專利名稱：一種藍(lán)綠光二極管外延片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種藍(lán)綠光二極管外延片及其制造方法。
背景技術(shù)：
LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)芯片為半導(dǎo)體晶片，是LED的核心組件。LED芯片包括GaN基的外延片、以及在外延片上制作的電極。現(xiàn)有的外延片包括襯底層、以及依次覆蓋在襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱層、P型電子阻擋層和P型層。其中，多量子阱層是若干量子阱層和若干量子壘層交替形成的一個(gè)復(fù)合層。復(fù)合層中與P型電子阻擋層接觸的一層是量子壘層。通常，量子壘層采用GaN作為生長(zhǎng)材料，量子阱層采用InGaN作為生長(zhǎng)材料，P型電子阻擋層采用Mg摻雜的 AlGaN作為生長(zhǎng)材料。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題P型電子阻擋層具有較高的勢(shì)壘，可以阻礙電子在電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下越過(guò)多量子阱層遷移到P型層，防止二極管漏電。由于多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層采用GaN作為生長(zhǎng)材料，而覆蓋在其上的P型電子阻擋層采用AlGaN作為生長(zhǎng)材料，因此很多電子都被阻擋在與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，很多空穴也在該層停留，進(jìn)而使很多電子和空穴在該層復(fù)合，發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，這樣會(huì)影響藍(lán)綠光二極管發(fā)光效率的提聞。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片及其制造方法。所述技術(shù)方案如下—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片，所述外延片包括襯底層、以及依次覆蓋在所述襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱層、P型電子阻擋層和P型層；所述多量子阱層包括由若干量子壘層和若干量子阱層交替形成的復(fù)合層、以及覆蓋在所述復(fù)合層上的過(guò)渡層；所述復(fù)合層中與所述過(guò)渡層接觸的一層為所述量子阱層?？蛇x地，所述過(guò)渡層采用GaN作為生長(zhǎng)材料，并且所述過(guò)渡層的厚度小于所述量子壘層的厚度?？蛇x地，所述過(guò)渡層的組分從所述量子阱層的生長(zhǎng)材料漸變到所述P型電子阻擋層的生長(zhǎng)材料?？蛇x地，所述P型電子阻擋層采用P型摻雜的AlxGahN作為生長(zhǎng)材料，所述過(guò)渡層采用AlyGa1J作為生長(zhǎng)材料，O < y彡X < I。另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片的制造方法，所述方法包括依次在襯底層上生長(zhǎng)緩沖層、N型層、多量子阱層、P型電子阻擋層和P型層；所述生長(zhǎng)所述多量子阱層，包括在所述N型層上交替生長(zhǎng)若干量子阱層和若干量子壘層形成復(fù)合層、以及在所述復(fù)合層上生長(zhǎng)過(guò)渡層；所述復(fù)合層中與所述過(guò)渡層接觸的一層為所述量子阱層?？蛇x地，所述過(guò)渡層采用GaN作為生長(zhǎng)材料，并且所述過(guò)渡層的厚度小于所述量
子壘層的厚度。可選地，所述過(guò)渡層的組分從所述量子阱層的生長(zhǎng)材料漸變到所述P型電子阻擋層的生長(zhǎng)材料?？蛇x地，所述P型電子阻擋層采用P型摻雜的AlxGahN作為生長(zhǎng)材料，所述過(guò)渡層采用AlyGa1J作為生長(zhǎng)材料，O < y彡X < I。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)采用過(guò)渡層替換現(xiàn)有外延片多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，減少了被阻擋在該層的電子數(shù)，同時(shí)也減少了停留在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層·復(fù)合的電子和空穴，減少了發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，最終提高了藍(lán)綠光二極管的發(fā)光效率。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片多量子阱層和P型電子阻擋層的能帶圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片多量子阱層和P型電子阻擋層的能帶圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片多量子阱層和P型電子阻擋層的能帶圖；附圖中各部分標(biāo)號(hào)如下I襯底層，2緩沖層，3N型層，4多量子阱層，5P型電子阻擋層，6P型層，a量子壘層，b量子阱層，c過(guò)渡層。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。實(shí)施例一參見圖I，本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片，該外延片包括襯底層I、以及依次覆蓋在襯底層I上的緩沖層2、N型層3、多量子阱層4、P型電子阻擋層5和P型層6。其中，襯底層I包括但不限于藍(lán)寶石襯底層。其中，結(jié)合圖2，多量子阱層4包括由若干量子壘層a和若干量子阱層b交替形成的復(fù)合層、以及覆蓋在復(fù)合層上的過(guò)渡層C。復(fù)合層中與過(guò)渡層c接觸的一層是量子阱層b。量子壘層a是采用GaN作為生長(zhǎng)材料，量子阱層b是采用InGaN作為生長(zhǎng)材料。過(guò)渡層c也是采用GaN作為生長(zhǎng)材料，但過(guò)渡層c的厚度小于所述量子壘層的厚度。其中，P型電子阻擋層5是采用Mg摻雜的AlxGahN作為生長(zhǎng)材料，O < x < I。容易知道，在本實(shí)施例中，P型電子阻擋層5也可以采用其它摻雜，并不限于Mg摻雜。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片多量子阱層4和P型電子阻擋層5的能帶圖。從圖2可以看出，過(guò)渡層c是多量子阱層4中與P型電子阻擋層5接觸的一層，過(guò)渡層c的厚度較小，因而可有效減少被阻擋在過(guò)渡層c的電子數(shù)，同時(shí)也減少了在該層的空穴數(shù)，從而減少了電子和空穴在該層的復(fù)合。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，緩沖層2包括低溫緩沖層、以及覆蓋在低溫緩沖層上的高溫緩沖層。但是這并不作為對(duì)本發(fā)明的限制，緩沖層2也可以只包括其中任意一個(gè)緩沖層。
本發(fā)明實(shí)施例一提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)采用厚度小于量子壘層的過(guò)渡層替換現(xiàn)有外延片多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，減少了被阻擋在該層的電子數(shù)，同時(shí)也減少了停留在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴，減少了發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，最終提高了藍(lán)綠光二極管的發(fā)光效率。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片的制造方法，適用于實(shí)施例一提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片，該方法包括201 :在襯底層I上生長(zhǎng)緩沖層2。具體地，緩沖層2的生長(zhǎng)包括低溫緩沖層的生長(zhǎng)和高溫緩沖層生長(zhǎng)。先在625°C溫度下，在襯底層I上生長(zhǎng)一層厚度為30nm的非摻雜的GaN，此為低溫緩沖層。然后，將溫度升至1220°C，在低溫緩沖層上生長(zhǎng)一層厚度為3μπι的非摻雜的GaN，此為高溫緩沖層。至此，緩沖層2的生長(zhǎng)完成。容易知道，在該步驟之前，該方法還包括清潔襯底層I表面。具體地，可以將襯底層I在1300°C H2氣氛下進(jìn)行熱處理10分鐘，以清潔表面。202:生長(zhǎng) N 型層 3。具體地，在緩沖層2上生長(zhǎng)一層厚度為2 μ m的Si摻雜的GaN。容易知道，N型層3也可以采用其它摻雜，并不限于Si摻雜。203 :生長(zhǎng)多量子阱層4。具體地，先在N型層3上交替生長(zhǎng)五個(gè)量子阱層b和五個(gè)量子壘層a，形成復(fù)合層。量子阱層b的厚度可以為2. 5nm,采用InGaN作為生長(zhǎng)材料，生長(zhǎng)溫度為815°C。量子壘層a的厚度可以為12nm，采用GaN作為生長(zhǎng)材料，生長(zhǎng)溫度為920°C。生長(zhǎng)完成后，在復(fù)合層上生長(zhǎng)一層厚度為5nm的過(guò)渡層C，采用GaN作為生長(zhǎng)材料，生長(zhǎng)溫度為920°C。其中，過(guò)渡層c的厚度小于量子壘層a的厚度，5nm在此僅為舉例。需要說(shuō)明的是，量子阱層b和量子壘層a的層數(shù)在此僅為舉例，并不作為對(duì)本發(fā)明的限制，其可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置。204 :生長(zhǎng)P型電子阻擋層5。具體地，在多量子阱層4上生長(zhǎng)一層厚度為30nm的Mg摻雜的AlxGa^N, O < x < I，生長(zhǎng)溫度為920°C。
容易知道，在本實(shí)施例中，P型電子阻擋層5也可以采用其它摻雜，并不限于Mg摻雜。205:生長(zhǎng) P 型層 6。在P型電子阻擋層5上生長(zhǎng)一層厚度為300nm的P型摻雜的GaN。在具體實(shí)現(xiàn)中，本發(fā)明實(shí)施例二可以采用高純H2和N2作為載氣，采用TMGa、TMAl、TMIn和NH3分別作為Ga源、Al源、In源和N源，采用分別SiH4和Cp2Mg作為N型和P型摻雜劑，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備或者其他設(shè)備完成外延片生長(zhǎng)。外延片的生長(zhǎng)完成后，按照現(xiàn)有技術(shù)將外延片加工成LED芯片。經(jīng)LED芯片測(cè)試，測(cè)試電流20mA，單顆小芯片光輸出功率為24. 4mW，工作電壓3. 03V。而采用現(xiàn)有藍(lán)綠光二極管外延片制成的單顆小芯片的工作電壓為3. 10V，亮度為23. 5mW。從數(shù)據(jù)對(duì)比中，可以看出本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片的制造方法生長(zhǎng)出的外延片制成芯片后，芯片的工作電壓和輸出功率提高了。 本發(fā)明實(shí)施例二提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)采用厚度小于量子壘層的過(guò)渡層替換現(xiàn)有外延片多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，減少了被阻擋在該層的電子數(shù)，同時(shí)也減少了停留在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴，減少了發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，最終提高了藍(lán)綠光二極管的發(fā)光效率。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片，該外延片的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一中的外延片的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于，結(jié)合圖3，過(guò)渡層c的組分從量子阱層b的生長(zhǎng)材料漸變到P型電子阻擋層5的生長(zhǎng)材料。也就是說(shuō)，過(guò)渡層c的組分中量子阱層b的生長(zhǎng)材料所占的比例逐漸減少，P型電子阻擋層5的生長(zhǎng)材料所占的比例逐漸增多，過(guò)渡層c的組分從全部為量子阱層b的生長(zhǎng)材料逐步變成全部是P型電子阻擋層5的生長(zhǎng)材料。圖3為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片多量子阱層4和P型電子阻擋層5的能帶圖。從圖3可以看出，過(guò)渡層c是多量子阱層4中與P型電子阻擋層5接觸的一層，過(guò)渡層c的勢(shì)壘高度是逐漸增加的，電子和空穴不容易在上面停留，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴。本發(fā)明實(shí)施例三提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)采用組分從量子阱層的生長(zhǎng)材料漸變到P型電子阻擋層的生長(zhǎng)材料的過(guò)渡層替換現(xiàn)有外延片多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，減少了被阻擋在該層的電子數(shù)，同時(shí)也減少了停留在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴，減少了發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，最終提高了藍(lán)綠光二極管的發(fā)光效率。實(shí)施例四本發(fā)明實(shí)施例四提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片的制造方法，適用于實(shí)施例三提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片，該方法包括401 :在襯底層I上生長(zhǎng)緩沖層2 ；402:生長(zhǎng) N 型層 3;403 :生長(zhǎng)多量子講層4 ；404 :生長(zhǎng)P型電子阻擋層5 ；405:生長(zhǎng) P 型層 6。
其中，步驟403包括先在N型層3上交替生長(zhǎng)五個(gè)量子阱層b和五個(gè)量子壘層a，形成復(fù)合層。生長(zhǎng)完成后，在復(fù)合層上生長(zhǎng)一層厚度為15nm的過(guò)渡層C，組分從量子阱層b的生長(zhǎng)材料漸變到P型電子阻擋層6的生長(zhǎng)材料，也就是說(shuō)，過(guò)渡層c的組分中量子阱層b的生長(zhǎng)材料所占的比例逐漸減少，P型電子阻擋層5的生長(zhǎng)材料所占的比例逐漸增多，過(guò)渡層c的組分從全部為量子阱層b的生長(zhǎng)材料逐步變成全部是非摻雜的P型電子阻擋層5的生長(zhǎng)材料。具體地，過(guò)渡層c的組分變化通過(guò)調(diào)節(jié)Ga源、Al源、In源和N源的比例實(shí)現(xiàn)。需要說(shuō)明的是，量子阱層b和量子壘層a的層數(shù)、以及過(guò)渡層c的厚度在此僅為舉例，并不作為對(duì)本發(fā)明的限制，其可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置。其中，步驟401 402、步驟403中形成復(fù)合層的方法、步驟404 405分別與實(shí)施例二所述的步驟20f202、步驟203中形成復(fù)合層的方法、步驟20Γ205相同，在此不再詳述。 外延片的生長(zhǎng)完成后，按照現(xiàn)有技術(shù)將外延片加工成LED芯片。經(jīng)LED芯片測(cè)試，測(cè)試電流20mA，單顆小芯片光輸出功率為24. 8mW，工作電壓3. 02V。而采用現(xiàn)有藍(lán)綠光二極管外延片制成的的單顆小芯片的工作電壓為3. 10V，亮度為23. 5mW。從數(shù)據(jù)對(duì)比中，可以看出本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片的制造方法生長(zhǎng)出的外延片制成芯片后，芯片的工作電壓和輸出功率提高了。本發(fā)明實(shí)施例四提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)采用組分從量子阱層的生長(zhǎng)材料漸變到P型電子阻擋層的生長(zhǎng)材料的過(guò)渡層替換現(xiàn)有外延片多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，減少了被阻擋在該層的電子數(shù)，同時(shí)也減少了停留在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴，減少了發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，最終提高了藍(lán)綠光二極管的發(fā)光效率。實(shí)施例五本發(fā)明實(shí)施例五提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片,該外延片的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一中的外延片的結(jié)構(gòu)基本相同，不同之處在于，結(jié)合圖4，過(guò)渡層c采用AlyGai_yN作為生長(zhǎng)材料，
O < y ^ X < I ο圖4為本發(fā)明實(shí)施例五提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片多量子阱層4和P型電子阻擋層5的能帶圖。從圖4可以看出，過(guò)渡層c (圖中的虛線部分)是多量子阱層4中與P型電子阻擋層5接觸的一層，過(guò)渡層c的勢(shì)壘高度較高，可以減少電子在該層的停留，同時(shí)也減少了在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴。本發(fā)明實(shí)施例五提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)采用生長(zhǎng)材料為AlGaN的過(guò)渡層替換現(xiàn)有外延片多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，減少了被阻擋在該層的電子數(shù)，同時(shí)也減少了停留在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴，減少了發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，最終提高了藍(lán)綠光二極管的發(fā)光效率。實(shí)施例六本發(fā)明實(shí)施例六提供了一種藍(lán)綠光二極管外延片的制造方法，適用于實(shí)施例五提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片，該方法包括601 :在襯底層I上生長(zhǎng)緩沖層2 ；602:生長(zhǎng) N 型層 3;603 :生長(zhǎng)多量子講層4 ；
604 :生長(zhǎng)P型電子阻擋層5 ；605:生長(zhǎng) P 型層 6。其中，步驟603包括先在N型層3上交替生長(zhǎng)五個(gè)量子阱層b和五個(gè)量子壘層a，形成復(fù)合層。生長(zhǎng)完成后，在復(fù)合層上生長(zhǎng)一層厚度為15nm的過(guò)渡層C，采用AlyG&1_yN作為生長(zhǎng)材料，O < y ^ X < 1，生長(zhǎng)溫度為920°C。需要說(shuō)明的是，量子阱層b和量子壘層a的層數(shù)、以及過(guò)渡層c的厚度在此僅為舉例，并不作為對(duì)本發(fā)明的限制，其可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置。其中，步驟60廣602、步驟603中形成復(fù)合層的方法、步驟60Γ605分別與實(shí)施例二所述的步驟20f202、步驟203中形成復(fù)合層的方法、步驟20Γ205相同，在此不再詳述。外延片的生長(zhǎng)完成后，按照現(xiàn)有技術(shù)將外延片加工成LED芯片。經(jīng)LED芯片測(cè)試，測(cè)試電流20mA，單顆小芯片光輸出功率為24. 5mW，工作電壓3. 05V。而采用現(xiàn)有藍(lán)綠光二極 管外延片制成的的單顆小芯片的工作電壓為3. 10V，亮度為23. 5mW。從數(shù)據(jù)對(duì)比中，可以看出本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種藍(lán)綠光二極管外延片的制造方法生長(zhǎng)出的外延片制成芯片后，芯片的工作電壓和輸出功率提高了。本發(fā)明實(shí)施例六提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)采用生長(zhǎng)材料為AlGaN的過(guò)渡層替換現(xiàn)有外延片多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，減少了被阻擋在該層的電子數(shù)，同時(shí)也減少了停留在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴，減少了發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，最終提高了藍(lán)綠光二極管的發(fā)光效率。上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種藍(lán)綠光二極管外延片，所述外延片包括襯底層、以及依次覆蓋在所述襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱層、P型電子阻擋層和P型層，其特征在于，所述多量子阱層包括由若干量子壘層和若干量子阱層交替形成的復(fù)合層、以及覆蓋在所述復(fù)合層上的過(guò)渡層；所述復(fù)合層中與所述過(guò)渡層接觸的一層為所述量子阱層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的外延片，其特征在于，所述過(guò)渡層采用GaN作為生長(zhǎng)材料，并且所述過(guò)渡層的厚度小于所述量子壘層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的外延片，其特征在于，所述過(guò)渡層的組分從所述量子阱層的生長(zhǎng)材料漸變到所述P型電子阻擋層的生長(zhǎng)材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的外延片，其特征在于，所述P型電子阻擋層采用P型摻雜的AlxGa^N作為生長(zhǎng)材料，所述過(guò)渡層采用AlyGa^N作為生長(zhǎng)材料，O < y彡x < I。
5.一種藍(lán)綠光二極管外延片的制造方法，所述方法包括依次在襯底層上生長(zhǎng)緩沖層、N型層、多量子阱層、P型電子阻擋層和P型層，其特征在于，所述生長(zhǎng)所述多量子阱層，包括 在所述N型層上交替生長(zhǎng)若干量子阱層和若干量子壘層形成復(fù)合層、以及在所述復(fù)合層上生長(zhǎng)過(guò)渡層；所述復(fù)合層中與所述過(guò)渡層接觸的一層為所述量子阱層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述過(guò)渡層采用GaN作為生長(zhǎng)材料，并且所述過(guò)渡層的厚度小于所述量子壘層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述過(guò)渡層的組分從所述量子阱層的生長(zhǎng)材料漸變到所述P型電子阻擋層的生長(zhǎng)材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述P型電子阻擋層采用P型摻雜的AlxGa^N作為生長(zhǎng)材料，所述過(guò)渡層采用AlyGa^N作為生長(zhǎng)材料，O < y彡x < I。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種藍(lán)綠光二極管外延片，屬于二極管技術(shù)領(lǐng)域。所述外延片包括襯底層、以及依次覆蓋在所述襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱層、P型電子阻擋層和P型層；所述多量子阱層包括由若干量子壘層和若干量子阱層交替形成的復(fù)合層、以及覆蓋在所述復(fù)合層上的過(guò)渡層；所述復(fù)合層中與所述過(guò)渡層接觸的一層為所述量子阱層。本發(fā)明通過(guò)將過(guò)渡層替換現(xiàn)有外延片多量子阱層中與P型電子阻擋層接觸的量子壘層，減少了被阻擋在該層的電子數(shù)，同時(shí)也減少了停留在該層的空穴數(shù)，從而減少了在該層復(fù)合的電子和空穴，減少了發(fā)出波長(zhǎng)接近紫外波段的光，最終提高了藍(lán)綠光二極管的發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/12GK102931302SQ20121039426
公開日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月17日
發(fā)明者吳克敏, 魏世禎 申請(qǐng)人:華燦光電股份有限公司