半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，半導(dǎo)體發(fā)光元件包括發(fā)光的磊晶結(jié)構(gòu)、第一電極結(jié)構(gòu)、光反射層及電阻增加結(jié)構(gòu)。其中，磊晶結(jié)構(gòu)具有相對(duì)的第一面及第二面；第一電極結(jié)構(gòu)與第一面電性相接；光反射層與第二面相鄰；電阻增加結(jié)構(gòu)與光反射層相鄰，并遠(yuǎn)離第二面，且與第一電極結(jié)構(gòu)之位置相對(duì)應(yīng)。另提供半導(dǎo)體發(fā)光元件之制造方法。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，尤其涉及應(yīng)用在半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體發(fā)光元件,如發(fā)光二極管(light emitting diode, LED),已逐漸廣泛運(yùn)用在照明、顯示面板、指示燈等領(lǐng)域。于發(fā)光二極管中，磊晶結(jié)構(gòu)具有不同電性的半導(dǎo)體相接，當(dāng)于兩端電極結(jié)構(gòu)之間提供一電壓時(shí)，電流從一電極循最短路徑穿過(guò)磊晶結(jié)構(gòu)至另一電極，并于磊晶結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生電子電洞結(jié)合現(xiàn)象，結(jié)合的能量透過(guò)光的形式發(fā)出，據(jù)此將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽堋?br> [0003]因此，磊晶結(jié)構(gòu)的出光區(qū)域通常位于電流最短路徑上，而電流最短路徑通常與出光面上方的電極結(jié)構(gòu)的位置相對(duì)應(yīng)，然而，電極結(jié)構(gòu)為不透光區(qū)，會(huì)吸收大量磊晶結(jié)構(gòu)所發(fā)出的光線，導(dǎo)致出光率大為降低。據(jù)此，如何改善半導(dǎo)體發(fā)光元件低出光率的缺失，為本案發(fā)展的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，來(lái)達(dá)到出光率增加的目的。為達(dá)前述目的，半導(dǎo)體發(fā)光元件包括發(fā)光的磊晶結(jié)構(gòu)、第一電極結(jié)構(gòu)、光反射層及電阻增加結(jié)構(gòu)。其中，磊晶結(jié)構(gòu)具有相對(duì)的第一面及第二面；第一電極結(jié)構(gòu)與第一面電性相接；光反射層與第二面相鄰；電阻增加結(jié)構(gòu)與光反射層相鄰，并遠(yuǎn)離第二面，且與第一電極結(jié)構(gòu)的位置相對(duì)應(yīng)。
[0005]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的磊晶結(jié)構(gòu)包括第一電性半導(dǎo)體層、第二電性半導(dǎo)體層及位于第一電性半導(dǎo)體層及第二電性半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層，其中，第一電性半導(dǎo)體層的表面形成第一面，第二電性半導(dǎo)體層的表面形成第二面。
[0006]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電阻增加結(jié)構(gòu)與第一電極結(jié)構(gòu)的同一側(cè)邊緣對(duì)準(zhǔn)。
[0007]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電阻增加結(jié)構(gòu)的中線與第一電極結(jié)構(gòu)的中線對(duì)準(zhǔn)。
[0008]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件更包括緩沖層、結(jié)合層、基板及第二電極結(jié)構(gòu)。其中緩沖層與光反射層及電阻增加結(jié)構(gòu)相鄰；結(jié)合層與緩沖層相鄰，并遠(yuǎn)離光反射層；基板與結(jié)合層相鄰，并遠(yuǎn)離緩沖層；第二電極結(jié)構(gòu)與基板電性相接。
[0009]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件更包括保護(hù)結(jié)構(gòu)，圍繞光反射層邊緣側(cè)壁，其中，該緩沖層包覆該保護(hù)結(jié)構(gòu)。
[0010]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電阻增加結(jié)構(gòu)位于緩沖層中。
[0011]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的電阻增加結(jié)構(gòu)與光反射層直接接觸。
[0012]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件更包括保護(hù)結(jié)構(gòu)，圍繞光反射層邊緣側(cè)壁。[0013]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，以達(dá)到提升出光率的目的。為達(dá)前述目的，半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟包括形成具有相對(duì)的第一面及第二面的發(fā)光的磊晶結(jié)構(gòu)；于第二面上方形成光反射層；于光反射層上方形成電阻增加結(jié)構(gòu)；以及，形成第一電極結(jié)構(gòu)，與第一面電性相接，且與電阻增加結(jié)構(gòu)的位置相對(duì)應(yīng)。
[0014]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成磊晶結(jié)構(gòu)的步驟包括于具有第一面的第一電性半導(dǎo)體層上方形成發(fā)光層，且發(fā)光層遠(yuǎn)離第一面；以及于發(fā)光層上方形成第二電性半導(dǎo)體層，用以形成第二面。
[0015]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的步驟更包括于形成光反射層之前，于第二電性半導(dǎo)體層上形成封閉的保護(hù)結(jié)構(gòu)，且光反射層填入保護(hù)結(jié)構(gòu)中。
[0016]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟更包括形成保護(hù)結(jié)構(gòu)，圍繞于光反射層的邊緣側(cè)壁。
[0017]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟中于形成保護(hù)結(jié)構(gòu)時(shí)，同時(shí)形成電阻增加結(jié)構(gòu)。
[0018]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟更包括于光反射層上方形成緩沖層，且緩沖層覆蓋電阻增加結(jié)構(gòu)；于緩沖層上方形成結(jié)合層；于結(jié)合層上方形成基板；以及于基板上方形成第二電極結(jié)構(gòu)，并電性相接。
[0019]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟中于緩沖層中形成電阻增加結(jié)構(gòu)。
[0020]于本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟更包括形成保護(hù)結(jié)構(gòu)，圍繞于光反射層的邊緣側(cè)壁，且緩沖層包覆保護(hù)結(jié)構(gòu)。
[0021]為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。
[0023]圖2為本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。
[0024]圖3為本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。
[0025]圖4為本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。
[0026]圖5為本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。
[0027]圖6為本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的電流示意圖。
[0028]圖7為本發(fā)明的第六實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]本發(fā)明技術(shù)適于應(yīng)用在半導(dǎo)體發(fā)光元件，如發(fā)光二極管，請(qǐng)參考圖1，圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。首先，提供第一基板(圖未示)，于第一基板上形成磊晶結(jié)構(gòu)10，其步驟包括于第一基板上方依序形成第一電性半導(dǎo)體層101、發(fā)光層102及第二電性半導(dǎo)體層103。其中，第一電性半導(dǎo)體層101的表面形成磊晶結(jié)構(gòu)10的第一面10a，并與第一基板相鄰，而第二電性半導(dǎo)體層103的表面形成磊晶結(jié)構(gòu)10的第二面IOb,且第一面IOa與第二面IOb相對(duì),而發(fā)光層102遠(yuǎn)離第一面IOa及第二面10b。[0030]第一電性半導(dǎo)體層101與第二電性半導(dǎo)體層103電性相反，如前者為N型摻雜層，而后者則為P型摻雜層，而兩者電性亦可互換，材料可為三族氮化物，如氮化鎵(GalliumNitride, GaN)、氮化招(Aluminum Nitride, AlN)、氮化銦(Indium Nitride, InN)、氮化招嫁(Aluminum Gallium Nitride, AlGaN)、氮化銦嫁(Indium Gallium Nitride, InGaN),但不限于上述。
[0031]于本實(shí)施例中，于該磊晶結(jié)構(gòu)10的第二面IOb上方形成光反射層20，用以將發(fā)光層所產(chǎn)生的光線往第一面IOa方向反射出去，其材料可為金屬，如銀、鎳、或鋁；或銀/鈦鎢/鉬合金鍍膜，另外，銀的厚度可為100_300納米、鈦鎢的厚度可為200_300納米、鉬的厚度可小于500納米；于另一實(shí)施例中，光反射層20的材料可為銀/鈦/鉬合金鍍膜，銀的厚度可為200_300納米、鈦的厚度可為200_300納米、鉬的厚度可小于500納米；于又一實(shí)施例中，與前一實(shí)施例相比，鉬可改成鎳，而厚度可與鉬相同；或是光反射層20的材料可為銀/鎳合金鍍膜，銀的厚度可為200—300納米、鎳的厚度可小于500納米。
[0032]接著，于光反射層20上形成多個(gè)電阻增加結(jié)構(gòu)25，用以降低電阻增加結(jié)構(gòu)25所在區(qū)域的導(dǎo)電性，材料可選自由二氧化硅(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化銦錫(Indium tinoxide, ITO)、氮化娃(SiN)、氮化招(AlN)所組成的絕緣物群組之一或其組合。
[0033]因?yàn)楣夥瓷鋵?0的粒子于半導(dǎo)體制程中容易遷移(migration)，因此于光反射層20及電阻增加結(jié)構(gòu)25上覆蓋緩沖層30，以此阻擋光反射層20的粒子遷移。緩沖層30具有良好的導(dǎo)電性及穩(wěn)定性，其可為至少兩種以上金屬堆棧的多層結(jié)構(gòu)，材料可為鈦、鉬、鈦鎢、鎳、鋁等，但不受此限制。
[0034]接下來(lái)，于光反射層20上方依序形成結(jié)合層40、第二基板50與第二電極結(jié)構(gòu)60，且第二電極結(jié)構(gòu)60與第二基板50電性相接。其中，結(jié)合層40的材料可為金銦或金錫，用以將第二基板50結(jié)合固定。
[0035]另外，緩沖層30與結(jié)合層40相鄰的表面具有凸出部301，因?yàn)槠湫纬捎陔娮柙黾咏Y(jié)構(gòu)25上方,而電阻增加結(jié)構(gòu)25凸出于光反射層20的表面上，因此緩沖層30的一表面并非平整的，再加上緩沖層30的熱膨脹系數(shù)可介于磊晶結(jié)構(gòu)10與第二基板50之間，據(jù)此，可釋放磊晶結(jié)構(gòu)10與第二基板50的應(yīng)力。
[0036]接著，將上述結(jié)構(gòu)上下翻轉(zhuǎn)，移除第一基板，將暴露出來(lái)的磊晶結(jié)構(gòu)10的第一面IOa進(jìn)行粗糙化，可增加出光散射量。另外，于第一面IOa上配置多個(gè)第一電極結(jié)構(gòu)70，且彼此電性相接。
[0037]值得注意的是，第一電極結(jié)構(gòu)70與電阻增加結(jié)構(gòu)25的位置彼此相對(duì)應(yīng)，例如，兩者的中心線相互對(duì)準(zhǔn)，或兩者的同一側(cè)邊緣對(duì)準(zhǔn)，或兩者的邊緣對(duì)準(zhǔn)。因?yàn)殡娮柙黾咏Y(jié)構(gòu)25的材料可為絕緣物，可提高其所在區(qū)域的電阻值，減少電流通過(guò)。雖然電阻增加結(jié)構(gòu)25位于光反射層20與緩沖層30之間，并非位于磊晶結(jié)構(gòu)10中，但電流會(huì)依照最短路徑流通，因此，如圖6所示，電流E為避開電阻增加結(jié)構(gòu)25，于磊晶結(jié)構(gòu)10中即會(huì)分散開來(lái)，大為降低磊晶結(jié)構(gòu)10中位于第一電極結(jié)構(gòu)70下方區(qū)域的電流量，并轉(zhuǎn)而流向該區(qū)域的兩側(cè)。據(jù)此減少該區(qū)域的發(fā)光量，并增加該區(qū)域兩側(cè)的發(fā)光量，光線經(jīng)過(guò)光反射層20往第一面IOa反射時(shí)，即不會(huì)被第一電極結(jié)構(gòu)70遮蔽或吸收，而據(jù)以增加半導(dǎo)體發(fā)光元件的出光率，達(dá)到本案發(fā)展的一目的。
[0038]另外，電阻增加結(jié)構(gòu)25與光反射層20及緩沖層30的位置關(guān)系可有所不同。于本實(shí)施例中，電阻增加結(jié)構(gòu)25與光反射層20直接接觸；于另一實(shí)施例中(圖未不)，光反射層的表面可定義出多個(gè)凹槽，再將多個(gè)電阻增加結(jié)構(gòu)形成于該些凹槽中，可凸出于光反射層的表面，再覆蓋上緩沖層；或者，于光反射層上先形成一部分的緩沖層，將電阻增加結(jié)構(gòu)形成于該部分的緩沖層上，再覆蓋第二部分的緩沖層，據(jù)以將電阻增加結(jié)構(gòu)形成于緩沖層中(圖未示)。前述該些實(shí)施例，均可達(dá)到增加半導(dǎo)體發(fā)光元件的出光率的目的。
[0039]請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。 申請(qǐng)人:發(fā)現(xiàn)于光反射層20邊緣的側(cè)壁配置具有封閉結(jié)構(gòu)的保護(hù)結(jié)構(gòu)15，可提升阻擋光反射層20粒子遷移的效果，其材料可為絕緣材料，可選自由二氧化鈦、二氧化硅、與氧化銦錫、氮化硅或分布布拉格反射材料(distributed bragg ref lector,簡(jiǎn)稱DBR)所組成的群組之一或其組合，其具有穩(wěn)定、不易改變物性等特性。
[0040]第二實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，于光反射層20的邊緣處定義出凹陷部，接著，于形成電阻增加結(jié)構(gòu)25時(shí)，可共享同一光罩同時(shí)形成保護(hù)結(jié)構(gòu)15，用以圍繞光反射層20的邊緣側(cè)壁及凹陷部而形成一中空的封閉結(jié)構(gòu)，接著，將緩沖層30填滿該封閉結(jié)構(gòu)，并覆蓋保護(hù)結(jié)構(gòu)15、光反射層20及電阻增加結(jié)構(gòu)25，因而保護(hù)結(jié)構(gòu)15同時(shí)圍繞光反射層20的邊緣側(cè)壁，并由緩沖層30完全覆蓋住保護(hù)結(jié)構(gòu)15的外側(cè)壁，通過(guò)保護(hù)結(jié)構(gòu)15及緩沖層30共同包圍光反射層20，可更加阻擋光反射層20粒子的遷移，以提升光反射層20的反射率。另外，于本實(shí)施例中，電阻增加結(jié)構(gòu)25與保護(hù)結(jié)構(gòu)15于同一制程中完成，因此為相同材質(zhì)。
[0041]請(qǐng)參考圖3，圖3為本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。與第二實(shí)施例類似，但電阻增加結(jié)構(gòu)26與保護(hù)結(jié)構(gòu)15的材質(zhì)不同，因此，兩者于不同制程中分別形成后，再覆蓋上緩沖層30。本實(shí)施例同樣可提升阻擋光反射層20粒子的遷移，以及提升半導(dǎo)體發(fā)光元件的出光率。
[0042]請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明的第四實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。與第二實(shí)施例不同之處在于，于第二電性半導(dǎo)體層103上先形成保護(hù)結(jié)構(gòu)16，并沿著第二電性半導(dǎo)體層103邊緣上方形成中空的封閉結(jié)構(gòu)，接著，再將光反射層20覆蓋第二電性半導(dǎo)體層103，以填滿保護(hù)結(jié)構(gòu)16的封閉結(jié)構(gòu)，并覆蓋至保護(hù)結(jié)構(gòu)16的內(nèi)緣。接下來(lái)的制程與第一實(shí)施例相同，于光反射層20上形成電阻增加結(jié)構(gòu)25，而電阻增加結(jié)構(gòu)25的材料可與保護(hù)結(jié)構(gòu)15的材料相同或不同。
[0043]請(qǐng)參考圖5，圖5為本發(fā)明的第五實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖，其與第四實(shí)施例類似，但將光反射層20覆蓋第二電性半導(dǎo)體層103時(shí)，并未覆蓋至保護(hù)結(jié)構(gòu)17。形成電阻增加結(jié)構(gòu)25后，再形成緩沖層30時(shí)，才填滿保護(hù)結(jié)構(gòu)17的封閉結(jié)構(gòu)，因此，本實(shí)施例的保護(hù)結(jié)構(gòu)17圍繞光反射層20的邊緣側(cè)壁。另外，電阻增加結(jié)構(gòu)25的材料與保護(hù)結(jié)構(gòu)17的材料相同或不同，并不影響本案改善習(xí)知技術(shù)缺失的效果。
[0044]請(qǐng)參考圖7，圖7為本發(fā)明的第六實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖，其與第三實(shí)施例相似，緩沖層30覆蓋光反射層20及電阻增加結(jié)構(gòu)25，并覆蓋保護(hù)結(jié)構(gòu)15及填滿其封閉結(jié)構(gòu)，但不同之處在于第六實(shí)施例的緩沖層30并未包覆住保護(hù)結(jié)構(gòu)15的外側(cè)壁。據(jù)此，亦能達(dá)到本案發(fā)明的目的。
[0045]綜上，于光反射層20與緩沖層30之間，配置多個(gè)電阻增加結(jié)構(gòu)，且該些電阻增加結(jié)構(gòu)與該些第一電極結(jié)構(gòu)70的位置相對(duì)應(yīng)，可促使電流流經(jīng)磊晶結(jié)構(gòu)時(shí)，避開第一電極結(jié)構(gòu)70下方的區(qū)域，轉(zhuǎn)而流向該區(qū)域的兩側(cè)，使該兩側(cè)的發(fā)光層誘發(fā)光線，經(jīng)光反射層20反射至第一面IOa時(shí)，即不會(huì)被不透光的第一電極結(jié)構(gòu)70遮蔽或吸收；再搭配保護(hù)結(jié)構(gòu)與緩沖層30包圍光反射層20，可有效提升光反射層20的反射率。據(jù)此，可達(dá)到本案提升半導(dǎo)體發(fā)光元件出光率的目的。
[0046]以上所述，僅是本發(fā)明的實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光元件包括: 一發(fā)光的磊晶結(jié)構(gòu)，具有相對(duì)的一第一面及一第二面； 一第一電極結(jié)構(gòu)，與該第一面電性相接； 一光反射層，與該第二面相鄰；以及 一電阻增加結(jié)構(gòu)，與該光反射層相鄰，并遠(yuǎn)離該第二面，且與該第一電極結(jié)構(gòu)的位置相對(duì)應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于該磊晶結(jié)構(gòu)包括: 一第一電性半導(dǎo)體層，其表面形成該第一面； 一第二電性半導(dǎo)體層，其表面形成該第二面；以及 一發(fā)光層，位于該第一電性半導(dǎo)體層及該第二電性半導(dǎo)體層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:該電阻增加結(jié)構(gòu)與該第一電極結(jié)構(gòu)的一同一側(cè)邊緣對(duì)準(zhǔn)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:該電阻增加結(jié)構(gòu)的中線與該第一電極結(jié)構(gòu)的中線對(duì)準(zhǔn)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光元件更包括: 一緩沖層，與該光反射層及該電阻增加結(jié)構(gòu)相鄰； 一結(jié)合層，與該緩沖層相鄰，并遠(yuǎn)離該光反射層； 一基板，與該結(jié)合層相鄰，并遠(yuǎn)離該緩沖層；以及 一第二電極結(jié)構(gòu)，與該基板電性相接。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:該半導(dǎo)體發(fā)光元件更包括一保護(hù)結(jié)構(gòu)，圍繞該光反射層邊緣側(cè)壁，其中，該緩沖層包覆該保護(hù)結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:該電阻增加結(jié)構(gòu)位于該緩沖層中。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:該電阻增加結(jié)構(gòu)與該光反射層直接接觸。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:該半導(dǎo)體發(fā)光元件更包括一保護(hù)結(jié)構(gòu)，圍繞該光反射層邊緣側(cè)壁。
10.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，其步驟包括: 形成一具有相對(duì)的一第一面及一第二面的發(fā)光的嘉晶結(jié)構(gòu)； 于該第二面上方形成一光反射層； 于該光反射層上方形成一電阻增加結(jié)構(gòu)；以及 形成一第一電極結(jié)構(gòu)，與該第一面電性相接，且與該電阻增加結(jié)構(gòu)的位置相對(duì)應(yīng)。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，其特征在于形成該磊晶結(jié)構(gòu)的步驟包括: 于具有該第一面的一第一電性半導(dǎo)體層上方形成一發(fā)光層，且該發(fā)光層遠(yuǎn)離該第一面；以及 于該發(fā)光層上方形成一第二電性半導(dǎo)體層，用以形成該第二面。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，其特征在于:該半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟更包括于形成該光反射層之前，于該第二電性半導(dǎo)體層上形成一封閉的保護(hù)結(jié)構(gòu)，且該光反射層填入該保護(hù)結(jié)構(gòu)中。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，其特征在于:該半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟更包括形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)，圍繞于該光反射層的邊緣側(cè)壁。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，其特征在于:于形成該保護(hù)結(jié)構(gòu)時(shí)，同時(shí)形成該電阻增加結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，其特征在于該半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟更包括: 于該光反射層上方形成一緩沖層，且該緩沖層覆蓋該電阻增加結(jié)構(gòu)； 于該緩沖層上方形成一結(jié)合層； 于該結(jié)合層上方形成一基板；以及 于該基板上方形成一第二電極結(jié)構(gòu)，并電性相接。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，其特征在于:于該緩沖層中形成該電阻增加結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法，其特征在于:該半導(dǎo)體發(fā)光元件制造方法的步驟更包括形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)，圍繞于該光反射層的邊緣側(cè)壁，且該緩沖層包覆該保護(hù)結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L33/10GK103682011SQ201210409068
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月12日
【發(fā)明者】顏偉昱, 周理評(píng), 陳復(fù)邦, 張智松 申請(qǐng)人:聯(lián)勝光電股份有限公司