專利名稱：控制對(duì)含鎢層的蝕刻微負(fù)載的方法
控制對(duì)含鎢層的蝕刻微負(fù)載的方法本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2008年11月13日，申請(qǐng)?zhí)枮?00880117545. 3，申請(qǐng)人為朗姆研究公司，名稱為“控制對(duì)含鎢層的蝕刻微負(fù)載的方法及其設(shè)備”的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及蝕刻具有不同縱橫比特征的導(dǎo)電層。更具體地，本發(fā)明涉及在蝕刻具有稀疏特征和密集特征的導(dǎo)電層過程中降低微負(fù)載。在半導(dǎo)體晶片處理過程中，有時(shí)半導(dǎo)體器件會(huì)具有稀疏和密集特征。稀疏特征具有較寬的寬度，而密集特征具有較窄的寬度。結(jié)果，半導(dǎo)體器件具有不同縱橫比的特征。特征的縱橫比是特征高度和寬度的比。因此，如果半導(dǎo)體器件所有特征的高度近似相同，那么稀疏特征具有相對(duì)低的縱橫比，而密集特征具有相對(duì)高的縱橫比。 在蝕刻這種具有不同縱橫比特征的半導(dǎo)體器件過程中，特別是當(dāng)特征的縱橫比較高時(shí)，則微負(fù)載變成常見的問題。結(jié)果，該稀疏特征比該密集特征蝕刻得快。往往是，當(dāng)該稀疏特征的蝕刻完成時(shí)，該密集特征的蝕刻僅完成一部分。這稱作“依賴縱橫比蝕刻。繼續(xù)該蝕刻工藝以完成該密集特征的蝕刻會(huì)導(dǎo)致將該稀疏特征蝕刻進(jìn)被蝕刻層下方的層中，如基片，并且損傷該半導(dǎo)體器件。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)前面所述的以及按照本發(fā)明的目的，在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種用于控制被窄特征和寬特征遮蔽的含鎢層的蝕刻速率微負(fù)載的方法。提供具有鎢蝕刻成分和沉積成分的蝕刻氣體，其產(chǎn)生非共形沉積。由所提供的蝕刻氣體形成等離子。含鎢層利用由所提供的蝕刻氣體形成的等離子蝕刻。在另一個(gè)實(shí)施例中，提供一種用于通過具有寬特征和窄特征的掩模蝕刻含鎢層的方法。提供帶有鎢蝕刻成分和沉積成分的蝕刻氣體，其產(chǎn)生非共形沉積，其中該沉積成分包括含硅成分和含氧成分。由所提供的蝕刻氣體形成等離子。含鎢層利用由所提供的蝕刻氣體形成的等離子蝕刻。提供一種通過具有寬特征和窄特征的掩模蝕刻含鎢層的設(shè)備，包括等離子反應(yīng)器，以及用于提供鎢蝕刻氣體和沉積氣體、將該氣體混合物轉(zhuǎn)換為等離子以及停止該蝕刻氣體混合氣體流的計(jì)算機(jī)可讀代碼。本發(fā)明的這些和其他特征將在下面的具體描述中結(jié)合附圖更詳細(xì)地說明。


在附圖中，本發(fā)明作為示例而不是作為限制來說明，其中類似的參考標(biāo)號(hào)指出相似的元件，其中圖I是本發(fā)明實(shí)施例的高層流程圖。圖2是可用于蝕刻的等離子處理室的示意圖。圖3A-B說明一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其適于實(shí)現(xiàn)在本發(fā)明實(shí)施例中使用的控制器。
圖4A-C是按照本發(fā)明的實(shí)施例處理的層疊的示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將根據(jù)其如在附圖中說明的幾個(gè)實(shí)施方式來具體描述本發(fā)明。在下面的描述中，闡述許多具體細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的徹底理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯然，本發(fā)明可不利用這些具體細(xì)節(jié)的一些或者全部而實(shí)施。在有的情況下，公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)沒有說明，以避免不必要的混淆本發(fā)明。在蝕刻具有不同寬度或不同縱橫比特征的半導(dǎo)體器件過程中，特別是當(dāng)這些特征的縱橫比較高時(shí)，蝕刻速率微負(fù)載變成常見的問題。由于擴(kuò)散限制，蝕刻化學(xué)制劑進(jìn)入較寬的稀疏特征比進(jìn)入較窄的密集特征快。類似地，蝕刻工藝副產(chǎn)物離開該較寬的稀疏特征比離開較窄的密集特征快。結(jié)果，稀疏特征(即，寬度較寬的特征)比密集特征(即，寬度較窄的特征)蝕刻得快。為了便于理解，圖I是用于本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的工藝的高層流程圖。在含鎢層上 方形成圖案化有不同縱橫比(即，稀疏和密集特征)特征的掩模層(步驟100)。該稀疏和密集特征將最終蝕刻進(jìn)該含鎢層。在這個(gè)實(shí)施例中，該稀疏(較寬)和密集(較窄)特征使用鎢層上方的掩模圖案化。提供蝕刻氣體(步驟110)，其包含鎢蝕刻成分和沉積成分。由該蝕刻氣體形成等離子(步驟120)，并用來將該較寬和較窄特征蝕刻進(jìn)該含鎢層(步驟130)。該含鎢層的蝕刻依賴縱橫比，因?yàn)樵撓∈?較寬)特征(部分)由于蝕刻成分?jǐn)U散限制而比該密集(較窄)特征更快地蝕刻進(jìn)該含鎢層。然而，該沉積成分的沉積也依賴縱橫比，所以該沉積成分(部分)由于沉積成分?jǐn)U散限制而在寬特征的底面上比在窄特征的底部上沉積得更快。該寬特征中的這個(gè)選擇性沉積阻止相對(duì)該窄特征蝕刻該寬特征中的含鎢層?？梢虼似胶庠搶捄驼卣髦g的蝕刻速率，并消除甚至反轉(zhuǎn)蝕刻速率微負(fù)載。為了蝕刻該含鎢層，該含鎢層和該相關(guān)的層疊可設(shè)在等離子處理室。圖2是等離子處理系統(tǒng)200的示意圖，包括等離子處理工具201。該等離子處理工具201是電感耦合等離子蝕刻工具，并包括其中具有等離子處理室204的等離子反應(yīng)器202。變壓器耦合功率(TCP)控制器250和偏置功率控制器255分別控制影響在等離子室204內(nèi)產(chǎn)生該等離子224的TCP功率供應(yīng)源251和偏置功率供應(yīng)源256。該TCP功率控制器250設(shè)定TCP功率供應(yīng)源251的設(shè)定值，該供應(yīng)源配置為將13. 56MHz的射頻信號(hào)(經(jīng)過TCP匹配網(wǎng)絡(luò)252調(diào)諧)提供至位于該等離子室204附近的TCP線圈253。提供RF透明窗254以將TCP線圈253與等離子室204隔開，同時(shí)允許能量從TCP線圈253傳到等離子室204。光學(xué)透明窗265由一塊圓形剛玉形成，直徑大約2. 5cm (I英寸)，位于該RF透明窗254的孔內(nèi)。該偏置功率控制器255設(shè)定偏置功率供應(yīng)源256的設(shè)定值，該供應(yīng)源配置為將RF信號(hào)(由偏置匹配網(wǎng)絡(luò)257調(diào)諧)提供到位于該等離子室204內(nèi)的卡盤電極208，在適于容納正在處理的基片206 (如半導(dǎo)體晶片工件)的電極208上方產(chǎn)生直流(DC)偏置。氣體供應(yīng)機(jī)構(gòu)或氣體源210包括經(jīng)由氣體歧管217連接的氣體源以提供處理該等離子室204內(nèi)部所需的適當(dāng)化學(xué)制劑。一個(gè)氣體源可以是該蝕刻氣體源215，其提供用于蝕刻該含鎢層的適當(dāng)化學(xué)制劑。另一氣體源可以是該沉積氣體源216，其提供用于在該含鎢層上沉積的適當(dāng)化學(xué)制劑。排氣機(jī)構(gòu)218包括壓強(qiáng)控制閥門219和排氣泵220，并且從該等離子室204內(nèi)去除顆粒，以及保持等離子室204內(nèi)的特定壓力。溫度控制器280通過控制加熱器功率供應(yīng)源284來控制該卡盤電極208內(nèi)提供的加熱器282的溫度。該等離子處理系統(tǒng)200還包括電子控制電路270。該等離子處理系統(tǒng)200還可具有終點(diǎn)探測器260。圖3A和3B說明了一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其適于實(shí)現(xiàn)用于本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的控制回路270。圖3A示出該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)一種可能的物理形式。當(dāng)然，該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)300可以具有從集成電路、印刷電路板和小型手持設(shè)備到巨型超級(jí)計(jì)算機(jī)的范圍內(nèi)的許多物理形式。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)300包括監(jiān)視器302、顯示器304、機(jī)箱306、磁盤驅(qū)動(dòng)器308、鍵盤310和鼠標(biāo)312。磁盤314是用來與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)300傳入和傳出數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。圖3B是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)300的框圖的一個(gè)例子。連接到系統(tǒng)總線320的是各種各樣 的子系統(tǒng)。處理器322 (也稱為中央處理單元，或CPU)連接到存儲(chǔ)設(shè)備，包括存儲(chǔ)器324。存儲(chǔ)器324包括隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)。如本領(lǐng)域所公知的，ROM用作向CPU單向傳輸數(shù)據(jù)和指令，而RAM通常用來以雙向的方式傳輸數(shù)據(jù)和指令。這兩種類型的存儲(chǔ)器可包括下面描述的任何合適的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。固定磁盤326也是雙向連接到CPU322 ;其提供額外的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)并且也包括下面描述的任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。固定磁盤326可用來存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)等，并且通常是次級(jí)存儲(chǔ)介質(zhì)(如硬盤)，其比主存儲(chǔ)器慢。可以理解的是保留在固定磁盤326內(nèi)的信息可以在適當(dāng)?shù)那闆r下作為虛擬存儲(chǔ)器以標(biāo)準(zhǔn)的方式結(jié)合在存儲(chǔ)器324中。可移動(dòng)存儲(chǔ)器314可以采用下面描述的任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的形式。CPU 322還連接到各種輸入/輸出設(shè)備，如顯示器304、鍵盤310、鼠標(biāo)312和揚(yáng)聲器330。通常，輸入/輸出設(shè)備可以是下面的任何一種視頻顯示器、軌跡球、鼠標(biāo)、鍵盤、麥克風(fēng)、觸摸顯示器、轉(zhuǎn)換器讀卡器、磁帶或紙帶閱讀器、書寫板、觸針、語音或手寫識(shí)別器、生物閱讀器或其他計(jì)算機(jī)。CPU 322可選地可使用網(wǎng)絡(luò)接口 340連接到另一臺(tái)計(jì)算機(jī)或者電信網(wǎng)絡(luò)。利用這樣的網(wǎng)絡(luò)接口，計(jì)劃在執(zhí)行上述方法步驟地過程中，CPU可從網(wǎng)絡(luò)接收信息或者向網(wǎng)絡(luò)輸出信息。此外，本發(fā)明的方法實(shí)施方式可在CPU 322上單獨(dú)執(zhí)行或者可在如Internet的網(wǎng)絡(luò)上與共享該處理一部分的遠(yuǎn)程CPU —起執(zhí)行。另外，本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)一步涉及具有計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)產(chǎn)品，在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上有用于執(zhí)行各種計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的操作的計(jì)算機(jī)代碼。該介質(zhì)和計(jì)算機(jī)代碼可以是那些為本發(fā)明目的專門設(shè)計(jì)和構(gòu)建的，或者它們可以是對(duì)于計(jì)算機(jī)軟件領(lǐng)域技術(shù)人員來說公知并且可以得到的類型。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的例子包括，但不限于磁介質(zhì)，如硬盤、軟盤和磁帶；光介質(zhì)，如⑶-ROM和全息設(shè)備；磁_(tái)光介質(zhì)，如光軟盤；以及為了存儲(chǔ)和執(zhí)行程序代碼專門配置的硬件設(shè)備，如專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)以及ROM和RAM器件。計(jì)算機(jī)代碼的例子包括如由編譯器生成的機(jī)器代碼，以及包含高級(jí)代碼的文件，該高級(jí)代碼能夠由計(jì)算機(jī)使用解釋器來執(zhí)行。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)還可以是在載波中由計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)信號(hào)攜帶的并且表示能夠被處理器執(zhí)行的指令序列的計(jì)算機(jī)代碼。為了便于理解本發(fā)明，圖4A-C是按照本發(fā)明的實(shí)施例處理的層疊的示意圖。圖案化有不同縱橫比特征的(S卩，稀疏和密集特征)掩模層形成在含鎢層上方(步驟100)。圖4A是層疊400的剖視示意圖，其具有基片410，在基片上方提供蝕刻層420。該蝕刻層420是含鎢層，優(yōu)選地鎢(W)。掩模層430是存在于該含鎢層420上方。該掩模層430可以是碳基掩模，如含有CH、CF、無定形碳等的掩模?；蛘?，該掩模層430可以是無機(jī)硬掩模，如二氧化硅、氮化硅等。優(yōu)選地，該掩模層基于SiO，如熱氧化物或TEOS。該掩模層430圖案化有稀疏特征440和密集特征450兩者。該稀疏特征440的寬度441相對(duì)該密集特征450的寬度451較大。換句話說，該稀疏特征440具有比該密集特征450更寬的開口。因此，該稀疏特征440也可稱作“較寬”或“寬”特征，該密集特征450也可稱作“較窄”或“窄”特征。優(yōu)選地，該稀疏或較寬特征440是該密集或較窄特征450的至少兩倍寬。更優(yōu)選地，該稀疏或較寬特征440是該密集或較窄特征450的至少五倍寬。最優(yōu)選地，該稀疏或較寬特征440是該密集或較窄特征450的至少十倍寬。提供包括鎢蝕刻成分和沉積成分的混合物的蝕刻氣體(步驟110)。該沉積成分包括含硅成分和含氧成分。該蝕刻氣體的含硅成分可以是任何氣態(tài)含硅化學(xué)制劑。例如，該含硅成分可以是有機(jī)硅氧烷；即，基于結(jié)構(gòu)單元1 2310的硅、氧和碳的化合物，其中R是烷基，如甲基、乙基、丙基等，以及其沸點(diǎn)處于或者低于攝氏150度。硅氧烷化合物的合適示例包括但不限于四甲基二硅氧烷[((CH3) 2SiH)20]、五甲基二硅氧烷和六甲基二硅氧烷。該含 硅化合物還可以是類似硅氧烷的化合物，只是該橋接氧用氮替換(例如四甲基二硅氮烷，六甲基二硅氮烷，或N-甲基-N-甲硅基烷-硅胺烷)，或硅、碳和氫組成的化合物，如二甲硅烷基乙炔[C2H6Si2]。或者，該含硅成分可以是基于該結(jié)構(gòu)單元SiAxZ (4_x)的有機(jī)硅化合物，其中A從H、F、Cl、Br或I組成的組中選擇，Z是烷基，如甲基，乙基，丙基等，X可在0-4之間變化，并且其沸點(diǎn)處于或者低于150攝氏度。例如，在X等于2，A是氫以及Z是甲基時(shí)，該含硅成分可以是二甲基硅烷[(CH3) 2SiH2]。另一實(shí)施例中，在X等于2，A為氯以及Z是甲基時(shí)，該含硅成分可以是二氯二甲基硅烷[(CH3) 2SiCl2]。在又一示例中，當(dāng)X等于零以及Z是甲基時(shí)，該含硅成分可以是四甲基硅烷[(CH3)4Sih優(yōu)選地，該含硅成分是基于硅烷的；即，硅烷，或鹵化硅烷。硅烷由SiH4或經(jīng)驗(yàn)公式為SixH (2x+2)(其中X最小值為I)的更高的硅烷組成。鹵化硅烷由經(jīng)驗(yàn)公式為SixAyH (2x+2_y)的化合物組成，其中A從F、Cl、Br或I的組中選擇，X和y每個(gè)最小值為I。更優(yōu)選地，該硅烷基含硅成分是齒化硅烷。最優(yōu)選地，該硅烷基含硅成分是四氯化硅(SiCl4)。在某些情況下，該沉積成分的含氧成分可通過該含硅成分工藝氣體提供。例如，如果該含硅成分包括硅氧烷，則該沉積成分的含氧成分可以是來自該硅氧烷的氧。在別的情況下，該沉積成分的含氧成分可以由該含硅成分單獨(dú)提供。即，該含氧成分可包含氧元素而沒有硅元素。例如，該含氧成分可以是0)、0)2、03、1120或02?；蛘?，該沉積成分的含氧成分的氧可以來自含硅的工藝氣體，如硅氧烷，以及獨(dú)立的含氧成分，其不包含硅。優(yōu)選地，該沉積成分的含氧成分來自獨(dú)立的含氧成分，其包含氧元素而沒有硅。最優(yōu)選地，該含氧成分是O2。由所提供的蝕刻氣體混合物形成等離子(步驟120)，以及蝕刻含鎢層(步驟130)。圖4B示出該層疊400在該蝕刻工藝過程中的剖視示意圖(步驟130)。該含鎢層420的蝕亥IJ (部分)由于該蝕刻成分?jǐn)U散受限而依賴縱橫比。該稀疏(較寬，低縱橫比)特征440比該密集(較窄，高縱橫比)特征450蝕刻得快。然而，該含鎢層上來自該沉積成分的沉積對(duì)該稀疏特征有選擇性，(部分)由于該沉積成分?jǐn)U散受到限制。該稀疏(較寬，低縱橫比)特征440內(nèi)、特別是底部上的沉積物443比該密集(較窄，高縱橫比)特征450內(nèi)的沉積物453多，因?yàn)槌练e化學(xué)制劑進(jìn)入該稀疏特征440比進(jìn)入該密集特征450更容易。因此，該沉積也是依賴縱橫比。蝕刻和沉積同時(shí)在該稀疏440和該密集450特征兩者中發(fā)生。該稀疏特征440底部上更多的沉積補(bǔ)償該稀疏特征440更快的蝕刻，導(dǎo)致稀疏440和窄450特征兩者在蝕刻步驟期間蝕刻掉導(dǎo)電層420基本上相同的深度460。S卩，那些特征443中的選擇性沉積所導(dǎo)致的稀疏特征440中較低的蝕刻速率產(chǎn)生零微負(fù)載。反向或正向微負(fù)載還可通過修改蝕刻步驟130中的沉積成分而獲得，以在該稀疏特征440中產(chǎn)生相對(duì)該窄特征450更多的沉積物。此外，該沉積是非共形的，從而相比該特征底部上的沉積物，該特征側(cè)壁上只有極少的沉積物。該特征的側(cè)壁上極少的或者根本沒有沉積物會(huì)防止該特征的開口變窄。該掩模層430的頂部上還可以有一定量的沉積物446、456。該掩模層430的蝕刻 也發(fā)生在該蝕刻步驟130中。該掩模層430頂部上的沉積物446和456降低該掩模層430的蝕刻速率(即，腐蝕和/或侵蝕)。當(dāng)該蝕刻成分和該沉積成分合理平衡后，即當(dāng)該層420的蝕刻速率基本上與該稀疏440和密集450特征兩者相同時(shí)，該稀疏特征440中的沉積層443以及掩模層430上的沉積層446和456的厚度可以非常小，例如單分子層或亞單分子層。所以，圖4B中夸大了該沉積層的相對(duì)厚度，以便描述該選擇性沉積工藝。當(dāng)蝕刻該含鎢層時(shí)，在步驟(C)中提供該蝕刻成分和該沉積成分(步驟130)，直到將該含鎢層完全蝕刻掉(即到達(dá)該蝕刻步驟的終點(diǎn))。該沉積成分和蝕刻成分合理平衡以消除蝕刻速率微負(fù)載的蝕刻制法的示例如下4毫托的工藝壓力，900瓦特的等離子功率，90瓦特的晶片偏置功率，Cl2氣體流量30標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(sccm)，NF3氣體流量25sCCm，O2氣體流量30sccm, N2氣體流量70sccm, SiCl4氣體流量13sccm,晶片基片溫度設(shè)定值60攝氏度。圖4C示出該層疊400在該含鎢層420被完全蝕刻掉之后的剖視示意圖。在該寬特征441和該窄特征451兩者中，該特征440和450已經(jīng)到達(dá)該含鎢層420的底部。S卩，當(dāng)該含鎢層已經(jīng)完全從該寬特征440底部去除時(shí)，在該窄特征450中沒有含鎢層殘留。該非共形沉積防止該寬特征441和該窄特征451中的開口變窄，以及在蝕刻期間沉積在該特征頂部上的沉積物減少該掩模430的腐蝕。在蝕刻完成后，該稀疏(較寬)特征440的寬度441相對(duì)該密集(較窄)特征450的寬度451較大。該稀疏(較寬)特征440和該密集(較窄)特征450兩者的高度442近似相同。因此，該稀疏(較寬)特征440的縱橫比相對(duì)該密集(較窄)特征450的縱橫比較低或小。在一個(gè)示例中，該含鎢層420中窄特征的縱橫比可以大于1:1，如當(dāng)該密集(較窄)特征的寬度大約80納米(nm)以及該特征的高度為IlOnm時(shí)。另一實(shí)施例中，該含鎢層420中的窄特征的縱橫比可以大于7: I。在第三示例中，該含鎢層420中窄特征的縱橫比可以大于15: I。盡管本發(fā)明依照多個(gè)實(shí)施方式描述，但是存在落入本發(fā)明范圍內(nèi)的改變、置換和各種替代等同物。還應(yīng)當(dāng)注意，有許多實(shí)現(xiàn)本發(fā)明方法和設(shè)備的可選方式。所以，其意圖是下面所附的權(quán)利要求解釋為包括所有這樣的落入本發(fā)明主旨和范圍內(nèi)的改變、置換和各種替代等同物。
權(quán)利要求
1.一種通過具有寬特征和窄特征的掩模蝕刻含鎢層的方法，包括 Ca)提供包括鎢蝕刻成分和沉積成分的蝕刻氣體混合物，其產(chǎn)生非共形沉積物； (b)由該蝕刻氣體混合物形成等離子；以及 (C)使用由該蝕刻氣體混合物形成的等離子蝕刻該含鎢層； 其中，該沉積成分選擇性地在該特征的側(cè)壁上比在特征底部上沉積更少。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中該沉積成分包括含硅成分和含氧成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中該含硅成分是有機(jī)硅氧烷。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中該含娃成分是有機(jī)娃。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中該含娃成分基于娃燒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中該含娃成分是齒化娃燒。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該鹵化硅烷是SiCl4。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中該含氧成分是氧氣(02)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中該沉積成分沉積在該掩模的頂部上以減少鎢蝕刻步驟期間的掩模蝕刻速率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中該掩模是硬掩模。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中該掩模是Si02、Si3N4或SiON。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中當(dāng)蝕刻該含鎢層時(shí)，在步驟(c)中提供該蝕刻成分和該沉積成分。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中當(dāng)蝕刻該含鎢層，在步驟(c)中提供該蝕刻成分和該沉積成分直到完全蝕刻該含鎢層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中該蝕刻成分受限擴(kuò)散進(jìn)窄特征。
全文摘要
提供一種含鎢層中蝕刻不同縱橫比特征的方法。提供一種包含鎢蝕刻成分和沉積成分的蝕刻氣體。由所提供的蝕刻氣體形成等離子。利用所提供的等離子蝕刻圖案化有寬和窄特征的含鎢層。
文檔編號(hào)H01L21/3213GK102969240SQ20121042934
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2008年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月21日
發(fā)明者李源哲, 符謙, 劉身健, 布賴恩·普 申請(qǐng)人:朗姆研究公司