像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法。于基底上形成圖案化導(dǎo)體層，包括柵極、掃描線及導(dǎo)體圖案。于基底上形成柵絕緣層、金屬氧化物材料層及蝕刻終止材料層。以圖案化導(dǎo)體層為光掩模，通過背曝制作工藝于蝕刻終止材料層上形成圖案化光致抗蝕劑層。以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，于柵極上方形成金屬氧化物通道層及蝕刻終止層。于蝕刻終止層上形成源極與漏極。于基底上形成保護(hù)層。使用半色調(diào)光掩模，于保護(hù)層上形成具有開口的感光層，柵極上方的感光層的厚度大于漏極與掃描線上方的感光層的厚度，開口暴露出導(dǎo)體圖案上方的保護(hù)層。以感光層為掩模定義保護(hù)層，以及移除掃描線及導(dǎo)體圖案上方的金屬氧化物材料層及蝕刻終止材料層。形成與漏極電連接的像素電極。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別是涉及一種減少光掩模數(shù)目的像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器具有高畫質(zhì)、體積小、重量輕、低電壓驅(qū)動(dòng)、低消耗功率及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，因此已取代陰極射線管成為新一代顯示器的主流。傳統(tǒng)的液晶面板是由彩色濾光基板、薄膜晶體管陣列基板以及設(shè)置于此兩基板間的液晶層所構(gòu)成。為了提升液晶面板的顯示品質(zhì)，許多針對(duì)液晶面板中的像素結(jié)構(gòu)的布局設(shè)計(jì)陸續(xù)被提出。
[0003]一般而言，薄膜晶體管依照通道層的材料可分為非晶硅薄膜晶體管(AmorphousSilicon Transistor)以及多晶娃薄膜晶體管(Low Temperature PolycrystallineTransistor)。然而，為了因應(yīng)市場對(duì)于液晶顯示器的需求遽增，新的薄膜晶體管技術(shù)研發(fā)也有更多的投入。其中，已研發(fā)出一種以金屬氧化物為通道層的薄膜晶體管，其電性特性已追上多晶硅薄膜晶體管，且在元件的表現(xiàn)上也已經(jīng)有相當(dāng)不錯(cuò)的成果。
[0004]由于金屬氧化物較容易受到諸如等離子體、蝕刻液以及去光致抗蝕劑液等物質(zhì)的損害，而改變通道層的薄膜性質(zhì)。因此，以諸如氧化銦鎵鋅(IGZO)等金屬氧化物為通道層的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)通常包括配置于通道層上的蝕刻終止層，故在制作上需使用到六道光掩模制作工藝。此六道光掩模制作工藝包括:形成掃描線及柵極的第一道光掩模制作工藝；形成通道層的第二道光掩模制作工藝；形成蝕刻終止層的第三道光掩模制作工藝；形成數(shù)據(jù)線、源極與漏極的第四道光掩模制作工藝；形成漏極上方的接觸窗開口的第五道光掩模制作工藝；以及形成像素電極的第六道光掩模制作工藝。然而，六道光掩模制作工藝使薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的制作成本較高，因此減少制作薄膜晶體管所需的光掩模數(shù)目為此領(lǐng)域共同努力的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，能減少所需的光掩模數(shù)目。
[0006]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法。在一基底上形成一第一圖案化導(dǎo)體層，第一圖案化導(dǎo)體層包括一柵極、與柵極連接的一掃描線以及一第一導(dǎo)體圖案。于基底上形成一柵絕緣層，以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層。依序于柵絕緣層上形成一金屬氧化物材料層與一蝕刻終止材料層。于蝕刻終止材料層上形成一光致抗蝕劑層，以第一圖案化導(dǎo)體層為光掩模，通過一背曝制作工藝形成一圖案化光致抗蝕劑層，以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分金屬氧化物材料層與部分蝕刻終止材料層，以于柵極上方形成一金屬氧化物通道層與一蝕刻終止層，以及于掃描線與第一導(dǎo)體圖案上方形成一金屬氧化物圖案與一蝕刻終止圖案。于基底上形成一第二圖案化導(dǎo)體層，第二圖案化導(dǎo)體層包括一源極與一漏極以及與源極連接的一數(shù)據(jù)線，源極與漏極位于柵極上方的蝕刻終止層的兩側(cè)上。于基底上形成一保護(hù)層，以覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層。使用一半色調(diào)光掩模，于保護(hù)層上形成具有一第一開口的一感光層，其中柵極上方的感光層的厚度大于漏極與掃描線上方的感光層的厚度，第一開口暴露位于第一導(dǎo)體圖案上方的保護(hù)層。以感光層為掩模，移除部分保護(hù)層、蝕刻終止圖案以及金屬氧化物圖案，以于保護(hù)層中形成一第一接觸窗開口、一第二接觸窗開口以及一第三接觸窗開口，其中第一接觸窗開口暴露出第一導(dǎo)體圖案，第二接觸窗開口暴露出漏極，以及第三接觸窗開口暴露出掃描線上方的柵絕緣層。移除感光層。于保護(hù)層上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，圖案化透明導(dǎo)電層包括一像素電極，像素電極經(jīng)由第二接觸窗開口與漏極電連接。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移除部分保護(hù)層、蝕刻終止圖案以及金屬氧化物圖案的步驟包括以下步驟。以具有第一開口的感光層為掩模，移除第一導(dǎo)體圖案上方的部分保護(hù)層、部分蝕刻終止圖案以及部分金屬氧化物圖案，以于保護(hù)層中形成暴露出第一導(dǎo)體圖案的第一接觸窗開口。移除漏極與掃描線上方厚度較薄的感光層，以于感光層中形成一第二開口與一第三開口，且留下來的感光層位于柵極上方，其中第二開口與第三開口分別暴露漏極與掃描線上方的保護(hù)層。以具有第二開口與第三開口的感光層為掩模，移除部分保護(hù)層、剩余的蝕刻終止圖案以及剩余的金屬氧化物圖案，以在保護(hù)層中形成第二接觸窗開口與第三接觸窗開口。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的經(jīng)由第二開口與第三開口移除部分保護(hù)層的方法包括以下步驟。首先，通過一第一蝕刻制作工藝經(jīng)由第二開口與第三開口移除保護(hù)層以及剩余的蝕刻終止圖案。接著，通過一第二蝕刻制作工藝經(jīng)由第三開口移除剩余的金屬氧化物圖案。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化透明導(dǎo)電層更包括一透明導(dǎo)電圖案，透明導(dǎo)電圖案經(jīng)由第一接觸窗開口與第一導(dǎo)電圖案電連接。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬氧化物材料層的材料包括氧化銦鎵鋅。
[0011 ] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的蝕刻終止材料層的材料包括氧化硅或氮化硅。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的蝕刻終止材料層的材料與保護(hù)層的材料相同。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移除部分蝕刻終止材料層的方法包括一干式蝕刻制作工藝。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移除部分金屬氧化物材料層的方法包括一濕式蝕刻制作工藝。
[0015]基于上述，在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中，使用第一圖案化導(dǎo)體層作為光致抗蝕劑層的背曝光掩模，以通過光致抗蝕劑層于柵極上形成金屬氧化物通道層以及蝕刻終止層。接著，使用半透光掩模制作用以定義保護(hù)層的光致抗蝕劑層，以移除柵極上方以外的金屬氧化物圖案與蝕刻終止圖案。如此一來，能少掉用以定義金屬氧化物通道層與蝕刻終止層的光掩模，進(jìn)而提高像素結(jié)構(gòu)的產(chǎn)能，以及提升以金屬氧化物為通道層的像素結(jié)構(gòu)的特性。
[0016]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1A至圖1I為本發(fā)明的一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法的流程上視示意圖；[0018]圖2A至圖21為沿圖1A至圖1I的1-1Ml-1IMl1-1IIJ線的剖面示意圖。
[0019]主要元件符號(hào)說明
[0020]100:像素結(jié)構(gòu)
[0021]102:某板
[0022]110:第一圖案化導(dǎo)體層
[0023]112:柵極
[0024]114:掃描線
[0025]116:第一導(dǎo)體圖案
[0026]120:柵絕緣層
[0027]130:金屬氧化物材料層
[0028]130a:圖案化金屬氧化物材料層
[0029]132:金屬氧化物通道層
[0030]134:金屬氧化物圖案
[0031]140:蝕刻終止材料層
[0032]140a:圖案化蝕刻終止材料層
[0033]142:蝕刻終止層
[0034]144:蝕刻終止圖案
[0035]150:圖案化光致抗蝕劑層
[0036]160:第二圖案化導(dǎo)體層
[0037]162:源極
[0038]164:漏極
[0039]166:數(shù)據(jù)線
[0040]170:保護(hù)層
[0041]172、174、176、182、184、186:開口
[0042]180:感光層
[0043]190:圖案化透明導(dǎo)電層
[0044]192:像素電極
[0045]194:透明導(dǎo)電圖案
[0046]BLE:背曝制作工藝
[0047]HM:半色調(diào)光掩模
【具體實(shí)施方式】
[0048]圖1A至圖1I為本發(fā)明的一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法的流程上視示意圖，以及圖2A至圖21為沿圖1A至圖1I的1-1’、I1-1I’、II1-1II’線的剖面示意圖。為了附圖清晰，于圖2A至圖21中省略柵絕緣層、感光層以及保護(hù)層的繪示。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1A與圖2A,首先，于一基底102上形成一第一圖案化導(dǎo)體層110,第一圖案化導(dǎo)體層110包括一柵極112、與柵極112連接的一掃描線114以及一第一導(dǎo)體圖案116。在本實(shí)施例中，基底102例如是包括主動(dòng)區(qū)與周邊區(qū)(未標(biāo)示)，其中柵極112與掃描線114配置于主動(dòng)區(qū)內(nèi)，第一導(dǎo)體圖案116例如是配置于周邊區(qū)內(nèi)。第一導(dǎo)體圖案116例如是與掃描線114電連接，且第一導(dǎo)體圖案116例如是焊墊。在本實(shí)施例中，第一圖案化導(dǎo)體層110的材料可以選自由銅(Cu)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鎢(W)、銀(Ag)、金(Au)及其合金所組成的族群中的至少一者，其形成方法包括薄膜沉積制作工藝、光刻制作工藝以及蝕刻制作工藝等制作工藝。換言之，第一圖案化導(dǎo)體層110可以通過第一道光掩模制作工藝制作。
[0049]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1B與圖2B，接著，在基底102上形成一閘絕緣層120，以覆蓋第一圖案化導(dǎo)體層110。柵絕緣層120的材料例如是二氧化硅、氮化硅或是氮氧化硅等介電材料，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
[0050]然后，依序于柵絕緣層120上形成一金屬氧化物材料層130與一蝕刻終止材料層140。在本實(shí)施例中，金屬氧化物材料層的材料可以是氧化銦鎵鋅(Indium Gallium ZincOxide, IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO)或二氧化錫(Sn02)等材質(zhì),其形成方法例如是沉積制作工藝。圖案化蝕刻終止材料層140的材料可以是氧化硅、氮化硅等材質(zhì)，其形成方法例如是沉積制作工藝。
[0051]而后，在蝕刻終止材料層140上形成一光致抗蝕劑層(未繪示)，以第一圖案化導(dǎo)體層Iio為光掩模，通過一背曝制作工藝BLE于蝕刻終止材料層140上形成一圖案化光致抗蝕劑層150。也就是說，圖案化光致抗蝕劑層150會(huì)形成于第一圖案化導(dǎo)體層110上方，且與第一圖案化導(dǎo)體層110具有相同圖案。在本實(shí)施例中，圖案化光致抗蝕劑層150例如是包括與柵極112、掃描線114以及第一導(dǎo)體圖案116相同的圖案。
[0052]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1C與圖2C，接著，以圖案化光致抗蝕劑層150為掩模，移除部分金屬氧化物材料層130與部分蝕刻終止材料層140，以于柵極112上方形成一金屬氧化物通道層132與一蝕刻終止層142，以及于掃描線114與第一導(dǎo)體圖案116上方形成一金屬氧化物圖案134與一蝕刻終止圖案144。換言之，圖案化金屬氧化物材料層130a與圖案化蝕刻終止材料層140a與第一圖案化導(dǎo)體層110具有相同圖案，其中圖案化金屬氧化物材料層130a包括金屬氧化物通道層132與金屬氧化物圖案134，圖案化的蝕刻終止材料層140a包括蝕刻終止層142與蝕刻終止圖案144。因此，在此步驟中完成金屬氧化物通道層132與蝕刻終止層142的制作。在本實(shí)施例中，移除部分蝕刻終止材料層130的方法例如是包括一干式蝕刻制作工藝，且較佳是使得所形成的蝕刻終止層142的底角例如為約50°?70°，更佳為約60°。移除部分金屬氧化物材料層130的方法例如是包括一濕式蝕刻制作工藝，且較佳是使得所形成的金屬氧化物通道層132的底角為約15°?35°，更佳為約25°。
[0053]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1D與圖2D，然后，在基底102上形成一第二圖案化導(dǎo)體層160，第二圖案化導(dǎo)體層160包括一源極162與一漏極164以及與源極162連接的數(shù)據(jù)線166，源極162與漏極164位于柵極112上方的蝕刻終止層142的兩側(cè)上。在本實(shí)施例中，第二圖案化導(dǎo)體層160的材料例如是鋁、鉻、鉭或其他金屬材料，其形成方法包括薄膜沉積制作工藝、光刻制作工藝以及蝕刻制作工藝等制作工藝。換言之，第二圖案化導(dǎo)體層160例如是通過第二道光掩模制作工藝制作。
[0054]接下來的步驟請(qǐng)參照?qǐng)D1E至圖1I以及圖2E至圖21，為了附圖清晰與易于理解，于圖2E至圖21中省略感光層與保護(hù)層的繪示，但以虛線表示位于感光層與保護(hù)層中的開口。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1E與圖2E，接著，于基底102上形成一保護(hù)層170，以覆蓋第二圖案化導(dǎo)體層160。在本實(shí)施例中，保護(hù)層170的材料例如是氮化硅，其形成方法例如是等離子體化學(xué)氣相沉積法。[0055]然后，使用一半色調(diào)光掩模腿，于保護(hù)層170上形成具有一第一開口 182的一感光層180，其中柵極112上方的感光層180的厚度大于漏極164與掃描線114上方的感光層180的厚度，第一開口 182暴露位于第一導(dǎo)體圖案116上方的保護(hù)層170。在本實(shí)施例中，用以定義保護(hù)層170的半色調(diào)光掩模HM例如是第三道光掩模制作工藝。其中，柵極112上方的半色調(diào)光掩模HM的透光度例如是0%(以黑色表示)，漏極164與掃描線114上方的半色調(diào)光掩模HM的透光度例如是50%(以灰色表不),以及第一導(dǎo)體圖案116上方的半色調(diào)光掩模HM的透光度例如是100% (以白色表示)。此步驟例如是先在保護(hù)層170上形成一感光材料層(未繪示)，接著使用半色調(diào)光掩模HM對(duì)感光材料層進(jìn)行曝光，以形成如圖1E所示的感光層180。
[0056]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1F與圖2F至圖1H與圖2H，然后，以感光層180為掩模，移除部分保護(hù)層170、蝕刻終止圖案144以及金屬氧化物圖案134，以于保護(hù)層170中形成一第一接觸窗開口 172、一第二接觸窗開口 174以及一第三接觸窗開口 176，其中第一接觸窗開口 172暴露出第一導(dǎo)體圖案116，第二接觸窗開口 174暴露出漏極164，以及第三接觸窗開口 176暴露出掃描線114上方的柵絕緣層120。
[0057]在本實(shí)施例中，形成第一接觸窗開口 172、第二接觸窗開口 174以及第三接觸窗開口 176的方法例如是包括以下步驟。首先，如圖1F與圖2F所示，以具有第一開口 182的感光層180為掩模，移除第一導(dǎo)體圖案116上方的部分保護(hù)層170、部分蝕刻終止圖案144以及部分金屬氧化物圖案134，以于保護(hù)層170中形成暴露出第一導(dǎo)體圖案116的第一接觸窗開口 172。在本實(shí)施例中，移除份保護(hù)層170、部分蝕刻終止圖案144以及部分金屬氧化物圖案134的方法例如是干式蝕刻制作工藝。
[0058]接著，如圖1G與圖2G所示，移除漏極164與掃描線114上方厚度較薄的感光層180，以在感光層180中形成一第二開口 184與一第三開口 186，且留下來的感光層180位于柵極112上方，其中第二開口 184與第三開口 186分別暴露漏極164與掃描線114上方的保護(hù)層170。在本實(shí)施例中，移除部分感光層180的方法例如是氧氣(等離子體)灰化制作工藝。
[0059]然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1G與圖2G以及圖1H與圖2H，以具有第二開口 184與第三開口 186的感光層180為掩模，移除部分保護(hù)層170、剩余的蝕刻終止圖案144以及剩余的金屬氧化物圖案134，以在保護(hù)層170中形成第二接觸窗開口 174與第三接觸窗開口 176，其中第二接觸窗開口 174暴露出漏極164，以及第三接觸窗開口 176暴露出掃描線114上方的柵絕緣層120。詳言之，此步驟例如是先通過一第一蝕刻制作工藝經(jīng)由第二開口 184與第三開口 186移除保護(hù)層170以及剩余的蝕刻終止圖案144，再通過一第二蝕刻制作工藝經(jīng)由第三開口 186移除剩余的金屬氧化物圖案134。其中，第一蝕刻制作工藝可以是干式蝕刻制作工藝，以及第二蝕刻制作工藝可以是干式蝕刻制作工藝或濕式蝕刻制作工藝。特別一提的是，為了有利于同時(shí)移除掃描線114上方的保護(hù)層170以及蝕刻終止圖案144，可以采用具有相同或相似材料的蝕刻終止材料層140的材料與保護(hù)層170，但本發(fā)明不限于此。
[0060]而后，移除留下來的感光層180。移除感光層180的方法例如是剝離法。
[0061]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1I與圖21，繼之，在保護(hù)層170上形成一圖案化透明導(dǎo)電層190。其中，圖案化透明導(dǎo)電層190包括一像素電極192，像素電極192經(jīng)由第二接觸窗開口 174與漏極164電連接。在本實(shí)施例中，圖案化透明導(dǎo)電層190例如是更包括一透明導(dǎo)電圖案194，透明導(dǎo)電圖案194經(jīng)由第一接觸窗開口 172與第一導(dǎo)電圖案116電連接。圖案化透明導(dǎo)電層190的材料例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)、銦鋅氧化物(Indium ZincOxide, IZO)等。另外，圖案化透明導(dǎo)電層190例如是通過第四道光掩模制作工藝制作而成的。因此，在本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)100的制作例如是由四道光掩模制作工藝完成。
[0062]綜上所述，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，使用第一圖案化導(dǎo)體層作為光致抗蝕劑層的背曝光掩模，以通過光致抗蝕劑層于柵極上形成金屬氧化物通道層以及蝕刻終止層。接著，使用半透光掩模制作用以定義保護(hù)層的光致抗蝕劑層，以于保護(hù)層中形成多個(gè)接觸窗開口，且移除柵極上方以外的金屬氧化物圖案與蝕刻終止圖案。換言之，通過背曝制作工藝以及半透光掩模的搭配，能少掉用以定義金屬氧化物通道層與蝕刻終止層的兩道光掩模，而以諸如四道光掩模制作工藝來完成像素結(jié)構(gòu)的制作。如此一來，能降低像素結(jié)構(gòu)的制作成本，進(jìn)而提高像素結(jié)構(gòu)的產(chǎn)能。此外，雖然減少光掩模數(shù)目，但仍能在金屬氧化物通道層上形成蝕刻終止層，有助于降低電阻電容的延遲效應(yīng)，以及避免金屬氧化物通道層暴露于等離子體、蝕刻液以及去光致抗蝕劑液等物質(zhì)中，使得以諸如氧化銦鎵鋅(IGZO)等金屬氧化物為通道層的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)能展現(xiàn)更佳的效能。因此，采用此薄膜晶體管作為驅(qū)動(dòng)元件的液晶顯示器具有顯示品質(zhì)佳以及電性穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。
[0063]雖然結(jié)合以上實(shí)施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括: 在一基底上形成一第一圖案化導(dǎo)體層，該第一圖案化導(dǎo)體層包括一柵極、與該柵極連接的一掃描線以及一第一導(dǎo)體圖案； 在該基底上形成一柵絕緣層，以覆蓋該第一圖案化導(dǎo)體層； 依序于該柵絕緣層上形成一金屬氧化物材料層與一蝕刻終止材料層； 以該第一圖案化導(dǎo)體層為光掩模，通過一背曝制作工藝于該蝕刻終止材料層上形成一圖案化光致抗蝕劑層； 以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，移除部分該金屬氧化物材料層及部分該蝕刻終止材料層，以于該柵極上方形成一金屬氧化物通道層與一蝕刻終止層，以及于該掃描線與該第一導(dǎo)體圖案上方形成一金屬氧化物圖案與一蝕刻終止圖案； 在該基底上形成一第二圖案化導(dǎo)體層，該第二圖案化導(dǎo)體層包括一源極與一漏極以及與該源極連接的一數(shù)據(jù)線，該源極與該漏極位于該柵極上方的該蝕刻終止層的兩側(cè)上；在該基底上形成一保護(hù)層，以覆蓋該第二圖案化導(dǎo)體層； 使用一半色調(diào)光掩模，在該保護(hù)層上形成具有一第一開口的一感光層，其中該柵極上方的該感光層的厚度大于該漏極與該掃描線上方的該感光層的厚度，該第一開口暴露位于該第一導(dǎo)體圖案上方的該保護(hù)層； 以該感光層為掩模，移除部分該保護(hù)層、該蝕刻終止圖案以及該金屬氧化物圖案，以于該保護(hù)層中形成一第一接觸窗開口、一第二接觸窗開口以及一第三接觸窗開口，其中該第一接觸窗開口暴露出該第一導(dǎo)體圖案，該第二接觸窗開口暴露出該漏極，以及該第三接觸窗開口暴露出該掃描線上方的該柵絕緣層； 移除該感光層；以及 在該保護(hù)層上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，該圖案化透明導(dǎo)電層包括一像素電極，該像素電極經(jīng)由該第二接觸窗開口與該漏極電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中移除部分該保護(hù)層、該蝕刻終止圖案以及該金屬氧化物圖案的步驟包括: 以具有該第一開口的該感光層為掩模，移除該第一導(dǎo)體圖案上方的部分該保護(hù)層、部分該蝕刻終止圖案以及部分該金屬氧化物圖案，以于該保護(hù)層中形成暴露出該第一導(dǎo)體圖案的該第一接觸窗開口； 移除該漏極與該掃描線上方厚度較薄的該感光層，以于該感光層中形成一第二開口與一第三開口，且留下來的該感光層位于該柵極上方，其中該第二開口與該第三開口分別暴露該漏極與該掃描線上方的該保護(hù)層；以及 以具有該第二開口與該第三開口的該感光層為掩模，移除部分該保護(hù)層、剩余的該蝕刻終止圖案以及剩余的該金屬氧化物圖案，以于該保護(hù)層中形成該第二接觸窗開口與該第三接觸窗開口。
3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中經(jīng)由該第二開口與該第三開口移除部分該保護(hù)層的方法包括: 通過一第一蝕刻制作工藝經(jīng) 由該第二開口與該第三開口移除該保護(hù)層以及剩余的該蝕刻終止圖案；以及 通過一第二蝕刻制作工藝經(jīng)由該第三開口移除剩余的該金屬氧化物圖案。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化透明導(dǎo)電層還包括一透明導(dǎo)電圖案，該透明導(dǎo)電圖案經(jīng)由該第一接觸窗開口與該第一導(dǎo)電圖案電連接。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該金屬氧化物材料層的材料包括氧化銦鎵鋅。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該蝕刻終止材料層的材料包括氧化硅或氮化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該蝕刻終止材料層的材料與該保護(hù)層的材料相同。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中移除部分該蝕刻終止材料層的方法包括一干式蝕刻制作工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中移除部分該金屬氧化物材料層的方法包括一濕式蝕刻制作工藝。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103811417SQ201210443855
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月8日
【發(fā)明者】陳柏孝, 吳健豪, 吳榮彬, 趙長明 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司