專利名稱：半導(dǎo)體封裝件、基板及其制造方法
半導(dǎo)體封裝件、基板及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件、基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝件技術(shù)在電子產(chǎn)業(yè)中扮演一個重要的角色。輕巧、堅固和高效能已經(jīng)成為消費型電子和通訊產(chǎn)品的基本要求，半導(dǎo)體封裝件必須提供較佳的電子性能，小體積和多數(shù)量的輸入/輸出端點。
使用于半導(dǎo)體封裝件的基板通常具有多重金屬層，多重金屬層可以電性連接于所使用的信號導(dǎo)線及/或貫孔。當(dāng)封裝件的尺寸縮小，用以連接多重金屬層的信號導(dǎo)線及貫孔可以變得更小且更接近，而增加成本及組裝線路封裝工藝的復(fù)雜性。因此必須發(fā)展出經(jīng)由不復(fù)雜的工藝及適用以大量生產(chǎn)以制造具有較薄外形的基板，以有一高生產(chǎn)量的產(chǎn)出。 并且必須發(fā)展出對應(yīng)組裝件所包含基板及基板與對應(yīng)封裝件的制造方法。發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一實施例，提供一半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一基板、一芯片、一封裝體及數(shù)個焊球?；灏唤^緣層、數(shù)個接墊、一防焊層、數(shù)個第一信號導(dǎo)線及數(shù)個第二信號導(dǎo)線。絕緣層具有相對的頂部側(cè)及底部側(cè)。各個接墊具有一第一側(cè)表面且設(shè)置于絕緣層的底部側(cè)。防焊層具有一第二側(cè)表面且設(shè)置于絕緣層的底部側(cè)。第一側(cè)表面連接第二側(cè)表面。除了第一信號導(dǎo)線的表面外，各個第一信號導(dǎo)線嵌入于絕緣層中，并自絕緣層的底部側(cè)暴露，且連接于對應(yīng)此些接墊的其中之一。各個第二信號導(dǎo)線設(shè)置于絕緣層的頂部側(cè)且連結(jié)于對應(yīng)第一信號導(dǎo)線的其中之一。芯片設(shè)置于基板上且電性連接于基板。封裝體包覆芯片。各個焊球設(shè)置于此些接墊的其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一基板?；灏ㄒ唤^緣層、數(shù)個接墊、防焊層、數(shù)個第一信號導(dǎo)線及數(shù)個第二信號導(dǎo)線。絕緣層具有相對的頂部側(cè)和底部側(cè)。各個接墊具有一第一側(cè)表面且設(shè)置于絕緣層的底部側(cè)。防焊層具有一第二側(cè)表面且設(shè)置于絕緣層的底部側(cè)。第一側(cè)表面連接第二側(cè)表面。除了第一信號導(dǎo)線的表面外，各個第一信號導(dǎo)線嵌入于絕緣層中，并自絕緣層的底部側(cè)暴露，且連接于對應(yīng)此些墊的其中之一。各個第二信號導(dǎo)線設(shè)置于絕緣層的頂部側(cè)且連結(jié)于對應(yīng)第一信號導(dǎo)線的其中之一。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括下列所述的步驟。提供一載體。設(shè)置數(shù)個接墊及一防焊層于載體之上。設(shè)置絕緣層以覆蓋接墊和防焊層。移除載體。設(shè)置芯片于絕緣層之上。形成數(shù)個焊球于接墊上。


圖I繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件的部分剖面圖。
圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件的部分剖面圖。
圖3A 3K繪示圖I的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。
圖4繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件的部分剖面圖。
圖5繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件的部分剖面圖。
圖6A 6K繪示圖4的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。
圖7繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件的部分剖面圖。
圖8繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件的部分剖面圖。
圖9繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件的部分剖面圖。
圖10繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件的部分剖面圖。
圖IlA IlM繪示圖7的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。
所有附圖及詳細(xì)描述中，共同的元件以相同的參考符號標(biāo)示。下述的詳細(xì)說明及結(jié)合伴隨的附圖下，將使本發(fā)明更加清楚。
主要元件符號說明
100、200、400、500、700、800、900、1000 :半導(dǎo)體封裝件
110、210、410、510、710、810、1010 :基板
111、411、711’、716 :絕緣層
llla、411a、711a :貫孔
112、412:接墊
112a:接墊的頂部表面
112b :接墊的第一底部表面
112c :接墊的第一側(cè)表面
113、119、413、419 :防焊層
113a :防焊層的一頂部表面
113b :防焊層的第二底部表面
113c :防焊層的第二側(cè)表面
114、414、416、716，、718 :種子層
115、415 :第一信號導(dǎo)線
115a :第一信號導(dǎo)線的一表面
116:導(dǎo)電層
118、418 :第二信號導(dǎo)線
118a、418a :接墊部
120、220、420、820、1020 :芯片
130、430 :封裝體
140、440 :焊球
150、450 :載體
160、460:導(dǎo)電層
170 :接合線路
230:導(dǎo)電凸塊
470 電路
712 :導(dǎo)線
714:導(dǎo)電支柱
Hl :接墊的厚度
H3:防焊層的厚度
W1、W2:寬度具體實施方式
參照圖1，其繪示本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體封裝件100的剖面圖。半導(dǎo)體封裝件 100包括一基板110、一芯片120、一封裝體130及數(shù)個焊球140 (或其他電性連接凸塊)。
基板110包括一絕緣層111、數(shù)個接墊112(于圖I中僅繪示二個接墊112)、一防焊層113、二個線路層(各線路層112包括數(shù)個第一信號導(dǎo)線115及數(shù)個第二信號導(dǎo)線 118)及一防焊層119。絕緣層111也可以是固化片(core)或半固化片(prepreg)。防焊層113、119及絕緣層111可以包括一樹脂材料,例如是氟化氫銨(ammonium bifluoride) > ABF(ajinomoto build-up film)、BT(bismaleimide triazine)、聚亞酉先胺(polyimide)、液晶高分子聚合物(liquid crystal polymer)、環(huán)氧樹脂(epoxyresin)或上述的組合物。絕緣層111可以結(jié)合玻璃纖維(如纖維接墊的類型或其他類型的纖維以提供較佳的機(jī)械強(qiáng)度)。接墊112及第一信號導(dǎo)線115可以包括金屬、金屬合金或其他電性連接材料。
防焊層113是以非感光材料形成的一熱固化層，例如是ABF (aj inomoto build-upfilm)類材料或去銅箔的覆樹脂銅箔(Resin-Coated-Copper, RCC)。除了提供永久保護(hù)涂層給第一信號導(dǎo)線115及避免焊錫橋接相鄰的接墊112外，防焊層113還具有一適當(dāng)硬度，藉此允許使用一接續(xù)的機(jī)械研磨步驟以確保充分地均勻的厚度。特別的是，防焊層113具有介于0. 08GPa到25GPa的一楊氏系數(shù)。當(dāng)防焊層113的楊氏系數(shù)小于0. 08GPa 時，因為防焊層113太軟以至于難以經(jīng)由拋光來確保充分地均勻厚度。當(dāng)防焊層113的楊氏系數(shù)大于25GPa時，防焊層113太硬以至于需要昂貴的特殊研磨工具來執(zhí)行機(jī)械研磨(拋光)步驟。
接墊112和防焊層113都被設(shè)置于絕緣層111的底部側(cè)。在本實施例中，絕緣層的全部底部側(cè)被防焊層113和接墊112覆蓋。接墊112具有一側(cè)表面112c，接墊112的側(cè)表面112c無間隙地連接防焊層113的側(cè)表面。接墊112具有一厚度Hl，其實質(zhì)上等于防焊層113的厚度H3。接墊112的一頂部表面112a和防焊層113的一頂部表面113a實質(zhì)上位于同一平面。接墊112的底部表面112b和防和層113的底部表面113b實質(zhì)上位于同一平面。除了第一信號導(dǎo)線115的一表面115a外，各個第一信號導(dǎo)線115嵌入于絕緣層111 內(nèi)。第一信號導(dǎo)線115的一表面115a自絕緣層111底部設(shè)置。第一信號導(dǎo)線115的一表面115a被防焊層113和接墊112覆蓋。各個第一信號導(dǎo)線115連接于對應(yīng)的此些接墊的其中之一。在一實施例中，第一信號導(dǎo)線115具有一寬度W1，其小于對應(yīng)接墊112的一寬度 W2。
各個第二信號導(dǎo)線118設(shè)置于絕緣層111的頂部側(cè)及連接于對應(yīng)此些第一信號導(dǎo)線115的其中之一。各個第二信號導(dǎo)線118具有一接墊部118a，接墊部118a暴露于防焊層119用以連接至芯片120，例如是用以接合于接合線路170。在一實施例中，暴露的接墊部118a可以被表面處理層覆蓋(未繪示)。
經(jīng)由接合線路170，芯片120電性連接于基板110 (僅繪示于圖I)。芯片120可以是一集成電路加工在半導(dǎo)體材料上。舉例來說，芯片120可以是一影像感測芯片、一處理器或一儲存存儲器。
封裝體130實質(zhì)上覆蓋或封裝芯片120、接合線路170及第二信號導(dǎo)線118的暴露的接墊部118a，以提供機(jī)械穩(wěn)定度和抗氧化、潮濕及其他環(huán)境情況。封裝體130可以包括一塑模材料，例如是一丙酮基樹脂(Novolac-based)、一環(huán)氧基樹脂(epoxy-based resin) 一娃基樹脂(silicone-based resin)或其他合適的封裝材料。合適的填充物也可以包括例如是氧化娃粉(powdered Si02)。
各個焊球140相鄰于對應(yīng)此些接墊112的其中之一。焊球140用外部以電性連接至半導(dǎo)體封裝件100，例如是電性連接至另一半導(dǎo)體封裝件或其他于電路板上的元件。
圖2繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件200的部分剖面圖。除了芯片 220是覆晶接合于基板210上以外，半導(dǎo)體封裝件200類似于圖I中所描述的半導(dǎo)體封裝件 100。暴露的接墊部118a設(shè)置于芯片220下方，而不是芯片120的外部。特別是，芯片220 可以經(jīng)過一融合導(dǎo)電凸塊230 (可以由導(dǎo)電材料制成，如焊料)電性連接于基板120的接墊部118a。
圖3A 3K繪示圖I的半導(dǎo)體封裝件的制造方法的流程圖。為了便于說明，下述制造的實施方式請參照圖I的半導(dǎo)體封裝件100。然而，應(yīng)理解的是，此制造方式可以采用類似方式實施，以形成其他的半導(dǎo)體封裝件，其他的半導(dǎo)體封裝件可以具有和半導(dǎo)體封裝件100不同的內(nèi)在結(jié)構(gòu)(如圖2所繪示的半導(dǎo)體封裝件200)。也應(yīng)理解的是，制造的實施方式可以被完成以制成包含連接半導(dǎo)體封裝件陣列的一基板片，各基板片可對應(yīng)于一封裝體(如圖I和圖2中所繪示)。
參照圖3A,提供一載體150。一導(dǎo)電層160設(shè)置于載體150上。導(dǎo)電層160可以由一金屬、一金屬合金、內(nèi)部分散有金屬或金屬合金的一介質(zhì)或其他合適的電性傳導(dǎo)材料所構(gòu)成。舉例來說，導(dǎo)電層160可以包括一金屬薄片由銅或一含銅合金所構(gòu)成。在一實施例中，導(dǎo)電層160可以經(jīng)由一釋放層(未繪示)附接于載體150。釋放層允許接續(xù)地制造實施方法被完成。導(dǎo)電層160可以具有范圍介于從大約2微米(μπι)到大約20微米的一厚度，例如是從大約3微米(μπι)到大約5微米、從大約3微米(μπι)到大約10微米、從大約 10微米(μ m)到大約20微米和從大約15微米(μ m)到大約20微米。
參照圖3B，接墊112形成在導(dǎo)電層160預(yù)定的位置上。在一實施例中，接墊112可以經(jīng)由一相加工藝、一半相加工藝或一消去工藝所形成。接墊112可以由一金屬、一金屬合金、內(nèi)部分散有金屬或金屬合金的一介質(zhì)或其他合適的電性傳導(dǎo)材料所構(gòu)成。舉例來說，接墊112可以包括一層或多層的銅或銅合金。
在圖3C中，防焊層113形成在導(dǎo)電層160上且位于相鄰接墊112之間隙中。特別的是，可以經(jīng)由在導(dǎo)電層160上涂布一熱固化及非感光材料或制成一薄膜狀的熱固化和感光材料來形成防焊層113及接墊112，固化介質(zhì)材料及移除部分固化介質(zhì)材料經(jīng)由機(jī)器研磨(polis)或其他方法來暴露接墊112,例如是磨光(grill)或拋光。當(dāng)采用覆樹脂銅箔 (Resin-Coated-Copper,RCC)來形成防焊層113時,在堆迭覆樹脂銅箔之后去除防焊層113 的銅層，然后移除部分樹脂以暴露接墊112。也可以使用機(jī)械研磨以確保防焊層113和接墊112的充分均勻的厚度及確保接墊112的暴露表面與防焊層113的暴露表面實質(zhì)上對齊地。
種子層114形成于防焊層113接墊112上。種子層114可以經(jīng)由無電電鍍或濺射來形成。在一實施例中，防焊層113更可以通過粗糙化表面處理(如化學(xué)蝕刻)以幫助種子層114附著于防焊層113。
因為防焊層113位于接墊112之間隙中，而介于接墊的第一側(cè)表面112C與第二側(cè)表面113c間并無空隙。再者，因為接墊112及防焊層113皆設(shè)置于導(dǎo)電層160與種子層114 間，接墊112的厚度Hl與防焊層113的厚度H3實質(zhì)上相同。接墊112的頂部表面112a及防焊層113的頂部表面113c是共平面的，如同接墊112的第一底部表面112b和防焊層113 的第二底部表面113b是共平面的一樣。因此，接墊112和防焊層113形成單一的相連層， 無任何孔隙而具有共平面的上表面和下表面。
在圖3D中，第一信號導(dǎo)線115經(jīng)由一半相加工藝形成于防焊層113及接墊112 上。特別地是，一介質(zhì)材料、一光阻或其他適合的材料的一暫時性遮罩鄰近設(shè)置于種子層 114 (繪示于圖3C中)，接著暫時性遮罩在對應(yīng)于第一信號導(dǎo)線115的部分形成一開口圖案。種子層114被用以做為一電鍍層，其提供一電流路徑以于開口中電鍍形成第一信號導(dǎo)線115。接著，移除電鍍后的暫時性遮罩并移除未被第一信號導(dǎo)線115覆蓋的部份種子層 114，例如是經(jīng)由快速蝕刻。
如圖3E所繪示，形成絕緣層111以覆蓋第一信號導(dǎo)線115、部份的接墊112和部份的防焊層113。再者，形成導(dǎo)電層116于絕緣層111上。導(dǎo)電層116的材料可以類似于導(dǎo)電層160所形成的材料，例如是一銅層。在一些實施例中，絕緣層111及導(dǎo)電層116可以在一共同處理程序中同時地堆迭。
在圖3F中，貫孔11 Ia形成于導(dǎo)電層116及于絕緣層111中，以暴露第一信號導(dǎo)線 115，例如是經(jīng)由等離子體蝕刻、化學(xué)蝕刻、機(jī)械鉆孔、激光鉆孔或上述方法的組合。
在圖3G中，第二信號導(dǎo)線118經(jīng)由半相加工藝分別設(shè)置于對應(yīng)的貫孔Illa及絕緣層111上(與形成第一信號導(dǎo)線115的方法流程相似)。第二信號導(dǎo)線118包括一孔洞部及接墊或?qū)Ь€部。孔洞部設(shè)置于貫孔Illa內(nèi)。接墊或?qū)Ь€部設(shè)置于絕緣層111的上表面的上。第二信號導(dǎo)線118電性連接于第一信號導(dǎo)線115。
在圖3H中，除了第二信號導(dǎo)線118的接墊部118a夕卜，防焊層119設(shè)置于第二信號導(dǎo)線118上。接著，表面處理層(未繪示)可以選擇性地設(shè)置于暴露的接墊部118a上。表面處理層可以由錫、鎳和金，或含有錫的合金、或含有鎳及金的合金中至少一種所形成。
在圖31中，移除載體150 (繪示于圖3H中)以暴露導(dǎo)電層160。如先前所敘并參照圖3A，導(dǎo)電層160可以具有大約15微米(μπι)到大約20微米范圍的原始厚度。導(dǎo)電層 160可以進(jìn)一步采用化學(xué)蝕刻以使其具有從大約3微米(μπι)到10微米范圍的一減少厚度，例如是從大約3微米到大約8微米。蝕刻導(dǎo)電層160的理由是因為從大約3微米到大約8微米范圍的厚度可以有效地減少基板110翹曲及增加制造用于基板的封裝體的良率。 導(dǎo)電層160的厚度大于或小于此范圍時，可能會導(dǎo)致基板110的翹曲。
在圖3J中，芯片120設(shè)置于絕緣層111的上且通過接合線路170電性連接于暴露的接墊部118a。芯片120可以經(jīng)由一黏晶層(未繪示)貼接于基板110。接著，封裝體130 封裝芯片120、接合線路170及基板110。
在圖3K中，移除導(dǎo)電層160 (繪示于圖3J中)，例如是經(jīng)由化學(xué)蝕刻及/或快速蝕刻，以暴露防焊層113及接墊112。接墊112可以經(jīng)由導(dǎo)電層160以避免暴露于外在環(huán)境。 在貼附及封裝芯片120之后移除導(dǎo)電層160可以延長所需的保護(hù)期間。移除導(dǎo)電層160后，8焊球140分別設(shè)置于接墊112上。由于防焊層113已提供于基板110的底部側(cè)，以做為第一信號導(dǎo)線115的一永久保護(hù)涂層，而不需再形成任何額外的防焊層于基板110的底部側(cè)。
圖4繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件400的部分剖面圖。半導(dǎo)體封裝件400于許多方面相似于圖I中所繪示的半導(dǎo)體封裝件100，所以在此僅討論半導(dǎo)體封裝件 400的差異之處，其他相同部分將不再贅述。半導(dǎo)體封裝件400包括一基板410、數(shù)個接墊 412 (相似于接墊112)、一防焊層413 (相似于防焊層113)、數(shù)個第一信號導(dǎo)線415 (相似于第一信號導(dǎo)線115)、數(shù)個第二信號導(dǎo)線418(相似于第二信號導(dǎo)線118)及一防焊層419(相似于防焊層119)?；?10包括一絕緣層411 (相似于絕緣層111)。至少部份的第二信號導(dǎo)線418直接連接至對應(yīng)的接墊412。直接連接第二信號導(dǎo)線418及對應(yīng)的接墊412僅需要一個對準(zhǔn)步驟，例如是連接孔至接墊的對準(zhǔn)。因此可以提供較佳的產(chǎn)品產(chǎn)量。相較于圖 I的半導(dǎo)體封裝件100，半導(dǎo)體封裝件100需要二個對準(zhǔn)步驟，例如是接孔至導(dǎo)線的對準(zhǔn)及線路至接墊的對準(zhǔn)，以連接第二信號導(dǎo)線118至第一信號導(dǎo)線115，接著再連接至接墊112。
圖5繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件500的部分剖面圖。除了半導(dǎo)體封裝件500的芯片220是覆晶接合于基板510，半導(dǎo)體封裝件500相似于圖4中所描述的半導(dǎo)體封裝件400。
圖6A 6K繪示圖4的半導(dǎo)體封裝件400的制造方法流程圖。然而，應(yīng)理解的是， 此制造方式可以采用類似方式實施，以形成其他的半導(dǎo)體封裝件。其他的半導(dǎo)體封裝件可以具有與半導(dǎo)體封裝件400不同的內(nèi)在結(jié)構(gòu)，例如是圖5所繪示的半導(dǎo)體封裝件500。也應(yīng)理解的是，制造的實施方式可以一基板片來完成，各基板片包括相連接的半導(dǎo)體封裝件陣列，且各個半導(dǎo)體封裝件對應(yīng)于圖4與圖5所繪示的封裝件。
在圖6A中，提供一載體450及一導(dǎo)電層460。在圖6B中，形成數(shù)個接墊412。在圖6C中，形成防焊層413及種子層414。在圖6D中，形成至少一第一信號導(dǎo)線415。在圖 6E中，形成一絕緣層411及另一種子層416。在圖6F中，形成至少一貫孔411a于絕緣層 411內(nèi)。在圖6G中，形成至少一第二信號導(dǎo)線418。在圖6H中，形成一防焊層419。在圖 61中，移除載體450 (繪示于圖6H中)。在圖6J中，設(shè)置芯片420在基板410上及通過一線路470連接第二信號導(dǎo)線418的一接墊部418a。之后，封裝體430包覆芯片420及基板 410。在圖6K中，移除導(dǎo)電層460 (繪示于圖6J中)且形成一焊球440在接墊412上，藉此獲得圖4的半導(dǎo)體封裝件400。
圖7繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件700的部分剖面圖。除了半導(dǎo)體封裝件700以三層電路層取代二層電路層外，半導(dǎo)體封裝件700相似于圖I中所繪示的半導(dǎo)體封裝件100。特別的是，附加的線路層包括數(shù)個信號導(dǎo)線712，附加的線路層提供附加的彈性路徑及數(shù)個導(dǎo)電支柱714用以連接第一信號導(dǎo)線115至對應(yīng)的接墊112。
圖8繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件800的部分剖面圖。除了半導(dǎo)體封裝件800的芯片820覆晶接合于基板810，半導(dǎo)體封裝件800相似于圖7中所繪示的半導(dǎo)體封裝件700。
圖9繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件900的部分剖面圖。除了半導(dǎo)體封裝件900以四層線路層取代三層線路層外，半導(dǎo)體封裝件900相似于第圖中所繪示的半導(dǎo)體封裝件700。
圖10繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例的一半導(dǎo)體封裝件1000的部分剖面圖。除了半導(dǎo)體封裝件1000的芯片1020覆晶接合于基板1010，半導(dǎo)體封裝件1000相似于圖9中所繪示的半導(dǎo)體封裝件900。
圖IlA IlM繪示圖7的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。為便于說明，下述制造的實施方式請參照圖7的半導(dǎo)體封裝件700。然而，應(yīng)理解的是，此制造方式可以用類似方式實施，以形成其他的半導(dǎo)體封裝件。其他的半導(dǎo)體封裝件可以具有和半導(dǎo)體封裝件700 不同的內(nèi)在結(jié)構(gòu)，例如是半導(dǎo)體封裝件800、900及1000。也應(yīng)理解的是，制造的實施方式可以采用一基板片來完成。各基板片包括相連接的半導(dǎo)體封裝件陣列，各半導(dǎo)體封裝件對應(yīng)于圖7和圖10中所繪示的封裝件。
在圖IlA中，提供一載體150及一導(dǎo)電層160。在圖IlB中，形成數(shù)個接墊412。在圖IlC中，形成防焊層413及種子層414。
在圖IlD中，形成數(shù)個導(dǎo)線712于防焊層113上，且經(jīng)由例如半相加工藝形成一傳導(dǎo)支柱714于對應(yīng)的接墊112。
在圖IlE中，形成一絕緣層716和另一種子層718。特別地是，絕緣層716可以被堆迭于導(dǎo)線712及傳導(dǎo)支柱714，以使導(dǎo)線712及傳導(dǎo)支助714嵌入于絕緣層716中。接著經(jīng)由布線、研磨或其他材料移除技術(shù)來移除絕緣層716的上面暴露部分，使得傳導(dǎo)支柱714 的暴露表面實質(zhì)上對齊于絕緣層716的暴露表面。
在圖IlF中，設(shè)置數(shù)個導(dǎo)線115。在圖IlG中，設(shè)置另一絕緣層711’及另一種子層 716’。在圖IlH中，設(shè)置至少一貫孔711a于絕緣層711’。在圖IlI中，設(shè)置另一導(dǎo)線118 及一接墊部118a。在圖IlJ中，設(shè)置一防焊層119。在圖IlK中，移除載體150 (繪示于圖 11J)。在圖11L，芯片120設(shè)置于基板710上，且通過一線路170連接于接墊部118a。之后， 封裝體130包覆芯片120及基板710。在圖IlM中，移除導(dǎo)電層160(繪示于圖IlL中)，且形成一焊球140于接墊112上，藉此獲得半導(dǎo)體封裝件700。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種基板，包括一絕緣層，具有一上表面及一下表面；數(shù)個接墊，相鄰于該絕緣層的該下表面，各該接墊具有另一上表面及另一下表面；一防焊層，相鄰于該絕緣層的該下表面且具有另一上表面及另一下表面，其中所述接墊及該防焊層的所述上表面實質(zhì)上為共平面，且所述接墊及該防焊層的所述下表面實質(zhì)上為共平面；數(shù)個第一信號導(dǎo)線，嵌入于該絕緣層內(nèi)，其中部份的該第一信號導(dǎo)線暴露于該絕緣層的該下表面，所述第一信號導(dǎo)線的至少其中之一電性連接于所述接墊的至少其中之一；以及數(shù)個第二信號導(dǎo)線，設(shè)置于該絕緣層的該上表面，且電性連接于所述第一信號導(dǎo)線，其中該防焊層為非感光材料所形成的一熱固化層。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝件，其中各該接墊的寬度大于各該第一信號導(dǎo)線的覽度。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該接墊的厚度實質(zhì)上等于該防焊層的厚度。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝件，其中各該接墊具有一第一頂部表面，該防焊層具有一第二頂部表面，且該第一頂部表面及該第二頂部表面實質(zhì)上位于相同平面上。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝件，其中各該接墊具有一第一底部表面，該防焊層具有一第二底部表面，該第一底部表面及該第二底部表面實質(zhì)上位于相同平面上。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第一信號導(dǎo)線的表面被該防焊層及所述接墊覆蓋。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該絕緣層的全部的底部側(cè)被該防焊層及所述接墊覆蓋。
8.一種基板，包括一絕緣層，具有一上表面及一下表面；數(shù)個接墊，各該接墊具有一側(cè)表面，且相鄰于該絕緣層的該下表面；一防焊層，具有另一側(cè)表面，且相鄰于該絕緣層的該下表面，其中該接墊的該側(cè)表面對準(zhǔn)且接觸于該防焊層的該側(cè)表面；數(shù)個第一信號導(dǎo)線，嵌入于該絕緣層中，其中部份的所述第一信號導(dǎo)線暴露于該絕緣層的底部側(cè)；以及數(shù)個第二信號導(dǎo)線，設(shè)置于該絕緣層的該上表面且電性連接于所述第一信號導(dǎo)線。
9.如權(quán)利要求8所述的基板，其中所述第一信號導(dǎo)線的該表面被該防焊層及所述接墊覆蓋。
10.一種基板的制造方法，包括提供一載板；形成一導(dǎo)電層于該載板上；形成數(shù)個接墊于該導(dǎo)電層上；形成一可熱固化且非感光介電材料于該導(dǎo)電層及所述接墊上；固化該可熱固化且非感光介電材料；移除已固化的該介電材料，以暴露所述接墊，藉此形成一防焊層于該導(dǎo)電層上且位于相鄰的接墊間之間隙中；形成數(shù)個第一信號導(dǎo)線于該防焊層及所述接墊上，其中各該第一信號導(dǎo)線連接于對應(yīng)的所述接墊的其中之一；形成一絕緣層于該第一信號導(dǎo)線、所述接墊及該防焊層上；以及形成數(shù)個第二信號導(dǎo)線于該絕緣層上，其中各該第二信號導(dǎo)線連接至對應(yīng)的所述第一信號導(dǎo)線的其中之一。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝件、基板及其制造方法。半導(dǎo)體封裝件包括一基板、一芯片、一封裝體和數(shù)個焊球。基板包括一絕緣層、數(shù)個接墊、一防焊層、數(shù)個第一信號導(dǎo)線及數(shù)個第二信號導(dǎo)線。絕緣層具有相對的數(shù)個頂部側(cè)及底部側(cè)。各個接墊具有一第一側(cè)表面且設(shè)置于絕緣層的底部側(cè)。防焊層具有一第二側(cè)表面且設(shè)置于絕緣層的底部側(cè)。第一側(cè)表面連接于第二側(cè)表面。除了各個第一信號導(dǎo)線的一表面被暴露于絕緣層的底部側(cè)以外，各個第一信號導(dǎo)線嵌入于絕緣層內(nèi)，且連接于對應(yīng)的此些接墊的其中之一。
文檔編號H01L21/48GK102915995SQ20121043314
公開日2013年2月6日 申請日期2012年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月2日
發(fā)明者陳嘉成, 蘇洹漳, 謝佳雄, 陳姿慧, 李明錦 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司