔室，任兩個相鄰腔室之間設(shè)有至少一個與外界相連通的開放式氣槽，該上蓋以封裝膠材覆蓋黏附于該承載體上，使每一個腔室內(nèi)覆蓋有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，并使該復(fù)數(shù)個腔室密封而形成復(fù)數(shù)個密閉氣腔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該承載體由金屬材料銅或陶瓷材料所構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該封裝膠材是環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣腔式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該上蓋由高分子聚合物、陶瓷、玻璃或金屬材料所構(gòu)成。
10.一種氣腔式封裝方法，其特征在于，包含以下步驟: Al.提供一承載體，具有復(fù)數(shù)個晶座及復(fù)數(shù)個引腳； A2.形成復(fù)數(shù)個墻體于該承載體上，以形成復(fù)數(shù)個腔室，其中每一個腔室容置有至少一晶座及復(fù)數(shù)個引腳，且每一個墻體上設(shè)有至少一個與外界相連通的開放式氣槽； A3.提供復(fù)數(shù)個芯片，其中每一個芯片接合于一晶座上； A4.提供復(fù)數(shù)條焊線，焊接于該復(fù)數(shù)個芯片與該復(fù)數(shù)個引腳之間供電性連接； A5.提供一上蓋，涂布封裝膠材于該上蓋的下或該復(fù)數(shù)個墻體上，將該上蓋覆蓋于該復(fù)數(shù)個墻體上，固化該封裝膠材使該上蓋黏附于該復(fù)數(shù)個墻體上，以使該復(fù)數(shù)個腔室密封而形成具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體； A6.切割該具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體，以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個氣腔式封裝體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氣腔式封裝方法，其特征在于:在步驟A5中，該封裝膠材以加熱方式固化。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣腔式封裝方法，其特征在于:該封裝膠材是環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金。
13.一種氣腔式封裝方法，其特征在于，包含以下步驟: B1.提供一承載體，具有復(fù)數(shù)個晶座及復(fù)數(shù)個引腳，并提供復(fù)數(shù)個芯片，其中每一個芯片接合于一晶座上； B2.提供復(fù)數(shù)條焊線，焊接于該復(fù)數(shù)個芯片與該復(fù)數(shù)個引腳之間供電性連接； B3.提供一上蓋，其下方設(shè)有復(fù)數(shù)個腔室，且在任兩個相鄰腔室之間設(shè)有至少一個與外界相連通的開放式氣槽； B4.在該上蓋下或該承載體上涂布封裝膠材，在該承載體上蓋覆該上蓋，使每一容置空間內(nèi)至少有一個晶座及復(fù)數(shù)個引腳，固化該封裝膠材使該上蓋黏附在該承載體上，以使該復(fù)數(shù)個腔室密封而形成具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體； B5.切割該具有密閉氣腔的復(fù)數(shù)相連氣腔式封裝體，以產(chǎn)生復(fù)數(shù)個氣腔式封裝體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的氣腔式封裝方法，其特征在于:在步驟B4中，該封裝膠材以加熱方式固化。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的氣腔式封裝方法，其特征在于:該封裝膠材是環(huán)氧樹脂、UV膠或錫金。`
【文檔編號】H01L23/15GK103730426SQ201210390950
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月15日
【發(fā)明者】傅志宏, 楊菘貿(mào), 朱峻霆, 許文景 申請人:穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司