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掩膜板、制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置及其方法

文檔序號:7110079閱讀:190來源:國知局
專利名稱:掩膜板、制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言涉及一種掩膜板、制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置及其方法。
背景技術(shù)
有機發(fā)光顯示面板(Organic Light-Emitting Diode, 0LED)是一種自主發(fā)光的顯示面板,其具備結(jié)構(gòu)簡單、省電等特性。目前,制備有機發(fā)光顯示面板的過程中,掩膜板(Shadow Mask)是其中不可缺少的 一個輔助元件,圖I是現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖2是圖I所示掩膜板的開口區(qū)的示意圖。參閱圖I和圖2,掩膜板100包括呈陣列狀分布的多個開口區(qū)110,每一開口區(qū)110呈圓角矩形,且相鄰的兩個圓角R之間的區(qū)域為成膜不保證區(qū)120。在使用掩膜板100蒸鍍形成有機發(fā)光顯示面板的有機發(fā)光層時,由于蒸鍍源與不同位置的開口區(qū)110具有的角度差異,極易使得蒸鍍源提供的有機發(fā)光材料在對應成膜不保證區(qū)120處的成膜填充率不足,從而導致有機發(fā)光顯示面板的有機發(fā)光層的每一發(fā)光區(qū)在對應成膜不保證區(qū)120處形成高度Hl為15微米以上的成膜無效區(qū),進而降低有機發(fā)光顯示面板的開口率。綜上所述,有必要提供一種掩膜板、制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置及其方法,以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種掩膜板、制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置及其方法,以降低成膜無效區(qū)的面積,提高有機發(fā)光顯示面板的開口率。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是提供一種掩膜板,包括呈陣列狀分布的多個開口區(qū),每一開口區(qū)包括呈矩形設置的第一開口區(qū)以及設置于第一開口區(qū)的四個角的第二開口區(qū),第二開口區(qū)與第一開口區(qū)連通。其中,第二開口區(qū)是與第一開口區(qū)連通的側(cè)翼,側(cè)翼設置的寬度沿著遠離第一開口區(qū)的方向逐漸減小。其中,第二開口區(qū)采用蝕刻或電鑄工藝成型,且與第一開口區(qū)一體成型。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是提供一種制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置,包括掩膜板,包括呈陣列狀分布的多個開口區(qū),且每一開口區(qū)包括呈矩形設置的第一開口區(qū)以及設置于第一開口區(qū)的四個角的第二開口區(qū),第二開口區(qū)與第一開口區(qū)連通;蒸鍍源,間隔設置于掩膜板遠離基板的一側(cè),用于為基板提供有機發(fā)光材料,以形成有機發(fā)光層;以及加熱裝置,用于加熱蒸鍍源。其中,蒸鍍裝置設置于真空且密閉的空間內(nèi)。其中,第二開口區(qū)是與第一開口區(qū)連通的側(cè)翼,側(cè)翼設置的寬度沿著遠離第一開口區(qū)的方向逐漸減小。
其中,第二開口區(qū)采用蝕刻或電鑄工藝成型,且與第一開口區(qū)一體成型。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的又一個技術(shù)方案是提供一種制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍方法,包括提供一掩膜板,掩膜板包括呈陣列分布的多個開口區(qū),且每一開口區(qū)包括呈矩形設置的第一開口區(qū)以及設置于第一開口區(qū)的四個角的第二開口區(qū),第二開口區(qū)與第一開口區(qū)連通;提供一基板,與掩膜板相鄰貼合設置;在真空且密閉的空間內(nèi),通過掩膜板的開口區(qū)向基板提供有機發(fā)光材料形成有機發(fā)光層,有機發(fā)光材料由設置于掩膜板遠離基板一側(cè)的蒸鍍源提供。其中,第二開口區(qū)采用蝕刻或電鑄工藝成型。其中,第二開口區(qū)與第一開口區(qū)一體成型。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明通過在掩膜板的矩形第一開口區(qū)的側(cè)翼設置第二開口區(qū),將成膜不保證區(qū)的圓角對成膜填充率的影響轉(zhuǎn)移到第二開口區(qū), 提高了第一開口區(qū)在蒸鍍成膜時的成膜填充率,從而降低了成膜無效區(qū)的面積,進而提高了有機發(fā)光顯示面板的開口率。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是圖I所示掩膜板的開口區(qū)的示意圖;圖3是本發(fā)明掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4是圖3所示掩膜板的開口區(qū)的示意圖;圖5是本發(fā)明制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6是本發(fā)明制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍方法的流程圖;圖7是本發(fā)明制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍方法的實施效果示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細說明。圖3是本發(fā)明掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖,圖4是圖3所示掩膜板的開口區(qū)的示意圖。參閱圖3和圖4,掩膜板300包括呈陣列狀分布的多個開口區(qū)310。其中,每一開口區(qū)310包括第一開口區(qū)311和第二開口區(qū)312。第一開口區(qū)311呈矩形設置,第二開口區(qū)312設置于第一開口區(qū)311的四個角,即第二開口區(qū)312構(gòu)成與第一開口區(qū)311連通的側(cè)翼,并且每一第二開口區(qū)312設置的寬度沿著遠離第一開口區(qū)311的方向逐漸減小。在本實施例中,第二開口區(qū)312與第一開口區(qū)311 —體成型,且采用蝕刻或電鑄工藝成型?;诖?,掩膜板300的材質(zhì)可以為任何合適的材料,并以具有高結(jié)構(gòu)強度或低膨脹系數(shù)的磁性材料為佳,舉例而言,掩膜板300的材質(zhì)可以為各式金屬或合金,例如為鐵鎳合金(Invar)ο圖5是采用圖3所示掩膜板300的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示,蒸鍍裝置600包括掩膜板300、蒸鍍源620以及加熱裝置630。蒸鍍裝置600用于對放置于掩膜板300上的基板640進行蒸鍍處理,其中,加熱裝置630用于加熱蒸鍍源620,蒸鍍源620與掩膜板300平行間隔設置,用于在達到一定溫度后為基板640提供有機發(fā)光材料,以在基板640上形成有機發(fā)光顯不面板的有機發(fā)光層。需要說明的是,蒸鍍裝置600在蒸鍍成膜時,必須設置于真空密閉的空間內(nèi)。圖6是采用圖5所示蒸鍍裝置600制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍方法的流程圖。如圖6所示,本發(fā)明制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍方法包括以下步驟步驟S 101 :提供一掩膜板,掩膜板包括呈陣列分布的多個開口區(qū),且每一開口區(qū)包括呈矩形設置的第一開口區(qū)以及設置于第一開口區(qū)的四個角的第二開口區(qū),第二開口區(qū)與第一開口區(qū)連通。步驟S102 :提供一基板,與掩膜板相鄰設置。步驟S103 :在真空且密閉的空間內(nèi),通過掩膜板的開口區(qū)向基板提供有機發(fā)光材料以形成有機發(fā)光層,其中,有機發(fā)光材料由設置于掩膜板遠離基板一側(cè)的蒸鍍源提供。
下面結(jié)合圖5和圖6,詳細說明采用圖3所示的掩膜板300制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍過程首先,將蒸鍍源620設置于一真空且密閉的空間內(nèi),且相鄰于加熱裝置630。然后,開啟加熱裝置630對蒸鍍源620進行加熱,通過蒸發(fā)除去蒸鍍源620表面的雜質(zhì)。值得注意的是,在加熱過程中,控制加熱除雜的溫度低于蒸鍍所需的溫度,以避免因溫度過高使蒸鍍源620過度蒸發(fā)造成浪費。將除雜之后的蒸鍍源620移至另一真空密閉的空間內(nèi),例如蒸鍍室。使用加熱裝置630在高溫狀態(tài)下對蒸鍍源620進行持續(xù)性加熱,蒸鍍源620在達到一定溫度后蒸發(fā)出有機發(fā)光材料粒子,一部分的有機發(fā)光材料粒子穿過掩膜板300的開口區(qū)310,并在接觸到溫度較低的基板640后以結(jié)晶狀態(tài)沉積,另一部分的有機發(fā)光材料粒子在接觸到溫度較低的掩膜板300后以結(jié)晶狀態(tài)沉積。綜上所述,本發(fā)明通過改變掩膜板300的開口設計,對于每一開口區(qū)310,在矩形第一開口區(qū)311的兩側(cè)設置第二開口區(qū)312,將成膜不保證區(qū)320的兩個圓角Rl設置在第二開口區(qū)312,使得有機發(fā)光材料粒子穿過第一開口區(qū)311在基板640上沉積時,不會形成圖2所示的圓角R,由此提高了開口區(qū)310在蒸鍍成膜時的成膜填充率,降低成膜無效區(qū)的面積。圖7是本發(fā)明制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍方法的實施效果示意圖。如圖7所示,本發(fā)明能夠使成膜無效區(qū)從現(xiàn)有技術(shù)的大于15微米降低至5 10微米(如H2所示),進而提高了有機發(fā)光顯示面板的開口率。需要說明的是,第二開口區(qū)312的形狀并不限定于圖4所示的實施例,只要能夠降低成膜無效區(qū)的面積,提高有機發(fā)光顯示面板的開口率即可。以上所述僅為本發(fā)明的實施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括呈陣列狀分布的多個開口區(qū),其中,每一所述開口區(qū)包括 呈矩形設置的第一開口區(qū)以及設置于所述第一開口區(qū)的四個角的第二開口區(qū),所述第二開口區(qū)與所述第一開口區(qū)連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的掩膜板,其特征在于,所述第二開口區(qū)是與所述第一開口區(qū)連通的側(cè)翼,所述側(cè)翼設置的寬度沿著遠離所述第一開口區(qū)的方向逐漸減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第二開口區(qū)采用蝕刻或電鑄工藝成型,且與所述第一開口區(qū)一體成型。
4.一種制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置,其特征在于,所述蒸鍍裝置包括 掩膜板,包括呈陣列狀分布的多個開口區(qū),且每一所述開口區(qū)包括呈矩形設置的第一開口區(qū)以及設置于所述第一開口區(qū)的四個角的第二開口區(qū),所述第二開口區(qū)與所述第一開口區(qū)連通; 蒸鍍源,間隔設置于所述掩膜板的一側(cè),用于提供有機發(fā)光材料,以形成有機發(fā)光層;以及 加熱裝置,用于加熱所述蒸鍍源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置,其特征在于,所述蒸鍍裝置設置于真空且密閉的空間內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置,其特征在于,所述第二開口區(qū)是與所述第一開口區(qū)連通的側(cè)翼,所述側(cè)翼設置的寬度沿著遠離所述第一開口區(qū)的方向逐漸減小。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸鍍裝置,其特征在于,所述第二開口區(qū)采用蝕刻或電鑄工藝成型,且與所述第一開口區(qū)一體成型。
8.—種制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍方法,其特征在于,所述蒸鍍方法包括 提供一掩膜板,所述掩膜板包括呈陣列分布的多個開口區(qū),且每一所述開口區(qū)包括呈矩形設置的第一開口區(qū)以及設置于所述第一開口區(qū)的四個角的第二開口區(qū),所述第二開口區(qū)與所述第一開口區(qū)連通; 提供一基板,與所述掩膜板相鄰設置; 在真空且密閉的空間內(nèi),通過所述掩膜板的所述開口區(qū)向所述基板提供有機發(fā)光材料形成有機發(fā)光層,所述有機發(fā)光材料由設置于所述掩膜板遠離所述基板一側(cè)的蒸鍍源提供。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍方法,其特征在于,所述第二開口區(qū)采用蝕刻或電鑄工藝成型。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蒸鍍方法,其特征在于,所述第二開口區(qū)與所述第一開口區(qū)一體成型。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種掩膜板、制造有機發(fā)光顯示面板的蒸鍍裝置及其方法。該掩膜板包括呈陣列狀分布的多個開口區(qū),其中,每一開口區(qū)包括呈矩形設置的第一開口區(qū)以及設置于第一開口區(qū)的四個角的第二開口區(qū),第二開口區(qū)與第一開口區(qū)連通。本發(fā)明通過改變掩膜板的開口區(qū)設計,能夠降低開口區(qū)的成膜無效區(qū)的面積,從而提高有機發(fā)光顯示面板的開口率。
文檔編號H01L51/56GK102899609SQ20121039528
公開日2013年1月30日 申請日期2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月17日
發(fā)明者吳泰必, 吳元均 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司
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