專利名稱：基板處理系統(tǒng)和基板搬送方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及進(jìn)行基板處理的基板處理系統(tǒng)、基板處理系統(tǒng)中的基板處理方法。
背景技術(shù)：
例如半導(dǎo)體器件的制造工序中的光刻工序中，依次進(jìn)行在晶片上涂敷抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷處理、將抗蝕劑膜曝光為規(guī)定的圖案的曝光處理、對(duì)曝光的抗蝕劑膜進(jìn)行顯影的顯影處理等的一系列的處理，從而在晶片上形成規(guī)定的抗蝕劑圖案。這些一系列的處理在作為搭載有處理晶片的各種處理單元或搬送晶片的搬送單元等的基板處理系統(tǒng)的涂敷顯影處理系統(tǒng)中進(jìn)行。如圖30所示，例如，以往，涂敷顯影處理系統(tǒng)300作為整體具有:用于從外部搬入搬出盒(cassette) C的載盒臺(tái)(cassette station) 301、正面和背面設(shè)置有進(jìn)行抗蝕劑涂敷處理、顯影處理以及熱處理等的各種處理的多個(gè)處理單元的處理臺(tái)302和在設(shè)置于涂敷顯影處理系統(tǒng)300的外部的曝光裝置A與處理系統(tǒng)302之間進(jìn)行晶片的交接的交接交接臺(tái)303。但是，近年來，形成于晶片上的電路圖案的精細(xì)化不斷發(fā)展，曝光處理時(shí)的離焦裕度(defocus margin)更加嚴(yán)格。與此相伴,在曝光裝置A中需要盡量不能摻入有顆粒(particle)。尤其是，晶片背面的顆粒成為問題。因此，與曝光裝置A相鄰的交接站303中，為了極力減少顆粒向曝光裝置A的摻入，設(shè)置有對(duì)搬送到曝光裝置A之前的晶片的背面進(jìn)行清洗去除顆粒的晶片清洗單元310、檢查清洗后的晶片的晶片檢查單元311。另外，在交接站303中，設(shè)置有用于在各單元310、311之間交接晶片的交接單元312、在這些各單元310、311、312之間搬送晶片的晶片搬送裝置313等(專利文獻(xiàn)I)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開2008 - 135583號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，如上述的涂敷顯影處理系統(tǒng)300，當(dāng)交接站303中設(shè)置有如晶片清洗單元310或晶片檢查裝置311這樣的多個(gè)單元時(shí)，需要進(jìn)行各單元之間的晶片的交接，因此，無法避免晶片的搬送次數(shù)的增加。結(jié)果是，晶片搬送裝置的控制變復(fù)雜，而且，由晶片搬送裝置搬送的晶片的移動(dòng)距離也變長(zhǎng)，因此，晶片運(yùn)送裝置的負(fù)荷也提高。另一方面，關(guān)于涂敷顯影處理系統(tǒng)，要求減小作為該涂敷顯影處理系統(tǒng)占無塵室(clean room)的地板面積的比例的占用空間(footprint)。減小占用空間，需要使各處理單元小型化，或減小晶片的搬送所需的空間。但是，處理單元的小型化，需要重新研究該處理單元的構(gòu)成，制約較多。
本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的，其目的在于，在具備在曝光前進(jìn)行基板的背面清洗的功能的基板處理系統(tǒng)中，保證基板的背面的潔凈性并且減少基板搬送的負(fù)荷，另夕卜，不改變處理單元的構(gòu)成而減小占用空間。用于解決課題的技術(shù)方案為了達(dá)到上述的ー個(gè)目的，本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)包括設(shè)置有對(duì)基板進(jìn)行處理的多個(gè)處理単元的處理站；和在上述處理站和設(shè)置于外部的曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接站，該基板處理系統(tǒng)的特征在于:上述交接站具有:在將基板搬入到上述曝光裝置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；和在清洗后的上述基板搬入到上述曝光裝置之前，至少對(duì)于清洗后的上述基板的背面檢查該基板能否進(jìn)行曝光的基板檢查部，上述基板清洗部和上述基板檢查部配置于同一箱體的內(nèi)部，在上述箱體的內(nèi)部，設(shè)置有在上述基板清洗部和上述基板檢查部之間搬送基板的基板搬送手段。根據(jù)本發(fā)明，清洗基板的背面的基板清洗部和檢查清洗后的基板的基板檢查部收納于同一箱體的內(nèi)部，進(jìn)ー步，能夠通過設(shè)置于箱體的內(nèi)部的搬送手段進(jìn)行該基板清洗部和基板檢查部之間的基板搬送。因此，在基板清洗部和基板檢查部之間搬送基板時(shí)，無需如現(xiàn)有技術(shù)那樣，使用例如設(shè)置于箱體的外部的搬送裝置。結(jié)果是，能夠減少基板搬送的負(fù)荷。在上述交接站中，也可以設(shè)置有去除附著于由上述基板清洗部清洗后的基板的水分的脫水単元。基板搬送控制部，以如下方式控制上述基板搬送手段:當(dāng)在上述基板檢查部的檢查結(jié)果被判斷為，基板的狀態(tài)是通過在上述基板清洗部的再清洗成為能夠曝光的狀態(tài)時(shí)，再次將該基板搬送到上述基板清洗部。上述基板搬送控制部以將再次搬送到上述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到基板檢查部的方式控制上述基板搬送機(jī)構(gòu)。在上述交接站中，也可以設(shè)置有將由上述基板檢查部檢查后且搬入到上述曝光裝置之前的基板調(diào)整到規(guī)定的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。上述溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)設(shè)置于上述箱體的內(nèi)部。在上述交接站中，設(shè)置有使由上述基板檢查部檢查后的基板暫時(shí)待機(jī)的緩沖待機(jī)部。上述緩沖待機(jī)部設(shè)置于上述箱體的內(nèi)部。上述緩沖待機(jī)部使上述檢查后的基板待機(jī)直到判斷出該檢查后的基板的檢查結(jié)果。在上述箱體的內(nèi)部設(shè)置有清洗上述搬送手段的搬送手段清洗機(jī)構(gòu)。上述基板清洗部兼用作上述搬送手段清洗機(jī)構(gòu)。根據(jù)另ー個(gè)觀點(diǎn)的本發(fā)明為基板處理系統(tǒng)的基板搬送方法，該基板處理系統(tǒng)包括設(shè)置有對(duì)基板進(jìn)行處理的多個(gè)處理単元的處理站；和在上述處理站與設(shè)置于外部的曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接站，該基板搬送方法的特征在于:上述交接站具有:在將基板搬入到上述曝光裝置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；和在清洗后的上述基板搬入到上述曝光裝置之前，至少對(duì)于清洗后的上述基板的背面檢查該基板能否進(jìn)行曝光的基板檢查部，上述基板清洗部和上述基板檢查部配置于同一箱體的內(nèi)部，通過在上述箱體的內(nèi)部設(shè)置的搬送手段進(jìn)行上述基板清洗部和上述基板檢查部之間的基板的搬送。在上述交接站中，設(shè)置有去除附著于基板的水分的脫水單元，由上述基板清洗部清洗后的基板通過上述脫水單元進(jìn)行脫水。當(dāng)在上述基板檢查部的檢查結(jié)果被判斷為，基板的狀態(tài)成為通過在上述基板清洗部的再清洗能夠曝光的狀態(tài)時(shí)，再次將該基板搬送到上述基板清洗部進(jìn)行清洗。也可以將再次搬送到上述基板清洗部被清洗后的基板，再次搬送到基板檢查部。也可以將由上述基板檢查部檢查之后且在搬入到上述曝光裝置之前的基板調(diào)整到規(guī)定的溫度。上述基板的溫度調(diào)整在上述箱體的內(nèi)部進(jìn)行。也可以使由上述基板檢查部檢查之后的基板暫時(shí)在設(shè)置于上述交接站的緩沖待機(jī)部待機(jī)。上述緩沖待機(jī)部設(shè)置于上述箱體的內(nèi)部。也可以使檢查后的上述基板在上述緩沖待機(jī)部待機(jī)直到判斷出在上述基板檢查部的檢查結(jié)果。 在上述箱體的內(nèi)部設(shè)置有清洗上述搬送手段的搬送手段清洗機(jī)構(gòu)。上述基板清洗部兼用作上述搬送手段清洗機(jī)構(gòu)。為了達(dá)到上述的另一個(gè)目的，本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)，其包括設(shè)置有對(duì)基板進(jìn)行處理的多個(gè)處理單元的處理站；和在上述處理站與設(shè)置于外部的曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接站，該基板處理系統(tǒng)的特征在于:上述交接站具有:在將基板搬入到上述曝光裝置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；在清洗后的上述基板搬入到上述曝光裝置之前，至少對(duì)于清洗后的上述基板的背面檢查該基板能否進(jìn)行曝光的基板檢查部；和具有在上述基板清洗部和上述基板檢查部之間搬送基板的臂的基板搬送機(jī)構(gòu)，上述基板清洗部和上述基板檢查部在上述交接站的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)戎械娜我庖粋?cè)在上下方向上被設(shè)置有多層，上述基板搬送機(jī)構(gòu)設(shè)置于與在上下方向設(shè)置有多層的上述基板清洗部和上述基板檢查部相鄰的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明，基板清洗部和基板檢查部在交接站的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)仍O(shè)置有多層，基板搬送機(jī)構(gòu)設(shè)置于與基板清洗部和基板檢查部相鄰的區(qū)域，因此，能夠縮小交接站的正面?zhèn)然虮趁鎮(zhèn)龋纫酝軌蚴菇唤诱拘⌒突?。因此，在具備在曝光前進(jìn)行基板的清洗的功能的基板處理系統(tǒng)中，不改變各處理單元的構(gòu)成就能夠使占用空間減小。也可以具有基板搬送控制部，以如下方式控制上述基板搬送手段:當(dāng)在上述基板檢查部的檢查結(jié)果被判斷為，基板的狀態(tài)成為通過在上述基板清洗部的再清洗能夠曝光的狀態(tài)時(shí)，再次將該基板搬送到上述基板清洗部。上述基板搬送控制部以將再次搬送到上述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到基板檢查部的方式控制上述基板搬送機(jī)構(gòu)。在上述交接站中設(shè)置有暫時(shí)收納由上述基板檢查部檢查后的基板的緩沖收納部。上述基板搬送機(jī)構(gòu)也可以包括:將搬入到上述交接站中的基板搬送到上述基板清洗部的第一搬送臂；和將由上述基板清洗部清洗之后的基板搬送到上述基板檢查部，并進(jìn)一步將由上述基板檢查部檢查之后的基板搬送到上述緩沖收納部的第二搬送臂。上述基板搬送機(jī)構(gòu)也可以設(shè)置有將搬入到上述交接站中的基板交接到上述基板清洗部的第一搬送臂；將由上述基板清洗部清洗之后的基板交接到上述基板檢查部的第二搬送臂；和將由上述基板檢查部檢查之后的基板搬送到上述緩沖收納部的第三搬送臂。上述緩沖收納部也可以將上述檢查后的基板收納直到判斷出該檢查后的基板的檢查結(jié)果。清洗上述基板搬送機(jī)構(gòu)的搬送臂的臂清洗機(jī)構(gòu)設(shè)置于上述交接站中的、配置有上述基板清洗部和上述基板檢查部的一側(cè)。作上述基板清洗部兼用作上述臂清洗機(jī)構(gòu)。也可以具有將由上述基板檢查部檢查之后且在搬入到上述曝光裝置之前的基板調(diào)整到規(guī)定的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。上述溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)設(shè)置于上述基板檢查部?jī)?nèi)。根據(jù)另一個(gè)觀點(diǎn)的本發(fā)明為基板處理系統(tǒng)的基板搬送方法，該基板處理系統(tǒng)包括設(shè)置有對(duì)基板進(jìn)行處理的多個(gè)處理單元的處理站；和在上述處理站與設(shè)置于外部的曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接站，該基板搬送方法的特征在于:上述交接站具有:在將基板搬入到上述曝光裝置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；在清洗后的上述基板搬入到上述曝光裝置之前，至少對(duì)于清洗后的上述基板的背面檢查該基板能否進(jìn)行曝光的基板檢查部，和具有在上述基板清洗部和上述基板檢查部之間搬送基板的臂的基板搬送機(jī)構(gòu)，上述基板清洗部和上述基板檢查部在上述交接站的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)戎械娜我庖粋?cè)在上下方向上設(shè)置有多層，上述基板搬送機(jī)構(gòu)設(shè)置于與在上下方向設(shè)置有多層的上述基板清洗部和上述基板檢查部相鄰的區(qū)域，當(dāng)在上述基板檢查部的檢查的結(jié)果被判斷為，基板的狀態(tài)成為通過上述基板清洗部的再清洗能夠曝光的狀態(tài)時(shí)，再次將該基板搬送到上述基板清洗部。也可以將再次被搬送到上述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到上述基板檢查部進(jìn)行檢查。在上述交接站中也可以設(shè)置有暫時(shí)收納由上述基板檢查部檢查后的基板的緩沖收納部。上述基板搬送機(jī)構(gòu)也可以具有將搬入到上述交接站中的基板交接到上述基板清洗部的第一搬送臂；和將由上述基板清洗部清洗之后的基板搬送到上述基板檢查部，并進(jìn)一步將由上述基板檢查部檢查之后的基板搬送到上述緩沖收納部的第二搬送臂。上述基板搬送機(jī)構(gòu)也可以將已搬入到上述交接站中的基板交接到上述基板清洗部的第一搬送臂；將由上述基板清洗部清洗之后的基板交接到上述基板檢查部的第二搬送臂；和將由上述基板檢查部檢查之后的基板搬送到上述緩沖收納部的第三搬送臂。上述檢查后的基板被收納于上述緩沖收納部，直到判斷出在上述基板檢查部的檢查結(jié)果。清洗上述基板搬送機(jī)構(gòu)的臂的臂清洗機(jī)構(gòu)設(shè)置于上述交接站中的配置有上述基板清洗部和上述基板檢查部的一側(cè)。上述基板清洗部也可以兼用作上述臂清洗機(jī)構(gòu)。
也可以由上述基板檢查部檢查之后且被搬入到上述曝光裝置之前的基板被調(diào)整為規(guī)定的溫度。上述基板的溫度調(diào)整也可以在上述基板檢查部?jī)?nèi)進(jìn)行。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠在具備在曝光前進(jìn)行基板的背面清洗的功能的基板處理系統(tǒng)中，減少基板搬送的負(fù)荷，另外，不改變處理單元的構(gòu)成就能夠減小占用空間。


圖1是表示第一實(shí)施方式的涂敷顯影處理系統(tǒng)的內(nèi)部構(gòu)成的概略的平面圖。圖2是表示第一實(shí)施方式的涂敷顯影處理系統(tǒng)的正面?zhèn)鹊膬?nèi)部構(gòu)成的概略的說明圖。圖3是表示第一實(shí)施方式的涂敷顯影處理系統(tǒng)的背面?zhèn)鹊膬?nèi)部構(gòu)成的概略的說明圖。圖4是表示第一實(shí)施方式的交接站的構(gòu)成的概略的說明圖。圖5是表示第一實(shí)施方式的清洗檢查單元的構(gòu)成的概略的縱截面圖。圖6是表示第一實(shí)施方式的清洗檢查單元的晶片清洗部附近的構(gòu)成的概略的橫截面圖。圖7是表示第一實(shí)施方式的要將晶片交接給晶片清洗部的情況的說明圖。圖8是表示第一實(shí)施方式的已將晶片交接到晶片清洗部的狀態(tài)的說明圖。圖9是表示第一實(shí)施方式的在晶片清洗部?jī)?nèi)晶片在水平方向上移動(dòng)的情況的說明圖。圖10是表示第一實(shí)施方式的在晶片清洗部?jī)?nèi)晶片在水平方向上移動(dòng)的情況的說明圖。圖11是表示第一實(shí)施方式的晶片清洗部中晶片的周緣部被清洗的情況的說明圖。圖12是表示第一實(shí)施方式的脫水單元的構(gòu)成的概略的平面圖。圖13是表示第一實(shí)施方式的脫水單元的構(gòu)成的概略的縱截面圖。圖14是表示第一實(shí)施方式的涂敷顯影處理系統(tǒng)中進(jìn)行的晶片處理的主要的エ序的流程圖。圖15是表示第一實(shí)施方式的清洗檢查單元的構(gòu)成的概略的縱截面圖。圖16是表示第一實(shí)施方式的清洗檢查單元的另外的構(gòu)成例的概略的縱截面圖。圖17是表示第二實(shí)施方式的涂敷顯影處理系統(tǒng)的內(nèi)部構(gòu)成的概略的平面圖。圖18是表示第二實(shí)施方式的涂敷顯影處理系統(tǒng)的正面?zhèn)鹊膬?nèi)部構(gòu)成的概略的說明圖。圖19是表示第二實(shí)施方式的涂敷顯影處理系統(tǒng)的背面?zhèn)鹊膬?nèi)部構(gòu)成的概略的說明圖。圖20是表示第二實(shí)施方式的交接站的構(gòu)成的概略的說明圖。圖21是表示第二實(shí)施方式的清洗部的構(gòu)成的概略的平面圖。圖22是表示第二實(shí)施方式的清洗部的構(gòu)成的概略的縱截面圖。
圖23是表示第二實(shí)施方式的要將晶片交接到晶片清洗部的情況的說明圖。圖24是表示第二實(shí)施方式的已將晶片交接到晶片清洗部的狀態(tài)的說明圖。圖25是表示第二實(shí)施方式的在晶片清洗部?jī)?nèi)晶片在水平方向上移動(dòng)的情況的說明圖。圖26是表示第二實(shí)施方式的在晶片清洗部?jī)?nèi)晶片在水平方向上移動(dòng)的情況的說明圖。圖27是表示第二實(shí)施方式的晶片清洗部中晶片的周緣部被清洗的情況的說明圖。圖28是表示第二實(shí)施方式的檢查部的構(gòu)成的概略的縱截面圖。圖29是表示第二實(shí)施方式的涂敷顯影處理系統(tǒng)中進(jìn)行的晶片處理的主要的工序的流程圖。圖30是表示以往的涂敷顯影處理系統(tǒng)的構(gòu)成的概略的說明圖。
具體實(shí)施例方式下面，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示構(gòu)成本實(shí)施方式的作為基板處理系統(tǒng)的涂敷顯影處理系統(tǒng)I的內(nèi)部構(gòu)成的說明圖。圖2和圖3為分別從正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)缺硎就糠箫@影處理系統(tǒng)I的內(nèi)部構(gòu)成的概略的說明圖。涂敷顯影處理系統(tǒng)I例如如圖1所示具有，將在與外部之間搬出搬入收納有多個(gè)晶片W的盒C的載盒臺(tái)2 ;具有多個(gè)在光刻處理中對(duì)晶片W施行規(guī)定的處理的處理單元的處理站3 ;和在與曝光裝置4之間進(jìn)行晶片W的交接的交接站5 —體連接的結(jié)構(gòu)。另外，涂敷顯影處理系統(tǒng)I具有進(jìn)行各種處理單元等的控制的控制裝置6。載盒臺(tái)2例如包括盒搬入搬出部10和晶片搬送部11。盒搬入搬出部10例如設(shè)置于涂敷顯影處理系統(tǒng)I的Y方向負(fù)方向(圖1的左方向)側(cè)的端部。盒搬入搬出部10中，設(shè)置有盒載置臺(tái)12。在盒載置臺(tái)12上例如設(shè)置有四個(gè)盒載置板13。盒載置板13以一列并排設(shè)置在水平方向的X方向上(圖1的上下方向)。在這些盒載置板13中，當(dāng)對(duì)于涂敷顯影處理系統(tǒng)I的外部搬入搬出盒C時(shí)，能夠載置盒C。在晶片搬送部11中，如圖1所示例如設(shè)置有在沿X方向延伸的搬送路20上自由移動(dòng)的晶片搬送裝置21。晶片搬送裝置21在上下方向和繞鉛直軸(Θ方向)都能夠自由移動(dòng)，能夠在各盒載置板13上的盒C和后述的處理站3的第三區(qū)域塊(block)G3的交接裝置之間搬送晶片W。與載盒臺(tái)2相鄰的處理站3中，設(shè)置有具有各種單元的多個(gè)例如四個(gè)區(qū)域塊G1、G2、G3、G4。處理站3的正面?zhèn)?圖1的X方向負(fù)方向側(cè))設(shè)置有第一區(qū)域塊G1，處理站3的背面?zhèn)?圖1的X方向正方向側(cè))設(shè)置有第二區(qū)域塊G2。另外，處理站3的載盒臺(tái)2側(cè)(圖1的Y方向負(fù)方向側(cè))設(shè)置有第三區(qū)域塊G3，處理站3的交接站5側(cè)(圖1的Y方向正方向偵D設(shè)置有第四區(qū)域塊G4。例如第一區(qū)域塊Gl中，如圖2所示，多個(gè)液處理單元，例如在晶片W的抗蝕劑膜的下層形成反射防止膜(以下稱為‘下部反射防止膜’)的下部反射防止膜形成單元30、在晶片W上涂敷抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷單元31、在晶片W的抗蝕劑膜的上層形成反射防止膜(以下稱為‘上部反射防止膜’)的上部反射防止膜形成單元32、和對(duì)晶片W進(jìn)行顯影處理的顯影處理單元33從下開始依次重疊四層。這些第一區(qū)域塊Gl的各處理單元3(Γ33在水平方向上具有多個(gè)在處理時(shí)收納晶片W的罩F，能夠?qū)⒍鄠€(gè)晶片W并行處理。例如在第二區(qū)域塊G2中，如圖3所示，在上下方向和水平方向并排設(shè)置有進(jìn)行晶片W的熱處理的熱處理單元40、對(duì)晶片W進(jìn)行疏水化處理的作為疏水化處理裝置的粘附單元(adhesion unit)41、和對(duì)晶片W的外周部進(jìn)行曝光的周邊曝光單元42。熱處理單元40具有載置晶片W進(jìn)行加熱的熱板和載置晶片W進(jìn)行冷卻的冷卻板，能夠進(jìn)行加熱處理和冷卻處理兩者。另外，熱處理單元40、粘附單元41以及周邊曝光單元42的數(shù)量或配置能夠任意選擇。例如在第三區(qū)域塊G3中從下開始依次設(shè)置有多層的多個(gè)交接單元50、51、52、53、
54、55、56。另外，在第四區(qū)域塊G4中從下開始依次設(shè)置有多層的多個(gè)交接單元60、61、62。如圖1所示，被第一區(qū)域塊Gf第四區(qū)域塊G4包圍的區(qū)域中，形成有晶片搬送區(qū)域D。晶片搬送區(qū)域D中，例如設(shè)置有多個(gè)例如三個(gè)晶片搬送裝置70。各晶片搬送裝置70各自為相同的結(jié)構(gòu)。晶片搬送裝置70例如構(gòu)成為在Y方向、前后方向、Θ方向以及上下方向上自由移動(dòng)。晶片搬送裝置70在晶片搬送區(qū)域D內(nèi)移動(dòng)，能夠?qū)⒕琖搬送到周圍的第一區(qū)域塊G1、第二區(qū)域塊G2、第三區(qū)域塊G3和第四區(qū)域塊G4內(nèi)的規(guī)定的單元。各晶片搬送裝置70、70、70例如如圖3所示上下配置，例如能夠?qū)⒕琖搬送到各區(qū)域塊Gf G4的同程度的高度的規(guī)定的區(qū)域。另外，如圖3所示，在晶片搬送區(qū)域D中設(shè)置有在第三區(qū)域塊G3和第四區(qū)域塊G4之間直線搬送晶片W的梭(shuttle)搬送裝`置80。梭搬送裝置80例如在圖3的Y方向上直線地自由移動(dòng)。梭搬送裝置80在支承晶片W的狀態(tài)下在Y方向上移動(dòng)，能夠在第三區(qū)域塊G3的交接單元52和第四區(qū)域塊G4的交接單元62之間搬送晶片W。如圖1所示，在與第三區(qū)域塊G3的X方向正方向側(cè)相鄰的區(qū)域中，設(shè)置有晶片搬送裝置90。晶片搬送裝置90例如構(gòu)成為在前后方向、Θ方向和上下方向上自由移動(dòng)。晶片搬送裝置90在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠?qū)⒃摼琖搬送到第三區(qū)域塊G3內(nèi)的各交接單元。在第四區(qū)域塊G4的例如X方向正方向側(cè)，設(shè)置有晶片搬送裝置85。晶片搬送裝置85例如構(gòu)成為在前后方向、Θ方向以及上下方向上自由移動(dòng)。晶片搬送裝置85在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠?qū)⒕琖搬送到交接站5。圖4是表示從載盒臺(tái)2側(cè)觀察的、交接站5的內(nèi)部構(gòu)成的概略的說明圖。如圖4所示，在交接站5中設(shè)置有具有各種單元的三個(gè)區(qū)域塊G5、G6、G7。第五區(qū)域塊G5設(shè)置于交接站5的正面?zhèn)?圖1的X方向負(fù)方向側(cè))。第六區(qū)域塊G6例如設(shè)置于交接站5的背面?zhèn)蓛x圖1的X方向正方向側(cè))。另外，第七區(qū)域塊G7設(shè)置于第五區(qū)域塊G5和第六區(qū)域塊G6之間。例如在第五區(qū)域塊G5，如圖4所示，例如在上下方向上配置有兩個(gè)對(duì)搬入到曝光裝置4之前的晶片W進(jìn)行檢查的清洗檢查單元100。清洗檢查單元100的具體結(jié)構(gòu)在后文敘述。
在第六區(qū)域塊G6，例如在上下方向配置有三個(gè)對(duì)附著于由清洗檢查單元100清洗和檢查后的晶片W的水分進(jìn)行脫水去除的脫水単元101。在第七區(qū)域塊G7中，經(jīng)由晶片搬送裝置85與處理站3之間進(jìn)行晶片W的交接的交接単元110 ;用于將在清洗檢查單元100中清洗并檢查完成后的晶片W交接給脫水単元101或曝光裝置4的交接単元110’ ；和將脫水后的晶片W在搬入到曝光裝置4之前調(diào)整到規(guī)定的溫度的作為溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的溫度調(diào)整單元112，在上下方向上設(shè)置有多個(gè)。具體而言，在第七區(qū)域塊G7的上部，交接單元110和交接單元110’從上開始按該順序交替地重疊各配置有三層。在第七區(qū)域塊G7的下部，交接単元110’和溫度調(diào)整單元112從上開始按該順序交替地重疊配置有各兩層。溫度調(diào)整單元112具有具備帕爾貼元件等的溫度調(diào)整部件的溫度調(diào)整板，能夠?qū)⑤d置于該溫度調(diào)整板的晶片W進(jìn)行溫度調(diào)整為規(guī)定的溫度，例如常溫。在第五區(qū)域塊G5和第七區(qū)域塊G7之間且與第五區(qū)域塊G5相鄰的區(qū)域中設(shè)置有晶片搬送裝置120。晶片搬送裝置120具有多個(gè)搬送臂，例如作為搬送臂具有兩個(gè)，即第一搬送臂121和第二搬送臂122。各搬送臂121、122例如構(gòu)成為在前后方向、0方向以及上下方向上自由移動(dòng)。由此各搬送臂121、122在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠在各區(qū)域塊G5、G7的各單元之間搬送晶片W。在第六區(qū)域塊G6和第七區(qū)域塊G7之間的區(qū)域中設(shè)置有晶片搬送裝置130。晶片搬送裝置130具有多個(gè)搬送臂，例如作為搬送臂具有兩個(gè)，即第三搬送臂131和第四搬送臂132。各搬送臂131、132例如構(gòu)成為在前后方向、0方向以及上下方向上自由移動(dòng)。由此，各搬送臂131、132在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠在第六區(qū)域塊G6、第七區(qū)域塊G7以及曝光裝置4之間搬送晶片W。另外，在圖4中，作為晶片搬送裝置120描繪的是獨(dú)立移動(dòng)的多個(gè)搬送臂121、122，但是，也可以以設(shè)置有多個(gè)例如兩個(gè)將晶片W保持在ー個(gè)搬送臂上的固定銷(pin set)的部件替代多個(gè)搬送臂使用。晶片搬送裝置130也一祥。基于晶片搬送裝置120、130的晶片W的搬送，由圖1所示的作為控制裝置6的基板搬送控制部的晶片搬送控制部135進(jìn)行控制。晶片搬送控制部135以如下方式控制晶片搬送裝置120:由晶片搬送裝置120的例如第一搬送臂121將從處理站3搬送到交接単元110的晶片W向清洗檢查單元100搬送，由第二搬送臂122將在清洗檢查單元100中清洗并檢查完成的晶片W搬送到第七區(qū)域塊G7的交接単元110’。另外，晶片搬送控制部135按如下方式控制晶片W搬送裝置130:由晶片搬送裝置130的第三搬送臂131進(jìn)行在清洗檢查單元100中清洗之后的晶片W的、從交接単元110’向脫水單元101的搬送和從脫水單元101向溫度調(diào)整單元112的搬送，由第四搬送臂132在溫度調(diào)整單元112、交接単元110’和曝光裝置4之間搬送晶片W。另外，晶片搬送控制部135也進(jìn)行涂敷顯影處理系統(tǒng)I內(nèi)的其他的晶片搬送裝置、如后述的搬送手段143的動(dòng)作的控制。接著說明清洗檢查單元100的構(gòu)成。圖5是表示清洗檢查單元100的構(gòu)成的概略的縱截面圖。清洗檢查單元100具有:箱體140 ;作為清洗晶片W的背面的基板清洗部的晶片清洗部141 ;作為基板檢查部的晶片檢查部142，其在晶片被搬入到曝光裝置4之前檢查在晶片清洗部141中清洗后的晶片W背面是否為在曝光裝置4中能夠曝光的狀態(tài)；和在晶片清洗部141與晶片檢查部142之間搬送晶片W的搬送手段143。晶片清洗部141和晶片檢查部142從下至上依次配置于箱體140內(nèi)。另外，在晶片清洗部141和晶片檢查部142之間的區(qū)域，即在晶片清洗部141的上方且晶片檢查部142的下方，配置有使在晶片檢查部142檢查之后的晶片W暫時(shí)待機(jī)的、作為緩沖待機(jī)部的待機(jī)載置臺(tái)144。如圖6所示，晶片清洗部141具有:在水平地吸附保持晶片W的兩個(gè)吸附墊(pad)150,150 ；和將從該吸附墊150、150接收的晶片W水平地吸附保持的旋轉(zhuǎn)吸盤(spin chuck)151 ;和清洗晶片W的背面的刷(brush) 152。如圖6所示，兩個(gè)吸附墊150、150以能夠保持晶片W背面的周緣部的方式，在俯視時(shí)夾住旋轉(zhuǎn)吸盤151大致平行的設(shè)置。各吸附墊150、150通過由驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)在水平方向和上下方向自由移動(dòng)的框體153支承其兩端部。框體153的上表面設(shè)置有上部罩154。上部罩154的上表面形成有比晶片W的直徑更大直徑的開口部154a。開口部154a形成為，當(dāng)在吸附墊150與例如第一搬送臂121之間進(jìn)行晶片W的交接時(shí)，該晶片W能夠通過該開口部154a的大小。如圖5所示,旋轉(zhuǎn)吸盤151經(jīng)由傳動(dòng)軸(shaft) 160連接到驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)161,旋轉(zhuǎn)吸盤151構(gòu)成為通過該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)161自由旋轉(zhuǎn)和升降。旋轉(zhuǎn)吸盤151的周圍設(shè)置有多個(gè)通過升降機(jī)構(gòu)(未圖示)自由升降的升降銷(pin)162。例如將大量塑料纖維捆扎為圓柱狀而構(gòu)成刷152，其由支承體163支承。在支承體163的與刷152相反側(cè)的端部，連接有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)164。如圖6所示，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)164沿在X方向上延伸的軌道(rail) 165在水平方向上自由移動(dòng)。從而，使驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)164沿軌道在X方向上移動(dòng)，能夠通過支承體163使刷152在X方向上移動(dòng)。刷152構(gòu)成為通過內(nèi)置于支承體163的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)自由旋轉(zhuǎn)。從而，通過在將其上表面按壓在晶片W的背面的狀態(tài)下使其旋轉(zhuǎn)使該刷152在晶片W的背面滑動(dòng)，由此能夠去除附著在晶片W的背面的顆粒。另外，在支承體163的前端，設(shè)置有供給沖洗由刷除去的顆粒的清洗液的清洗液噴嘴(nozzle) 163a ;和在清洗后用于干燥附著在晶片W的背面的清洗液的、例如供給氮等的氣體的清洗噴嘴(purge nozzle) 163b。在箱體140的底部，設(shè)置有排出清洗液的排液管170 ;和對(duì)箱體140內(nèi)部進(jìn)行排氣向晶片清洗部141形成下方向的氣流的排氣管171。接著，說明晶片檢查部142的構(gòu)成。如圖5所示，晶片檢查部142具有:設(shè)置于晶片清洗部141的上方的保持臂180 ;對(duì)晶片W的背面照射線狀的平行光線的光源181 ;和對(duì)照射的光進(jìn)行攝像的攝像機(jī)(camera)182。保持臂180構(gòu)成為，通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)在水平方向上自由移動(dòng)。在保持臂180的前端部形成有向下方突出的卡止部180a。另外，在保持臂180的下表面，設(shè)置有通過未圖不的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)在晶片W的直徑方向上自由移動(dòng)的可動(dòng)保持部180b。保持臂180通過該卡止部180a和可動(dòng)保持部180b夾住晶片W，并能夠?qū)⒃摼琖以其背面朝向下方的狀態(tài)保持。光源181在保持臂180的下方以相對(duì)于晶片W的背面成規(guī)定的角度Θ照射光線的方式配置。攝像機(jī)182，在保持臂180的下方以相對(duì)于晶片W的背面與光源181同樣傾斜規(guī)定的角度Θ的狀態(tài)被配置，對(duì)照射到晶片W的背面的光線的圖像進(jìn)行攝像。光源181、攝像機(jī)182能夠通過未圖示的旋動(dòng)機(jī)構(gòu)調(diào)整照射角度和攝像角度。由此，對(duì)以某個(gè)角度照射的光線下無法觀察的顆粒，能夠以不同的角度照射光線而能夠進(jìn)行觀察。在晶片清洗部141和晶片檢查部142之間進(jìn)行晶片W的搬送的搬送手段143，例如如圖5所示，設(shè)置于與晶片清洗部141和晶片檢查部142的Y方向正方向側(cè)相鄰的區(qū)域。搬送手段143，例如如圖6所示，具有其前端分叉為兩個(gè)的大致U字形狀的搬送臂143a。在搬送臂143a的端部，設(shè)置有使該搬送臂143a在前后方向上移動(dòng)的臂驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)143b。臂驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)143b有基臺(tái)143c支承。在基臺(tái)143c，內(nèi)置有沿著在鉛直方向上延伸設(shè)置的升降軌道143d使該基臺(tái)143c在Θ方向和上下方向上自由移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)。由此，搬送臂143a構(gòu)成為，在前后方向、Θ方向和上下方向上自由移動(dòng)，在保持有晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠在晶片清洗部141和晶片檢查部142之間搬送晶片W。在待機(jī)載置臺(tái)144中內(nèi)置有升降銷(未圖示)，經(jīng)由該升降銷能夠在搬送臂143a和例如第二搬送臂122之間進(jìn)行晶片W的交接。接著，說明在清洗檢查單元100中進(jìn)行的晶片W的清洗和檢查。進(jìn)行晶片W的清洗時(shí)，首先如圖7所示，晶片W例如通過搬送臂121被搬送到上部罩154的上方。接著，升降銷162上升，將晶片W交接到升降銷162。此時(shí)，吸附墊150在其上表面比刷152的上表面高的位置待機(jī)，旋轉(zhuǎn)吸盤151退避到比刷152的上表面低的位置。此后，升降銷162下降，如圖8所示將晶片W交接給吸附墊150進(jìn)行保持。接著，如圖9所示，在由吸附墊150吸附保持晶片W的狀態(tài)下，使框體153在水平方向移動(dòng)，使得例如刷152位于對(duì)應(yīng)于晶片W背面的中央部的區(qū)域。此后，使吸附墊150下降，晶片W的背面被推碰到刷152的上表面。接著，從清洗液噴嘴163a供給清洗液，并且使刷152旋轉(zhuǎn)，清洗晶片W背面的中央部。此時(shí)，支承體163在圖6的X方向上往復(fù)移動(dòng)，框體153在Y方向上往復(fù)移動(dòng)，晶片W背面的中央部被全面均勻地清洗。當(dāng)晶片W背面的中央部的清洗完成時(shí)，如圖10所示，在利用吸附墊150保持晶片W的狀態(tài)下，使框體153在水平方向移動(dòng)，以使晶片W的中心和旋轉(zhuǎn)吸盤151的中心在俯視時(shí)一致。接著，使框體153下降，并且使旋轉(zhuǎn)吸盤151上升，將晶片W從吸附墊150交接給旋轉(zhuǎn)吸盤151。然后，如圖11所示，在將刷152推碰到晶片W的背面的狀態(tài)下，使晶片W旋轉(zhuǎn)，并且利用支承體163使刷在圖6的X方向上滑動(dòng)，晶片W背面的周緣部被清洗。由此，除去晶片W的背面整體的顆粒。當(dāng)晶片W背面的清洗完成時(shí)，刷152的旋轉(zhuǎn)和來自清洗液噴嘴163a的清洗液的供給停止。接著，使旋轉(zhuǎn)吸盤151以高速旋轉(zhuǎn)，附著在晶片W背面的清洗液被甩脫而干燥。此時(shí)，也并行地進(jìn)行基于凈化噴嘴163b的凈化。然后，當(dāng)甩脫干燥結(jié)束時(shí)，晶片W以與被搬送到晶片清洗部141時(shí)相反的順序，此次被交接給搬送手段143的搬送臂143a。接著，搬送臂143a在保持晶片W的狀態(tài)下上升到晶片檢查部142從而移動(dòng)到保持臂180的下方，接著由保持臂180的卡止部180a和可動(dòng)保持部180b夾住晶片W，將該晶片W交接給保持臂180。
當(dāng)晶片W被交接給保持臂180吋，保持臂180在保持有晶片W的狀態(tài)下在水平方向移動(dòng)。在保持臂180水平移動(dòng)的期間，由光源181向晶片W的背面照射線狀的平行光線，照射到背面的光線被攝像機(jī)182連續(xù)攝像。利用攝像機(jī)182攝像的圖像依次輸入到控制裝置6。然后，當(dāng)從晶片W的一端部到另一端部完成攝像時(shí)，在晶片檢查部142中的檢查結(jié)束。當(dāng)檢查結(jié)束時(shí)，晶片W再次被交接到搬送手段143，此后，交接到作為緩沖待機(jī)部的待機(jī)載置臺(tái)144。緩沖待機(jī)部也可以設(shè)置于清洗檢查單元100的外部，例如第七區(qū)域塊G7。與此并行，在控制裝置6中，基于利用攝像機(jī)182攝像的圖信息像(畫情報(bào)像，圖像信息)，判斷被攝像的晶片W是否為能夠曝光的狀態(tài)。更具體而言，在控制裝置6中，基于例如從所攝像的圖信息像算出的、例如附著于晶片W的背面的顆粒的數(shù)量或附著的范圍、或顆粒的高度或大小等的信息，判斷出晶片W的狀態(tài)屬于:在曝光裝置4中能夠曝光的狀態(tài)、在曝光裝置4中不能曝光的狀態(tài)；或目前還不能在曝光裝置4中進(jìn)行曝光，但如果在清洗部141中再次清洗則能夠在曝光裝置4中進(jìn)行曝光的狀態(tài)，這三種狀態(tài)中的哪ー種。當(dāng)判斷出晶片檢查部142中的檢查結(jié)果，晶片搬送控制部135則基于規(guī)定的規(guī)則(rule)控制晶片W的搬送。也就是說，如果晶片檢查部142中的檢查的結(jié)果判定為晶片W的狀態(tài)是能夠在曝光裝置4中曝光，則待機(jī)載置臺(tái)144的晶片W由第二搬送臂122搬送到第七區(qū)域塊G7的交接単元110’。另外，如果檢查的結(jié)果判定為晶片W的狀態(tài)是在曝光裝置4中不能曝光，則中止該晶片W以后的處理，并由第一搬送臂121搬送到交接単元110。另夕卜，將判斷為不能在曝光裝置4中曝光的晶片W由第一搬送臂121進(jìn)行搬送，是為了防止由搬送被判斷為能夠曝光的晶片W、換言之背面處于清潔狀態(tài)的晶片W的第二搬送臂122保持被判斷為不能曝光的晶片W，而被顆粒污染。另外，如果檢查的結(jié)果判定為，晶片W的狀態(tài)是雖然現(xiàn)狀為無法曝光，但是在晶片清洗部141再次清洗就能夠在曝光裝置4中曝光，則待機(jī)載置臺(tái)144的晶片W由搬送手段143再次搬送到晶片清洗部141。對(duì)再次搬送到晶片清洗部141的晶片W，再次進(jìn)行上述的清洗和檢查，再次清洗和再次檢查后的晶片W由第二搬送臂122搬送到交接単元110’。接著，說明脫水單元101的構(gòu)成。圖12是表示脫水單元101的構(gòu)成的概略的平面圖，圖13是表示脫水單元101的構(gòu)成的概略的縱截面圖。脫水単元101具有:在內(nèi)部對(duì)晶片W進(jìn)行脫水處理的處理容器190 ;保持晶片W背面的外周部的保持部件191 ;和經(jīng)由傳動(dòng)軸192使保持部件191在上下方向升降的升降機(jī)構(gòu) 193。如圖12所示，保持部件191例如在俯視時(shí)形成為大致圓弧狀，以同心圓狀設(shè)置有多個(gè)，在本實(shí)施方式中以同心圓狀設(shè)置有四個(gè)。如圖13所示，保持部件191具有外周側(cè)的上端部191a比內(nèi)周側(cè)的上端部191b高的大致U字形狀的截面形狀。由此，保持部件191的外周側(cè)起到在內(nèi)周側(cè)的上端部191b保持晶片W時(shí)防止晶片W脫落的導(dǎo)板(guide)的功能。在各保持部件191和晶片搬送裝置130之間交接晶片W時(shí)，例如如圖12所示，例如使第三搬送臂131從處理容器190的開閉器(shutter) 190a進(jìn)入。接著，使該第三搬送臂131移動(dòng)，以使得利用該第三搬送臂131保持的晶片W的中心部和多個(gè)保持部件191的圓弧的中心一致。接著，在該狀態(tài)下，通過升降機(jī)構(gòu)193使保持部件191上升。由此，從第三搬送臂131將晶片W交接到保持部件191。此后，搬送臂131退避到處理容器190的外部。另外，搬送臂131和保持部件191之間的晶片W的交接也可以例如使第三搬送臂131升降移動(dòng)代替保持部件191的升降移動(dòng)而進(jìn)行。在處理容器190的底部，設(shè)置有與排氣機(jī)構(gòu)194連接的排氣管195 ;和例如將氮?dú)馑腿胩幚砣萜?90內(nèi)對(duì)處理容器190內(nèi)進(jìn)行清洗的凈化管196。在凈化管196連接有供給氮?dú)獾臍怏w供給源197。在脫水單元101中進(jìn)行晶片W的脫水處理時(shí)，首先，由第三搬送臂131將晶片W搬入到處理容器190內(nèi)，接著，將該晶片W交接到保持部件191。此后，第三搬送臂131退避到處理容器190外，關(guān)閉開閉器190a。接著，由排氣機(jī)構(gòu)194對(duì)處理容器190內(nèi)進(jìn)行減壓。由此，附著在晶片W的水分蒸發(fā)，進(jìn)行晶片W的脫水處理。當(dāng)晶片W的脫水處理結(jié)束時(shí)，通過凈化管196進(jìn)行處理容器190內(nèi)的凈化和升壓。此后，開放開閉器190a，并由第三搬送臂131從脫水單元101搬出晶片W?？刂蒲b置6由例如具有CPU、存儲(chǔ)器等的計(jì)算機(jī)構(gòu)成。在該控制裝置6中，例如決定涂敷顯影處理系統(tǒng)I的各種處理單元中的晶片處理的內(nèi)容或各晶片W的搬送路徑(route)的處理方案(recipe)作為程序例如存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器。通過執(zhí)行該程序，進(jìn)行涂敷顯影處理系統(tǒng)I的各種處理單元的控制、或控制基于上述晶片搬送控制部135的各晶片搬送裝置或清洗檢查單元100的搬送手段143的動(dòng)作，進(jìn)行涂敷顯影處理系統(tǒng)I的晶片W的各種處理或搬送控制。另外，上述程序例如是記錄于計(jì)算機(jī)可讀取的硬盤(HD)、軟盤(FD)、高密度光盤(CD)、光磁盤(MO)、存儲(chǔ)卡等的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)H的程序，也可以是從該存儲(chǔ)介質(zhì)H安裝到控制裝置6的程序。如上所述構(gòu)成的涂敷顯影處理系統(tǒng)I中，例如進(jìn)行如下的晶片處理。圖14是表示所述的晶片處理的主要的工序的例子的流程圖。進(jìn)行晶片W的處理時(shí)，首先，收納有多個(gè)晶片W的盒C被載置于盒搬入搬出部10的規(guī)定的盒載置板13。此后，由晶片搬送裝置21依次取出盒C內(nèi)的各晶片W，并搬送到處理站3的第三區(qū)域塊G3的例如交接單元53。接著，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第二區(qū)域塊G2的熱處理單元40，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)(圖14的工序SI)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70例如搬送到第一區(qū)域塊Gl的下部反射防止膜形成單元30，在晶片W上形成下部反射防止膜(圖14的工序S2)。此后晶片W被搬送到第二區(qū)域塊G2的熱處理單元40，進(jìn)行加熱處理。此后返回到第三區(qū)域塊G3的交接單元53。接著，晶片W由晶片搬送裝置90搬送到相同的第三區(qū)域塊G3的交接單元54。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第二區(qū)域塊G2的粘附單元41，進(jìn)行粘附處理(圖14的工序S3)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到抗蝕劑涂敷單元31，在晶片W上形成抗蝕劑膜。(圖14的工序S4)此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到熱處理單元40，進(jìn)行預(yù)烘焙(prebake)處理(圖14的工序S5)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第三區(qū)域塊G3的交接單元55。接著，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到上部反射防止膜形成單元32，在晶片W上形成上部反射防止膜(圖14的工序S6)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到熱處理單元40，被加熱，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。此后，晶片W被搬送到周邊曝光單元42，進(jìn)行周邊曝光處理(圖14的工序S7)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第三區(qū)域塊G3的交接單元56。接著晶片W由晶片搬送裝置90搬送到交接單元52，并由梭搬送裝置80搬送到第四區(qū)域塊G4的交接單元62。此后，晶片W由晶片搬送裝置85搬送到第七區(qū)域塊G7的交接單元110。接著晶片W由晶片搬送裝置120的第一搬送臂121搬送到清洗檢查單元100的晶片清洗部141，晶片W的背面被清洗(圖14的工序S8)。背面被清洗后的晶片W由搬送手段143搬送到晶片檢查部142，晶片W的背面被檢查(圖14的工序S9)。接著，晶片W由搬送手段143搬送到待機(jī)載置臺(tái)144，暫時(shí)載置于該待機(jī)載置臺(tái)144直到判斷出晶片檢查部142中的晶片W的檢查結(jié)果。當(dāng)判斷出晶片檢查部142中的檢查結(jié)果時(shí)，晶片搬送控制部135則基于檢查結(jié)果進(jìn)行晶片W的搬送。也就是說，如果晶片檢查部142中的檢查的結(jié)果被判斷為晶片W的狀態(tài)是能夠在曝光裝置4中曝光，則待機(jī)載置臺(tái)144上的晶片W由第二搬送臂122搬送到第七區(qū)域塊G7的交接單元110’，接著由晶片搬送裝置130的搬送臂131搬送到脫水單元101。另外，如果檢查的結(jié)果被判斷為晶片W的狀態(tài)是在曝光裝置4中不能曝光，則中止該晶片W的以后的處理，并由第一搬送臂121搬送到交接單元110。此后，以后的處理被中止的晶片W由晶片搬送裝置85搬送到處理站3，接著，回收到規(guī)定的盒載置板13的盒C(圖14的工序S10)。另外，作為回收被判斷為不能曝光的晶片W時(shí)的路徑，例如可以是利用梭搬送裝置80的路徑，也可以是經(jīng)由第一區(qū)域塊Gl中的顯影處理單元33的層進(jìn)行回收的路徑。利用顯影處理單元33的層是因?yàn)椋擄@影處理單元33的層中的曝光后的晶片W的搬送方向與判斷為不能曝光的晶片W的搬送方向相同，是從曝光裝置4朝向載盒臺(tái)2側(cè)的方向，不干擾通常的晶片W搬送就能夠搬送不能曝光的晶片W。另外，如果檢查的結(jié)果被判斷為，雖然晶片W的現(xiàn)狀為無法曝光，但是在晶片清洗部141再次清洗就能夠在曝光裝置4中進(jìn)行曝光，則晶片W由搬送手段143再次搬送到晶片清洗部141。并且，通過晶片清洗部141再次清洗后的晶片W由搬送手段143再次搬送到晶片檢查部142。并且，如果晶片檢查部142中的檢查的結(jié)果被判斷為能夠曝光，則該晶片W由第二搬送臂122搬送到第七區(qū)域塊G7的交接單元110’。接著由晶片搬送裝置130的第三搬送臂131搬送到脫水單元101。被搬送到交接單元110’的晶片W，接著由晶片搬送裝置130的第三搬送臂131搬送到脫水單元101。搬送到脫水單元101的晶片W在脫水單元101中被脫水處理(圖14的工序SI I)。此后，晶片W由第三搬送臂131搬送到溫度調(diào)整單元112，接著，由第四搬送臂132搬送到曝光裝置4，進(jìn)行曝光處理(圖14的工序S12)。曝光處理后的晶片W由第四搬送臂132搬送到第七區(qū)域塊G7的交接單元110。此后，晶片W由晶片搬送裝置85搬送到第四區(qū)域塊G4的交接單元40。接著，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到熱處理單元40，進(jìn)行曝光后被烘焙(bake)處理(圖14的工序S13)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到顯影處理單元33，進(jìn)行顯影處理(圖14的工序S14)。顯影結(jié)束后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到熱處理單元40，進(jìn)行后烘(post bake)處理(圖14的工序S15)。
此后晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第三區(qū)域塊G3的交接単元50，此后由載盒臺(tái)2的晶片搬送裝置21搬送到規(guī)定的盒載置板13的盒C。這樣，結(jié)束一系列的光刻エ序。根據(jù)以上的實(shí)施方式，清洗晶片W的背面的晶片清洗部141和檢查清洗后的晶片W的晶片檢查部142收納于相同的箱體140的內(nèi)部，并且，能夠由設(shè)置于箱體140的內(nèi)部的搬送手段143進(jìn)行該晶片清洗部141和晶片檢查部142之間的晶片的搬送。因此，進(jìn)行晶片清洗部141和晶片檢查部142之間的晶片的搬送時(shí)，無需如以往那樣利用例如設(shè)置于箱體140的外部的晶片搬送裝置120。結(jié)果是，能夠減少涂敷顯影處理系統(tǒng)I中的晶片搬送的負(fù)荷。在以上的實(shí)施方式中，如果在晶片檢查部142中檢查清洗后的晶片W的結(jié)果被判斷為，雖然該晶片W現(xiàn)狀為無法曝光，但是通過在晶片清洗部141再次清洗就能夠在曝光裝置中進(jìn)行曝光，則晶片W再次被搬送到晶片清洗部141。此時(shí)，與對(duì)判斷為不能曝光的全部的晶片W中止以后的處理，并回收到盒C的以往的涂敷顯影處理系統(tǒng)300相比，能夠減少中止以后的處理并回收到盒C的晶片W的數(shù)量。結(jié)果是，能夠提高涂敷顯影處理系統(tǒng)I中的晶片W的成品率。另外，伴隨在晶片清洗部141中再次進(jìn)行清洗的、晶片W的搬送，由搬送手段143進(jìn)行。從而，當(dāng)在清洗檢查單元100中進(jìn)行晶片W的再次清洗吋，不會(huì)增加箱體140外部的晶片搬送裝置的負(fù)荷。另外，在箱體140內(nèi)，設(shè)置有使檢查后的晶片W暫時(shí)待機(jī)的待機(jī)載置臺(tái)144，因此，能夠使該檢查后的晶片W在該待機(jī)載置臺(tái)144中待機(jī)直到判斷出檢查結(jié)果。假如在沒有判斷出檢查的結(jié)果的狀態(tài)下從清洗檢查單元100搬出晶片W，則需要根據(jù)此后判斷出的檢查結(jié)果變更搬送中的晶片W的搬送目的地，有可能會(huì)對(duì)晶片W的搬送產(chǎn)生較大的影響。與此相反，如本實(shí)施方式，使檢查后的晶片W在待機(jī)載置臺(tái)144待機(jī)直到判斷出檢查結(jié)果，從而從清洗檢查單元100搬出之后晶片W的搬送目的地不需要變更。因此，從這一點(diǎn)，能夠防止晶片W的搬送負(fù)荷的增加。另外，使在晶片檢查部142中檢查之后的晶片W在待機(jī)載置臺(tái)144待機(jī)的時(shí)間，無需一定要到判斷出該晶片W的檢查結(jié)果，也可以待機(jī)到其以上的時(shí)間。例如，如果對(duì)從第五區(qū)域塊G5的最上部的清洗檢查單元100到最下部的清洗檢查單元100，以此順序依次搬入從處理站3搬送的晶片W時(shí)，例如最先判斷出檢查結(jié)果的最上部的清洗檢查單元100中的檢查結(jié)果為上述的“再清洗”吋，則有時(shí)會(huì)在該晶片W在晶片清洗部141中再次清洗過程中，判斷出配置于比最上部靠下方的其他的清洗檢查單元100中的檢查結(jié)果。所述情況中，如果將先判斷出檢查結(jié)果的該晶片W搬送到曝光裝置4側(cè)，該晶片W則超過正在再清洗的晶片W被搬送到曝光裝置4。此時(shí)，例如由于以與按批量(lot)単位設(shè)定于處理方案的晶片W的搬送次序(schedule)不同的順序?qū)⒕琖搬送到曝光裝置4，因此，曝光裝置4不能識(shí)別該晶片W,有可能會(huì)發(fā)生搬送錯(cuò)誤(error)。因此，如上所述如果任意的晶片W被判斷為“再清洗”吋，則優(yōu)選在該晶片W的再清洗之后再次在晶片檢查部142中進(jìn)行檢查，直到再次在待機(jī)載置臺(tái)144上載置之后判斷出再檢查的檢查結(jié)果為止，在其它的清洗檢查單元100中使檢查后的晶片W在待機(jī)載置臺(tái)144中待機(jī)。這樣，調(diào)整在待機(jī)載置臺(tái)144中使晶片W待機(jī)的時(shí)間，從而在“再清洗”的情況下也能夠?qū)⒕琖以預(yù)定的規(guī)定順序進(jìn)行搬送。另外，也可以采用將待機(jī)載置臺(tái)144例如在上下方向設(shè)置多層，在清洗檢查單元100內(nèi)能夠使多個(gè)晶片待機(jī)的構(gòu)成。在這樣的情況下，例如當(dāng)待機(jī)載置臺(tái)144上的晶片W判斷為不能曝光時(shí)，將該晶片W載置于待機(jī)載置臺(tái)144上，直到變成不影響利用晶片搬送裝置120或搬送手段143進(jìn)行晶片搬送的安排的時(shí)亥IJ，由此能夠回收晶片W而不對(duì)搬送安排造成影響。另外，例如也可以使多個(gè)判斷為能夠曝光的晶片W在待機(jī)載置臺(tái)144上待機(jī)。在該情況下，例如在對(duì)判斷為“再清洗”的晶片W進(jìn)行再次清洗的期間，如果使待機(jī)的能夠曝光的晶片W搬送到曝光裝置4，則總能夠確保搬送到曝光裝置4的晶片W，因此，能夠防止曝光裝置4處于等待狀態(tài)。另外，以上的實(shí)施方式中，晶片清洗部141的上方配置有晶片檢查部142，但是，與此相反，也可以將晶片清洗部141配置于晶片檢查部142上方。以上的實(shí)施方式中，結(jié)束清洗和檢查的晶片W當(dāng)中，將被判斷為在曝光裝置4中不能曝光的晶片W由第一搬送臂121搬送，將判斷為能夠曝光的晶片W由第二搬送臂122搬送，因此，能夠防止第二搬送臂122被附著在被判斷為不能曝光的晶片W上的顆粒污染。結(jié)果是，能夠確保在下游的工序中使用的各搬送臂122、131、132或各單元潔凈。另外，通過在晶片搬送裝置120、130設(shè)置多個(gè)搬送臂121、122、131、132，能夠使基于各搬送臂121、122、131、132的搬送工序數(shù)均等化。由此，晶片W的搬送時(shí)間管理變得容易。另外，如果基于晶片檢查部142的檢查結(jié)果是，晶片W的狀態(tài)被判斷為例如不能在曝光裝置4中曝光，則搬送手段143例如搬送過背面上附著有顆粒的狀態(tài)的晶片W。如若如此，附著于晶片W上的顆粒附著于該搬送手段143，有可能會(huì)污染接下來被搬送的晶片W的背面。因此，如果晶片檢查部142中的檢查結(jié)果是，晶片W的狀態(tài)例如被判斷為不能在曝光裝置4中曝光或通過再清洗能夠曝光，則也可以在搬送該晶片W之后，清洗搬送手段143。上述搬送手段143的清洗例如也可以在晶片清洗部141中進(jìn)行。該情況下，也可以例如將搬送手段143構(gòu)成為上下自由反轉(zhuǎn)，在使保持該搬送手段143的晶片W的面朝向下表面的狀態(tài)下，由刷152清洗。另外，也可以將刷152構(gòu)成為上下自由反轉(zhuǎn)，當(dāng)清洗搬送手段143時(shí)使該刷152反轉(zhuǎn)。以上的實(shí)施方式中，在交接站5設(shè)置有脫水單元101，對(duì)在清洗時(shí)附著在晶片W上的水分進(jìn)行脫水，因此，能夠?qū)氲狡毓庋b置4的水分抑制到最小限度。另外，脫水單元101未必一定要設(shè)置，其設(shè)置與否能夠任意選擇。另外，由于第六區(qū)域塊G6中只設(shè)置有脫水單元101，因此，能夠在背面?zhèn)却_保例如附隨于脫水單元101而設(shè)置的諸如處理容器190或排氣機(jī)構(gòu)194之類的大型且大重量的機(jī)器的設(shè)置場(chǎng)所。另外，也可以將脫水單元101，代替第六區(qū)域塊G6而配置于例如第五區(qū)域塊G5。該情況下，例如，優(yōu)選將清洗檢查單元100和脫水單元101從上至下依次交替設(shè)置。這樣，不經(jīng)由第七區(qū)域塊G7就能夠?qū)⑼瓿闪饲逑春蜋z查后的晶片W例如由第二搬送臂122直接搬送到脫水單元101。由此，能夠?qū)⒕琖和各搬送臂接觸的次數(shù)抑制到最小限度，因此，比以往更能減少晶片W的背面被顆粒污染的可能性。另外，也可以將脫水單元101設(shè)置于清洗檢查單元100的內(nèi)部。在該情況下，優(yōu)選例如代替待機(jī)載置臺(tái)144而將脫水單元101配置于箱體140的內(nèi)部，在晶片檢查部142中進(jìn)行檢查之后，將晶片W搬送到脫水單元101進(jìn)行脫水處理。這樣，能夠與等待晶片W的檢查結(jié)果的期間并行地進(jìn)行脫水處理，因此，晶片處理的生產(chǎn)率(throughput)提高。在以上的實(shí)施方式中，由溫度調(diào)整單元112進(jìn)行搬送到曝光裝置4之前的晶片W的溫度調(diào)整，但是，晶片W的溫度調(diào)整例如也可以在清洗檢查單元100的內(nèi)部進(jìn)行。在該情況下，例如如圖15所示，在清洗檢查單元100的箱體140的頂部，例如設(shè)置有冷卻箱體140內(nèi)的空氣的冷卻機(jī)構(gòu)200，由該冷卻機(jī)構(gòu)200將箱體140內(nèi)的氣氛調(diào)整到規(guī)定的溫度，從而進(jìn)行晶片W的溫度調(diào)整。在冷卻機(jī)構(gòu)200中，能夠使用例如在內(nèi)部流通規(guī)定的溫度的冷媒的散熱器(radiator)。這樣，能夠在例如結(jié)束晶片W的檢查，使晶片W在待機(jī)載置臺(tái)144待機(jī)的期間，進(jìn)行該晶片W的溫度調(diào)整。結(jié)果是，縮短晶片W的溫度調(diào)整所需的時(shí)間，并且無需搬送到溫度調(diào)整單元112，因此，能夠提高涂敷顯影處理系統(tǒng)I的生產(chǎn)率。另外，不需要溫度調(diào)整單元112，因此，能夠使交接站5小型化。另外，以上的實(shí)施方式中，作為搬送手段143的搬送臂143a說明的是使用略U字形狀的情況，但是，搬送臂143a的形狀或種類并不限于所述的實(shí)施方式，例如，作為搬送臂143a也可以使用不接觸就保持晶片W的伯努利吸盤(Bernoulli chuck)等。另外，例如也可以在上下反轉(zhuǎn)晶片檢查部142的狀態(tài)，即，以在晶片檢查部142中使晶片W的背面朝向上方的方式配置該晶片檢查部142。此時(shí)，也可以按照例如使搬送臂143a以水平軸中心在上下方向自由反轉(zhuǎn)的方式，在搬送手段143設(shè)置旋動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)。無論在何種情況下，對(duì)于箱體140內(nèi)的機(jī)器配置或晶片W的搬送，如果是本領(lǐng)域技術(shù)人員，則顯然能夠想到在本申請(qǐng)所記載的思想范疇內(nèi)的各種變更例和修正例，可以認(rèn)為這些當(dāng)然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。另外，在以上的實(shí)施方式中，晶片清洗部141和晶片檢查部142在上下方向上配置于清洗檢查單元100的箱體140內(nèi)，但是，晶片清洗部141和晶片檢查部142的配置也不限于本實(shí)施方式。例如如圖16所示，也可以將晶片清洗部141和晶片檢查部142在水平方向配置于箱體140內(nèi)。此時(shí)，在晶片清洗部141和晶片檢查部142之間的晶片W的搬送，例如通過在晶片清洗部141的吸附墊150保持有晶片W的狀態(tài)下使框體153移動(dòng)而進(jìn)行。并且，保持于吸附墊150的晶片W的背面由光源181和攝像機(jī)182檢查。另外，也可以由吸附墊150保持晶片W直到例如判斷出晶片W的背面的檢查結(jié)果。如若如此，則無需將晶片W搬送到待機(jī)載置臺(tái)144，因此，待機(jī)載置臺(tái)144和搬送手段143都不需要。并且，當(dāng)再清洗時(shí)，將晶片W以保持在吸附墊150的狀態(tài)移動(dòng)到清洗部141，清洗后，以保持在吸附墊150的狀態(tài)再移動(dòng)到晶片檢查部142。另外，如果判斷為能夠曝光或不能曝光時(shí)，則將晶片W交接到晶片清洗部141的升降銷162，由晶片搬送裝置120從清洗檢查單元100搬出。在該情況下，支承于框體153的吸附墊150起到本實(shí)施方式的搬送手段的功能。另外，如圖5所示，在上下方向配置晶片清洗部141和晶片檢查部142的情況下，也可以例如以將晶片W保持在保持臂180的狀態(tài)，使晶片W待機(jī)直到判斷出晶片W的檢查結(jié)果。(第二實(shí)施方式)下面，說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。圖17是表示構(gòu)成本實(shí)施方式的作為基板處理系統(tǒng)的涂敷顯影處理系統(tǒng)I的內(nèi)部構(gòu)成的說明圖。圖18和圖19為從正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)缺硎靖鱾€(gè)涂敷顯影處理系統(tǒng)I的內(nèi)部構(gòu)成的概略的說明圖。
如圖17所示，涂敷顯影處理系統(tǒng)I具有將:例如在與外部之間搬出搬入收納有多個(gè)晶片W的盒C的載盒臺(tái)2 ;具備多個(gè)在光刻處理中對(duì)晶片W實(shí)施規(guī)定的處理的處理單元的處理站3 ;和在與曝光裝置4之間進(jìn)行晶片W的交接的交接站5連接為一體的構(gòu)成。另夕卜，涂敷顯影處理系統(tǒng)I具有進(jìn)行各種處理単元等的控制的控制裝置6。載盒臺(tái)2例如由盒搬入搬出部10和晶片搬送部11構(gòu)成。盒搬入搬出部10例如設(shè)置于涂敷顯影處理系統(tǒng)I的Y方向負(fù)方向(圖17的左方向)側(cè)的端部。在盒搬入搬出部10，設(shè)置有作為盒載置部的盒載置臺(tái)12。盒載置臺(tái)12上例如設(shè)置有四個(gè)盒載置板13。盒載置板13以一列并排設(shè)置在水平方向的X方向上(圖17的上下方向)。在這些盒載置板13，當(dāng)相對(duì)于涂敷顯影處理系統(tǒng)I的外部搬入搬出盒C吋，能夠載置盒C。晶片搬送部11中，如圖17所示例如設(shè)置有在沿著X方向延伸的搬送路20上自由移動(dòng)的晶片搬送裝置21。晶片搬送裝置21能夠在上下方向上和圍繞鉛直軸(0方向)自由移動(dòng)，能夠在各盒載置板13上的盒C和后述的處理站3的第三區(qū)域塊(block)G3的交接裝置之間搬送晶片W。與載盒臺(tái)2相鄰的處理站3中，設(shè)置有具有各種單元的多個(gè)例如四個(gè)區(qū)域塊G1、G2、G3、G4。處理站3的正面?zhèn)?圖17的X方向負(fù)方向側(cè))設(shè)置有第一區(qū)域塊G1，處理站3的背面?zhèn)?圖17的X方向正方向側(cè))設(shè)置有第二區(qū)域塊G2。另外，處理站3的載盒臺(tái)2側(cè)(圖17的Y方向負(fù)方向側(cè))設(shè)置有第三區(qū)域塊G3，處理站3的交接站5側(cè)(圖17的Y方向正方向側(cè))設(shè)置有第四區(qū)域塊G4。例如在第一區(qū)域塊Gl中，如圖18所示，多個(gè)液處理單元，例如:在晶片W的抗蝕劑膜的下層形成反射防止膜(以下稱為“下部反射防止膜”)的下部反射防止膜形成単元30、在晶片W上涂敷抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷單元31、在晶片W的抗蝕劑膜的上層形成反射防止膜(以下稱為“上部反射防止膜”)的上部反射防止膜形成単元32、對(duì)晶片W進(jìn)行顯影處理的顯影處理單元33，從下起依次層疊有四層。這些第一區(qū)域塊Gl的各處理單元3(T33在水平方向上具有多個(gè)在處理時(shí)收納晶片W的罩F，能夠?qū)⒍鄠€(gè)晶片W并行處理。例如第二區(qū)域塊G2中，如圖19所示，在上下方向和水平方向并排設(shè)置有進(jìn)行晶片W的熱處理的熱處理單元40、對(duì)晶片W進(jìn)行疏水化處理的作為疏水化處理裝置的粘附單元(adhesion unit)41、對(duì)晶片W的外周部進(jìn)行曝光的周邊曝光單元42。熱處理單元40具有載置晶片W進(jìn)行加熱的熱板和載置晶片W進(jìn)行冷卻的冷卻板，能夠進(jìn)行加熱處理和冷卻處理兩者。另外，熱處理単元40、粘附單元41以及周邊曝光単元42的數(shù)量或配置能夠任意選擇。例如在第三區(qū)域塊G3中從下起依次設(shè)置有多個(gè)交接單元50、51、52、53、54、55、56。另外，在第四區(qū)域塊G4中從下起依次設(shè)置有多個(gè)交接單元60、61、62。如圖17所示，被第一區(qū)域塊Gf第四區(qū)域塊G4包圍的區(qū)域中，形成有晶片搬送區(qū)域D。在晶片搬送區(qū)域D中，例如設(shè)置有多個(gè)，例如三個(gè)晶片搬送裝置70。各晶片搬送裝置70分別為相同的結(jié)構(gòu)。晶片搬送裝置70例如具有在Y方向、前后方向、0方向以及上下方向上自由移動(dòng)的搬送臂70a。搬送臂70a在晶片搬送區(qū)域D內(nèi)移動(dòng)，能夠?qū)⒕琖搬送到周圍的第一區(qū)域塊G1、第二區(qū)域塊G2、第三區(qū)域塊G3以及第四區(qū)域塊G4內(nèi)的規(guī)定的単元。晶片搬送裝置70例如如圖19所示上下地配置有多個(gè)，例如能夠?qū)⒕琖搬送到各區(qū)域塊Gf G4的同程度的高度的規(guī)定的單元。另外，晶片搬送區(qū)域D中設(shè)置有在第三區(qū)域塊G3和第四區(qū)域塊G4之間直線地搬送晶片W的梭(shuttle)搬送裝置80。梭搬送裝置80例如在圖19的Y方向上直線地自由移動(dòng)。梭搬送裝置80在支承晶片W的狀態(tài)下在Y方向上移動(dòng)，能夠在第三區(qū)域塊G3的交接單元52和第四區(qū)域塊G4的交接單元62之間搬送晶片W。如圖17所示，在第三區(qū)域塊G3的X方向正方向側(cè)設(shè)置有晶片搬送裝置90。晶片搬送裝置90例如具有在前后方向、Θ方向以及上下方向上自由移動(dòng)的搬送臂90a。晶片搬送裝置90在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠?qū)⒃摼琖搬送到第三區(qū)域塊G3內(nèi)的各交接單元。在第四區(qū)域塊G4的例如X方向正方向側(cè)，設(shè)置有晶片搬送裝置85。晶片搬送裝置85例如具有在前后方向、Θ方向以及上下方向上自由移動(dòng)的搬送臂85a。晶片搬送裝置85在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠?qū)⒕琖搬送到交接站5。在交接站5中設(shè)置有具有各種單元的兩個(gè)區(qū)域塊G5、G6。例如在交接站5的正面?zhèn)蓛x圖17的X方向負(fù)方向側(cè))設(shè)置有第五區(qū)域塊G5。第六區(qū)域塊G6例如設(shè)置于第五區(qū)域塊G5的X方向正方向側(cè)。如圖20所示，例如在第五區(qū)域塊G5中，將晶片W搬入到曝光裝置4之前清洗晶片W的背面的清洗部141 ;和在搬入到曝光裝置4之前檢查由晶片清洗部141清洗后的晶片W背面是否為在曝光裝置4中能夠曝光的狀態(tài)的晶片檢查部142，從上起依次層疊設(shè)置有多層。另外，在本實(shí)施方式中，例如晶片清洗部141設(shè)置有四層，晶片檢查部142設(shè)置有兩層。另外，圖20是表示從載盒臺(tái)2側(cè)觀察交接站5時(shí)的、交接站5的內(nèi)部構(gòu)成的概略的說明圖。第六區(qū)域塊G6中，經(jīng)由晶片搬送裝置85與處理站3之間進(jìn)行晶片W的交接的交接單元110 ;暫時(shí)收納由晶片檢查部142檢查之后的晶片W的作為緩沖收納部的緩沖單元111 ;和將檢查后的晶片W搬入到曝光裝置4之前將該晶片W調(diào)整到規(guī)定的溫度的作為溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)的溫度調(diào)整單元112，在上下方向上層疊設(shè)置有多層。更具體而言，在第六區(qū)域塊G6的上部，交接單元110和緩沖單元111從上起依次交替地層疊配置各三層。在第六區(qū)域塊G6的下部，交接單元110和溫度調(diào)整單元112從上起依次交替地層疊配置各兩層。溫度調(diào)整單元112具有具備帕爾貼元件等的溫度調(diào)整部件的溫度調(diào)整板，能夠?qū)⑤d置于該溫度調(diào)整板的晶片W進(jìn)行溫度調(diào)整為規(guī)定的溫度，例如常溫。在第五區(qū)域塊G5和第六區(qū)域塊G6之間、且與第五區(qū)域塊G5相鄰的區(qū)域中，設(shè)置有作為基板搬送機(jī)構(gòu)的晶片搬送裝置120。晶片搬送裝置120具有多個(gè)搬送臂，即具有第I’搬送臂121’、第2’搬送臂122’、第3’搬送臂123’。各搬送臂121’、122’、123’例如構(gòu)成為在前后方向、Θ方向以及上下方向上自由移動(dòng)。由此各搬送臂121’、122’、123’在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠在各區(qū)域塊G5、G6的各單元之間搬送晶片W。此外，在圖20中，作為晶片搬送裝置120描繪的是獨(dú)立移動(dòng)的多個(gè)搬送臂121’、122’、123’，但是，也可以例如以設(shè)置有多個(gè)例如三個(gè)將晶片W保持在一個(gè)搬送臂上的固定銷(pin set)的部件替代多個(gè)搬送臂使用。另外，基于晶片搬送裝置120的晶片W的搬送，由圖17所示的作為控制裝置6的基板搬送控制部的晶片搬送控制部135進(jìn)行控制。晶片搬送控制部135控制晶片搬送裝置120，使得由第I’搬送臂121’在晶片清洗部141和交接單元110之間搬送晶片W。另外，晶片搬送控制部135進(jìn)行控制，使得由第2’搬送臂122’將在晶片清洗部141中清洗之后的晶片W搬送到晶片檢查部142，由第3’搬送臂123’將在晶片檢查部142中檢查后的晶片W搬送到緩沖單元111。另外，晶片搬送控制部135也進(jìn)行涂敷顯影處理系統(tǒng)I內(nèi)的其他的晶片搬送裝置的動(dòng)作的控制。圖20中的與第六區(qū)域塊G6相鄰的X方向正方向側(cè)的區(qū)域中，在上下方向設(shè)置有多個(gè)晶片搬送裝置130’、131’。晶片搬送裝置130’、131’各自具有例如在前后方向、Θ方向以及上下方向自由移動(dòng)的搬送臂130’ a、131’ a。搬送臂130’ a在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，在第六區(qū)域塊G6的上部的交接單元110和緩沖單元111之間搬送晶片W。另外，搬送臂131’ a在支承晶片W的狀態(tài)下上下移動(dòng)，能夠在第六區(qū)域塊G6下部的各單元110、112之間以及各單元110、112和曝光裝置4之間搬送晶片W。接著說明晶片清洗部141的構(gòu)成。圖21是表示晶片清洗部141的構(gòu)成的概略的平面圖，圖22是表示晶片清洗部141的構(gòu)成的概略的縱截面圖。晶片清洗部141具有:在水平地吸附保持經(jīng)由第I’搬送臂121’搬送的晶片W的兩個(gè)吸附墊(pad) 150、150 ;將從該吸附墊150接收的晶片W水平地吸附保持的旋轉(zhuǎn)吸盤(spin chuck) 151 ;清洗晶片W的背面的刷(brush) 152和上表面開口的箱體140。如圖21所示，兩個(gè)吸附墊150、150以保持晶片W背面的周緣部的方式，在俯視時(shí)夾住旋轉(zhuǎn)吸盤151大致平行地設(shè)置。各吸附墊150、150由通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)而在水平方向和上下方向自由移動(dòng)的框體153支承其兩端部。在框體153的上表面設(shè)置有上部罩154。在上部罩154的上表面形成有比晶片W的直徑更大直徑的開口部154a，經(jīng)由該開口部154a在第I’搬送臂121’和吸附墊150之間進(jìn)行晶片W的交接。如圖22所示，旋轉(zhuǎn)吸盤151經(jīng)由傳動(dòng)軸(shaft)160與驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)161連接，旋轉(zhuǎn)吸盤151構(gòu)成為通過該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)161旋轉(zhuǎn)和自由升降。在旋轉(zhuǎn)吸盤151的周圍設(shè)置有通過升降機(jī)構(gòu)(未圖示)自由升降的升降銷(pin)162。例如將大量塑料纖維捆扎為圓柱狀構(gòu)成刷152，其由支承體163支承。支承體163連接于驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)164。驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)164連接于箱體140，能夠沿圖21的X方向且沿箱體140在水平方向移動(dòng)。因此，通過使驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)164在X方向上移動(dòng)，就能夠經(jīng)由支承體163使刷152在圖21的X方向上移動(dòng)。刷152構(gòu)成為，通過內(nèi)置于支承體163的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)自由旋轉(zhuǎn)，通過在將其上表面按壓在晶片W的背面的狀態(tài)下使其旋轉(zhuǎn)從而使該刷152在晶片W的背面滑動(dòng)，由此就能夠去除附著在晶片W的背面的顆粒。另外，在支承體163的前端設(shè)置有:供給沖洗利用刷去除的顆粒的清洗液的清洗液噴嘴(nozzle) 163a ;和清洗后用于干燥附著在晶片W的背面的清洗液的、例如供給氮等的氣體的清洗噴嘴(purge nozzle) 163b。在箱體140的底部設(shè)置有:排出清洗液的排液管170 ;和在晶片清洗部141內(nèi)形成下方向的氣流且對(duì)該氣流進(jìn)行排氣的排氣管171。接著，說明晶片檢查部141的晶片W的清洗。進(jìn)行晶片W的清洗時(shí)，首先如圖23所示，例如通過第I’搬送臂121’將晶片W搬送到上部罩154的上方。接著，升降銷162上升，將晶片W交接到升降銷162。此時(shí)，吸附墊150在其上表面比刷152的上表面更高的位置待機(jī)，旋轉(zhuǎn)吸盤151退避到比刷152的上表面更低的位置。此后，升降銷162下降，如圖24所示將晶片W交接到吸附墊150加以保持。接著，如圖25所示，在以吸附墊150吸附保持晶片W的狀態(tài)下，以例如使刷152位于對(duì)應(yīng)于晶片W背面的中央部的區(qū)域的方式使框體153在水平方向移動(dòng)。此后，使吸附墊150下降，晶片W的背面就會(huì)被推碰到刷152的上表面。接著，從清洗液噴嘴163a供給清洗液，并且使刷152旋轉(zhuǎn)，清洗晶片W背面的中央部。此時(shí)，支承體163在圖21的X方向上往復(fù)移動(dòng)，框體153在Y方向上往復(fù)移動(dòng)，由此晶片W背面的中央部被全面均勻地清洗。當(dāng)晶片W背面的中央部的清洗完成時(shí)，如圖26所示，使框體153在水平方向移動(dòng)，使得晶片W的中心與旋轉(zhuǎn)吸盤151的中心在俯視時(shí)一致。接著，使旋轉(zhuǎn)吸盤151上升，將晶片W從吸附墊150交接到旋轉(zhuǎn)吸盤151。此后，如圖27所示，在將刷152推碰到晶片W的背面的狀態(tài)下，使晶片W旋轉(zhuǎn)，并且利用支承體163使刷在X方向上滑動(dòng)，晶片W背面的周緣部被清洗。由此，去除晶片W的背面整體的顆粒。當(dāng)晶片W背面的清洗完成吋，使刷152的旋轉(zhuǎn)或清洗液的供給停止，使旋轉(zhuǎn)吸盤151以高速旋轉(zhuǎn)，由此附著在晶片W背面的清洗液被甩脫干燥。此時(shí)，也并行地進(jìn)行基于凈化噴嘴163b的清洗。并且，當(dāng)干燥結(jié)束吋，以與搬送到晶片清洗部141時(shí)相反的順序，將晶片W交接到第2’搬送臂122’。接著，說明晶片檢查部142的構(gòu)成。圖28是表示晶片檢查部142的結(jié)構(gòu)的概略的縱截面圖。晶片檢查部142具有箱體170’，在箱體170’的內(nèi)部設(shè)置有以至少將晶片W的背面朝向下方敞開的狀態(tài)加以保持的保持臂180 ;對(duì)由保持臂180保持的晶片W的背面照射線狀的平行光線的光源181 ;和對(duì)照射于晶片W的背面的光進(jìn)行攝像的攝像機(jī)(camera) 182。保持臂180構(gòu)成為通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)在水平方向上自由移動(dòng)。在保持臂180的前端部，形成有向下方突出的卡止部171a，另外，在保持臂180的下表面，設(shè)置有通過未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)在晶片W的直徑方向上自由移動(dòng)的可動(dòng)保持部171b。保持臂180通過該卡止部171a和可動(dòng)保持部171b夾住從經(jīng)由箱體170’的開ロ部170a進(jìn)入箱體170’內(nèi)的第2’搬送臂122’交接的晶片W，井能夠?qū)⒃摼琖以其背面朝向下方的狀態(tài)加以保持。光源181在保持臂180的下方，以對(duì)晶片W的背面以規(guī)定的角度0照射光線的方式進(jìn)行配置。攝像機(jī)182以對(duì)照射到晶片W的背面的光線的圖像進(jìn)行攝像的方式，在保持臂180的下方，以相對(duì)于晶片W的背面傾斜與光源181同樣的規(guī)定的角度0的狀態(tài)進(jìn)行配置。光源181、攝像機(jī)182，能夠通過未圖示的旋動(dòng)機(jī)構(gòu)調(diào)整照射角度和攝像角度。由此，對(duì)在某個(gè)角度照射的光線下不能觀察的顆粒，能夠以不同的角度照射光線而能夠觀察。在晶片檢查部142中，保持臂180以保持有晶片W的狀態(tài)在水平方向移動(dòng)，并由攝像機(jī)182對(duì)照射到晶片W的背面的光線連續(xù)攝像，從而對(duì)晶片W的背面的整體進(jìn)行攝像。由攝像機(jī)182攝像的圖像被輸入到控制裝置6，并由控制裝置6判斷該晶片W的背面的狀態(tài)是否為能夠在曝光裝置4中曝光。另外，在控制裝置6中，基于例如附著于晶片W的背面的顆粒的數(shù)量或附著的范圍、或顆粒的高度或大小等，對(duì)晶片W能否在曝光裝置4中曝光加以判斷?？刂蒲b置6由例如具有CPU、存儲(chǔ)器等的計(jì)算機(jī)構(gòu)成。在該控制裝置6中，例如決定涂敷顯影處理系統(tǒng)I的各種處理單元中的晶片處理的內(nèi)容或各晶片W的搬送路徑(route)的處理方案(recipe)作為程序例如存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器。通過執(zhí)行該程序，進(jìn)行涂敷顯影處理系統(tǒng)I的各種處理單元的控制、或控制基于上述晶片搬送控制部135的晶片搬送裝置120和各晶片搬送裝置的動(dòng)作，進(jìn)行涂敷顯影處理系統(tǒng)I的晶片W的各種處理或搬送控制。另夕卜，上述程序例如是記錄于計(jì)算機(jī)可讀取的硬盤(HD)、軟盤(FD)、高密度光盤(⑶)、光磁盤(MO)、存儲(chǔ)卡等的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)H的程序，也可以是從該存儲(chǔ)介質(zhì)H安裝到控制裝置6的程序。如上構(gòu)成的涂敷顯影處理系統(tǒng)I中，例如進(jìn)行如下的晶片處理。圖29是表示所述的晶片處理的主要的工序的例子的流程圖。進(jìn)行晶片W的處理時(shí)，首先，收納有多個(gè)晶片W的盒C載置于盒搬入搬出部10的規(guī)定的盒載置板13。此后，由晶片搬送裝置21依次取出盒C內(nèi)的各晶片W，并搬送到處理站3的第三區(qū)域塊G3的例如交接單元53。接著，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第二區(qū)域塊G2的熱處理單元40，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)(圖29的工序SI)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70例如搬送到第一區(qū)域塊Gl的下部反射防止膜形成單元30，在晶片W上形成下部反射防止膜(圖29的工序S2)。此后晶片W被搬送到第二區(qū)域塊G2的熱處理單元40，進(jìn)行加熱處理。此后返回到第三區(qū)域塊G3的交接單元53。接著，晶片W由晶片搬送裝置90搬送到同一第三區(qū)域塊G3的交接單元54。然后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第二區(qū)域塊G2的粘附單元41，進(jìn)行粘附處理(圖29的工序S3)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到抗蝕劑涂敷單元31，在晶片W上形成抗蝕劑膜。(圖29的工序S4)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到熱處理單元40，進(jìn)行預(yù)烘焙(prebake)處理(圖29的工序S5)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第三區(qū)域塊G3的交接單元55。接著，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到上部反射防止膜形成單元32，在晶片W上形成上部反射防止膜(圖29的工序S6)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到熱處理單元40，被加熱，進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。此后，晶片W搬送到周邊曝光單元42，進(jìn)行周邊曝光處理(圖29的工序S7)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第三區(qū)域塊G3的交接單元56。接著晶片W由晶片搬送裝置90搬送到交接單元52，并由梭搬送裝置80搬送到第四區(qū)域塊G4的交接單元62。此后，晶片W由晶片搬送裝置85搬送到第六區(qū)域塊G6的交接單元110。接著晶片W由第I’搬送臂121’搬送到晶片清洗部141，晶片W的背面被清洗(圖29的工序S8)。背面被清洗后的晶片W由第2’搬送臂122’搬送到晶片檢查部142，晶片W的背面被檢查(圖29的工序S9)。接著，晶片W由第3’搬送臂123’搬送到緩沖單元111，暫時(shí)收納于該緩沖單元111直到判斷出晶片檢查部142中的晶片W的檢查結(jié)果。當(dāng)判斷出晶片檢查部142中的檢查結(jié)果時(shí)，晶片搬送控制部135則基于規(guī)定的規(guī)則控制晶片搬送裝置120進(jìn)行晶片W的搬送。也就是說，如果晶片檢查部142中的檢查的結(jié)果被判斷為晶片W的狀態(tài)是能夠在曝光裝置4中曝光，則晶片W由第3’搬送臂123’搬送到溫度調(diào)整單元112，接著由搬送臂131’ a搬送到曝光裝置4。另外，如果檢查的結(jié)果被判斷為晶片W的狀態(tài)是在曝光裝置4中不能曝光，則中止該晶片W的以后的處理，并由第3’搬送臂123’搬送到交接單元110。此后，以后的處理被中止的晶片W由晶片搬送裝置85搬送到處理站3，接著，回收到規(guī)定的盒載置板13的盒C(圖29的工序S10)。另外，作為回收被判斷為不能曝光的晶片W時(shí)的路徑，例如可以是利用梭搬送裝置80的路徑，也可以是經(jīng)由第一區(qū)域塊Gl中的顯影處理單元33的層回收的路徑。利用顯影處理單元33的層是因?yàn)?，該顯影處理單元33的層中的曝光后的晶片W的搬送方向與被判斷為不能曝光的晶片W的搬送方向相同，從曝光裝置4朝向載盒臺(tái)2側(cè)的方向，不干涉通常的晶片W搬送就能夠搬送不能曝光的晶片W。另外，如果檢查的結(jié)果被判斷為，雖然晶片W的現(xiàn)狀是不能曝光但是通過在晶片清洗部141再次清洗就能夠在曝光裝置4中進(jìn)行曝光，則將晶片W由第3’搬送臂123’再次搬送到晶片清洗部141。并且，在晶片清洗部141中再次清洗后的晶片W由第2’搬送臂122’再次搬送到晶片檢查部142。此后，如果晶片檢查部142中的檢查的結(jié)果被判斷為能夠曝光，則該晶片W由第3’搬送臂123’搬送到溫度調(diào)整單元112，接著由晶片搬送裝置130’搬送到曝光裝置4進(jìn)行曝光處理(圖29的工序S11)。曝光處理后的晶片W由搬送臂131’ a搬送到第六區(qū)域塊G6的交接單元110。此后，晶片W由晶片搬送裝置85搬送到第四區(qū)域塊G4的交接單元40。接著，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到熱處理單元40，進(jìn)行曝光后被烘焙(bake)處理(圖29的工序S12)。此后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到顯影處理單元33，進(jìn)行顯影處理(圖29的工序S13)。在顯影結(jié)束后，晶片W由晶片搬送裝置70搬送到熱處理單元40，進(jìn)行后烘(post bake)處理(圖29的工序S14)。此后晶片W由晶片搬送裝置70搬送到第三區(qū)域塊G3的交接單元50，此后由載盒臺(tái)2的晶片搬送裝置21搬送到規(guī)定的盒載置板13的盒C。這樣，結(jié)束一系列的光刻工序。根據(jù)以上的第二實(shí)施方式，晶片清洗部141和晶片檢查部142在交接站5的正面?zhèn)仍O(shè)置有多層，晶片搬送裝置120設(shè)置于與晶片清洗部141和晶片檢查部142相鄰的區(qū)域，因此，能夠縮小交接站5的背面?zhèn)?，能夠使交接?比以往更加小型化。因此，在具備在曝光前進(jìn)行晶片W的背面清洗的功能的涂敷顯影處理系統(tǒng)I中，不改變各處理單元的構(gòu)成就能夠減小占用空間。另外，能夠從交接站5的正面?zhèn)冗M(jìn)入(acess)晶片清洗部141和晶片檢查部142的雙方，因此，維護(hù)(maintenance)變得容易。而且，由于處理單元沒有配置在交接站5的背面?zhèn)?，因此，從背面?zhèn)冗M(jìn)入交接站5內(nèi)的機(jī)器也變得容易，因此從這一點(diǎn)來說維護(hù)也變得容易。晶片清洗部141和晶片檢查部142在上下方向設(shè)置多層，由此能夠使清洗后的晶片W和搬送臂的接觸次數(shù)為最小限度。即，如圖30所示的以往的涂敷顯影處理系統(tǒng)300那樣，例如在清洗単元310和檢查單元311分開設(shè)置于涂敷顯影處理系統(tǒng)300的正面和背面的情況下，從清洗単元310將晶片W搬送到檢查單元311吋，首先需要從清洗単元搬送到交接単元313，接著從交接単元313搬送到檢查單元311。此時(shí)，清洗后的晶片W的背面與晶片搬送裝置314最低接觸兩次。與此相比，如本實(shí)施方式，如果將晶片清洗部141和晶片檢查部142配置于上下方向，則無需經(jīng)由交接単元313，因此，能夠?qū)⒕琖和晶片搬送裝置120的接觸抑制在一次。結(jié)果是，比以往能夠減少晶片W的背面被附著在晶片搬送裝置120上的顆粒污染的可能性。另外，以上的第二實(shí)施方式中，晶片搬送裝置120具有第I’搬送臂121’、第2’搬送臂122’以及第3’搬送臂123’，清洗后的晶片W由各搬送臂122’、123’搬送到晶片檢查部142和緩沖單元111。在該情況下，能夠抑制搬送清洗后的晶片W的各搬送臂122’、123’被附著在晶片W的背面的顆粒污染。結(jié)果是，能夠確保各搬送臂122’、123’潔凈，能夠進(jìn)ー步減少搬送清洗后的晶片W吋，晶片W的背面被附著在各搬送臂122’、123’上的顆粒污染的可能性。另外，第3’搬送臂123’未必一定設(shè)置，也可以用第2’搬送臂122’進(jìn)行在晶片清洗部141中清洗之后、至緩沖單元111的搬送。另外，通過將多個(gè)搬送臂121’、122’、123’設(shè)置于晶片搬送裝置120，能夠使基于各搬送臂121’、122’、123’的搬送エ序數(shù)均勻化。由此，晶片W的搬送時(shí)間管理變得容易。另外，如果基于晶片檢查部142的檢查的結(jié)果為，晶片W的狀態(tài)例如是不能在曝光裝置4中曝光，則第2’搬送臂122’和第3’搬送臂123’例如搬送過在背面附著有顆粒的狀態(tài)的晶片W。如若如此，附著于晶片W的顆粒也附著于各搬送臂122’、123’，有可能會(huì)污染下次搬送的晶片W的背面。因此，如果晶片檢查部142中的檢查的結(jié)果為晶片W的狀態(tài)例如判斷為不能在曝光裝置4中曝光或通過再清洗能夠曝光的情況下，也可以在搬送該晶片W之后，清洗第2’搬送臂122’和第3’搬送臂123’。這樣的搬送臂122’、123’的清洗例如也可以在晶片清洗部141中進(jìn)行。在該情況下，也可以使晶片清洗部141的刷152構(gòu)成為上下自由反轉(zhuǎn)，使進(jìn)入到晶片清洗部141內(nèi)的各搬送臂122’、123’的上表面由反轉(zhuǎn)后的刷152清洗。另外，也可以與晶片清洗部141相區(qū)別，將進(jìn)行搬送臂122’、123’的清洗的作為臂清洗機(jī)構(gòu)的另外的清洗部設(shè)置于第五區(qū)域塊G5或第六區(qū)域塊G6，也可以在緩沖單元111設(shè)置搬送臂122’、123’的清洗機(jī)構(gòu)。以上的實(shí)施方式中，當(dāng)在晶片檢查部142中檢查清洗后的晶片W的結(jié)果被判斷為，雖然該晶片W的現(xiàn)狀是不能曝光，但是在晶片清洗部141再清洗后就能夠在曝光裝置中進(jìn)行曝光的情況下，晶片搬送控制部135控制晶片搬送裝置120，將該晶片W再次搬送到晶片清洗部141。此時(shí)，與對(duì)判斷為不能曝光的全部的晶片W中止以后的處理回收到盒C的、以往的涂敷顯影處理系統(tǒng)300相比，能夠減少中止以后的處理回收到盒C的晶片W的數(shù)量。結(jié)果是，能夠提高涂敷顯影處理系統(tǒng)I中的晶片W的成品率。另外，設(shè)置有暫時(shí)收容由晶片檢查部142檢查后的晶片W的緩沖單元111，因此，能夠使檢查后的晶片W在該緩沖単元111待機(jī)直到判斷出基于晶片檢查部142的檢查結(jié)果。假如在沒有判斷出檢查的結(jié)果的狀態(tài)下進(jìn)行晶片W的搬送，則需要根據(jù)此后判斷出的檢查結(jié)果變更搬送中的晶片W的搬送目的地，有可能會(huì)對(duì)晶片W的搬送產(chǎn)生較大的影響。但是，使檢查后的晶片W在緩沖單元111待機(jī)直到判斷出檢查結(jié)果，從而能夠在確定搬送目的地之后搬送晶片W，因此，不會(huì)產(chǎn)生這種影響。
另外，使由晶片檢查部142檢查之后的晶片W在緩沖單元111待機(jī)的時(shí)間，無需必須直到判斷出該晶片W的檢查結(jié)果，也可以待機(jī)到其以上的時(shí)間。例如，多個(gè)檢查后的晶片W被收納于緩沖單元111時(shí)，例如最先判斷出檢查結(jié)果的晶片W的檢查結(jié)果為上述的“再清洗”時(shí)，則有可能在該晶片W在晶片清洗部141再次清洗的過程中，判斷出被收納于緩沖單元111的其它的晶片W的檢查結(jié)果。在該情況下，如果將已被判斷出檢查結(jié)果的下一晶片W搬送到曝光裝置4側(cè)，該晶片W則超過被再清洗的晶片W被搬送到曝光裝置4。此時(shí)，由于例如以與按批量(lot)單位設(shè)定在處理方案中的晶片W的搬送安排(schedule)不同的順序?qū)⒕琖搬送到曝光裝置4，因此，曝光裝置4無法識(shí)別該晶片W，有可能發(fā)生搬送錯(cuò)誤(error)ο因此，如上所述當(dāng)任意的晶片W被判斷為“再清洗”時(shí)，則優(yōu)選在該晶片W的再清洗之后再次由晶片檢查部142進(jìn)行檢查，直到再次收納在緩沖單元111中之后判斷出再清洗的檢查結(jié)果為止，使下一晶片W在緩沖單元111中待機(jī)。這樣，調(diào)整在緩沖單元111中使晶片W待機(jī)的時(shí)間，由此在“再清洗”的情況下也能夠?qū)⒕琖以預(yù)定的規(guī)定的順序進(jìn)行搬送。另外，緩沖單元111也可以采用例如能夠?qū)⒕琖多層地收納的結(jié)構(gòu)。在該情況下，例如當(dāng)緩沖單元111內(nèi)的晶片W判斷為不能曝光時(shí)，將該晶片W收納于緩沖單元111中，直到成為不影響基于晶片搬送裝置120的晶片搬送的安排的定時(shí)，從而不影響搬送安排就能夠回收晶片W。另外，例如也可以在緩沖單元111，使多個(gè)被判斷為能夠曝光的晶片W待機(jī)。在該情況下，例如在再次清洗被判斷為“再清洗”的晶片W的期間，如果使待機(jī)的能夠曝光的晶片W搬送到曝光裝置4，則總能夠確保搬送到曝光裝置4的晶片W，因此，能夠防止曝光裝置4處于等待狀態(tài)。另外，以上的實(shí)施方式中，晶片檢查部142配置于晶片清洗部141的下方，但是，也可以與此相反將晶片清洗部141設(shè)置于晶片檢查部142的下方。以上的實(shí)施方式中，進(jìn)行了由溫度調(diào)整單元112搬送到曝光裝置4之前的晶片W的溫度調(diào)整，但是，例如也可以將晶片檢查部142內(nèi)的氣氛調(diào)整到規(guī)定的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)設(shè)置于晶片檢查部142，在由該晶片檢查部142檢查晶片W的期間進(jìn)行該晶片W的溫度調(diào)整。這樣，能夠縮短在溫度調(diào)整單元112中的處理時(shí)間或向溫度調(diào)整單元112的搬送時(shí)間，因此能夠提高涂敷顯影處理系統(tǒng)I的生產(chǎn)率。以上，參照

了本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限于所述的例子。作為本領(lǐng)域技術(shù)人員，顯然能夠在本申請(qǐng)請(qǐng)求保護(hù)的范圍所記載的思想范疇內(nèi)想到各種變更例或修正例，可以理解為這些當(dāng)然也屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。本發(fā)明并不限于這些例子，可以采用各種方式。本發(fā)明也能夠適用于基板為晶片以外的FPD (Flat Panel Display)、光掩模(photo mask)用的掩模(mask rectile)等的其他的基板的情況。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明適用于例如對(duì)半導(dǎo)體晶片等的基板進(jìn)行清洗處理的情況。附圖符號(hào)I涂敷顯影處理系統(tǒng)2載盒臺(tái)3處理站4曝光裝置
5交接站6控制裝置10盒搬入搬出部11晶片搬送部12盒載置臺(tái)13盒載置板20搬送路21晶片搬送裝置30下部反射防止膜形成單元31抗蝕劑涂敷單元32上部反射防止膜形成單元33顯影處理單元40熱處理單元41粘附單元42周邊曝光單元50 56交接單元60 62交接單元70晶片搬送裝置85晶片搬送裝置90晶片搬送裝置100清洗檢查單元101脫水單元110交接單元110’交接單元111緩沖單元112溫度調(diào)整單元120晶片搬送裝置121第一搬送臂122第二搬送臂121，第I’搬送臂122’第2’搬送臂123’第3’搬送臂130晶片搬送裝置130，131，晶片搬送裝置131第三搬送臂132第四搬送臂135晶片搬送控制部140 箱體141晶片清洗部
142晶片檢查部143搬送手段144待機(jī)載置臺(tái)150吸附墊151旋轉(zhuǎn)吸盤152 刷153 框體154上部罩154a 開ロ部160傳動(dòng)軸161驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)162升降銷163支承體163a清洗液噴嘴163b清洗噴嘴164驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)170排液管170’ 箱體171排氣管180保持臂181 光源182攝像機(jī)190處理容器191保持部件192傳動(dòng)軸193升降機(jī)構(gòu)194排氣機(jī)構(gòu)195排氣管196排液管200冷卻機(jī)構(gòu)C 盒D晶片搬送區(qū)域F 罩W 晶片
權(quán)利要求
1.一種基板處理系統(tǒng)，其包括設(shè)置有對(duì)基板進(jìn)行處理的多個(gè)處理單元的處理站；和在所述處理站和設(shè)置于外部的曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接站，該基板處理系統(tǒng)的特征在于: 所述交接站具有: 在將基板搬入到所述曝光裝置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；和在清洗后的所述基板搬入到所述曝光裝置之前，至少對(duì)于清洗后的所述基板的背面檢查該基板能否進(jìn)行曝光的基板檢查部， 所述基板清洗部和所述基板檢查部配置于同一箱體的內(nèi)部， 在所述箱體的內(nèi)部，設(shè)置有在所述基板清洗部和所述基板檢查部之間搬送基板的基板搬送手段。
2.按權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 在所述交接站中，設(shè)置 有去除附著于由所述基板清洗部清洗后的基板的水分的脫水單
3.按權(quán)利要求1或2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括: 基板搬送控制部，以如下方式控制所述基板搬送手段:當(dāng)在所述基板檢查部的檢查結(jié)果被判斷為，基板的狀態(tài)是通過在所述基板清洗部的再清洗成為能夠曝光的狀態(tài)時(shí)，再次將該基板搬送到所述基板清洗部。
4.按權(quán)利要求3所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述基板搬送控制部以將再次搬送到所述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到基板檢查部的方式控制所述基板搬送機(jī)構(gòu)。
5.按權(quán)利要求1或2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 在所述交接站中，設(shè)置有將由所述基板檢查部檢查后且搬入到所述曝光裝置之前的基板調(diào)整到規(guī)定的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。
6.按權(quán)利要求5所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述箱體的內(nèi)部。
7.按權(quán)利要求1或2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 在所述交接站中，設(shè)置有使由所述基板檢查部檢查后的基板暫時(shí)待機(jī)的緩沖待機(jī)部。
8.按權(quán)利要求7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述緩沖待機(jī)部設(shè)置于所述箱體的內(nèi)部。
9.按權(quán)利要求7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述緩沖待機(jī)部使所述檢查后的基板待機(jī)直到判斷出該檢查后的基板的檢查結(jié)果。
10.按權(quán)利要求1或2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 在所述箱體的內(nèi)部設(shè)置有清洗所述搬送手段的搬送手段清洗機(jī)構(gòu)。
11.按權(quán)利要求10所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述基板清洗部兼用作所述搬送手段清洗機(jī)構(gòu)。
12.一種基板處理系統(tǒng)，其包括設(shè)置有對(duì)基板進(jìn)行處理的多個(gè)處理單元的處理站；和在所述處理站與設(shè)置于外部的曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接站，該基板處理系統(tǒng)的特征在于: 所述交接站具有:在將基板搬入到所述曝光裝置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部； 在清洗后的所述基板搬入到所述曝光裝置之前，至少對(duì)于清洗后的所述基板的背面檢查該基板能否進(jìn)行曝光的基板檢查部；和 具有在所述基板清洗部和所述基板檢查部之間搬送基板的臂的基板搬送機(jī)構(gòu)， 所述基板清洗部和所述基板檢查部在所述交接站的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)戎械娜我庖粋?cè)在上下方向上被設(shè)置有多層， 所述基板搬送機(jī)構(gòu)設(shè)置于與在上下方向設(shè)置有多層的所述基板清洗部和所述基板檢查部相鄰的區(qū)域。
13.按權(quán)利要求12所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括: 基板搬送控制部，以如下方式控制所述基板搬送手段:當(dāng)在所述基板檢查部的檢查結(jié)果被判斷為，基板的狀態(tài)成為通過在所述基板清洗部的再清洗能夠曝光的狀態(tài)時(shí)，再次將該基板搬送到所述基板清洗部。
14.按權(quán)利要求13所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述基板搬送控制部以將再次搬送到所述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到基板檢查部的方式控制所述基板搬送機(jī)構(gòu)。
15.按權(quán)利要求13或14所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 在所述交接站中設(shè)置有暫時(shí)收納由所述基板檢查部檢查后的基板的緩沖收納部。
16.按權(quán)利要求15所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述基板搬送機(jī)構(gòu)包括: 將搬入到所述交接站中的基板搬送到所述基板清洗部的第一搬送臂；和 將由所述基板清洗部清洗之后的基板搬送到所述基板檢查部，并進(jìn)一步將由所述基板檢查部檢查之后的基板搬送到所述緩沖收納部的第二搬送臂。
17.按權(quán)利要求15所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述基板搬送機(jī)構(gòu)設(shè)置有: 將搬入到所述交接站中的基板交接到所述基板清洗部的第一搬送臂； 將由所述基板清洗部清洗之后的基板交接到所述基板檢查部的第二搬送臂；和 將由所述基板檢查部檢查之后的基板搬送到所述緩沖收納部的第三搬送臂。
18.按權(quán)利要求15所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述緩沖收納部將所述檢查后的基板收納直到判斷出該檢查后的基板的檢查結(jié)果。
19.按權(quán)利要求12 14中的任一項(xiàng)所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 清洗所述基板搬送機(jī)構(gòu)的搬送臂的臂清洗機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述交接站中的、配置有所述基板清洗部和所述基板檢查部的一側(cè)。
20.按權(quán)利要求19所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述基板清洗部兼用作所述臂清洗機(jī)構(gòu)。
21.按權(quán)利要求12 14中的任一項(xiàng)所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 具有將由所述基板檢查部檢查之后且在搬入到所述曝光裝置之前的基板調(diào)整到規(guī)定的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。
22.按權(quán)利要求21所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于: 所述溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述基板檢查部?jī)?nèi)。
23.一種基板處理系統(tǒng)的基板搬送方法，該基板處理系統(tǒng)包括設(shè)置有對(duì)基板進(jìn)行處理的多個(gè)處理單元的處理站；和在所述處理站與設(shè)置于外部的曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接站，該基板搬送方法的特征在于: 所述交接站具有: 在將基板搬入到所述曝光裝置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部；和在清洗后的所述基板搬入到所述曝光裝置之前，至少對(duì)于清洗后的所述基板的背面檢查該基板能否進(jìn)行曝光的基板檢查部， 所述基板清洗部和所述基板檢查部配置于同一箱體的內(nèi)部， 通過在所述箱體的內(nèi)部設(shè)置的搬送手段進(jìn)行所述基板清洗部和所述基板檢查部之間的基板的搬送。
24.按權(quán)利要求23所述的基板搬送方法，其特征在于: 在所述交接站中，設(shè)置有去除附著于基板的水分的脫水単元， 由所述基板清洗部清洗后的基板通過所述脫水單元進(jìn)行脫水。
25.按權(quán)利要求23或24所述的基板搬送方法，其特征在于: 當(dāng)在所述基板檢查部的檢查結(jié)果被判斷為，基板的狀態(tài)成為通過在所述基板清洗部的再清洗能夠曝光的狀態(tài)時(shí)，再次將該基板搬送到所述基板清洗部進(jìn)行清洗。
26.按權(quán)利要求25所述的基板搬送方法，其特征在于: 將再次搬送到所述基板清洗部被清洗后的基板，再次搬送到基板檢查部。
27.按權(quán)利要求23或24所 述的基板搬送方法，其特征在于: 將由所述基板檢查部檢查之后且在搬入到所述曝光裝置之前的基板調(diào)整到規(guī)定的溫度。
28.按權(quán)利要求27所述的基板搬送方法，其特征在于: 所述基板的溫度調(diào)整在所述箱體的內(nèi)部進(jìn)行。
29.按權(quán)利要求23或24所述的基板搬送方法，其特征在于: 使由所述基板檢查部檢查之后的基板暫時(shí)在設(shè)置于所述交接站的緩沖待機(jī)部待機(jī)。
30.按權(quán)利要求29所述的基板搬送方法，其特征在于: 所述緩沖待機(jī)部設(shè)置于所述箱體的內(nèi)部。
31.按權(quán)利要求29所述的基板搬送方法，其特征在于: 使檢查后的所述基板在所述緩沖待機(jī)部待機(jī)直到判斷出在所述基板檢查部的檢查結(jié)果。
32.按權(quán)利要求23或24所述的基板搬送方法，其特征在于: 在所述箱體的內(nèi)部設(shè)置有清洗所述搬送手段的搬送手段清洗機(jī)構(gòu)。
33.按權(quán)利要求32所述的基板搬送方法，其特征在于: 所述基板清洗部兼用作所述搬送手段清洗機(jī)構(gòu)。
34.一種基板處理系統(tǒng)的基板搬送方法，該基板處理系統(tǒng)包括設(shè)置有對(duì)基板進(jìn)行處理的多個(gè)處理単元的處理站；和在所述處理站與設(shè)置于外部的曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接站，該基板搬送方法的特征在于: 所述交接站具有: 在將基板搬入到所述曝光裝置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部； 在清洗后的所述基板搬入到所述曝光裝置之前，至少對(duì)于清洗后的所述基板的背面檢查該基板能否進(jìn)行曝光的基板檢查部，和具有在所述基板清洗部和所述基板檢查部之間搬送基板的臂的基板搬送機(jī)構(gòu)， 所述基板清洗部和所述基板檢查部在所述交接站的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)戎械娜我庖粋?cè)在上下方向上設(shè)置有多層， 所述基板搬送機(jī)構(gòu)設(shè)置于與在上下方向設(shè)置有多層的所述基板清洗部和所述基板檢查部相鄰的區(qū)域， 當(dāng)在所述基板檢查部的檢查的結(jié)果被判斷為，基板的狀態(tài)成為通過所述基板清洗部的再清洗能夠曝光的狀態(tài)時(shí)，再次將該基板搬送到所述基板清洗部。
35.按權(quán)利要求34所述的基板搬送方法，其特征在于: 將再次被搬送到所述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到所述基板檢查部進(jìn)行檢查。
36.按權(quán)利要求35所述的基板搬送方法，其特征在于: 在所述交接站中設(shè)置有暫時(shí)收納由所述基板檢查部檢查后的基板的緩沖收納部。
37.按權(quán)利要求36所述的基板搬送方法，其特征在于，所述基板搬送機(jī)構(gòu)具有: 將搬入到所述交接站中的基板交接到所述基板清洗部的第一搬送臂；和 將由所述基板清洗部清洗之后 的基板搬送到所述基板檢查部，并進(jìn)一步將由所述基板檢查部檢查之后的基板搬送到所述緩沖收納部的第二搬送臂。
38.按權(quán)利要求36所述的基板搬送方法，其特征在于，所述基板搬送機(jī)構(gòu)設(shè)置有: 將已搬入到所述交接站中的基板交接到所述基板清洗部的第一搬送臂； 將由所述基板清洗部清洗之后的基板交接到所述基板檢查部的第二搬送臂；和 將由所述基板檢查部檢查之后的基板搬送到所述緩沖收納部的第三搬送臂。
39.按權(quán)利要求36 38中任一項(xiàng)所述的基板搬送方法，其特征在于: 所述檢查后的基板被收納于所述緩沖收納部，直到判斷出在所述基板檢查部的檢查結(jié)果O
40.按權(quán)利要求34 38中的任一項(xiàng)所述的基板搬送方法，其特征在于: 清洗所述基板搬送機(jī)構(gòu)的臂的臂清洗機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述交接站中的配置有所述基板清洗部和所述基板檢查部的一側(cè)。
41.按權(quán)利要求40所述的基板搬送方法，其特征在于: 所述基板清洗部兼用作所述臂清洗機(jī)構(gòu)。
42.按權(quán)利要求34 38中的任一項(xiàng)所述的基板搬送方法，其特征在于: 由所述基板檢查部檢查之后且被搬入到所述曝光裝置之前的基板被調(diào)整為規(guī)定的溫度。
43.按權(quán)利要求42所述的基板搬送方法，其特征在于: 所述基板的溫度調(diào)整在所述基板檢查部?jī)?nèi)進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明提供基板處理系統(tǒng)和基板搬送方法。在具有處理站(3)和交接站(5)的涂敷顯影處理系統(tǒng)中，交接站(5)具有在將晶片搬入到曝光裝置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗單元(141)、至少對(duì)清洗后的晶片的背面，在搬入到曝光裝置之前檢查能否進(jìn)行該晶片的曝光的晶片檢查單元(101)、具有在清洗單元(141)和檢查單元(142)之間搬送晶片的臂的晶片搬送裝置(120)。清洗單元(141)和檢查單元(142)在交接站(5)的正面?zhèn)?，在上下方向設(shè)置有多層，晶片搬送裝置(120)設(shè)置于與清洗單元(141)和檢查單元(142)相鄰的區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L21/677GK103094160SQ20121043622
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月4日
發(fā)明者中原田雅弘, 酒田洋司, 宮田亮, 林伸一, 榎木田卓, 中島常長(zhǎng) 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社