專利名稱：具有增強的發(fā)光特性的有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法
具有增強的發(fā)光特性的有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域
本說明書涉及具有改進的發(fā)光效率的有機發(fā)光顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來，在顯示技術(shù)領(lǐng)域中，有機發(fā)光顯示設(shè)備正被廣泛關(guān)注。有機發(fā)光顯示設(shè)備是一種利用當電子和空穴耦合在一起以形成激子、然后激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)換到基態(tài)以由此發(fā)光時產(chǎn)生的光的顯示裝置。
有機發(fā)光顯示設(shè)備包括用于注入空穴的電極、用于注入電子的電極和發(fā)光層，有機發(fā)光顯示設(shè)備具有將發(fā)光層疊放在用于注入空穴的電極(即陽極)和用于注入電子的電極(即陰極)之間的結(jié)構(gòu)。更詳細地，在從有機發(fā)光顯示設(shè)備的陰極注入電子和從有機發(fā)光設(shè)備的陽極注入空穴之后，通過外部電場，電子和空穴在相反的方向上移動，之后電子和空穴在發(fā)光層中耦合在一起，以形成激子，然后激子從激發(fā)態(tài)變化到基態(tài)，因此發(fā)光。有機發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光層由有機單體或有機聚合物形成。
圖1示意地示出了有機發(fā)光顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
圖1的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括襯底10、半導(dǎo)體層20、絕緣層30、陽極40、像素限定層50、發(fā)光層60和陰極70。
更詳細地，半導(dǎo)體層20形成在透明或不透明的襯底10上，絕緣層30形成在半導(dǎo)體層20上。陽極40形成在絕緣層30上，從而與半導(dǎo)體層20電耦合。陽極40由像素限定層50限定在像素的單元中。發(fā)光層60形成在像素單元中所限定的陽極40上。發(fā)光層60可以限定成紅色發(fā)光層61、綠色發(fā)光層62和藍色發(fā)光層63。陰極70形成在發(fā)光層61、62和63以及像素限定層(PDL) 50上。
圖2示出了多個有機材料層疊放在有機發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光層60之上和之下的結(jié)構(gòu)?？昭ㄗ⑷雽?5和空穴傳輸層66形成在發(fā)光層60和陽極40之間，電子傳輸層68和電子注入層69形成在發(fā)光層60和陰極70之間。作為參考，發(fā)光層60、空穴注入層65、空穴傳輸層66、電子傳輸層68和電子注入層69由有機材料形成，因此它們都稱為有機材料層。此外，因為在很多情況下，電子注入層69由金屬元素或金屬元素的復(fù)合物形成，因此電子注入層69可以限定為不包括在有機材料層中的單獨的層。
該有機發(fā)光顯示設(shè)備包括多個像素，例如紅色發(fā)光層(紅色像素)、綠色發(fā)光層(綠色像素)和藍色發(fā)光層(藍色像素)，并且可以通過結(jié)合這些像素來表示全色。
圖3更具體地示出了有機發(fā)光顯示設(shè)備。參照圖3,半導(dǎo)體層20包括柵電極22、漏電極23和源電極24，通過插設(shè)的絕緣層(柵絕緣層)21將這些電極分開。這里，陽極40連接到半導(dǎo)體層20的漏電極23。
在有關(guān)的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，線81形成在上部保護襯底80中，以為陰極70(gp上電極)提供電功率，以使下部襯底10的電源連接到陰極70。更詳細地，如圖3所示，金屬焊盤82和線81設(shè)置在上部保護襯底80中，從而使陰極70和線81彼此連接，當下部襯底10和上部保護襯底80被接合和密封時，形成單獨的導(dǎo)線90，從而將下部電源連接到線81。
但是，在上述結(jié)構(gòu)中，將電源連接到陰極70 (B卩，上電極)時，電荷不能順利地提供給陰極70。特別是，在大面積有機發(fā)光顯示設(shè)備中，很難在具有大面積的整個陰極70上均勻地提供電荷。因此，限制了對優(yōu)異的發(fā)光特性的獲得。發(fā)明內(nèi)容
相應(yīng)地,本發(fā)明的實施方式的一個方面在于提供一種有機發(fā)光顯不設(shè)備，通過該有機發(fā)光顯示設(shè)備，電荷可以順利地提供給上電極。
本發(fā)明的實施方式的一個方面在于提供一種有機發(fā)光顯不設(shè)備,通過該有機發(fā)光顯示設(shè)備，電荷可以順利地提供給位于頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光表面?zhèn)壬系纳想姌O，因此改進了發(fā)光效率。
本發(fā)明的實施方式的一個方面在于提供一種發(fā)光顯不設(shè)備,其中電功率可以順利地提供給頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光表面電極，以改進其發(fā)光效率。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括:襯底；半導(dǎo)體層，位于所述襯底上；電源線，位于所述襯底上且與所述半導(dǎo)體層間隔開；絕緣層，位于所述半導(dǎo)體層和所述電源線上；第一電極，位于所述絕緣層上；像素限定層，在像素單元中限定所述第一電極；發(fā)光層，位于由所述像素限定層在像素單元中所限定的所述第一電極上；通孔，位于所述電源線上且穿過所述絕緣層和所述像素限定層；以及第二電極，位于所述發(fā)光層和所述像素限定層上，且通過所述通孔電耦合到所述電源線。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，空穴注入層和/或空穴傳輸層設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，電子傳輸層和/或電子注入層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述第二電極之間。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述第一電極是陽極，所述第二電極是陰極。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述第一電極電耦合到所述半導(dǎo)體層。更具體地，所述半導(dǎo)體層包括柵電極、源電極和漏電極，所述第一電極連接到所述半導(dǎo)體層的所述漏電極。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述電源線設(shè)置為向陰極提供電功率。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述通孔的平均直徑是0.5至500 μ m。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，傳導(dǎo)材料填充到所述通孔中，所述第二電極連接到所述傳導(dǎo)材料。
這里，傳導(dǎo)材料可以是金屬膏。金屬膏可以包括銀(Ag)膏、銅(Cu)膏和/或鋁(Al)膏。它們可以單獨使用，也可以將其兩種或多種混合使用。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述第二電極是光透射電極。
也就是說，發(fā)光表面可以是第二電極，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以是頂部發(fā)光型。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，提供了一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括:在襯底上形成半導(dǎo)體層；在所述襯底上形成電源線，以與所述半導(dǎo)體層間隔開；在所述半導(dǎo)體層和所述電源線上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成第一電極；形成像素限定層，以在像素單元中限定所述第一電極；在由所述像素限定層在像素單元中所限定的所述第一電極上形成發(fā)光層；形成通孔，以穿過所述電源線上的所述絕緣層和所述像素限定層，以暴露部分所述電源線；以及在所述發(fā)光層和所述像素限定層上形成第二電極，以通過所述通孔將所述第二電極電耦合到所述電源線。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，該方法還包括:在形成所述發(fā)光層之前，在所述第一電極上形成空穴注入層和/或空穴傳輸層的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，該方法還包括:在形成所述第二電極之前，在所述發(fā)光層上形成電子注入層和/或電子傳輸層的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，第一電極是陽極，第二電極是陰極。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，在形成所述第一電極的步驟中，將所述第一電極電耦合到所述半導(dǎo)體層。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，形成所述半導(dǎo)體層的步驟包括:形成柵電極的步驟，形成源電極的步驟和形成漏電極的步驟，并且形成所述第一電極的步驟包括將所述第一電極連接到所述半導(dǎo)體層的所述漏電極的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述電源線用于為陰極提供電功率。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述通孔由激光形成。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述通孔的平均直徑是0.5至500 μ m。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，該方法還包括:在形成所述第二電極之前，在所述通孔中填充傳導(dǎo)材料的步驟，并且在形成所述第二電極的步驟中，所述第二電極和填充到所述通孔中的所述傳導(dǎo)材料彼此連接。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，所述第二電極由光透射材料形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括:襯底；半導(dǎo)體層，位于所述襯底上；電源線，位于所述襯底上，與所述半導(dǎo)體層間隔開；絕緣層，位于所述半導(dǎo)體層和所述電源線上；第一電極，位于所述絕緣層上且電耦合到所述半導(dǎo)體層；像素限定層，在像素單元中限定所述第一電極；發(fā)光層，位于由所述像素限定層限定的所述第一電極上；通孔，位于所述電源線上且穿過所述絕緣層和所述像素限定層；以及第二電極，位于所述發(fā)光層和所述像素限定層上，且通過所述通孔電耦合到所述電源線。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，提供了一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括:在襯底上形成半導(dǎo)體層；在所述襯底上形成電源線，以與所述半導(dǎo)體層間隔開；在所述半導(dǎo)體層和所述電源線上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成第一電極，以電耦合到所述半導(dǎo)體層；在所述絕緣層上形成像素限定層，以在像素單元中限定所述第一電極；在像素單元中限定的所述第一電極上形成發(fā)光層；形成通孔，以穿過所述絕緣層和所述像素限定層，從而暴露出至少部分所述電源線；以及在所述發(fā)光層和所述像素限定層上形成第二電極，以通過所述通孔將所述第二電極電耦合到所述電源線。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，因為上電極(例如第二電極)可以通過通孔電耦合至(例如連接至)電源線，所以電荷可以順利地提供給有機發(fā)光顯示設(shè)備的上電極。因此，可以提聞有機發(fā)光顯不設(shè)備的發(fā)光效率。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，特別是，在頂部發(fā)光型顯示設(shè)備中，因為位于發(fā)光表面上的陰極(即上電極，例如第二電極)可以通過通孔連接到位于襯底上的電源線，所以電荷可以順利地提供給陰極，因此可以提高發(fā)光效率。


參照附圖從以下詳細說明中，本發(fā)明的上述和其它目標、特征和優(yōu)點將更加清晰；其中
圖1示意地示出了有機發(fā)光顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)；
圖2示出了多個有機材料層疊放在有機發(fā)光顯示設(shè)備的發(fā)光層之上和之下的結(jié)構(gòu)；
圖3更具體地示出了有關(guān)的有機發(fā)光顯示設(shè)備；
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備；
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備；
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備；
圖7A到7G示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法；
圖8A到8D示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法；以及
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備。
具體實施方式
在下文中，將參照附圖更加詳細地描述本發(fā)明的示例性實施方式。但是，本發(fā)明的范圍不局限于以下描述的實施方式和附圖中。
作為參考，在附圖中，元件及其形狀被示意性地畫出或放大，以幫助本發(fā)明的理解。在附圖中，相同的/相似的參考標記表示相同的/相似的元件。
此外，當描述層或單元位于另一層或單元上時,該層或單元不僅可以直接地與該另一層或單元相接觸，還可以有一個或多個第三層或單元夾置在它們之間。
圖4示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備。
有機發(fā)光顯示設(shè)備包括:襯底100 ;形成在襯底100上的半導(dǎo)體層(包括柵電極220、源電極230和漏電極240，柵電極220、源電極230和漏電極240由夾置的絕緣(柵絕緣)層210分開)；形成在襯底100上且與半導(dǎo)體層220、230和240間隔開的電源線250 ;形成在半導(dǎo)體層220、230和240和電源線250上的絕緣層300 ;形成在絕緣層300上的第一電極400 ;在像素單元中限定第一電極400的像素限定層500 ;形成在由像素限定層500在像素單元中限定的第一電極400上的發(fā)光層610、620和630 ;形成在電源線250上且穿過絕緣層300和像素限定層500的通孔710 ；以及形成在發(fā)光層610、620和630和像素限定層500上的第二電極700。這里，第二電極700通過通孔710電耦合到電源線250。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，第一電極是陽極，第二電極是陰極。可選地，第一電極可以是陰極，第二電極可以是陽極。在下文中，為了一致，將描述第一電極是陽極且第二電極是陰極的實施方式。
根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯不設(shè)備可以是底部發(fā)光型，其中第一電極作為發(fā)光表面，也可以是頂部發(fā)光型，其中第二電極作為發(fā)光表面。在下文中，為了一致，將描述第二電極作為發(fā)光表面的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯不設(shè)備。
在頂部發(fā)光型中，第二電極700是光透射電極。此外，第一電極可以是反射電極。
在下面的實施方式中，第二電極是陰極，其中電源線設(shè)置為向陰極提供電功率。
更詳細地，可以隨意選擇通常用于有機發(fā)光顯示設(shè)備的襯底，并且可以用于襯底100。作為襯底的實施例，可以使用具有適當?shù)臋C械強度、適當?shù)臒岱€(wěn)定性、適當?shù)耐该鞫群?或適當?shù)钠秸砻?可易于加工且具有極好的抗水(防水)性)的玻璃襯底或透明塑料襯。
此外，使用化學(xué)氣相沉積或物理汽相沉積，可以利用硅氧化物膜、硅氮化物膜、有機膜或多層的絕緣層將緩沖層設(shè)置在襯底100上。緩沖層作為阻止或防止下部襯底中產(chǎn)生的水分或氣體影響上部設(shè)備的屏障。
從圖7A中可以看出，半導(dǎo)體層220、230和240設(shè)置在襯底100的上表面上。作為半導(dǎo)體層220、230和240的實施例，在實施方式中形成TFT，半導(dǎo)體層220、230和240包括柵電極220、源電極240和漏電極230。
為了形成TFT，即半導(dǎo)體層220、230和240，柵電極材料沉積在襯底100上，然后進行構(gòu)圖，以形成柵電極220。此后，夾置的絕緣層(即柵絕緣層210)形成在柵電極220上和襯底100的整個表面上。夾置的絕緣層(柵絕緣層)210可以是硅氧化物膜、硅氮化物膜、有機膜或多層上述膜。接著，在柵電極220的上部，漏電極230和源電極240形成在夾置的絕緣層210上。
此外，如圖7A所示，電源線250被設(shè)置為與半導(dǎo)體層220、230和240間隔開。電源線250可以由傳導(dǎo)材料形成。例如，電源線250可以由諸如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)和鋁(Al)的金屬材料形成，或者可以由諸如ITO、IZO和AZO的透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)形成。但是，電源線250的材料不局限于上述材料。
電源線的寬度和厚度可以根據(jù)條件的需要任意確定。電源線的寬度和厚度可以根據(jù)顯示裝置的尺寸而改變，并且可以根據(jù)發(fā)光層的像素的間隔而改變。電源線可以通過沉積和濺射形成。
如上所述，在半導(dǎo)體層220、230和240和電源線250形成之后，絕緣層300形成在半導(dǎo)體層和襯底的電源線上(參見圖7B)。
絕緣層300可以通過化學(xué)氣相沉積或物理汽相沉積由硅氧化物膜、硅氮化物膜或有機層形成，或者可以由疊置的多個層形成。
絕緣層300還稱作平坦化層。
第一電極4 00形成在絕緣層300上(參見圖7C)。第一電極可以被圖案化，并且可以被限定用于紅色、綠色和藍色子像素。在實施方式中，第一電極是陽極。
第一電極400可以是透明電極、半透明電極或反射電極，并且可以由透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)形成，例如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、二氧化錫(SnO2)和氧化鋅(ZnO)0第一電極400可以進行適當?shù)母倪M，例如，可以被改進為具有將透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)和金屬層疊置的結(jié)構(gòu)。第一電極400的材料和結(jié)構(gòu)不局限于如上所述的。
第一電極400電耦合到半導(dǎo)體層220、230和240。在實施方式中，如圖7C所示，半導(dǎo)體層220、230和240的漏電極230連接到第一電極400。
接著，如圖7D所示，通過形成像素限定層500，將第一電極400限定在像素單元中。像素限定層500可以由絕緣材料形成。像素限定層500還稱作分隔屏障或像素間隔壁。像素限定層500可以由本發(fā)明所涉及的領(lǐng)域中通常使用的方法來形成。
通過像素限定層500，在像素單元中可以將第一電極400構(gòu)圖并限定為紅色像素、綠色像素和藍色像素。
發(fā)光層形成在通過像素限定層限定在像素單元中的第一電極400上(參見圖7E)。發(fā)光層包括紅色發(fā)光層610、綠色發(fā)光層620和藍色發(fā)光層630。
發(fā)光層可以由有機發(fā)光材料形成。有機發(fā)光材料可以選自市場上可購得的材料。
發(fā)光層的形成方法包括真空沉積、旋涂、鑄造、朗繆爾-布勞杰特(Langmuir-Blodgett, LB)以及可以使用本發(fā)明涉及的領(lǐng)域中所通常使用的方法。
此外，雖未示出，但空穴注入層和空穴傳輸層的至少一個可以進一步設(shè)置在第一電極400和發(fā)光層之間。
空穴注入層是有機層，空穴注入層可以通過真空熱沉積或旋涂等選擇地形成。用于形成空穴注入層的材料可以選自本領(lǐng)域中通常用作空穴注入材料的那些材料。
空穴傳輸層也是有機層，并且可以通過諸如真空沉積、旋涂、鑄造、LB等各種方法形成。
接著，如圖7F所示，形成穿過像素限定層500和絕緣層300的通孔710。通過通孔710暴露電源線250。
雖然通孔710可以穿過發(fā)光層610、620和630，但是考慮到發(fā)光質(zhì)量，在本實施方式中通孔710被設(shè)計為穿過像素限定層500和絕緣層300。
通孔710的平均直徑的范圍可以是0.5-500 μ m。當然，通孔710的直徑范圍可以與上述范圍不同。此外，考慮到經(jīng)由通孔710向第二電極700所提供的功率供應(yīng)特性和發(fā)光特性，通孔710的平均直徑被限制在一定范圍內(nèi)。如果通孔710的直徑小于0.5 μ m，則電功率不會順利地提供給第二電極，如果通孔710的直徑超過500 μ m,則像素限定層500會被損壞。如果像素限定層500占據(jù)的面積足夠大，則通孔710的直徑可以變得更大。
通孔710可以由激光形成。用于在有機材料中形成通孔710的該激光可以不受限制地使用。
通過調(diào)整激光輻射量，可以調(diào)整通孔710的深度和直徑。在實施方式中，可以使用具有5-lOmJ/cm2強度的激光。
接著，如圖7G所示，第二電極700形成在發(fā)光層和像素限定層500上，作為陰極。第二電極700可以由具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物及其混合物形成。詳細的實施例包括鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-1n)和鎂-銀(Mg-Ag)。諸如ITO和IZO的透射材料可以用于得到頂部發(fā)光型發(fā)光裝置。
當形成第二電極700時，第二電極700延伸到通孔710中。當?shù)诙姌O700延伸到通孔710中和/或延伸穿過通孔710時，第二電極700可以連接至電源線250。
可以通過真空沉積或濺射形成第二電極700。
雖然在附圖中沒有示出，但是電子傳輸層和電子注入層的至少一個可以進一步設(shè)置在發(fā)光層和第二電極700之間。
在一個實施方式中，電子傳輸層由其對注入電子的傳輸性能較強的材料形成。此夕卜，電子注入層幫助從第二電極700注入電子。
可以通過真空沉積、旋涂或鑄造來形成和疊置電子傳輸層和電子注入層。雖然沉淀條件依賴于所使用的化合物，但是其可以選自與空穴注入層的形成基本相同的條件。
參照圖5，用于保護發(fā)光層的保護襯底810可以設(shè)置在有機發(fā)光顯示設(shè)備中。
如圖6所示，代替保護襯底，可以形成透明的覆蓋層800。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，可以在通孔中填充傳導(dǎo)材料，第二電極可以連接至該傳導(dǎo)材料。
更詳細地，如圖8A所示，形成穿過像素限定層500和絕緣層300的通孔710。
此后，如圖8B所示，因為傳導(dǎo)材料(金屬膏)721注入到通孔710中，因此如圖8C所示填充了傳導(dǎo)材料720。
這里，傳導(dǎo)材料721可以由金屬膏形成。金屬膏包括銀(Ag)膏、銅(Cu)膏和/或鋁(Al)膏。它們可以單獨使用，也可以將其兩種或多種混合使用。可用于圖SC所示的傳導(dǎo)材料720的金屬膏不局限于上述材料。
此后，在形成第二電極700的步驟中，第二電極700連接到填充于通孔710(圖8D)中的傳導(dǎo)材料。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括:襯底；形成在襯底上的半導(dǎo)體層；形成在襯底上且與半導(dǎo)體層間隔開的電源線；形成在半導(dǎo)體層和電源線上的絕緣層；形成在絕緣層上并連接至半導(dǎo)體層的第一電極；在像素單元中限定第一電極的像素限定層；形成在由像素限定層限定的第一電極上的發(fā)光層；形成在電源線上且穿過絕緣層和像素限定層的通孔；以及形成在發(fā)光層和像素限定層上且通過通孔電耦合到電源線的第二電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，提供了一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括:在襯底上形成半導(dǎo)體層；在襯底上形成電源線，以使電源線與半導(dǎo)體層間隔開；在半導(dǎo)體層和電源線上形成絕緣層；在絕緣層上形成第一電極，以使第一電極連接到半導(dǎo)體層；在絕緣層上形成像素限定層，以在像素單元中限定第一電極；在像素單元中限定的第一電極上形成發(fā)光層；形成穿過絕緣層和像素限定層的通孔，以使一些電源線露出；以及在發(fā)光層和像素限定層上形成第二電極，以使第二電極通過通孔連接到電源線。
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機發(fā)光顯示設(shè)備的另一實施例。
在圖9中，作為半導(dǎo)體層的實施例，薄膜晶體管形成在襯底的上表面上，半導(dǎo)體層包括柵電極220、漏電極230和源電極240。圖9所示的薄膜晶體管(TFT)具有頂柵結(jié)構(gòu)。
為了形成TFT (即半導(dǎo)體層)，漏電極材料和源電極材料沉積在襯底上，且被構(gòu)圖為形成漏電極230和源電極240。然后，夾置的絕緣層210形成在漏電極230、源電極240和襯底的整個表面上。接著，柵電極220形成在夾置的絕緣層210上。其他步驟與描述圖7A到圖7G的步驟的上述步驟相同。
根據(jù)圖9的有機發(fā)光顯示設(shè)備可以是底部發(fā)光型，其中指向第一電極400的表面作為發(fā)光表面，也可以是頂部發(fā)光型，其中指向第二電極的表面作為發(fā)光表面700。
上述說明根據(jù)本發(fā)明討論了有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。在本發(fā)明的上述說明中，已經(jīng)詳細地及限制性地描述了實施方式和附圖，但是實施方式和附圖可以進行適當?shù)男薷?，并且這些修改也應(yīng)當落到本發(fā)明的范圍中或其等同的范圍中。
權(quán)利要求
1.有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括: 襯底； 半導(dǎo)體層，位于所述襯底上； 電源線，位于所述襯底上且與所述半導(dǎo)體層間隔開； 絕緣層，位于所述半導(dǎo)體層和所述電源線上； 第一電極，位于所述絕緣層上； 像素限定層，在像素單元中限定所述第一電極； 發(fā)光層，位于由所述像素限定層在像素單元中所限定的所述第一電極上； 通孔，位于所述電源線上且穿過所述絕緣層和所述像素限定層；以及 第二電極，位于所述發(fā)光層和所述像素限定層上，且通過所述通孔電耦合到所述電源線。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，空穴注入層和/或空穴傳輸層設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，電子傳輸層和/或電子注入層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述第二電極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述第一電極是陽極，所述第二電極是陰極。
5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述第一電極電耦合到所述半導(dǎo)體層。
6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體層包括柵電極、源電極和漏電極，所述第一電極連接到所述半導(dǎo)體層的所述漏電極。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述電源線設(shè)置為向陰極提供電功率。
8.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述通孔的平均直徑是0.5至500 μ m0
9.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，傳導(dǎo)材料填充到所述通孔中，所述第二電極連接到所述傳導(dǎo)材料。
10.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中，所述第二電極是光透射電極。
11.制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括: 在襯底上形成半導(dǎo)體 層； 在所述襯底上形成電源線，以與所述半導(dǎo)體層間隔開； 在所述半導(dǎo)體層和所述電源線上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成第一電極； 形成像素限定層，以在像素單元中限定所述第一電極； 在由所述像素限定層在像素單元中所限定的所述第一電極上形成發(fā)光層； 形成通孔，以穿過所述電源線上的所述絕緣層和所述像素限定層，以暴露部分所述電源線；以及 在所述發(fā)光層和所述像素限定層上形成第二電極，以通過所述通孔將所述第二電極電耦合到所述電源線。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 在形成所述發(fā)光層之前，在所述第一電極上形成空穴注入層和/或空穴傳輸層。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 在形成所述第二電極之前，在所述發(fā)光層上形成電子注入層和/或電子傳輸層。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在形成所述第一電極的步驟中，將所述第一電極電耦合到所述半導(dǎo)體層。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成所述半導(dǎo)體層的步驟包括:形成柵電極，形成源電極和形成漏電極，并且形成所述第一電極的步驟包括將所述半導(dǎo)體層的所述漏電極連接到所述第一電極。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述電源線用于為陰極提供電功率。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述通孔由激光形成。
18.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述通孔的平均直徑是0.5至500 μ m。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括:在形成所述第二電極之前，在所述通孔中填充傳導(dǎo)材料，并且在形成所述第二電極的步驟中，所述第二電極和填充到所述通孔中的所述傳導(dǎo)材料彼此連接。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第二電極由光透射材料形成。
21.有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括: 襯底； 半導(dǎo)體層，位于所述襯底上； 電源線，位于所述襯底上，與所述半導(dǎo)體層間隔開； 絕緣層，位于所述半導(dǎo)體層和所述電源線上； 第一電極，位于所述絕緣層上且電耦合到所述半導(dǎo)體層； 像素限定層，在像素單元中限定所述第一電極； 發(fā)光層，位于由所述像素限定層限定的所述第一電極上； 通孔，位于所述電源線上且穿過所述絕緣層和所述像素限定層；以及 第二電極，位于所述發(fā)光層和所述像素限定層上，且通過所述通孔電耦合到所述電源線。
22.制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括: 在襯底上形成半導(dǎo)體層；` 在所述襯底上形成電源線，以與所述半導(dǎo)體層間隔開； 在所述半導(dǎo)體層和所述電源線上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成第一電極，以電耦合到所述半導(dǎo)體層； 在所述絕緣層上形成像素限定層，以在像素單元中限定所述第一電極； 在像素單元中限定的所述第一電極上形成發(fā)光層； 形成通孔，以穿過所述絕緣層和所述像素限定層，從而暴露出至少部分所述電源線；以及 在所述發(fā)光層和所述像素限定層上形成第二電極，以通過所述通孔將所述第二電極電耦合到所述電源線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有增強的發(fā)光特性的有機發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法。有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中上電極和電源線通過通孔連接，以使電荷可以順利地提供給有機發(fā)光顯示設(shè)備的上電極，從而可以改善發(fā)光效率。
文檔編號H01L51/56GK103165644SQ201210392869
公開日2013年6月19日 申請日期2012年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月16日
發(fā)明者李源規(guī), 李俊雨, 張榮真, 吳在煥, 陳圣鉉 申請人:三星顯示有限公司