專利名稱：一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種擴(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，主要應(yīng)用于晶體硅常規(guī)擴(kuò)散工藝，具體地說是一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝。
背景技術(shù)：
隨著太陽能電池企業(yè)數(shù)量大幅度的增長，太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率只是客戶最重要的一項(xiàng)指標(biāo)之一，客戶對電池片內(nèi)在的質(zhì)量、壽命也有嚴(yán)格的要求。常規(guī)太陽能電池內(nèi)部的擴(kuò)散結(jié)由于一味追求高效率，表面濃度較低，對產(chǎn)線燒結(jié)工藝的匹配性十分挑剔，設(shè)備或漿料一旦出現(xiàn)偏差即會(huì)導(dǎo)致電池片燒結(jié)后在部分區(qū)域形成燒結(jié)不良，增大了電池片的串聯(lián)電阻，該現(xiàn)象可以使用EL電致發(fā)光設(shè)備檢查出。由于此類現(xiàn)象將導(dǎo)致電池片電性能降低以及電池壽命的降低。為維持電池?fù)碛休^大的工藝窗口，能夠以穩(wěn)定的質(zhì)量進(jìn)行批量生產(chǎn)，電池片擴(kuò)散工藝的更新是一個(gè)有效的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對目前普通擴(kuò)散工藝易于產(chǎn)生電池片燒結(jié)接觸差的問題提出了一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝。本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，其特征在于它包括以下步驟(I)將已經(jīng)制絨的硅片送入擴(kuò)散反應(yīng)爐管，爐管溫度在IOmin內(nèi)加熱至750-810°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁?-8slm，持續(xù)3min ；(2)通入氮?dú)饬髁?_7slm,氧氣流量400-600sccm,氮?dú)鈹y帶三氯氧磷氣體流量1300-1700sccm,持續(xù) 10_16min ；(3)以5°C每分鐘的速率升高爐管溫度至840_850°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁繛?0_15slm ；(4)保持溫度在820-850°C，通入氧氣流量為3_5slm，持續(xù)10_16min ；(5)通入氮?dú)饬髁繛?5-20slm，降溫至780°C，即制得擴(kuò)散結(jié)。本發(fā)明步驟⑴中爐管內(nèi)溫度加熱至800°C。本發(fā)明步驟(2)中通入氮?dú)饬髁繛?slm,氧氣流量600sccm,氮?dú)鈹y帶的三氯氧磷氣體流量為1400sccm。本發(fā)明步驟(5)中溫度恒定在840°C。通入氧氣流量為4slm，持續(xù)時(shí)間為15min。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明所用的新型發(fā)射極構(gòu)化方法增加了硅片表面擴(kuò)散濃度，降低了硅片與漿料的接觸電阻，減少電池片燒結(jié)不良比例。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。實(shí)施例I
一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，包括下面的步驟將已經(jīng)制絨的硅片送入擴(kuò)散反應(yīng)爐管，爐管溫度在IOmin內(nèi)加熱至800°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁?. 2slm，持續(xù)3min ;通入氮?dú)饬髁?slm,氧氣流量500sccm,氮?dú)鈹y帶三氯氧磷氣體流量1500sccm,持續(xù)15min ;以5°C每分鐘的速率升高爐管溫度至840°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁繛镮Oslm ； (4)保持溫度在838°C，通入氧氣流量為4slm，持續(xù)12min ;通入氮?dú)饬髁繛?6slm，降溫至780°C，即制得擴(kuò)散結(jié)。實(shí)施例2一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，包括下面的步驟將已經(jīng)制絨的硅片送入擴(kuò)散反應(yīng)爐管，爐管溫度在IOmin內(nèi)加熱至790°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁?. 5slm，持續(xù)3min ;通入氮?dú)饬髁?slm,氧氣流量400sccm,氮?dú)鈹y帶三氯氧磷氣體流量1350sccm,持續(xù)Ilmin ;以5°C每分鐘的速率升高爐管溫度至850°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁繛?2slm ;保持溫度在842°C，通入氧氣流量為3. lslm，持續(xù)IOmin ;通入氮?dú)饬髁繛?5slm，降溫至780°C，即制得擴(kuò)散結(jié)。實(shí)施例3·一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，包括下面的步驟將已經(jīng)制絨的硅片送入擴(kuò)散反應(yīng)爐管，爐管溫度在IOmin內(nèi)加熱至800°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁?. Sslm，持續(xù)3min ;通入氮?dú)饬髁?slm,氧氣流量600sccm,氮?dú)鈹y帶三氯氧磷氣體流量1760sccm,持續(xù)13min ;以5°C每分鐘的速率升高爐管溫度至845°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁繛?5slm ； (4)保持溫度在850°C，通入氧氣流量為5slm，持續(xù)15min ;通入氮?dú)饬髁繛?0slm，降溫至780°C，SP制得擴(kuò)散結(jié)。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，其特征在于它包括以下步驟 (1)將已經(jīng)制絨的硅片送入擴(kuò)散反應(yīng)爐管，爐管溫度在IOmin內(nèi)加熱至750-810°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁?-8slm,持續(xù)3min ； (2)通入氮?dú)饬髁?-7slm,氧氣流量400-600sccm,氮?dú)鈹y帶三氯氧磷氣體流量1300-1700sccm,持續(xù) 10_16min ； (3)以5°C每分鐘的速率升高爐管溫度至840-850°C，同時(shí)通入氮?dú)饬髁繛?0-15slm； (4)保持溫度在820-850°C，通入氧氣流量為3-5slm，持續(xù)10_16min； (5)通入氮?dú)饬髁繛?5-20slm，降溫至780°C，即制得擴(kuò)散結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，其特征在于步驟 (I)中爐管內(nèi)溫度加熱至800°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，其特征在于步驟(2)中通入氮?dú)饬髁繛?slm,氧氣流量600sccm,氮?dú)鈹y帶的三氯氧磷氣體流量為1400sccmo
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，其特征在于步驟(5)中溫度恒定在840°C。通入氧氣流量為4slm，持續(xù)時(shí)間為15min。
全文摘要
本發(fā)明公開一種晶體硅太陽能電池?cái)U(kuò)散發(fā)射極構(gòu)化工藝，其特征在于包括以下步驟將已經(jīng)制絨的硅片送入擴(kuò)散反應(yīng)爐管；通入氮?dú)?、氧氣、氮?dú)鈹y帶三氯氧磷氣體；升高爐管溫度；保持一定的溫度，通入氧氣；通入氮?dú)?，降溫，即制得擴(kuò)散結(jié)。本發(fā)明方法增加了硅片擴(kuò)散層表面擴(kuò)散濃度，降低了硅片與漿料的接觸電阻，減少電池片燒結(jié)不良比例。
文檔編號H01L31/18GK102931280SQ201210454858
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者黃侖, 侯澤榮, 盧春暉, 王金偉, 蔣志強(qiáng) 申請人:東方電氣集團(tuán)(宜興)邁吉太陽能科技有限公司