專(zhuān)利名稱(chēng)：一種led芯片及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片及其制作方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED,Light Emitting Diode)是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件,其利用半導(dǎo)體PN結(jié)作為發(fā)光材料，可以將電轉(zhuǎn)換為光。當(dāng)半導(dǎo)體PN結(jié)的兩端加上正向電壓后，注入PN結(jié)中的電子和空穴發(fā)生復(fù)合，將過(guò)剩的能量·以光子的形式釋放出來(lái)。LED具有壽命長(zhǎng)，功耗低的優(yōu)點(diǎn)，隨著技術(shù)的日漸成熟，LED的運(yùn)用領(lǐng)域也越來(lái)越多元化，對(duì)LED芯片的功率和亮度的要求要求也越來(lái)越高，對(duì)LED芯片的尺寸也有了進(jìn)一步需求。傳統(tǒng)的LED芯片結(jié)構(gòu)P電極和N電極設(shè)置在和發(fā)光區(qū)同一側(cè)，發(fā)光區(qū)射出的光部分將被電極和鍵合引線所吸收或遮擋。并且由于P型半導(dǎo)體層本身相對(duì)高的電阻導(dǎo)致電流擴(kuò)展存在擁堵現(xiàn)象，電流主要集中在不能有效發(fā)光的P電極之下，從而導(dǎo)致了發(fā)光的不均勻和發(fā)光效率的下降。為獲得良好的電流擴(kuò)展，在P型半導(dǎo)體層表面形成一般形成有半透明的電流擴(kuò)散層，這樣也會(huì)影響出光效率。為了在透光率和擴(kuò)展電阻率二者之間則要給以適當(dāng)?shù)恼壑?，折衷設(shè)計(jì)的結(jié)果必定使其功率轉(zhuǎn)換的提高受到了限制。因此，目前一般使用倒裝芯片的技術(shù)來(lái)解決電流擴(kuò)散層和電極對(duì)出光效率的影響。倒裝芯片的實(shí)質(zhì)是在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上，將芯片的發(fā)光區(qū)與電極不設(shè)計(jì)在同一個(gè)平面，將電極區(qū)面朝向基板進(jìn)行貼裝。利用倒裝工藝封裝的LED芯片的制造過(guò)程通常包括兩個(gè)步驟先分別完成LED管芯部分的制造和基板端導(dǎo)線焊點(diǎn)等部分的制造，然后將兩部分通過(guò)焊球或其它方式連接貼裝。這樣的制造方法，一方面增加了工藝步驟和難度；另一方面，限制了 LED芯片在厚度和尺寸上的進(jìn)一步發(fā)展。同時(shí)，芯片尺寸的增加同時(shí)也增加了電流擴(kuò)展的難度，為了使電流均勻分布需要特殊設(shè)計(jì)電極結(jié)構(gòu)，目前一般設(shè)置為一對(duì)梳狀電極，這只能一定程度上解決這一問(wèn)題，無(wú)法滿(mǎn)足芯片尺寸更進(jìn)一步增加的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種LED芯片及其制作方法，該制作方法優(yōu)化了倒裝工藝以減少LED芯片厚度。進(jìn)一步的，本發(fā)明還能解決LED芯片內(nèi)電流不能均勻分布的問(wèn)題。為解決以上問(wèn)題，本發(fā)明提供一種LED芯片的制造方法，包括提供襯底，在襯底上形成管芯；在管芯表面形成第一絕緣層，并平坦化所述第一絕緣層；在第一絕緣層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出貫通第一絕緣層的第一孔槽群；在第一絕緣層上沉積第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內(nèi)的金屬組成第一電極群，第一絕緣層表面的金屬層組成第一電極層；在第一電極層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出貫通第一電極層的絕緣孔槽群；在第一電極層上沉積第二絕緣層，并平坦化所述第二絕緣層；
在第二絕緣層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的第二孔槽群；在第二絕緣層上沉積第二金屬層，并平坦化所述第二金屬層，第二孔槽群內(nèi)的金屬組成第二電極群，第二絕緣層表面的金屬層組成第二電極層；在第二電極層上貼裝基板。可選的，在所述的LED芯片的制造方法中，所述第一電極群的電極分排均勻分布在管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域上，所述第二電極群分布在以第一電極群的電極為中心的正六邊形的頂點(diǎn)上。可選的，在所述的LED芯片的制造方法中，所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)散層，所述多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)散層部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層。 可選的，在所述的LED芯片的制造方法中，所述第一電極群形成在電流擴(kuò)散層上，所述第二電極群形成在N型半導(dǎo)體層上。可選的，在所述的LED芯片的制造方法中，所述第一電極群形成在N型半導(dǎo)體層上，所述第二電極群形成在電流擴(kuò)散層上?？蛇x的，在所述的LED芯片的制造方法中，所述襯底為藍(lán)寶石襯底。本發(fā)明還提供了采用上述任一方法制造出的LED芯片，所述LED芯片包括襯底、形成于所述襯底上的管芯以及設(shè)置于管芯上并與管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域接觸的電極，所述電極包括第一電極群和第二電極群，所述第一電極群上生成有第一電極層，所述第二電極群上生成有第二電極層，所述第一電極層和第二電極層之間由第二絕緣層隔開(kāi)，所述第一電極群和第二電極群之間由第一絕緣層和第二絕緣層共同隔開(kāi)。在第二電極層上貼裝有基板。可選的，在所述的LED芯片中，所述第一電極群的電極分排均勻分布在管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域上，所述第二電極群分布在以第一電極群的電極為中心的正六邊形的頂點(diǎn)上?？蛇x的，在所述的LED芯片中，所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)散層，所述多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)散層部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層?？蛇x的，在所述的LED芯片中，所述第一電極群與所述電流擴(kuò)散層接觸，所述第二電極群與所述N型半導(dǎo)體層接觸。可選的，在所述的LED芯片中，所述第一電極群與所述N型半導(dǎo)體層接觸，所述第二電極群與所述電流擴(kuò)散層接觸。本發(fā)明提供一種LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的制造方法對(duì)傳統(tǒng)倒裝芯片工藝進(jìn)行了優(yōu)化，在生成電極群之后繼續(xù)生成電極層和絕緣層等結(jié)構(gòu)，無(wú)須將整個(gè)器件分為兩個(gè)部分分別制造后再貼裝，能有效控制器件厚度。進(jìn)一步的，將N電極與P電極分隔為第一電極群和第二電極群，分布在管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域上，這樣的結(jié)構(gòu)能獲得充分的電流擴(kuò)展使電流均勻分布，使器件得到良好的發(fā)光效率和均勻的出光率，并且能滿(mǎn)足芯片尺寸更進(jìn)一步增加的需求。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的LED芯片的電極分布示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的LED芯片的制造方法的流程圖3A 3I為本發(fā)明實(shí)施例的LED芯片的制造方法的各步驟在沿AA’剖面上的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式在背景技術(shù)中已經(jīng)提及，傳統(tǒng)的LED芯片倒裝制造方法增加了工藝步驟和難度，并且限制了 LED芯片在厚度和尺寸上的進(jìn)一步發(fā)展，同時(shí)現(xiàn)有的LED芯片的電極結(jié)構(gòu)，只能獲得一定程度的電流擴(kuò)展，使電流均勻分布，無(wú)法滿(mǎn)足芯片尺寸更進(jìn)一步增加的需求。為此，本發(fā)明提供一種LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的制造方法對(duì)傳統(tǒng)倒裝芯片工藝進(jìn)行了優(yōu)化，在生成電極群之后繼續(xù)生成電極層和絕緣層等結(jié)構(gòu)，能有效控制器件厚度。進(jìn)一步的，將N電極與P電極分隔為第一電極群和第二電極群，分布在管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域上，這樣的結(jié)構(gòu)能獲得充分的電流擴(kuò)展使電流均勻分布，使器件得到良好的發(fā)光效率和 均勻的出光率，并且能滿(mǎn)足芯片尺寸更進(jìn)一步增加的需求。下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)所述理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。請(qǐng)參考圖I和圖31，所述LED芯片包括襯底401、形成于所述襯底401上的管芯415、設(shè)置于管芯415對(duì)應(yīng)區(qū)域上的電極、第一電極層410、第二電極層412、第一絕緣層421和第二絕緣層422。所述電極包括第一電極群402和第二電極群403。所述第一電極群402上生成有第一電極層410，所述第二電極群403上生成有第二電極層412。所述第一電極層410、第二電極層412、所述第一電極群402和第二電極群403之間由第一絕緣層421和第二絕緣層422共同隔開(kāi)。在第二電極層412上貼裝有基板413。本實(shí)施例優(yōu)選將所述第一電極群402的電極分排均勻分布在管芯上，第二電極群403的電極分布在以第一電極群402的電極為中心的正六邊形的頂點(diǎn)上。這樣，在器件工作時(shí)載流子可以通過(guò)第一電極群402和第二電極群403均勻擴(kuò)散到整個(gè)芯片中，提高器件的發(fā)光效率，并且，芯片的尺寸增加時(shí)，電極群分布作相應(yīng)的擴(kuò)展也能達(dá)到同樣的效果，即，可適用于任意尺寸的LED芯片。本領(lǐng)域的研究人員可根據(jù)器件需求和工藝目的對(duì)電極群的數(shù)目和密度做適應(yīng)性調(diào)整。繼續(xù)參考圖31，其為本發(fā)明實(shí)施例的LED芯片沿AA’的剖面示意圖。管芯415 —般包括依次形成于襯底401上的N型半導(dǎo)體層404、多量子阱層405、P型半導(dǎo)體層406、電流擴(kuò)散層407。管芯415是LED芯片的核心部分，所述N型半導(dǎo)體層404、多量子阱層405和P型半導(dǎo)體層406形成用以發(fā)光的PN結(jié)，所述電流擴(kuò)散層407起到擴(kuò)展電流的作用。所述多量子阱層405、P型半導(dǎo)體層406和電流擴(kuò)散層407部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層404，用以在N型半導(dǎo)體404層上形成電極。本實(shí)施例中所述第一電極群402所述電流擴(kuò)散層407接觸，所述第二電極群403與所述N型半導(dǎo)體層404接觸。當(dāng)然也可以將所述第一電極群402與所述N型半導(dǎo)體層404接觸，所述第二電極群403與所述電流擴(kuò)散層407接觸。請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明實(shí)施例提供的LED芯片制作方法的流程圖，所述方法包括如下步驟步驟S31，提供襯底，在襯底上形成管芯； 步驟S32，在管芯表面形成第一絕緣層，并平坦化所述第一絕緣層；步驟S33，在第一絕緣層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出貫通第一絕緣層的第一孔槽群；步驟S34，在第一絕緣層上沉積第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內(nèi)的金屬組成第一電極群，第一絕緣層表面的金屬層組成第一電極層；步驟S35，在第一電極層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出貫通第一電極層的絕緣孔槽群；步驟S36，在第一電極層上沉積第二絕緣層，并平坦化所述第二絕緣層；步驟S37，在第二絕緣層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的第二孔槽群;步驟S38，在第二絕緣層上沉積第二金屬層，并平坦化所述碟第二金屬層，第二孔槽群內(nèi)的金屬組成第二電極群，第二絕緣層表面的金屬層組成第二電極層；步驟S39，在第二電極層上貼裝基板。參照?qǐng)D3A，執(zhí)行步驟S31，提供襯底401，在襯底上形成管芯415，本實(shí)例中，所述襯底401為藍(lán)寶石(Al2O3)襯底。當(dāng)然，根據(jù)工藝需要，也可以選用其他適用于LED芯片制造的襯底，例如是尖晶石(MgAl204)、SiC, ZnS, ZnO或GaAs襯底。所述管芯415包括在襯底401上依次形成的N型半導(dǎo)體層404、多量子阱層405、P型半導(dǎo)體層406、電流擴(kuò)散層407，所述多量子阱層405、P型半導(dǎo)體層406、電流擴(kuò)散層407部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層404。其中，根據(jù)第一電極群402和第二電極群403的設(shè)計(jì)的分布利用掩膜板在對(duì)應(yīng)區(qū)域選擇性開(kāi)口，以部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層404。形成所述管芯415的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的，在此不再贅述。參照?qǐng)D3B，執(zhí)行步驟S32，在管芯415表面形成第一絕緣層421，并平坦化所述第一絕緣層421。第一絕緣層421材質(zhì)使用絕緣材質(zhì)，比如氧化硅、氮化硅或其他適用于LED制造的絕緣材料。參照?qǐng)D3C，執(zhí)行步驟S33，在第一絕緣層421對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)設(shè)第一孔槽群402’。具體的，所述第一孔槽群402’開(kāi)口的位置是對(duì)應(yīng)于第一電極群402設(shè)計(jì)的位置來(lái)決定，在本實(shí)施例中由于第一電極群402的位置設(shè)置在電流擴(kuò)散層407上，因此第一孔槽群402’開(kāi)口貫穿在電流擴(kuò)散層407上的第一絕緣層421，即，所述第一孔槽群402’暴露所述電流擴(kuò)散層407的表面。若第一電極群402的位置設(shè)置在N型半導(dǎo)體層404上，則第一孔槽群402’開(kāi)口貫穿在N型半導(dǎo)體層404上的第一絕緣層421，即，所述第一孔槽群402’暴露所述N型半導(dǎo)體層404的表面。
參照?qǐng)D3D，執(zhí)行步驟S34，在第一絕緣層421上形成第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內(nèi)的金屬組成第一電極群402，第一絕緣層421表面的金屬層組成第一電極層408。形成所述第一金屬層的方法可以是電鍍，也可以是本領(lǐng)域常用的方法，比如物理氣象沉積等。參照?qǐng)D3E，執(zhí)行步驟S35，在第一電極層408對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出絕緣孔槽群。同樣的，絕緣孔槽群的開(kāi)口位置根據(jù)第二電極群403設(shè)計(jì)的位置來(lái)調(diào)整。本實(shí)施例中，所述絕緣孔槽群的位置對(duì)應(yīng)步驟S31中部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層404。參照?qǐng)D3F，執(zhí)行步驟S36，在第一電極層408上沉積第二絕緣層422，并平坦化所述第二絕緣層422。第二絕緣層422材質(zhì)使用絕緣材質(zhì)，比如氧化硅、氮化硅或其他適用于LED制造的絕緣材料。 參照?qǐng)D3G，執(zhí)行步驟S37，在第二絕緣層422對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出第二孔槽群403’。具體的，所述第二孔槽群403’開(kāi)口的位置是對(duì)應(yīng)于第二電極群403設(shè)計(jì)的位置來(lái)決定，在本實(shí)施例中由于第二電極群402的位置設(shè)置在N型半導(dǎo)體層404上，因此第二孔槽群403’開(kāi)口貫穿在N型半導(dǎo)體層404上的第一絕緣層421和第二絕緣層422，即，所述第二孔槽群403’暴露部分所述N型半導(dǎo)體層404的表面。參照?qǐng)D3H，執(zhí)行步驟S38，在第二絕緣層422上形成第二金屬層，并平坦化所述第二金屬層，第二孔槽群403’內(nèi)的金屬組成第二電極群403，第二絕緣層422表面的金屬層形成第二電極層412。更優(yōu)選的，參照?qǐng)D1，第二電極群403分布在以第一電極群402的電極為中心的正六邊形的頂點(diǎn)上。簡(jiǎn)而言之，若所述第一電極群402形成在電流擴(kuò)散層407上(例如本實(shí)施例)時(shí)，則第二電極群403形成在N型半導(dǎo)體層404上，若所述第一電極群402形成在N型半導(dǎo)體層404上時(shí)，則第二電極群403形成在電流擴(kuò)散層407上。這時(shí)，在相應(yīng)區(qū)域的孔槽位置做出對(duì)應(yīng)的調(diào)整。參照?qǐng)D31，執(zhí)行步驟S39，在第二電極層上貼裝基板。綜上所述，本發(fā)明所提供一種LED芯片的結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述LED芯片的制造方法對(duì)傳統(tǒng)倒裝芯片工藝進(jìn)行了優(yōu)化，在生成電極群之后繼續(xù)生成電極層和絕緣層等結(jié)構(gòu)，無(wú)須將整個(gè)器件分為兩個(gè)部分分別制造后再貼裝，能有效控制器件厚度。進(jìn)一步的，將N電極與P電極分隔為第一電極群和第二電極群，分布在管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域上，這樣的結(jié)構(gòu)能獲得充分的電流擴(kuò)展使電流均勻分布，使器件得到良好的發(fā)光效率和均勻的出光率，并且能滿(mǎn)足芯片尺寸更進(jìn)一步增加的需求。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED芯片的制造方法，包括 提供襯底，在襯底上形成管芯； 在管芯表面形成第一絕緣層，并平坦化所述第一絕緣層； 在第一絕緣層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出第一孔槽群； 在第一絕緣層上形成第一金屬層，并平坦化所述第一金屬層，第一孔槽群內(nèi)的金屬組成第一電極群，第一絕緣層表面的金屬層組成第一電極層； 在第一電極層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出絕緣孔槽群； 在第一電極層上沉積第二絕緣層，并平坦化所述第二絕緣層； 在第二絕緣層對(duì)應(yīng)區(qū)域開(kāi)出第二孔槽群； 在第二絕緣層上形成第二金屬層，并平坦化所述第二金屬層，第二孔槽群內(nèi)的金屬組成第二電極群，第二絕緣層表面的金屬層組成第二電極層； 在第二電極層上貼裝基板。
2.如權(quán)利要求I所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述第一電極群的電極分排均勻分布在管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域上，所述第二電極群分布在以第一電極群的電極為中心的正六邊形的頂點(diǎn)上。
3.如權(quán)利要求I所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)散層，所述多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)散層部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層。
4.如權(quán)利要求2所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述第一電極群形成在電流擴(kuò)散層上，所述第二電極群形成在N型半導(dǎo)體層上。
5.如權(quán)利要求2所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述第一電極群形成在N型半導(dǎo)體層上，所述第二電極群形成在電流擴(kuò)散層上。
6.如權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述襯底為藍(lán)寶石襯底。
7.如權(quán)利要求I所述的方法制造出的LED芯片，包括襯底、形成于所述襯底上的管芯以及設(shè)置于管芯上并與管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域接觸的電極，其特征在于所述電極包括第一電極群和第二電極群，所述第一電極群上生成有第一電極層，所述第二電極群上生成有第二電極層，所述第一電極層和第二電極層之間由第二絕緣層隔開(kāi)，所述第一電極群和第二電極群之間由第一絕緣層和第二絕緣層共同隔開(kāi)。在第二電極層上貼裝有基板。
8.如權(quán)利要求7所述的LED芯片,其特征在于所述第一電極群的電極分排均勻分布在管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域上，所述第二電極群分布在以第一電極群的電極為中心的正六邊形的頂點(diǎn)上。
9.如權(quán)利要求8所述的LED芯片，其特征在于所述管芯包括依次形成于襯底上的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)散層，所述多量子阱層、P型半導(dǎo)體層和電流擴(kuò)散層部分暴露出所述N型半導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求9所述的LED芯片，其特征在于所述第一電極群與所述電流擴(kuò)散層接觸，所述第二電極群與所述N型半導(dǎo)體層接觸。
11.如權(quán)利要求9所述的LED芯片，其特征在于所述第一電極群與所述N型半導(dǎo)體層接觸，所述第二電極群與所述電流擴(kuò)散層接觸。
全文摘要
本發(fā)明揭露了一種LED芯片及其制造方法，所述LED芯片的制造方法在生成電極群之后繼續(xù)生成電極層和絕緣層等結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了傳統(tǒng)的倒裝芯片工藝的兩個(gè)步驟，同時(shí)這樣的方法對(duì)LED芯片的厚度得到有效的控制。并且將傳統(tǒng)的設(shè)置一對(duì)電極分隔為分布在管芯對(duì)應(yīng)區(qū)域的第一電極群和第二電極群，這樣的結(jié)構(gòu)能獲得充分的電流擴(kuò)展使電流均勻分布，使器件得到良好的發(fā)光效率和均勻的出光率，并且能滿(mǎn)足芯片尺寸更進(jìn)一步增加的需求。
文檔編號(hào)H01L33/38GK102931297SQ201210465859
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月16日
發(fā)明者畢少?gòu)?qiáng) 申請(qǐng)人:映瑞光電科技(上海)有限公司