專利名稱：發(fā)光器件以及具有該發(fā)光器件的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施方案涉及發(fā)光器件以及具有該發(fā)光器件的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
由于其物理和化學(xué)特性，所以II1-V族氮化物半導(dǎo)體已被廣泛用作發(fā)光器件如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD)的主要材料。通常，II1-V族氮化物半導(dǎo)體包括組成式為InxAlyGanyN (O彡x彡1，0彡y彡1，且O彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料。LED是通過利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)化為紅外線或光來發(fā)送/接收信號的半導(dǎo)體器件。LED還被用作光源。使用氮化物半導(dǎo)體材料的LED或LD主要用于發(fā)光器件以提供光。例如，LED或LD被用作各種產(chǎn)品如移動電話的鍵盤發(fā)光部、電子標(biāo)識牌以及照明器件的光源。
發(fā)明內(nèi) 容實(shí)施方案提供了具有新的光提取結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。實(shí)施方案提供了在襯底的頂表面上包括具有微凹凸部分的凹凸圖案的發(fā)光器件。實(shí)施方案提供了在發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面上包括具有微凹凸部分的凹凸圖案的發(fā)光器件。實(shí)施方案提供了晶片水平封裝的發(fā)光器件。實(shí)施方案提供了包括具有陶瓷基添加劑的支撐構(gòu)件的發(fā)光器件和制造該發(fā)光器件的方法，所述支撐構(gòu)件形成在連接至發(fā)光結(jié)構(gòu)的電極的外周表面上。實(shí)施方案提供了具有發(fā)光器件的發(fā)光裝置、發(fā)光器件封裝件和照明器件。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件包括:透射(transmissive)襯底；設(shè)置在透射襯底的頂表面上并且包括多個突起的第一圖案部分；設(shè)置在透射襯底的頂表面上并且包括多個凹部的第二圖案部分，每個凹部的寬度小于每個突起的寬度；設(shè)置在透射襯底下并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下方的第一電極；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下下的反射電極層；在反射電極層下的第二電極；在第一電極下的第一連接電極；在第二電極下下的第二連接電極；以及設(shè)置在第一電極和第一連接電極周圍以及第二電極和第二連接電極周圍并且包括陶瓷基散熱劑的絕緣支撐構(gòu)件。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層；在有源層下下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上并且包括多個突起的第一圖案部分；設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上并且包括多個凹部的第二圖案部分，每個凹部的寬度小于每個突起的寬度；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的第一電極；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層；在反射電極層下的第二電極；在第一電極下的第一連接電極；在第二電極下的第二連接電極；以及設(shè)置在第一電極和第一連接電極周圍以及第二電極和第二連接電極周圍并且包括陶瓷基散熱劑的絕緣支撐構(gòu)件。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光裝置包括:發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括形成在發(fā)光器件下部的支撐構(gòu)件以及暴露于支撐構(gòu)件的底表面的第一連接電極和第二連接電極；多個引線框，所述多個引線框上安裝有發(fā)光器件的第一連接電極和第二連接電極；以及本體，所述本體上安裝有引線框，其中所述發(fā)光器件包括:透射襯底；設(shè)置在透射襯底的頂表面上并且包括多個突起的第一圖案部分；設(shè)置在透射襯底的頂表面上并且包括多個凹部的第二圖案部分，每個凹部的寬度小于每個突起的寬度；設(shè)置在透射襯底下并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第一連接電極之間的第一電極；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層；以及在反射電極層與第二連接電極之間的第二電極；其中支撐構(gòu)件設(shè)置在第一電極和第一連接電極周圍以及第二電極和第二連接電極周圍并且包括陶瓷基散熱劑，所述發(fā)光器件的第一連接電極和第二連接電極與支撐構(gòu)件的底表面具有對應(yīng)于引線框的頂表面的間隔。


圖1是根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖2是圖1所示的發(fā)光器件的底視圖；圖3至圖9是示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的制造方法的截面視圖；圖10是具有圖1所示的發(fā)光器件的發(fā)光裝置的側(cè)截面視圖；圖11是根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖12是根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖13和圖14分別是根據(jù)第四實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖和底視圖；圖15和圖16分別是根據(jù)第五實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖和底視圖；圖17是根據(jù)第六實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖18是根據(jù)第七實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖19是根據(jù)第八實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖20是根據(jù)第九實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖21是示出圖20的反射電極層和第二電極焊墊的一個實(shí)例的視圖；圖22是示出圖20的第二電極接合層的一個實(shí)例的視圖；圖23是示出圖20的第一電極接合層的一個實(shí)例的視圖；圖24是示出圖20的第二電極接合層的另一實(shí)例的視圖；圖25是示出具有圖1的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖26是根據(jù)第十實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖27至圖29是示出圖26所示的發(fā)光器件的制造方法的視圖；圖30是具有圖26所示的發(fā)光器件的發(fā)光裝置的側(cè)截面視圖；圖31是根據(jù)第十一實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖32是根據(jù)第十二實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖33和圖34分別是根據(jù)第十三實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖和底視圖；圖35和圖36分別是根據(jù)第十四實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖和底視圖；圖37是根據(jù)第十五實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖38是根據(jù)第十六實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖39是根據(jù)第十七實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖40是根據(jù)第十八實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖41是示出具有圖26的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的截面視圖；圖42是示出具有根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的顯示裝置的立體圖；圖43是示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置的截面視圖；圖44是示出具有根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的照明單元的分解立體具體實(shí)施例方式在實(shí)施方案的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一焊墊或另一圖案“上”或“下”時，其可以“直接地”或“間接地”在另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊墊或圖案上，或者也可以存在一個或更多個中間層。已經(jīng)參考附圖描述了層的這種位置。為了方便或清楚起見，可以放大、省略或示意性地描繪附圖中示出的各個層的厚度和尺寸。此外，元件的尺寸并不完全反映實(shí)際尺寸。在下文中，將參考附圖對實(shí)施方案進(jìn)行描述。圖1是根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖；圖2是圖1所示的發(fā)光器件的底視圖。參照圖1和圖2，發(fā)光器件100包括:襯底111、第一半導(dǎo)體層113、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143和支撐構(gòu)件151。襯底111可以包括透射襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。例如，襯底111可以包括A1203、SiC、S1、GaAs、GaN、ZnO, S1、GaP、InP、Ge 和 Ga2O3 中的至少一種。在襯底 111 的底表面上可以設(shè)置有光提取結(jié)構(gòu)如凹凸圖案。凹凸圖案可以與第一半導(dǎo)體層113接觸。凹凸圖案可以由設(shè)置在襯底111的底表面上的凹凸結(jié)構(gòu)形成或者可以形成為粗糙圖案。凹凸圖案可以具有條形或凸透鏡形。襯底111在其頂表面SI上設(shè)置有第一圖案部分和第二圖案部分，第一圖案部分具有包括多個突起11的第一凹凸結(jié)構(gòu)，第二圖案部分具有設(shè)置在第一凹凸結(jié)構(gòu)上并且包括多個凹部12的第二凹凸結(jié)構(gòu)。第二凹凸結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一凹凸結(jié)構(gòu)上并且由尺寸小于突起11的尺寸的微凹凸構(gòu)造限定。突起11可以通過蝕刻襯底111的頂表面SI來形成，因此突起11可以通過使用與襯底111的材料相同的材料來形成。第二圖案部分可以通過蝕刻襯底111的頂表面SI和突起11來形成，或者通過使用單獨(dú)的材料來形成。第一圖案部分的突起11可以從襯底111的頂表面SI突出，或者可以具有壓花形。襯底111的頂表面Si可以相對于突起11凹陷。此外，第一圖案部分可以凹陷或者雕刻為低于襯底111的頂表面SI。
第二圖案部分的凹部12可以設(shè)置在突起11的表面和襯底111的頂表面SI上，其尺寸小于突起11的尺寸。凹部12可以具有凹雕形、凹陷形或凹下形。此外，第二圖案部分可以具有壓花形或凸起形，并且可以形成有尺寸小于突起11的尺寸的微突起。第一圖案部分包括包含突起11和頂表面SI的凹凸結(jié)構(gòu)，所述突起11具有壓花形，所述頂表面Si具有凹雕形。第二圖案部分包括設(shè)置在第一凹凸結(jié)構(gòu)上并且具有凹雕形和/或壓花形的微凹凸結(jié)構(gòu)，微凹凸結(jié)構(gòu)的寬度小于突起11的寬度。當(dāng)從襯底111的頂部觀察時，第一圖案部分的突起11可以布置為矩陣或點(diǎn)陣的形式。為了便于解釋，根據(jù)第一實(shí)施方案，第一圖案部分將被描述為突起11，第二圖案部分將被描述為凹部12，但實(shí)施方案不限于此。第一半導(dǎo)體層113設(shè)置在襯底111的底表面上。多個突起11從襯底111的頂表面SI向上突出，襯底111的頂表面SI與襯底111的底表面相反，突起11中形成有凹部12。突起11可以具有半球形、錐形、多棱錐形、柱形(如圓柱形或多棱柱形)或者截頂錐形的側(cè)截面形狀。當(dāng)從頂部觀察時，每個突起11可以具有環(huán)形、多邊形或者球和面的混合形狀。凹部12相對于每個突起11的表面向下凹陷。凹部12可以具有半球形、錐形、多棱錐形、柱形(如圓柱形或多棱柱形)或者截頂錐形的側(cè)截面形狀。當(dāng)從頂部觀察時，每個凹部12可以具有環(huán)形、多邊形或者球和面的混合形狀。凹部12可以從襯底111的頂表面SI向下凹陷。凹部12的寬度C2可以小于突起11的寬度BI。凹部12的深度Cl和寬度C2可以等于或小于突起11的高度L2或?qū)挾菳I的50%。例如，凹部12的深度Cl或?qū)挾菴2可以在突起11的高度L2或?qū)挾菳I的1/2至1/100的范圍內(nèi)。寬度C2和寬度BI可以是最大寬度。凹部12或微凹凸結(jié)構(gòu)的尺寸可以等于或小于突起11的尺寸的50%。突起11的寬度BI可以是突起11的最大寬度、一個側(cè)邊的長度、半徑、厚度和高度L2中的至少之一。凹部12的尺寸可以是凹部12的最大寬度、每一個側(cè)邊的長度、高度、半徑和厚度中的至少
之一 O突起11的寬度BI和高度L2可以在0.Ιμπι至10 μ m的范圍內(nèi)，例如可以小于襯底111的厚度。突起11的寬度BI可以大于突起11的高度L2，但實(shí)施方案不限于此。凹部12的深度Cl或?qū)挾菴2可以在0.1nm至IOOnm或者0.1nm至100 μ m的范圍內(nèi)。兩個突起12之間的節(jié)距LI可以在0.Ιμπι至100 μπι的范圍內(nèi)。兩個凹部12之間的節(jié)距可以是突起11的節(jié)距LI的1/2或更少，例如，在0.Ιμπι至100 μ m的范圍內(nèi)。突起11可以改變光入射通過襯底111的臨界角，凹部12可以改變光入射到襯底111的突起11和頂表面Si上的臨界角。如果第一圖案和第二圖案以彼此不同的尺寸設(shè)置在襯底111上，則可以減小入射光的全反射率，使得能夠提高光提取效率。突起11可以以規(guī)則的間隔或隨機(jī)的間隔布置。此外，凹部12可以以規(guī)則的間隔或隨機(jī)的間隔布置。第一半導(dǎo)體層113可以設(shè)置在襯底111的底表面上。第一半導(dǎo)體層113可以包括II族至VI族化合物半導(dǎo)體。詳細(xì)地，第一半導(dǎo)體層113可以通過使用I1-VI族或II1-V族化合物半導(dǎo)體形成為單層或多層。例如，第一半導(dǎo)體層113可以包括包括GaN、InN、AlN、InGaN, AlGaN, InAlGaN和AlInN中的至少一種的II1-V族化合物半導(dǎo)體。第一半導(dǎo)體層113可以包括氧化物如ZnO，但實(shí)施方案不限于此?？梢詫⒌谝话雽?dǎo)體層113制備為緩沖層。緩沖層可以減少襯底111與氮化物半導(dǎo)體層之間的晶格失配。可以將第一半導(dǎo)體層113制備為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層或未摻雜半導(dǎo)體層。可以將未摻雜半導(dǎo)體層制備為包括II1-V族化合物半導(dǎo)體的GaN基半導(dǎo)體層。未摻雜半導(dǎo)體層可以具有第一導(dǎo)電性能，即使在制造過程中并非有意地添加導(dǎo)電摻雜劑也是如此。此外，未摻雜半導(dǎo)體層的摻雜劑濃度低于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的導(dǎo)電摻雜劑的濃度。第一半導(dǎo)體層113可以包括緩沖層和未摻雜半導(dǎo)體層中的至少一種,但實(shí)施方案不限于此。此外，可以省略第一半導(dǎo)體層113?？梢栽诘谝话雽?dǎo)體層113下形成發(fā)光結(jié)構(gòu)120。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括II1-V族化合物半導(dǎo)體。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括具有組成式InxAlyGa^N(O ^ x ^ 1,0 ^ y ^ I,O ^ x+y ^ I)的半導(dǎo)體，并且能夠發(fā)出具有在紫外線波段與可見光波段之間的波長范圍內(nèi)的預(yù)定峰值波長的光。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119以及在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119之間的有源層117。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115形成在襯底111或第一半導(dǎo)體層113下。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可以包括摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑的II1-V族化合物半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115是η型半導(dǎo)體層，第一導(dǎo)電摻雜劑是η型摻雜劑，包括S1、Ge、Sn、Se或Te?？梢栽诘谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層115與第一半導(dǎo)體層113之間形成包括彼此交替堆疊的各種半導(dǎo)體層的超晶格結(jié)構(gòu)。超晶格結(jié)構(gòu)可以減少晶格缺陷。超晶格結(jié)構(gòu)中的每一層可以具有約幾個人或更大的厚度。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與有源層117之間形成第一導(dǎo)電覆層。第一導(dǎo)電覆層可以包括GaN基半導(dǎo)體，并且具有比有源層117的帶隙高的帶隙。第一導(dǎo)電覆層限制載流子。有源層117形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下。有源層117選擇性地包括單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，并且可以具有周期性的阱層和勢壘層。阱層可以具有組成式InxAlyGanyN(O≤χ≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤I)，勢壘層可以具有組成式 Ir^AlyGah-yN(O ^ x ^ I,O ^ y ^ 1,0^ x+y ^ I)。通過使用InGaN/GaN、AlGaN/GaN、InGaN/AlGaN 或 InGaN/InGaN 的堆疊結(jié)構(gòu)，阱層/勢壘層可以具有至少一個周期。勢壘層可以包括帶隙高于阱層的帶隙的半導(dǎo)體材料。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119形成在有源層117下。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以包括摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑的半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以包括化合物半導(dǎo)體如GaN、InN, AIN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 或 Al InN。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層 119 是 p 型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電摻雜劑是P型摻雜劑如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以包括超晶格結(jié)構(gòu)如InGaN/GaN或AlGaN/GaN。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的超晶格結(jié)構(gòu)可以擴(kuò)散異常地包括在電壓中的電流，從而保護(hù)有源層117。此外,在發(fā)光結(jié)構(gòu)120中,第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可以制備為P型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以制備為η型半導(dǎo)體層。在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119上可以設(shè)置有極性與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的極性相反的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體。發(fā)光器件100的發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119限定。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以具有n-p結(jié)結(jié)構(gòu)、p-n結(jié)結(jié)構(gòu)、n-p-n結(jié)結(jié)構(gòu)以及p-n-p結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。在這種情況下，符號“η”和“p”分別表示η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體層，符號表示兩個層直接或間接地彼此堆疊。在下文中，為了便于解釋，將第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119稱為發(fā)光結(jié)構(gòu)120的最上層。反射電極層131形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下。例如，反射電極層131可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。如果反射電極層131具有多層結(jié)構(gòu)，則反射電極層131包括歐姆接觸層、反射層、擴(kuò)散阻擋層和保護(hù)層中的至少之一。反射電極層131可以包括以下結(jié)構(gòu):歐姆接觸層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、歐姆接觸層/反射層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散阻擋層或反射層。將參照圖21詳細(xì)描述反射電極層131的結(jié)構(gòu)。反射電極層131可以包括透射電極層/反射層的堆疊結(jié)構(gòu)。透射電極層可以包括選自ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ΑΖ0 (鋁鋅氧化物)、ΑΤ0 (鋁錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、SnO, InO, InZnO, ZnO, IrOx和RuOx中的一種。反射層可以形成在透射電極層下。反射層包括具有第一折射率的第一層和具有第二折射率的第二層。反射層可以包括其中至少兩對第一層和第二層交替堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。第一折射率與第二折射率不同，第一層和第二層可以包括折射率為1.5至2.4的材料。例如，第一層和第二層可以包括導(dǎo)電材料或絕緣材料?？梢詫⑦@樣的結(jié)構(gòu)定義為DBR(分布式布拉格反射)結(jié)構(gòu)。在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和反射電極層131中的至少之一的表面上可以設(shè)置有光提取結(jié)構(gòu)如粗糙結(jié)構(gòu)。光提取結(jié)構(gòu)可以改變?nèi)肷涔獾呐R界角，從而提高光提取效率。第一電極135形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al下，第二電極137形成在反射電極層131下。第一連接電 極141形成在第一電極135下，第二連接電極143形成在第二電極137下。第一電極135與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al電連接。第一電極135可以包括電極焊墊，但實(shí)施方案不限于此。第一電極135與有源層117和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的側(cè)邊間隔開,并且第一電極135具有小于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al的面積。第二電極137可以通過反射電極層131物理連接和/或電連接至第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119。第二電極137包括電極焊墊。第一電極135和第二電極137可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在多層結(jié)構(gòu)的情況下，第一電極135和第二電極137可以包括粘合層、反射層、擴(kuò)散阻擋層和接合層中的至少一種。粘合層與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al的底表面歐姆接觸。粘合層可以包括選自Cr、T1、Co、N1、V、Hf及其合金中的一種，并且具有約I人至〗000人的厚度。反射層形成在粘合層下，并且包括選自Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd及其合金中的一種。反射層具有約
IA至10000人的厚度。擴(kuò)散阻擋層形成在反射層下，并且包括選自N1、Mo、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti及其合金中的一種。擴(kuò)散阻擋層具有約I人至10000人的厚度。接合層接合至第一連接電極141，并且包括選自Al、Ru、Rh、Pt及其合金中的一種。接合層具有約I人至10000人的厚度。第一電極135和第二電極137可以具有相同的堆疊結(jié)構(gòu)或不同的堆疊結(jié)構(gòu)。第二電極137的堆疊結(jié)構(gòu)可以小于第一電極135的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，第一電極135可以具有粘合層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/接合層或者粘合層/擴(kuò)散阻擋層/接合層的堆疊結(jié)構(gòu)，第二電極137可以具有粘合層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/接合層或者粘合層/擴(kuò)散阻擋層/接合層的堆疊結(jié)構(gòu)。第二電極137的頂表面面積等于反射電極層131的底表面面積，或者至少大于第二連接電極143的頂表面面積。第一電極135和第二電極137中的至少之一可以包括具有從電極焊墊分支的臂結(jié)構(gòu)或指結(jié)構(gòu)的電流擴(kuò)散圖案。此外，第一電極135和第二電極137可以包括一個電極焊墊或者多個電極焊墊，但實(shí)施方案不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143可以用作用于供電的引線和散熱路徑。第一連接電極141和第二連接電極143可以具有柱形。例如，第一連接電極141和第二連接電極143可以具有球形、圓柱形、多棱柱形或隨機(jī)形狀。多棱柱形可以是或者不是等角柱形，實(shí)施方案不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面和底表面可以具有環(huán)形或多邊形，但實(shí)施方案不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143的底表面面積可以不同于第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面面積。例如，第一連接電極141和第二連接電極143的底表面面積可以大于或小于第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面面積。第一連接電極141和第二連接電極143中的至少之一小于發(fā)光結(jié)構(gòu)120的底表面的寬度并且大于第一電極135和第 二電極137的底表面的直徑或?qū)挾?。第一連接電極141和第二連接電極143的直徑或?qū)挾仍贗 μ m至100000 μ m的范圍內(nèi)，第一連接電極141和第二連接電極143的高度在I μ m至100000 μ m的范圍內(nèi)。第一連接電極141的高度Hl可以比第二連接電極143的高度H2長，并且第一連接電極141和第二連接電極143的底表面可以布置在相同的平面(即，水平平面)上。通過使用一種金屬或合金可以將第一連接電極141和第二連接電極143制備為單層。該單層的寬度和高度在Iym至100000 μ m的范圍內(nèi)。例如，該單層的厚度大于第二連接電極143的厚度。第一連接電極141和第二連接電極143還可以包括涂覆在或鍍覆在金屬或合金表面上的至少一種保護(hù)層，但實(shí)施方案不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143可以包括選自Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W及其合金中的至少一種。為了提高與第一電極135和第二電極137的粘合強(qiáng)度，第一連接電極141和第二連接電極143可以鍍覆有金屬，所述金屬包括選自In、Sn、N1、Cu及其合金中的一種。同時，鍍覆厚度可以在 Α 'ΙΟΟΟΟΟ人的范圍內(nèi)。在第一連接電極141和第二連接電極143的表面上還可以設(shè)置有至少一個鍍層。鍍層可以包括錫或其合金、Ni或其合金或者錫-Ag-Cu合金。此時，鍍層可以具有約0.5 μ m至10 μ m的厚度。鍍層能夠提高與其他接合層的接合強(qiáng)度?？梢栽诜瓷潆姌O層131下形成絕緣層133。詳細(xì)地，絕緣層133可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的底表面、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和有源層117的側(cè)邊以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al的底表面上。絕緣層133設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部區(qū)域的除反射電極層131、第一電極135和第二電極137以外的區(qū)域上，以電保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部部分。
絕緣層133包括通過使用包括Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中的至少一種的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物形成的絕緣材料或絕緣樹脂。例如，絕緣層133可以包括選自Si02、Si3N4、Al2O3和TiO2中的一種?？梢詫⒔^緣層133制備為單層或多層，但實(shí)施方案不限于此。當(dāng)出于倒裝接合的目的在發(fā)光結(jié)構(gòu)下形成金屬結(jié)構(gòu)時，絕緣層133防止發(fā)光結(jié)構(gòu)120的層-層短路。絕緣層133可以不設(shè)置在反射電極層131的底表面上。由于在反射電極層131的底表面上設(shè)置有具有絕緣性能的支撐構(gòu)件151，所以絕緣層133可以不需要延伸至反射電極層131的底表面。絕緣層133具有DBR結(jié)構(gòu)，在DBR結(jié)構(gòu)中，具有彼此不同的折射率的第一層和第二層交替布置。詳細(xì)地，第一層包括Si02、Si3N4、Al203和TiO2中的一種,第二層包括除第一層的材料以外的材料。在這種情況下，可以省略反射電極層。絕緣層133可以具有在100 A^lOOOO A1的范圍內(nèi)的厚度。如果將絕緣層133制備為多層，則每一層可以具有在I A至50000 A或者100 A至10000 A的范圍內(nèi)厚度。具有多層的絕緣層133的每一層的厚度可以根據(jù)發(fā)射波長改變反射效率。第一連接電極141和第二連接電極143可以包括Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W及其合金。此外，第一連接電極141和第二連接電極143可以具有含In、Sn、N1、Cu及其合金的鍍層，以提高與第一電極135和第二電極137的粘合強(qiáng)度。在這種情況下，鍍層具有在I Λ至100000蓋的范圍內(nèi)的厚度。第一連接電極141和第二連接電極143可以通過共晶接合而接合，并被用作焊球或金屬凸起，但實(shí)施方案不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143可以包括Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W及其合金。此外，第一連接電極141和第二連接電極143可以具有含In、Sn、N1、Cu及其合金的鍍層，以提高與第一電極135和第二電極137的粘合強(qiáng)度。在這種情況下，鍍層具 有名I 4至100000 A的范圍內(nèi)的厚度。第一連接電極141和第二連接電極143可以被用作單金屬如焊球或金屬凸起，但實(shí)施方案不限于此。支撐構(gòu)件151用作支撐層以支撐發(fā)光器件100。支撐構(gòu)件151包括絕緣材料。例如，絕緣材料可以是樹脂包括娃樹脂或環(huán)氧樹脂。此外，絕緣材料可以包括糊料或絕緣墨。絕緣材料還可以包括選自聚丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂(PPE)、聚亞苯基氧化物樹脂(PPO)、聚亞苯基硫化物樹脂、氰酸酯樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰胺-胺樹狀聚合物(PAMAM)、聚丙烯-亞胺、樹狀聚合物(PPI)、具有PAMAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)和有機(jī)硅外表面的PAMAM-OS (有機(jī)硅)以及它們的組合中的樹月旨。支撐構(gòu)件151的材料可以不同于絕緣層133的材料?？梢韵蛑螛?gòu)件151中添加至少一種化合物如含Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中的至少一種的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物。添加到支撐構(gòu)件151中的化合物可以是散熱劑。散熱劑是具有預(yù)定尺寸的粉末顆粒、晶粒、填料或添加劑。在以下描述中，為了便于解釋，將描述包括散熱劑的支撐構(gòu)件151。散熱劑可以包括具有I人至100000 Λ的尺寸的絕緣材料或?qū)щ姴牧?。為了提高散熱效率，散熱劑可以具?000 A至50000 A的尺寸。散熱劑的晶?？梢跃哂星蛐位虿灰?guī)則形狀，但實(shí)施方案不限于此。散熱劑包括陶瓷材料。陶瓷材料包括LTCC (低溫共燒陶瓷)、HTCC (高溫共燒陶瓷)、氧化鋁、石英、鋯酸鈣、鎂橄欖石、SiC、石墨、熔融二氧化硅、莫來石、堇青石、氧化鋯、氧化鈹和氮化鋁。陶瓷材料可以包括熱導(dǎo)率高于氮化物或氧化物的熱導(dǎo)率的金屬氮化物。例如，金屬氮化物可以包括熱導(dǎo)率等于或高于140W/mK的材料。例如，陶瓷材料包括選自Si02、SixOy、Si3N4' SixNy、SiOxNy、Al2O3' BN、Si3N4' SiC (SiC-BeO)、BeO、CeO 和 AlN 中的一種。導(dǎo)熱材料可以包括C-組分，如金剛石或CNT。可以將支撐構(gòu)件151制備為單層或多層，實(shí)施方案不限于此。在支撐構(gòu)件151中提供有陶瓷粉末，從而能夠提高支撐構(gòu)件151的強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。此外，添加到支撐構(gòu)件151中的散熱劑的量可以為按重量計(jì)1%至99%。為了提高散熱效率，可以將按重量計(jì)50%至99%的散熱劑添加到支撐構(gòu)件151中。由于將散熱劑添加到支撐構(gòu)件151中，所以可以進(jìn)一步提高支撐構(gòu)件151內(nèi)部的熱導(dǎo)率。此外，支撐構(gòu)件151具有4-ll[X106/°C]的熱膨脹系數(shù)。上述熱膨脹系數(shù)等于或類似于襯底111如藍(lán)寶石襯底的熱膨脹系數(shù)，因此，晶片不會因支撐構(gòu)件151與形成在襯底111下的發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的熱膨脹系數(shù)之間的差異而彎曲或損壞，從而提高了發(fā)光器件的可靠性。支撐構(gòu)件151的底表面面積基本上等于支撐構(gòu)件151的頂表面面積。此外，支撐構(gòu)件151的底表面面積基本上等于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面面積。另外，支撐構(gòu)件151的底表面的寬度可以等于襯底111的頂表面的寬度和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面的寬度。因此，由于在形成支撐構(gòu)件151之后，分開單個芯片，所以支撐構(gòu)件151、襯底111和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的側(cè)邊可以布置在相同的平面上。此外，支撐構(gòu)件151的底表面面積可以大于或小于襯底111的頂表面SI的面積，但實(shí)施方案不限于此。參照圖2，支撐構(gòu)件151的第一側(cè)邊的長度Dl與襯底111的對應(yīng)于支撐構(gòu)件151的第一側(cè)邊的第一側(cè)邊的長度基本相同，支撐構(gòu)件151的第二側(cè)邊的長度D2與襯底111的對應(yīng)于支撐構(gòu)件151的第二側(cè)邊的第二側(cè)邊的長度基本相同。此外，與襯底111的各個側(cè)邊的長度相比，支撐構(gòu)件151的第一側(cè)邊的長度Dl和第二側(cè)邊的長度D2可以更長或更短，但實(shí)施方案不限于此。此外，第 一連接電極141與第二連接電極143之間的距離D5是兩個相鄰電極焊墊之間的間距，并且對應(yīng)于發(fā)光器件的一個側(cè)邊的長度的1/2或更多，但實(shí)施方案不限于此。支撐構(gòu)件151的底表面是基本平坦的表面或者不規(guī)則的表面，但實(shí)施方案不限于此。支撐構(gòu)件151的厚度Tl至少比第二連接電極143的厚度H2厚?；蛘撸螛?gòu)件151的厚度Tl可以比第二連接電極143的厚度T2薄。如果絕緣層133的厚度比第二連接電極143的厚度厚，則支撐構(gòu)件151的厚度可以變薄。支撐構(gòu)件151的預(yù)定區(qū)域的厚度T2可以比第一連接電極141的厚度厚。支撐構(gòu)件151可以具有在I μ m至100000 μ m或50 μ m至1000 μ m的范圍內(nèi)的厚度。支撐構(gòu)件151的底表面低于第一電極135和第二電極137的底表面，并且與第一連接電極141和第二連接電極143的底表面布置在相同的平面(即，水平平面)上。支撐構(gòu)件151與第一電極135和第二電極137以及第一連接電極141和第二連接電極143的外周表面接觸。因此，從第一電極135和第二電極137以及第一連接電極141和第二連接電極143引起的熱可以通過支撐構(gòu)件151擴(kuò)散并散發(fā)。通過包括于支撐構(gòu)件151中的散熱劑能夠提高支撐構(gòu)件151的熱導(dǎo)率，使得支撐構(gòu)件151能夠通過支撐構(gòu)件151的整個表面來散熱。因此，能夠提高發(fā)光器件100的耐熱可靠性。此外，支撐構(gòu)件151的側(cè)邊可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)120和襯底111的側(cè)邊布置在相同的平面(即，垂直平面)上。此外，支撐構(gòu)件151的一個側(cè)邊或者至少一個側(cè)邊可以突出超過發(fā)光結(jié)構(gòu)120和襯底111的側(cè)邊，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件100是通過倒裝方案安裝的，所以大多數(shù)光朝襯底111的頂表面發(fā)射，并且一些光發(fā)射通過襯底111和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)邊。從而可以減少由第一電極135和第二電極137引起的光損失。因此，通過設(shè)置在發(fā)光器件100上的襯底111的第一圖案部分和第二圖案部分能夠提高光提取效率，通過支撐構(gòu)件151能夠提高散熱效率。襯底111上可以設(shè)置有磷光體層或者不含磷光體的透射樹脂層，但實(shí)施方案不限于此。圖3至圖9是示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的制造方法的截面視圖。雖然基于單個器件進(jìn)行下述描述以便于解釋，但是發(fā)光器件是在晶片水平制造的，并且單個器件是通過下文中描述的工藝制造的。盡管如此，單個器件的制造不限于下文中描述的工藝，而可以增加或減少工藝步驟以制造單個器件。參照圖3，將襯底111裝載于生長設(shè)備中，將包括II至VI族元素的化合物半導(dǎo)體以層或圖案的形式設(shè)置在襯底111上。襯底111用作生長襯底。襯底111可以包括透射襯底、絕緣襯底或?qū)щ娨r底。例如，襯底111可以包括選自Al203、GaN、SiC、Zn0、S1、GaP、InP、Ga203和GaAs中的一種。襯底111可以在其頂表面上設(shè)置有光提取結(jié)構(gòu)如凹凸圖案。凹凸圖案改變光的臨界角，從而提高光提取效率。生長設(shè)備包括電子束蒸鍍機(jī)、PVD (物理氣相沉積)設(shè)備、CVD (化學(xué)氣相沉積)設(shè)備、PLD (等離子激光沉積)設(shè)備、雙型熱蒸發(fā)器、濺射設(shè)備或MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備，但實(shí)施方案不限于此。
`
襯底111上設(shè)置有第一半導(dǎo)體層113。第一半導(dǎo)體層113可以通過使用包括II1-V族元素的化合物半導(dǎo)體來形成。第一半導(dǎo)體層113可以用作緩沖層，以減少與襯底的晶格失配。第一半導(dǎo)體層113可以是未摻雜半導(dǎo)體層,其包括并非有意摻雜的GaN基半導(dǎo)體。第一半導(dǎo)體層113上設(shè)置有發(fā)光結(jié)構(gòu)120。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括依次形成的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115包括摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑的II1-V族化合物半導(dǎo)體。詳細(xì)地，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可以包括選自GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN, AlInN,AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一種。如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115是η型半導(dǎo)體層，貝1J第一導(dǎo)電摻雜劑包括η型摻雜劑如S1、Ge、Sn、Se或Te?？梢詫⒌谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層115制備為單層或多層,但實(shí)施方案不限于此。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115還可以包括含各種材料的超晶格結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案不限于此。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上設(shè)置有有源層117。有源層117包括單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)和量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的至少一種。有源層117可以通過使用II1-V族元素的半導(dǎo)體材料來形成，使得有源層117可以具有周期性的組成式為InxAlyGa1^yN(O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的勢壘層和阱層。例如，有源層117可以具有周期性的InGaN阱層/GaN勢壘層、InGaN阱層/AlGaN勢壘層或者InGaN阱層/InGaN勢壘層，但實(shí)施方案不限于此。
在有源層117上和/或下可以設(shè)置有導(dǎo)電覆層。導(dǎo)電覆層可以包括AlGaN基半導(dǎo)體。有源層117的勢壘層的帶隙高于阱層的帶隙，導(dǎo)電覆層的帶隙高于勢壘層的帶隙。在有源層117上設(shè)置有第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119包括摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑的II1-V族化合物半導(dǎo)體。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119可以包括選自GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 IGaInP 中的一種。如果第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119是P型半導(dǎo)體層，則第二導(dǎo)電摻雜劑包括P型摻雜劑如Mg或Zn。可以將第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119制備為單層或多層，但實(shí)施方案不限于此。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119還可以包括含各種材料的超晶格結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119限定。此外，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119上可以設(shè)置有極性與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的極性相反的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層，即η型半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以具有η-ρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρ_η結(jié)結(jié)構(gòu)、η-ρ-η結(jié)結(jié)構(gòu)和ρ-η-ρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。參照圖4，發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al被蝕刻。發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al暴露出第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115,第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的暴露部分低于有源層117的頂表面。在蝕刻過程中，在使用掩模圖案對發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂表面進(jìn)行掩蔽之后，干法蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al。干法蝕刻可以通過使用ICP(感應(yīng)耦合等離子體)設(shè)備、RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)設(shè)備、CCP(電容耦合等離子體)設(shè)備和ECR(電子回旋共振)設(shè)備中的至少一種進(jìn)行。蝕刻過程可以通過濕法蝕刻工藝進(jìn)行，實(shí)施方案不限于此。發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al是蝕刻區(qū)域，可以形成一個或多個預(yù)定區(qū)域Al。參照圖5,在發(fā)光結(jié)構(gòu)120上設(shè)置有反射電極層131。反射電極層131的面積小于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的頂表面面積，以防止制造反射電極131時的短路。反射電極層131是通過在使用掩模對與上緣間隔開預(yù)定距離D3的區(qū)域以及發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al進(jìn)行掩蔽之后，使用濺射設(shè)備和/或沉積設(shè)備而沉積的。反射電極層131可以包括反射率為至少70%或90%的金屬材料。反射電極層131可以包括以下結(jié)構(gòu):歐姆接觸層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、歐姆接觸層/反射層/保護(hù)層或反射層。在圖1的描述中，已經(jīng)描述了各層的材料和厚度。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上形成第一電極135之后,將第二電極137設(shè)置在第一反射電極層131上。第一電極135和第二電極137可以通過在使用掩模對除電極區(qū)域以外的區(qū)域進(jìn)行掩蔽之后，使用濺射設(shè)備和/或沉積設(shè)備來形成，但實(shí)施方案不限于此。第一電極 135 和第二電極 137 可以包括選自 Cr、T1、Co、N1、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、N1、Mo、W、La、Ta、Ti及其合金中的一種。可以將第一電極135和第二電極137制備為多層。例如，第一電極135和第二電極137可以包括通過使用上述元素形成的粘合層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/接合層中的至少兩種?？梢酝ㄟ^相同的制造方法將第一電極135和第二電極137形成為相同的堆疊結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案不限于此。第二電極137可以與反射電極層131和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119物理接觸。絕緣層133通過濺射工藝或沉積工藝設(shè)置在反射電極層131上。絕緣層133形成在反射電極層131的除第一電極135和第二電極137的區(qū)域以外的整個區(qū)域上方，從而覆蓋反射電極層131和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的暴露部分的頂表面。絕緣層133包括通過使用含Al、Cr、S1、T1、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物形成的絕緣材料或絕緣樹脂。例如，絕緣層133可以包括選自Si02、Si3N4、Al203和TiO2中的一種。可以將絕緣層133制備為單層或多層，但實(shí)施方案不限于此。形成電極135和137的工藝可以與形成絕緣層133的工藝互換。參照圖6，第一連接電極141接合至第一電極135上，第二連接電極143接合至第二電極137上。第一連接電極141包括導(dǎo)電焊墊如焊球和/或金屬凸起，并且結(jié)合至第一電極135上。第一連接電極141可以布置為與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面垂直。第二連接電極143包括導(dǎo)電焊墊如焊球和/或金屬凸起，并且接合至第二電極137上。第二連接電極143可以布置為與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的頂表面垂直。第一連接電極141的高度Hl比第二連接電極143的高度H2長。第一連接電極141和第二連接電極143的底表面設(shè)置在不同的平面上，第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面布置在相同的平面(即，水平平面)上。參照圖7，支撐構(gòu)件151通過擠壓方案和/或分配方案設(shè)置在絕緣層133上。通過向樹脂如硅樹脂或環(huán)氧樹脂中添加散熱劑，將支撐構(gòu)件151制備為絕緣支撐層。散熱劑可以包括含Al、Cr、S1、T1、Zn或Zr的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物中的至少一種。例如，散熱劑可以包括陶瓷材料。散熱劑可以定義為具有預(yù)定尺寸的粉末顆粒、晶粒、填料或添加齊U。散熱劑包括陶瓷材料。陶瓷材料包括LTCC(低溫共燒陶瓷)或HTCC(高溫共燒陶瓷)。陶瓷材料可以包括熱導(dǎo)率高于氮化物或氧化物的熱導(dǎo)率的金屬氮化物。例如，金屬氮化物可以包括熱導(dǎo)率等于或高于140W/mK的材料。例如，陶瓷材料包括選自Si02、SixOy, Si3N4,SixNy、Si0xNy、Al203、BN、Si3N4、SiC (SiC-BeO)、BeO、CeO 和 AlN 中的一種。導(dǎo)熱材料可以包括C-組分，如金剛石或CNT。此外，添加到支撐構(gòu)件151中的散熱劑的量可以為按重量計(jì)1%至99%。為了提高散熱效率，可以向支撐構(gòu)件151中添加按重量計(jì)至少50%的散熱劑。支撐構(gòu)件151可以通過使用球磨機(jī)、行星式球磨機(jī)、葉輪混合、珠磨機(jī)或籃式研磨機(jī)將聚合物與墨或糊料混合來形成。在這種情況下，可以使用溶劑和分散劑以均勻地分散混合物。添加溶劑以調(diào)節(jié)粘度。在墨的情況下，添加3Cps至400Cps的溶劑。另外，在糊料的情況下，添加lOOCps至一百萬Cps的溶劑。溶劑可以包括選自水、甲醇、乙醇、異丙醇、二乙二醇丁醚(butylcabitol)、MEK、甲苯、二甲苯、二甘醇(DEG)、甲酰胺(FA)、α -職品醇(TP)、Y-丁內(nèi)酯(BL)、甲基溶纖劑(MCS)、丙甲基溶纖劑(PM)及其組合中的一種。為了增強(qiáng)顆粒之間的偶聯(lián)強(qiáng)度，可以向溶劑中添加硅烷基添加劑，如1-三甲基甲硅烷基丁 -1-炔-3-醇、烯丙基三甲基硅烷、三甲基甲硅烷基甲磺酸酯、三甲基甲硅烷基三氯乙酸酯、甲基三甲基甲硅烷基乙酸酯或三甲基甲硅烷基丙酸。在這種情況下，可以發(fā)生凝膠化，因此必須認(rèn)真考慮娃燒基添加劑的添加。在該制造工藝中，連接電極(如焊接凸起)在之如制備并接合，并且在連接電極周圍提供支撐構(gòu)件。相反，在印刷或分配含墨或糊料的絕緣層之后，固化絕緣層，然后將導(dǎo)電型材料填充到對應(yīng)于連接電極的孔中，從而形成連接電極。支撐構(gòu)件151具有對應(yīng)于第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面的高度。支撐構(gòu)件151填充到第一連接電極141和第二連接電極143以及第一電極135和第二電極137周圍。第一電極連接電極141和第二連接電極143的頂表面通過支撐構(gòu)件151的頂表面暴露。支撐構(gòu)件151是支撐連接電極141和143的絕緣支撐層。詳細(xì)地，連接電極141和143插入支撐構(gòu)件151中。支撐構(gòu)件151具有足以暴露出第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面的厚度。支撐構(gòu)件151在預(yù)定溫度下固化。例如，支撐構(gòu)件151在200°C ±100°C的溫度下固化，該溫度不會對半導(dǎo)體層造成影響。襯底111具有約30 μ m或更大的厚度。通過拋光襯底111的底表面，襯底111可以具有在30μπι至150μπι的范圍內(nèi)的厚度。由于支撐構(gòu)件151在發(fā)光器件100中與襯底111相對地提供，所以襯底111可以被用作發(fā)光層，使得襯底111的厚度可以變薄。可以對支撐構(gòu)件151和第一連接電極141及第二連接電極143的表面進(jìn)行CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)。此外，在形成支撐構(gòu)件151之后，在支撐構(gòu)件151中形成電極孔，并且可以通過電極孔形成第一連接電極和第二連接電極。在將圖7所示的所制造的發(fā)光器件旋轉(zhuǎn)180°的角度之后，通過第一蝕刻方案將具有多個突起11的第一圖案部分設(shè)置在襯底111的頂表面SI上，如圖8所示，即，第一圖案部分設(shè)置在與襯底的形成半導(dǎo)體層的底表面相反的面上。第一蝕刻方案包括濕法蝕刻和干法蝕刻中的至少一種。如果已形成第一圖案部分，則通過第二蝕刻方案處理襯底111的上部，以形成具有多個凹部12的第二圖案部分。凹部12形成在襯底111的頂表面的平坦區(qū)域以及突起11中。凹部12的尺寸可以等于或小于突起11的尺寸的1/2(50% )，其詳細(xì)描述包括于對圖1進(jìn)行的描述中?？梢酝ㄟ^濕法蝕刻工藝形成具有不規(guī)則間隔的凹部或突起，可以通過干法蝕刻工藝形成具有周期性間隔或規(guī)則間隔的凹部或凸起。通過劃片、斷裂和/或切割作業(yè)可以將圖9所示的發(fā)光器件分為圖1所示的單個發(fā)光器件。發(fā)光器件是在晶片水平封裝的，所以可以通過倒裝接合方案將發(fā)光器件安裝在模塊襯底上而無需使用導(dǎo)線。圖9所示的發(fā)光器件可以安裝模塊襯底170上，如圖10所示，使得發(fā)光器件可以被用作發(fā)光模塊。支撐構(gòu)件151的頂表面面積可以等于襯底111的底表面面積，支撐構(gòu)件151的高度可以高于第一電極135和第二電極137的頂表面。圖10是示出具有圖1所示的發(fā)光器件的發(fā)光裝置的側(cè)截面視圖。參照圖10，發(fā)光器件100通過倒裝方案安裝在模塊襯底170上。絕緣層172設(shè)置在模塊襯底170的金屬層171上，第一電極焊墊173和第二電極焊墊174設(shè)置在絕緣層172上。第一電極焊墊173和第二電極焊墊174是用于供電的焊盤圖案。保護(hù)層175設(shè)置在絕緣層172的除第一電極焊墊173和第二電極焊墊174的區(qū)域以外的區(qū)域上。保護(hù)層175是阻焊層，并且包括白色保護(hù)層或綠色保護(hù)層作為反射層或絕緣層。保護(hù)層175有效地反射光，使得能夠增加反射光的量。模塊襯底170可以包括具有電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。模塊襯底170還可以包括樹脂PCB、金屬芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件100的第一連接電極141布置為對應(yīng)于第一電極焊墊173的頂表面,發(fā)光器件100的第二連接電極143布置為對應(yīng)于第二電極焊墊174的頂表面。第一電極焊墊173通過接合材料177與第一連接電極141接合，第二電極焊墊174通過接合材料177與第二連接電極143接合。發(fā)光器件100在從第一電極焊墊173和第二電極焊墊174向其供電時工作。從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱通過第一連接電極141和第二連接電極143傳遞，然后通過支撐構(gòu)件151的整個表面散發(fā)到外部。支撐構(gòu)件151的底表面與模塊襯底170的頂表面以對應(yīng)于接合材料177的厚度的預(yù)定距離間隔開。發(fā)光器件100的第一連接電極141和第二連接電極143的底表面與模塊襯底170的頂表面之間的距離等于支撐構(gòu)件151的底表面與模塊襯底170的頂表面之間的距離。雖然已描述了一個發(fā)光器件100安裝在模塊襯底170上,但是模塊襯底170上可以排列多個發(fā)光器件，實(shí)施方案不限于此。圖11是示出根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖11，發(fā)光器件包括設(shè)置在襯底的與支撐構(gòu)件151相反的表面上(B卩，設(shè)置在出光面上)的磷光體層161。磷光體層161可以包括磷光體膜或涂覆層，并且可以制備為單
層或多層。磷光體層161包括含磷光體材料的透射樹脂層。透射樹脂層包括硅樹脂或環(huán)氧樹月旨，磷光體材料包括選自YAG、TAG、硅酸鹽、氮化物、氧氮化物基材料中的一種。磷光體材料包括紅色磷光體材料、黃色磷光體材料和綠色磷光體材料中的至少一種，并且激發(fā)從有源層117發(fā)出的一部分光以轉(zhuǎn)換光的波長。磷光體層161設(shè)置在襯底111的頂表面SI以及襯底111和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的至少一個側(cè)邊S2上。磷光體層161具有在I μ m至100000 μ m或者I μ m至10000 μ m的范圍內(nèi)
的厚度。磷光體層161可以包括多個彼此不同的磷光體層，其中第一層是紅色磷光體層、黃色磷光體層和綠色磷光體層中的一種，第二層設(shè)置在第一層上而與第一層不同。兩個不同的磷光體層可以分別設(shè)置在彼此不重疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域上。包括透射樹脂材料的保護(hù)層可以設(shè)置在磷光體層161和發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)邊上，但實(shí)施方案不限于此。第一圖案部分和第二圖案部分形成在襯底111與磷光體層161之間，其中第一圖案部分具有第一凹凸結(jié)構(gòu)，第一凹凸結(jié)構(gòu)包括從襯底111的頂表面以第一深度凹下的第一凹部11A，第二圖案部分具有第二凹凸結(jié)構(gòu)，第二凹凸結(jié)構(gòu)包括尺寸等于或小于第一凹部IlA的尺寸的50%的第二凹部11B?？梢詫⒌谝话疾縄lA定義為凹槽或凹陷，第二凹部IlB包括突起地或凹下地設(shè)置在第一凹部IlA和頂表面SI上的微凹凸部件或粗糙結(jié)構(gòu)。因此，除包括多個第一凹部IlA的凹凸結(jié)構(gòu)以外，襯底111的頂表面SI可以形成有微凹凸結(jié)構(gòu)。微凹凸結(jié)構(gòu)的間隔可以比第一凹部IlA的間隔窄。磷光體層161可以設(shè)置在第二凹部12中?？梢酝ㄟ^第一凹部IIA和第二凹部12來改變光的方向角，使得可以增加通過襯底111的上部所提取的光的量。從而能夠提高襯底111的上部的光提取效率，使得能夠改善由磷光體161引起的混色。圖12是示出根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖12，在襯底111的上部形成有多個突起11B。突起IlB與支撐構(gòu)件151相反地突出，以改變光入射通過襯底111的臨界角。因此，可以提高發(fā)光器件的光提取效率。突起IlB可以具有半球透鏡形或多邊形，并且以條形圖案的形式布置。具有多個凹部12的第二圖案部分可以設(shè)置在突起IlB的表面和襯底111的頂表面上。第二圖案部分可以具有微凹凸部件或粗糙結(jié)構(gòu)，但實(shí)施方案不限于此。磷光體層162可以設(shè)置在凹部12中。磷光體層162設(shè)置在襯底111的頂表面上。磷光體層162的底表面具有沿突起112延伸的凹凸形狀，磷光體層162的頂表面具有平坦形狀或凹凸形狀。磷光體層162的底表面可以與襯底111的頂表面接觸，或者與其分離，實(shí)施方案不限于此。磷光體層162可以僅形成在襯底111的頂表面上，或者還可以設(shè)置在襯底111和發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)邊上,但實(shí)施方案不限于此。圖13是示出根據(jù)第四實(shí)施方案的發(fā)光器件的視圖，圖14是圖13的底視圖。參照圖13和圖14，在支撐構(gòu)件152與152A之間形成有隔離槽152B。隔離槽152B將支撐構(gòu)件152和152A彼此隔離開。第一支撐構(gòu)件152圍繞第一連接電極141設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一側(cè)下。第二支撐構(gòu)件152A圍繞第二連接電極143設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的另一側(cè)下。隔離槽152B將第一支撐構(gòu)件152與第二支撐構(gòu)件152A物理分離和電分離，并暴露出形成在隔離槽152B下的絕緣層133。第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A可以包括絕緣材料或?qū)щ姴牧稀＝^緣材料包括具有散熱劑的樹脂材料。導(dǎo)電材料包括碳、SiC或金屬。如果第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A包括導(dǎo)電材料,則第一電極141和第二電極142包括與該導(dǎo)電材料不同的材料。因?yàn)榘▽?dǎo)電材料的第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A通過隔離槽152B彼此分離，所以可以防止電短路。隔離槽152B具有對應(yīng)于第一支撐構(gòu)件152與第二支撐構(gòu)件152A之間的距離的寬度D6和對應(yīng)于第二支撐構(gòu)件152A的高度Tl的深度。隔離槽152B防止第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A之間的電干擾。第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A的底表面與第一連接電極141和第二連接電極143的底表面布置在相同的平面上。第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A可以通過第一連接電極141和第二連接電極143安裝，即使第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A包括導(dǎo)電材料也是如此。第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A之間還可以進(jìn)一步設(shè)置有絕緣材料(包括陶瓷材料)。在這種情況下，陶瓷材料與第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A的底表面布置在相同的水平平面上。襯底111在其頂表面SI上設(shè)置有包括多個突起11的第一圖案部分和包括多個凹部12的第二圖案部分，凹部12的尺寸小于突起11的尺寸。設(shè)置在襯底111上的磷光體層161可以與襯底111的頂表面SI接觸或分離，實(shí)施方案不限于此。磷光體層161可以設(shè)置在凹部12中。圖15是根據(jù)第五實(shí)施方案的發(fā)光器件的視圖，圖16是圖15的底視圖。參照圖15和圖16，發(fā)光器件包括在第一連接電極141和第二連接電極143周圍布置的多個支撐構(gòu)件153和153A。第一連接電極141的外周部分覆蓋有第一支撐構(gòu)件153，第二連接電極143的外周部分覆蓋有第二支撐構(gòu)件153A。第一支撐構(gòu)件153和第二支撐構(gòu)件153A可以包括絕緣材料或?qū)щ姴牧稀?br> 第一支撐構(gòu)件153的寬度W3比第一連接電極141的寬度寬，使得第一支撐構(gòu)件153可以用作導(dǎo)熱和導(dǎo)電的路徑。第二支撐構(gòu)件153A的寬度W4比第二連接電極143的寬度寬，使得第二支撐構(gòu)件153A可以用作導(dǎo)熱和導(dǎo)電的路徑。第一支撐構(gòu)件153與第二支撐構(gòu)件153A之間的距離D7是發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一個側(cè)邊的長度的至少1/2。在第一支撐構(gòu)件153與第二支撐構(gòu)件153A之間可以進(jìn)一步設(shè)置有絕緣材料(包括陶瓷材料)。在這種情況下，陶瓷材料與第一支撐構(gòu)件153和第二支撐構(gòu)件153A的底表面布置在相同的水平平面上。第一支撐構(gòu)件153與第二支撐構(gòu)件153之間填充有絕緣材料，但實(shí)施方案不限于此。如圖15所示，在襯底111與磷光體層161之間可以進(jìn)一步形成有透射樹脂層160。透射樹脂層160可以包括折射率低于襯底111的折射率的樹脂材料如硅樹脂或環(huán)氧樹脂。襯底111在其頂表面SI上設(shè)置有包括突起11的第一圖案部分和包括凹部12的第二圖案部分，凹部12的尺寸小于突起11的尺寸。透射樹脂層160可以形成在突起11之間。透射樹脂層160的厚度對應(yīng)于襯底111的頂表面SI與磷光體層161的底表面之間的距離，并且等于、高于或低于突起11的厚度(或高度)。此外，透射樹脂層160將磷光體層161接合至襯底111的上部，使得可以使通過襯底111傳播至透射樹脂層160的光的界面損失最小化。磷光體層161可以設(shè)置在形成在突起11中的凹部12上，透射樹脂層160形成在凹部12中。圖17是示出根據(jù)第六實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖17，第一連接電極141A的寬度W5可以比第一電極135的寬度寬，第一連接電極141A和第一電極135的側(cè)邊可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)120和襯底111的側(cè)邊布置在相同的平面上?？梢晕g刻發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al，使得可以暴露出第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的蝕刻區(qū)域。發(fā)光結(jié)構(gòu)120的邊緣區(qū)域與發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)邊以沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的邊緣區(qū)域的預(yù)定距離D8間隔開，并且可以形成為環(huán)形。第一電極135的部分135A沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的邊緣區(qū)域形成為環(huán)形。環(huán)形可以包括開放環(huán)形或閉合環(huán)形。第二連接電極143A的寬度W6可以比第二電極137的寬度寬。在磷光體層161的表面161A上可以設(shè)置有光提取結(jié)構(gòu)如粗糙結(jié)構(gòu)。在磷光體層161與襯底111之間設(shè)置有透射樹脂層160。透射樹脂層160可以與突起11和襯底111的頂表面SI接觸，并且可以設(shè)置在凹部12中。圖18是根據(jù)第七實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖18,襯底111的頂表面上設(shè)置有磷光體層163,磷光體層163上設(shè)置有透鏡164。襯底111在其頂表面SI上設(shè)置有包括多個突起11的第一圖案部分和包括多個凹部12的第二圖案部分，凹部12的尺寸小于突起11的尺寸。磷光體層163以預(yù)定厚度設(shè)置在襯底111的頂表面上。磷光體層163可以設(shè)置在第二圖案部分的凹部12中，但實(shí)施方案不限于此。透鏡164可以作為凸透鏡設(shè)置在磷光體層163上。此外，透鏡164可以具有有凹凸圖案的凹透鏡形或非球面透鏡形。此外，透鏡164可以具有其中透鏡164的頂表面和/或底表面的中心凹陷作為全反射表面的形狀。在反射電極層131下形成有多個第二電極137，第二連接電極143布置在第二電極137下。第二連接電極143彼此以預(yù)定間隔T3間隔開。當(dāng)從發(fā)光器件的底部觀察時，第二連接電極143以點(diǎn)矩陣的形式布置。支撐構(gòu)件151設(shè)置在第一連接電極141與第二連接電極143之間以及第二連接電極143之間以作為絕緣支撐層。由于第二連接電極143設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)下，所以能夠增強(qiáng)支撐構(gòu)件151的強(qiáng)度并且能夠提高電接觸效率。此外，能夠防止發(fā)光器件的第二連接電極143處發(fā)生接合缺陷?？梢蕴峁┒鄠€第一連接電極141，實(shí)施方案不限于此。圖19是示出根據(jù)第八實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖19，發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al是在多個區(qū)域處暴露出第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的蝕刻區(qū)域。第一電極135設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下,第二電極137設(shè)置在反射電極層131下。由于第一電極135和第二電極137交替布置，所以能夠均勻地提供電流。襯底111上設(shè)置有磷光體層165。由于發(fā)光結(jié)構(gòu)120制備為多個單兀(cell),所以能夠增強(qiáng)亮度。襯底111在其頂表面SI上設(shè)置有包括多個突起11的第一圖案部分和包括多個凹部12的第二圖案部分，凹部12的尺寸小于突起11的尺寸。襯底111與磷光體層165之間設(shè)置有透射樹脂層160。透射樹脂層160與突起11和凹部12接觸，并且可以接合磷光體層165。圖20是示出根據(jù)第九實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。在第九實(shí)施方案的下述描述中，將使用與第一實(shí)施方案所述的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記來表示相同的構(gòu)件或結(jié)構(gòu)，并且省略其詳細(xì)描述以避免冗余。參照圖20，在發(fā)光結(jié)構(gòu)120下設(shè)置有反射電極層130和第二電極焊墊132，并且反射電極層130在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下用作歐姆電極和反射電極。第二電極焊墊132具有分層形狀或圖案形狀。發(fā)光結(jié)構(gòu)120上設(shè)置有襯底111。襯底111在其頂表面SI上設(shè)置有包括多個突起11的第一圖案部分和包括多個凹部12的第二圖案部分，凹部12的尺寸小于突起11的尺寸。第一圖案部分的結(jié)構(gòu)可以不同于形成于第一圖案部分中的第二圖案部分的結(jié)構(gòu)，實(shí)施方案不限于此。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下設(shè)置有第一電極焊墊134。第一電極焊墊134與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115接觸，并接合在第一電極接合層136與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115之間。第一電極接合層136接合在第一電極焊墊134與第一連接電極141之間，以電連接第一電極焊墊134與第一連接電極141。第一電極接合層136包括第一接合電極136A和第一接合電極136A下的第二接合電極136B。第一接合電極136A接合至第一電極焊墊134,第二接合電極136B接合在第一連接電極141與第一接合電極136A之間。第一電極焊墊134具有材料和厚度與第二電極焊墊132的堆疊結(jié)構(gòu)的材料和厚度相同的結(jié)構(gòu)，在下文中將對其進(jìn)行描述。例如，第一電極焊墊134和第二電極焊墊132包括粘合層、在粘合層下的反射層、在反射層下的擴(kuò)散阻擋層和在擴(kuò)散阻擋層下的接合層。第一電極接合層136接合在第一連接電極141與第一電極焊墊134之間，以增強(qiáng)第一連接電極141與第一電極焊墊134之間的接合性能。第一電極接合層136的第一接合電極136A與接合至第一連接電極141的第二接合電極136B接合,使得能夠提高第一連接電極141的物理接合性能和電連接性能。反射電極層130形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下，第二電極焊墊132形成在反射型電極層130下。反射電極層130的底表面面積可以等于或小于第二電極焊墊132的頂表面面積，但實(shí)施方案不限于此。第二電極接合層138形成在第二電極焊墊132與第二連接電極143之間，以提高第二電極焊墊132與第二連接電極143之間的接合強(qiáng)度。第二電極接合層138連接第二電極焊墊132與第二連接電極143。第二電極接合層138包括第三接合電極138A和在第三接合電極138A下的第四接合電極138B。第三接合電極138A接合至第二電極焊墊132，第四接合電極138B接合在第二連接電極143與第三接合電極138A之間。第二電極接合層138接合在第二連接電極143與第二電極焊墊132之間，以提高第二連接電極143和第二電極焊墊132之間的接合性能。第一電極焊墊134用作第一電極，第二電極焊墊132用作第二電極。圖21是示出根據(jù)實(shí)施方案的反射電極層和第二電極焊墊的實(shí)例的視圖。參見圖21，反射電極層130包括歐姆接觸層1、在歐姆接觸層I下的反射層2、在反射層2下的擴(kuò)散阻擋層3和在擴(kuò)散阻擋層3下的保護(hù)層4。歐姆接觸層I可以包括選自ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (鋁錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、Sn。、In。、InZnO, Zn。、IrOx、RuOx、Ni。、NiXr以及包含至少兩種上述元素的合金中的一種。歐姆接觸層11可以包括至少一層，并且具有約I A至1000 A的厚度。形成在歐姆接觸層I下的反射層2可以包括折射率為約70%或更高的材料。例如，反射層2可以包括選自Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt、Ir以及具有至少兩種上述元素的合金中的一種。反射層2的金屬與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的底表面歐姆接觸。在這種情況下，可以省略歐姆接觸層I。反射層2可以具有約I ASl0000人的厚度。擴(kuò)散阻擋層3 可以包括選自 Au、Cu、Hf、N1、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti 以
及具有至少兩種上述元素的合金中的一種。擴(kuò)散阻擋層3防止兩個不同的層之間的邊界區(qū)域處的層間擴(kuò)散。擴(kuò)散阻擋層3可以具有約I人至10000人的厚度。保護(hù)層4 可以包括選自 Au、Cu、Hf、N1、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti 以及具有至少兩種上述元素的合金中的一種。保護(hù)層14可以具有約I Al'lOOOO人的厚度。反射電極層130可以不包括歐姆接觸層1、擴(kuò)散阻擋層3和保護(hù)層4中的至少之一。第二電極焊墊132包括粘合層5、在粘合層5下的反射層6、在反射層6下的擴(kuò)散阻擋層7和在擴(kuò)散阻擋層7下的接合層8。粘合層5接合至反射電極層130，并且包括選自Cr、T1、Co、N1、V、Hf及其合金中的一種。粘合層5具有約I人至1000Λ的厚度。反射層6形成在粘合層5下,并且包括選自Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd及其合金中的一種。反射層6具有約I人至10000Λ的厚度。擴(kuò)散阻擋層7形成在反射層6下，并且包括選自N1、Mo、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti及其合金中的一種。擴(kuò)散阻擋層7具有約I人至10000Λ的厚度。接合層8包括選自Al、Au、Cu、Hf、Pd、Ru、Rh、Pt及其合金中的一種。接合層8具有約I人至10000人的厚度。第二電極焊墊132可以不包括反射層6。反射電極層130和第二電極焊墊132中的至少之一可以應(yīng)用于圖1所示的或者其它實(shí)施方案中公開的反射電極層和第二電極焊墊，實(shí)施方案不限于此。圖22是示出圖20的第二電極接合層的實(shí)例的視圖。
參照圖22，第二電極接合層138包括第三接合電極138A和第四接合電極138B，其中第三接合電極138A包括至少三個金屬層。第三接合電極138A包括粘合層21、在粘合層21下的支撐層22和在支撐層22下的保護(hù)層23。粘合層21接合至第二電極焊墊，并且包括選自Cr、T1、Co、Cu、N1、V、Hf以及包含至少兩種上述元素的合金中的一種。粘合層21具有I人至1000Λ的厚度。支撐層22比粘合層21厚，并且包括選自Ag、Al、Au、Co、Cu、Hf、Mo、N1、Ru、Rh、Pt、Pd以及包含至少兩種上述元素的合金中的一種。支撐層22具有I人至500000人或者1000人至100000人的厚度。保護(hù)層23保護(hù)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層不受外部影響，并且包括選自Au、Cu、N1、Hf、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及包含至少兩種上述元素的合金中的一種。保護(hù)層23具有I人至50000Λ的厚度。第三接合電極138A的粘合層21和支撐層22可以重復(fù)堆疊至少一個周期。第四接合電極138B包括至少三個金屬層。詳細(xì)地，第四接合電極138B包括粘合層24、在粘合層24下的擴(kuò)散阻擋層25、在擴(kuò)散阻擋層25下的接合層26。粘合層24接合至第三接合電極138A，并且包括選自Cr、T1、Co、N1、V、Hf以及包含至少兩種上述元素的合金中的一種。粘合層24具有I人至1000 Λ的厚度。擴(kuò)散阻擋層25防止層間擴(kuò)散，并且包括選自N1、Mo、Hf、W、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及包含至少兩種上述元素的合金中的一種。擴(kuò)散阻擋層25具有I A至10000 A的厚度。接合層26接合至第一連接電極，并且包括選自Au、Cu、N1、Hf、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti以及包含至少兩種上述元素的合金中的一種。接合層26具有I人至IOOOOA的厚度。第四接合電極138B的粘合層24和擴(kuò)散阻擋層25可以重復(fù)堆疊至少一個周期。圖22所示的第二電極接合層的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于圖1所示的或者其他實(shí)施方案中公開的電極，實(shí)施方案不限于此。圖23是示出圖20的第一電極接合層的實(shí)例的視圖。參照圖23，第一電極接合層136包括第一接合電極136A和第二接合電極136B，其中第一接合電極136A包括與圖25所示的第三接合層138A的金屬層相同的金屬層。例如，第一接合電極136A可以具有堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括粘合層31、在粘合層31下的支撐層32和在支撐層32下的保護(hù)層33。第二接合電極136B包括與第二接合層138B的金屬層相同的金屬層。例如，第二接合電極136B可以具有堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括粘合層34、在粘合層34下的擴(kuò)散阻擋層35和在擴(kuò)散阻擋層35下的接合層36。因此，第一接合電極136A設(shè)置在第一電極焊墊與第二接合電極136B之間，第二接合電極136B設(shè)置在第一接合電極136A與第一連接電極141之間。第一接合電極136A與第二接合電極136B之間的結(jié)構(gòu)參照圖22所示的第三接合電極和第四接合電極的堆疊結(jié)構(gòu)。圖23所示的第一電極接合層的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于圖1所示的或其他實(shí)施方案中公開的電極，實(shí)施方案不限于此。圖24是示出圖20的第二電極接合層的另一實(shí)例的視圖。參照圖20和圖24，第二電極接合層138的第三接合電極138A的頂表面面積可以等于第二電極焊墊132的底表面面積。第二電極接合層138的第三接合電極138A的頂表面面積可以大于第四接合電極138B的頂表面面積，而等于或小于第二電極的底表面面積。圖24所示的第二電極焊墊和第二電極接合層的結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于圖1所示的或其他實(shí)施方案中公開的電極，實(shí)施方案不限于此。圖25是示出具有圖1的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的視圖。
參照圖25，發(fā)光器件封裝件200包括本體211、安裝于本體211中的第一引線電極215和第二引線電極217、模制構(gòu)件219和發(fā)光器件100。本體211是通過使用高反射性樹脂(例如，PPA)、聚合材料或塑性材料中的一種注塑模制的，并且可以制備為具有單層或多層的襯底。本體211包括具有開放頂表面的腔212，其中腔212的側(cè)壁傾斜或垂直于腔212的底表面。第一引線電極215和第二引線電極217設(shè)置在腔212中，使得第一引線電極215與第二引線電極217彼此間隔開。發(fā)光器件100通過倒裝方案接合至第一引線電極215和第二引線電極217上。詳細(xì)地，發(fā)光器件100的第一連接電極141接合至第一引線電極215，發(fā)光器件100的第二連接電極143接合至第二引線電極217。第一引線電極215的頂表面與發(fā)光器件100的底表面(即，第一連接電極141、第二連接電極143和支撐構(gòu)件151的底表面)之間的距離可以等于第二引線電極217的頂表面與發(fā)光器件100的底表面之間的距離。發(fā)光器件100的支撐構(gòu)件151設(shè)置在第一引線電極215和第二引線電極217上，以通過支撐構(gòu)件151的整個表面散發(fā)熱。模制構(gòu)件219形成在腔212中。模制構(gòu)件219包括透射樹脂材料如硅樹脂或環(huán)氧樹脂。模制構(gòu)件219可以進(jìn)一步包括磷光體材料。從發(fā)光器件100產(chǎn)生的大多數(shù)光通過發(fā)光器件100的頂表面和側(cè)邊提取，并且所提取的光通過模制構(gòu)件219散射到外部。如圖1所示，由于第一圖案部分和第二圖案部分設(shè)置在發(fā)光器件100的頂表面上，所以能夠進(jìn)一步提高通過襯底的頂表面的光的光提取效率?？梢栽诎l(fā)光器件封裝件200中安裝一個或多個發(fā)光器件，但實(shí)施方案不限于此。如果在發(fā)光器件封裝件中安裝根據(jù)另一實(shí)施方案的具有磷光體層的發(fā)光器件，則可以不向模制構(gòu)件219中添加磷光體材料。此外，可以向模制構(gòu)件219中添加彼此不同的各種磷光體材料或者發(fā)出類似的顏色的磷光體材料。圖26是根據(jù)第十實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖26，發(fā)光器件101包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、反射電極層131、絕緣層133、第一電極135、第二電極137、第一連接電極141、第二連接電極143和支撐構(gòu)件151。發(fā)光器件101的頂表面是第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面S3,發(fā)光器件101的底表面是支撐構(gòu)件151的底表面。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面S3與支撐構(gòu)件151的底表面相反。發(fā)光器件101可以通過從圖1所示的結(jié)構(gòu)移除襯底而得到，使得發(fā)光器件101的厚度可以變薄?？梢栽黾又螛?gòu)件151的厚度以支撐發(fā)光器件101。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115在其頂表面S3上設(shè)置有第三圖案部分和第四圖案部分，所述第三圖案部分具有包括多個突起13的第三凹凸結(jié)構(gòu)，所述第四圖案部分具有設(shè)置在第三凹凸結(jié)構(gòu)上且包括多個凹部14的第四凹凸結(jié)構(gòu)。第四凹凸結(jié)構(gòu)設(shè)置在第三凹凸結(jié)構(gòu)上，并由尺寸小于突起13的尺寸的微凹凸構(gòu)造限定。第三圖案部分的突起13可以從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面S3突出，或者可以具有壓花形。此外，第三圖案部分可以包括經(jīng)凹陷或經(jīng)雕刻低于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面S3的凹部。第四圖案部分的凹部14可以設(shè)置在突起13的表面和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115襯底111的頂表面S3上，其尺寸小于突起13的尺寸。凹部14可以具有凹雕形或凹陷形。此外，第四圖案部分可以具有壓花形或凸起形，并且可以形成有尺寸小于突起13的尺寸的微突起。第三圖案部分包括第三凹凸結(jié)構(gòu)，第三凹凸結(jié)構(gòu)包括具有壓花形和平坦頂表面的突起13。第四圖案部分包括設(shè)置在第三凹凸結(jié)構(gòu)上且具有凹雕形的第四凹凸結(jié)構(gòu)。當(dāng)從頂部觀察時，第三圖案部分可以以矩陣形式或點(diǎn)陣形式布置。為了便于解釋，根據(jù)實(shí)施方案，將第三圖案部分描述為突起13，將第四圖案部分描述為凹部14，但實(shí)施方案不限于此。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115可以設(shè)置在發(fā)光器件101的最上層。但是，還可以將第一半導(dǎo)體層設(shè)置在發(fā)光器件101的最上層，實(shí)施方案不限于此。有源層117設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的底表面上。多個突起13從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面S3向上突出，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面S3與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的底表面相反，且凹部14形成在突起13中。突起13可以具有半球形、錐形、多棱錐形、柱形(如圓柱形或多棱柱形)或截頂錐形的側(cè)截面形狀。當(dāng)從頂部觀察時，每個突起13可以具有環(huán)形、多邊形或球和面的混合形狀。凹部14相對于每個突起13的表面向下凹陷。凹部14可以具有半球形、錐形、多棱錐形、柱形(如圓柱形或多棱柱形)或截頂錐形的側(cè)截面形狀。當(dāng)從頂部觀察時，每個凹部14可以具有環(huán)形、多邊形或球和面的混合形狀。凹部14可以從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面S3向下凹陷。凹部14的最大寬度可以小于突起13的最大寬度。凹部14的尺寸可以等于或小于突起13的尺寸的50%。例如，凹部14可以具有在突起13的尺寸的1/2至1/100的范圍內(nèi)的尺寸。突起13的尺寸可以是突起13的最大寬度、一個側(cè)邊的長度、半徑、厚度和高度L4中的至少之一。凹部14的尺寸可以是凹部14的最大寬度、每個側(cè)邊的長度、高度、深度、半徑和厚度中的至少之一。突起13的寬度或高度L4可以在0.Ιμπι至10 μ m的范圍內(nèi)，例如，可以比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的厚度小，在0.1ym至3μπι的范圍內(nèi)。突起13的寬度可以大于突起13的高度或厚度，但實(shí)施方案不限于此。在不規(guī)則的情況下，凹部14的寬度(S卩，凹部12的最大寬度)比突起13的寬度小，在0.1nm至IOOnm或者0.Ιμπι至100 μπι的范圍內(nèi)。兩個突起13之間的節(jié)距可以在0.1 μπι至IOOym的范圍內(nèi)，兩個凹部14之間的節(jié)距可以在
0.1 μ m至100 μ m的范圍內(nèi)。突起13可以改變?nèi)肷涔獾呐R界角，凹部14可以改變光入射到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的突起13和頂表面S3上的臨界角。如果第一圖案和第二圖案以彼此不同的尺寸設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上，則可以降低入射光的全反射率，使得能夠提高光提取效率。突起13可以以規(guī)則的間隔L3或隨機(jī)的間隔布置。此外，凹部12可以以規(guī)則的間隔或隨機(jī)的間隔布置。第四圖案部分的微凸凹部分的間隔可以比突起13的間隔L3窄。由于根據(jù)實(shí)施方案的第三圖案部分和第四圖案部分，所以可以移除設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120上的襯底，使得可以使光的傳播路徑變短。因此，能夠減少發(fā)光器件中由光的全反射引起的光損失。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119、有源層117限定。發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括II1-V族化合物半導(dǎo)體。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)120包括具有組成式InxAlyGa1^yN(O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的半導(dǎo)體，并且能夠發(fā)出具有在紫外線波段到可見光波段的波長范圍內(nèi)的預(yù)定峰值的波長的光。發(fā)光器件101的發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、有源層117和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119限定。發(fā)光結(jié)構(gòu)120可以具有n-p結(jié)結(jié)構(gòu)、p-η結(jié)結(jié)構(gòu)、n_p_n結(jié)結(jié)構(gòu)以及p-n-p結(jié)結(jié)構(gòu)中的一種。在這種情況下，符號“η”和“ρ”分別表示η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，符號表示兩個層直接或間接地彼此堆疊。在下文中，為了便于解釋，將第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119稱為發(fā)光結(jié)構(gòu)120的最上層。發(fā)光器件101可以通過從圖1所示的發(fā)光器件移除襯底而得到。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面設(shè)置在發(fā)光器件101的頂側(cè)。在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下形成有反射電極層131。反射電極層131包括歐姆接觸層、反射層、擴(kuò)散阻擋層和保護(hù)層中的至少之一。反射電極層131可以包括以下結(jié)構(gòu):歐姆接觸層/反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散阻擋層/保護(hù)層、歐姆接觸層/反射層/保護(hù)層、反射層/擴(kuò)散阻擋層或反射層。反射電極層131的結(jié)構(gòu)示于圖21中。反射電極層131可以包括透射電極層/反射層的堆疊結(jié)構(gòu)。反射電極層131可以包括選自ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、ATO (鋁錫氧化物)、620(鎵鋅氧化物)、5110、1110、1112110、2110、11<^和RuOx中的一種。反射層可以形成在透射電極層下。反射層包括具有第一折射率的第一層和具有第二折射率的第二層。反射層可以包括其中至少兩對第一層和第二層交替堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。第一折射率與第二折射率不同，第一層和第二層可以包括折射率為1.5至2.4的材料。例如，第一層和第二層可以包括導(dǎo)電材料或絕緣材料?？梢詫⑦@樣的結(jié)構(gòu)定義為DBR(分布式布拉格反射)結(jié)構(gòu)。在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和反射電極層131中的至少之一的表面上可以設(shè)置有光提取結(jié)構(gòu)如粗糙結(jié)構(gòu)。光提取結(jié)構(gòu)可以改變?nèi)肷鋵拥呐R界角以提高光提取效率。第一連接電極141和第二連接電極143可以用作用于供電的引線和散熱路徑。第一連接電極141和第二連接電極143可以具有柱形。例如，第一連接電極141和第二連接電極143可以具有球形、圓柱形、多棱柱形或隨機(jī)形狀。多棱柱形可以是或者不是等角柱形，實(shí)施方案不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面和底表面可以具有環(huán)形或多邊形，但實(shí)施方案不限于此。第一連接電極141和第二連接電極143的底表面面積可以不同于第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面面積。例如，第一連接電極141和第二連接電極143的底表面面積可以大于或小于第一連接電極141和第二連接電極143的頂表面面積。第一連接電極141和第二連接電極143中的至少之一小于發(fā)光結(jié)構(gòu)120的底表面的寬度并且大于第一電極135和第二電極137的底表面的直徑或?qū)挾?。第一連接電極141和第二連接電極143的直徑或?qū)挾仍贗 μ m至100000 μ m的范圍內(nèi)，第一連接電極141和第二連接電極143的高度在I μ m至100000 μ m的范圍內(nèi)。第一連接電極141的高度Hl可以比第二連接電極143的高度H2長，第一連接電極141和第二連接電極143的底表面可以布 置在相同的平面(即，水平平面)上?？梢酝ㄟ^使用一種金屬或合金將第一連接電極141和第二連接電極143制備為單層。該單層的寬度和高度在I Pm至100000 μ m的范圍內(nèi)。例如，該單層的厚度大于第二連接電極143的厚度。第一連接電極141和第二連接電極143可以包括選自Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W及其合金中的一種。為了提高與第一電極135和第二電極137的粘合強(qiáng)度，第一連接電極141和第二連接電極143可以鍍覆有金屬，所述金屬包括選自In、Sn、N1、Cu及其合金中的一種。此時，鍍層厚度可以在lA至100000人的范圍內(nèi)。第一連接電極141和第二連接電極143的表面上還可以設(shè)置有鍍層。鍍層可以包括錫或其合金、Ni或其合金或者錫-Ag-Cu。同時，鍍層可以具有約0.5μπι至IOym的厚度。鍍層能夠提高與其他接合層的接合強(qiáng)度。可以在反射電極層131下形成絕緣層133。詳細(xì)地，絕緣層133可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119的底表面、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119和有源層117的側(cè)邊以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的預(yù)定區(qū)域Al的底表面上。絕緣層133設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部區(qū)域的除反射電極層131、第一電極135和第二電極137的區(qū)域以外的區(qū)域上，以電保護(hù)發(fā)光結(jié)構(gòu)120的下部部分。絕緣層133包括通過使用含Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中的至少一種的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物形成的絕緣材料或絕緣樹脂。例如，絕緣層133可以包括選自Si02、Si3N4、Al203和TiO2中的一種。可以將絕緣層133制備為單層或多層，但實(shí)施方案不受限于此。當(dāng)出于倒裝接合的目的使在發(fā)光結(jié)構(gòu)下形成金屬結(jié)構(gòu)時，絕緣層133防止發(fā)光結(jié)構(gòu)120的層-層短路。絕緣層133可以僅形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的表面上，而不設(shè)置在反射電極層131的底表面上。由于在反射電極層131的底表面上設(shè)置有具有絕緣性能的支撐構(gòu)件151，所以絕緣層133可以不需要延伸至反射電極層131的底表面。絕緣層133具有DBR結(jié)構(gòu)，在DBR結(jié)構(gòu)中，具有彼此不同折射率的第一層和第二層交替布置。詳細(xì)地，第一層包括Si02、Si3N4、Al203和TiO2中的一種，第二層包括除第一層的材料以外的材料。絕緣層133可以具有在100 A至10000 A的范圍內(nèi)的厚度。如果將絕緣層133制備為多層，則各個層可以具有在I A個:50000 A或者100 A至10000 A的范圍內(nèi)的厚度。具有多層的絕緣層133的各個層的厚度可以根據(jù)發(fā)射波長改變反射效率。在這種情況下，可以省略反射電極層。第一連接電極141和第二連接電極143可以包括Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、N1、S1、Sn、Ta、T1、W及其合金。此外，第一連接電極141和第二連接電極143可以具有含In、Sn、N1、Cu及其合金的鍍層，以提高與第一電極135和第二電極137的粘合強(qiáng)度。在這種情況下，鍍層具有在I A至100000人的范圍內(nèi)的厚度。第一連接電極141和第二連接電極143被用作單金屬如焊球或金屬凸起，但實(shí)施方案不限于此。支撐構(gòu)件151用作支撐層以支撐發(fā)光器件100。支撐構(gòu)件151包括絕緣材料。例如，絕緣材料可以是樹脂包括娃樹脂或環(huán)氧樹脂。此外，絕緣材料可以包括糊料或絕緣墨。絕緣材料還可以包括選自聚丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂(PPE)、聚亞苯基氧化物樹脂(PPO)、聚亞苯基硫化物樹脂、氰酸酯樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰胺-胺樹狀聚合物(PAMAM)、聚丙烯-亞胺、樹狀聚合物(PPI)、具有PAMAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)和有機(jī)硅外表面的PAMAM-0S(有機(jī)硅)及其組合中的樹脂。用于支撐構(gòu)件151的材料可以不同于用于絕緣層133的材料。可以向支撐構(gòu)件151中添加至少一種化合物如含Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中的至少一種的氧化物、氮化物、氟化物或硫化物。添加到支撐構(gòu)件151中的化合物可以是散熱劑。散熱劑是具有預(yù)定尺寸的粉末顆粒、晶粒、填料或添加劑。在以下描述中，為了便于解釋，將描述含散熱劑的支撐構(gòu)件151。散熱劑可以包括具有I A至100000 A的尺寸的絕緣材料或?qū)щ姴牧?。為了提高散熱效率，散熱劑可以具?000 A至50000人的尺寸。散熱劑的晶?？梢跃哂星蛐位虿灰?guī)則形狀，但實(shí)施方案不限于此。散熱劑包括陶瓷材料。陶瓷材料包括選自LTCC (低溫共燒陶瓷)、HTCC (高溫共燒陶瓷)、氧化鋁、石英、鋯酸鈣、鎂橄欖石、SiC、石墨、熔融二氧化硅、莫來石、堇青石、氧化鋯、氧化鈹和氮化鋁中的至少一種。陶瓷材料可以包括熱導(dǎo)率高于氮化物或氧化物的金屬氮化物。例如，金屬氮化物可以包括熱導(dǎo)率等于或大于140W/mK的材料。例如，陶瓷材料包括選自 Si02、Six0y、Si3N4' SixNy、SiOxNy、Al2O3'BN、Si3N4' SiC (SiC-BeO)、BeO、CeO 和 AlN 中的一種。導(dǎo)熱材料可以包括C-組分，如金剛石或CNT。可以將支撐構(gòu)件151制備成單層或多層，實(shí)施例不限于此。在支撐構(gòu)件151中提供有陶瓷粉末，從而能夠提高支撐構(gòu)件151的強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。此外，添加到支撐構(gòu)件151中的散熱劑的量可以為按重量計(jì)1%至99%。為了提高散熱效率，可以將按重量計(jì)50%至99%的散熱劑添加到支撐構(gòu)件151中。由于將擴(kuò)散劑添加到支撐構(gòu)件151中，所以能夠進(jìn)一步提高支撐構(gòu)件151內(nèi)部的熱導(dǎo)率。此外，支撐構(gòu)件151具有4-ll[X106/°C]的熱膨脹系數(shù)。上述熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底的熱膨脹系數(shù)相等或相似，因此，晶片可以不會因支撐構(gòu)件151與設(shè)置在藍(lán)寶石襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)120之間的熱膨脹系數(shù)之間的差異而彎曲或被損壞，從而提高了發(fā)光器件的可靠性。支撐構(gòu)件151的底表面面積基本上等于發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂表面面積(即，支撐構(gòu)件151的頂表面面積)。 此外，支撐構(gòu)件151的底表面面積基本上等于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面面積。參照圖27，支撐構(gòu)件151的第一側(cè)邊的長度Dl與圖26所示的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第一側(cè)邊的長度基本相同，支撐構(gòu)件151的第二側(cè)邊的長度D2與圖26所示的發(fā)光結(jié)構(gòu)120的第二側(cè)邊的長度基本相同。此外，第一連接電極141與第二連接電極143之間的距離D5是兩個相鄰電極焊墊之間的間距，并且對應(yīng)于發(fā)光器件101的一個側(cè)邊的長度的1/2或更多。支撐構(gòu)件151的底表面是基本平坦的表面或者不規(guī)則的表面，但實(shí)施方案不限于此。支撐構(gòu)件151的第一區(qū)域的厚度Tl比第二連接電極143的厚度H2厚?；蛘撸螛?gòu)件151的第一區(qū)域的厚度Tl可以比第二連接電極143的厚度T2薄。如果絕緣層133的厚度比第二連接電極143的厚度厚，則支撐構(gòu)件151的厚度可以變薄。支撐構(gòu)件151的第二區(qū)域的厚度T2可以比第一連接電極141的厚度T2厚。支撐構(gòu)件151可以具有在I μ m至100000 μ m或者50μπι至1000 μ m的范圍內(nèi)的厚度。支撐構(gòu)件151的底表面低于第一電極135和第二電極137的底表面,并且與第一連接電極141以及第二連接電極143的底表面布置在相同的平面(即，水平平面)上。支撐構(gòu)件151與第一電極135和第二電極137以及第一連接電極141和第二連接電極143的外周表面接觸。因此，從第一電極135和第二電極137以及第一連接電極141和第二連接電極143引起的熱可以通過支撐構(gòu)件151擴(kuò)散并散發(fā)。通過包括于支撐構(gòu)件151中的散熱劑能夠提高支撐構(gòu)件151的熱導(dǎo)率，使得支撐構(gòu)件151能夠通過支撐構(gòu)件151的整個表面來散熱。因此，能夠提高發(fā)光器件100的耐熱可靠性。此外，支撐構(gòu)件151的側(cè)邊可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)120及襯底111的側(cè)邊布置在相同的
平面(即，垂直平面)上。發(fā)光器件101是通過倒裝方案安裝的，所以大多數(shù)光朝發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂表面發(fā)出，并且一些光通過發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)邊發(fā)出。從而能夠降低由第一電極135和第二電極137引起的光損失。因此，能夠提高發(fā)光器件101的光提取效率和散熱效率。圖27至圖29是示出發(fā)光器件的制造工藝的視圖。參照圖27，如果將圖9所示的晶片旋轉(zhuǎn)180°的角度，則襯底111位于發(fā)光器件的最上部的位置處，如圖27所示。在這種情況下，對襯底111進(jìn)行剝離工藝。采用剝離工藝從而以物理方案和/或化學(xué)方案移除襯底。根據(jù)物理方案，向襯底111上輻射激光以移除襯底111。此外，根據(jù)化學(xué)方案，在襯底111中形成孔，通過濕法蝕刻移除襯底111與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115之間的半導(dǎo)體層，從而將襯底111與發(fā)光結(jié)構(gòu)120分離。參照圖27和圖28，如果移除襯底111，那么如圖11所示，暴露出第一半導(dǎo)體層113，使得可以通過濕法蝕刻工藝移除第一半導(dǎo)體層113?；蛘?，可以不移除第一半導(dǎo)體層114。然后，通過第一蝕刻方案蝕刻第一半導(dǎo)體層115的上部，從而形成具有包括多個突起13的第三凹凸結(jié)構(gòu)的第三圖案部分。第一蝕刻方案包括濕法蝕刻和干法蝕刻中的至少一種。第三圖案部分的一部分從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的平坦頂表面突起或凹陷。參照圖29，通過第二蝕刻方案蝕刻第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的上部從而形成包括多個凹部14的第四圖案部分。第二蝕刻方案包括濕法蝕刻和干法蝕刻中的至少一種。第四圖案部分的一部分從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的平坦頂表面S3突起或凹陷作為凹陷結(jié)構(gòu)或粗糙結(jié)構(gòu)。將發(fā)光器件101在晶片水平封裝，并通過劃片、斷裂和/或切割作業(yè)分為單個芯片，從而可以提供圖29所示的發(fā)光器件。由于發(fā)光器件是在晶片水平封裝的，所以可以通過倒裝接合方案將發(fā)光器件安裝在模塊襯底上而無需使用導(dǎo)線。此外，由于出光面布置為朝向發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂表面和側(cè)邊，而不是電極，所以可以降低光損失，并且可以改善亮度和光分布。支撐構(gòu)件151的底表面面積可以等于或小于發(fā)光結(jié)構(gòu)120的頂表面面積，支撐構(gòu)件151的高度可以比第一電極135和第二電極137的厚度高到支撐構(gòu)件151可以與連接電極141和143的底表面布置在相同的水平平面上的程度。圖30是示出具有圖26所示的發(fā)光器件的發(fā)光裝置的視圖。參照圖30，發(fā)光器件101通過倒裝方案安裝在模塊襯底170上。絕緣層172設(shè)置在模塊襯底170的金屬層171上，第一電極焊墊173和第二電極焊墊174設(shè)置在絕緣層172上。第一電極焊墊173和第二電極焊墊174是用于供電的焊盤圖案。保護(hù)層175設(shè)置在絕緣層172的除第一電極焊墊173和第二電極焊墊174的區(qū)域以外的區(qū)域上。保護(hù)層175是阻焊層或絕緣層，并且包括白色保護(hù)層或綠色保護(hù)層。保護(hù)層175有效地反射光，使得能夠增加反射光的量。模塊襯底170可以包括具有電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。模塊襯底170還可以包括樹脂PCB、金屬芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件101的第一連接電極141布置為對應(yīng)于第一電極焊墊173的頂表面,發(fā)光器件101的第二連接電極143布置為對應(yīng)于第二焊墊174的頂表面。第一焊墊173通過接合材料177與第一連接電極141接合，第二焊墊174通過接合材料177與第二連接電極143接合。發(fā)光器件101的第一連接電極141和第二連接電極143的底表面與模塊襯底170的頂表面之間的距離等于支撐構(gòu)件151的底表面與模塊襯底170的頂表面之間的距離。雖然已描述了一個發(fā)光器件101安裝在模塊襯底170上,但是模塊襯底170上可以排列多個發(fā)光器件，實(shí)施方案不限于此。此外，發(fā)光器件101在其上部提供有第三圖案部分和第四圖案部分，使得能夠提高光提取效率。圖31是示出根據(jù)第十一實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖31，發(fā)光器件包括設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的與支撐構(gòu)件151相反的頂表面上的磷光體層161。磷光體層161可以包括磷光體膜或涂覆層，并且可以制備為單層或多層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與磷光體層161之間形成有透射樹脂層160，并且透射樹脂層160的厚度可以等于或大于第三圖案部分的突起13的厚度。透射樹脂層160可以包括樹脂材料如硅樹脂或環(huán)氧樹脂，但實(shí)施方案不限于此。透射樹脂層160可以接合至磷光體層161。透射樹脂層161設(shè)置在凹部14中。磷光體層161包括含磷光體材料的透射樹脂層。透射樹脂層包括硅樹脂或環(huán)氧樹月旨，磷光體材料包括選自YAG、TAG、硅酸鹽/酯、氮化物、基于氧氮化物的材料中的一種。磷光體材料包括選自紅色磷光體材料、黃色磷光體材料和綠色磷光體材料中的至少一種，并且激發(fā)從有源層117發(fā)出的一部分光，使得光具有各種波長。磷光體層161設(shè)置在襯底111的頂表面SI和襯底111以及發(fā)光結(jié)構(gòu)120的至少一個側(cè)邊S2上。磷光體層161具有在I μ m至100000 μ m或者I μ m至10000 μ m的范圍內(nèi)
的厚度。磷光體層161可以包括多個彼此不同的磷光體層，其中第一層是紅色磷光體層、黃色磷光體層和綠色磷光體層中的一種，第二層設(shè)置在第一層上而與第一層不同。兩個不同的磷光體層可以分別設(shè)置在彼此不重疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域上。含透射樹脂材料的保護(hù)層可以設(shè)置在磷光體層161和發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)邊上，但實(shí)施方案不限于此。圖32是示出根據(jù)第十二實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖32，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的上部形成有多個突起115A。突起115A與支撐構(gòu)件151相反地突出，以改變光入射通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的臨界角。因此，能夠提高發(fā)光器件的光提取效率。突起115A可以具有透鏡形狀或多邊形狀，并且以條形圖案或矩陣的形式布置。每個突起115A可以具有三維結(jié)構(gòu)，如多棱角結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115在其頂表面S3上設(shè)置有包括從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115凹陷的多個第一凹部13A的第三圖案部分，以及在與第一凹部13A平坦化的頂表面S3上設(shè)置第三圖案部分，所述第四圖案部分包括尺寸等于或小于第一凹部13A的尺寸的50%的第二凹部14。因此，除包括第一凹部13A的凹凸結(jié)構(gòu)以外，微凹凸結(jié)構(gòu)還可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面S3上。微凹凸結(jié)構(gòu)的間隔可以比第一凹部13A的間隔窄。第一凹部13A和第二凹部14的尺寸和形狀示于圖26中。
磷光體層162設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的上部。磷光體層162的底表面具有沿突起13A延伸的凹凸形狀，磷光體層162的頂表面具有第二凹凸結(jié)構(gòu)，第二凹凸結(jié)構(gòu)是由第四圖案部分限定的微凹凸結(jié)構(gòu)。磷光體層162可以設(shè)置在第二凹部14中。磷光體層162可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面或者頂表面的一部分上。此外，磷光體層162可以設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)邊上，但實(shí)施方案不限于此。圖33是示出根據(jù)第十三實(shí)施方案的發(fā)光器件的視圖，圖34是圖33的底視圖。參照圖33和圖34，在支撐構(gòu)件152與支撐構(gòu)件152A之間形成有隔離槽152B。隔離槽152B將支撐構(gòu)件152和支撐構(gòu)件152A彼此分離。第一支撐構(gòu)件152圍繞第一連接電極141設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一側(cè)下。第二支撐構(gòu)件152A圍繞第二連接電極143設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)120的另一側(cè)下。隔離槽152B將第一支撐構(gòu)件152與第二支撐構(gòu)件152A物理分離和電分離，并暴露出形成在隔離槽152B下的絕緣層133。絕緣材料可以填充在隔離槽152B中，絕緣材料的底表面與第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A的底表面布置在相同的平面上。第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A可以包括絕緣材料或?qū)щ姴牧?。絕緣材料包括具有散熱劑的樹脂材料。導(dǎo)電材料包括碳、SiC或金屬。如果第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A包括導(dǎo)電材料,則第一電極141和第二電極142包括與該導(dǎo)電材料不同的材料。由于包括導(dǎo)電材料的第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A通過隔離槽152B而彼此分離，從而能夠防止電短路。隔離槽152B具有對應(yīng)于第一支撐構(gòu)件152與第二支撐構(gòu)件152A之間的距離的寬度D6和對應(yīng)于第二支撐構(gòu)件152A的高度Tl的深度。隔離槽152B防止在第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A之間的電干擾。第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A的底表面與第一連接電極141和第二連接電極143的底表面布置在相同的平面(即，水平平面)上。第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A可以通過第一連接電極141和第二連接電極143安裝，即使第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A包括導(dǎo)電材料也是如此。在第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A之間還可以進(jìn)一步設(shè)置有絕緣材料(包括陶瓷材料)。在這種情況下，陶瓷材料與第一支撐構(gòu)件152和第二支撐構(gòu)件152A的底表面布置在相同的水平平面上。透射樹脂層160可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上以及凹部14中。圖35是根據(jù)第十四實(shí)施方案的發(fā)光器件的視圖，圖36是圖35的底視圖。 參照圖35和圖36，發(fā)光器件包括在第一連接電極141和第二連接電極143周圍布置的多個支撐構(gòu)件153和153A。第一連接電極141的外周部分覆蓋有第一支撐構(gòu)件153，第二連接電極143的外周部分覆蓋有第二支撐構(gòu)件153A。第一支撐構(gòu)件153和第二支撐構(gòu)件153A可以包括絕緣材料或?qū)щ姴牧?。第一支撐?gòu)件153的寬度W3比第一連接電極141的寬度寬，使得第一支撐構(gòu)件153可以與第一連接電極141 一起用作導(dǎo)熱和導(dǎo)電路徑。第二支撐構(gòu)件153A的寬度W4比第二連接電極143的寬度寬，使得第二支撐構(gòu)件153A可以與第二連接電極143 —起用作導(dǎo)熱和導(dǎo)電路徑。第一支撐構(gòu)件153與第二支撐構(gòu)件153A之間的距離D7是發(fā)光結(jié)構(gòu)120的一個側(cè)邊的長度的至少1/2。在第一支撐構(gòu)件I53與第二支撐構(gòu)件153A之間還可以設(shè)置有絕緣材料(包括陶瓷材料)。在這種情況下，陶瓷材料與第一支撐構(gòu)件153和第二支撐構(gòu)件153A的底表面布置在相同的平面(水平平面)上。透射樹脂層160可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上以及凹部14中。圖37是示出根據(jù)第十五實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖37，第一連接電極141A的寬度W5可以比第一電極135的寬度寬，第一連接電極141A和第一電極135的側(cè)邊可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)邊布置在相同的平面(垂直平面)上?？梢晕g刻發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al，使得可以暴露出第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的蝕刻區(qū)域。發(fā)光結(jié)構(gòu)120的邊緣區(qū)域與發(fā)光結(jié)構(gòu)120的側(cè)邊以沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的邊緣區(qū)域的預(yù)定距離D8間隔開，并且可以形成為環(huán)形。第一電極135的部分135A沿第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的邊緣區(qū)域形成為環(huán)形。環(huán)形可以包括開放環(huán)形或閉合環(huán)形。第二連接電極143A的寬度W6可以比第二電極137的寬度寬。在磷光體層161的表面161A上可以設(shè)置有光提取結(jié)構(gòu)如粗糙結(jié)構(gòu)。第三圖案部分的突起13和第四圖案部分的凹部14以彼此不同的尺寸形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的上部。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115與磷光體層161之間形成有透射樹脂層160。透射樹脂層160設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上以及凹部14中。圖38是根據(jù)第十六實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖38,發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115、磷光體層163和透鏡164。磷光體層163設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面上,透鏡164設(shè)置在磷光體層163上。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115的頂表面上可以形成有第一圖案部分和第二圖案部分，但實(shí)施方案不限于此。根據(jù)實(shí)施方案，在磷光體層163與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115之間還可以形成有第一半導(dǎo)體層如緩沖層或低導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。此外，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115和第一半導(dǎo)體層上可以設(shè)置有第三圖案部分的突起13。另外，在突起13的頂表面和第一半導(dǎo)體層上可以設(shè)置有第四圖案部分的凹部14。磷光體層163可以設(shè)置在凹部14中。磷光體層163具有預(yù)定厚度，并且設(shè)置在磷光體層163上的透鏡164可以具有凸透鏡形。透鏡164還可以具有凹透鏡形或有凹凸圖案的非球面透鏡形，實(shí)施方案不限于此。透鏡164可以在其頂表面的中心處形成有相對于周圍區(qū)域凹下的凹陷。在反射電極層131下形成有多個第二電極137，第二連接電極143布置在第二電極137下。第二連接電極143彼此以預(yù)定間隔T3間隔開。當(dāng)從發(fā)光器件的底部觀察時，第二連接電極143以點(diǎn)矩陣的形式布置。支撐構(gòu)件151設(shè)置在第一連接電極141與第二連接電極143之間以及第二連接電極143之間以作為絕緣支撐層。由于第二連接電極143設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)下，所以可以提高支撐構(gòu)件151的強(qiáng)度并且可以提高電接觸效率。此外，可以防止發(fā)光器件的第二連接電極143處發(fā)生接合缺陷。可以提供多個第一連接電極141，實(shí)施方案不限于此。圖39是示出根據(jù)第十七實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面視圖。參照圖39，發(fā)光結(jié)構(gòu)120的預(yù)定區(qū)域Al是蝕刻區(qū)域以在多個區(qū)域處暴露出第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115。第一電極135設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下,第二電極137設(shè)置在反射電極層131下。由于第一電極135和第二電極137交替布置，所以能夠均勻地提供電流。發(fā)光結(jié)構(gòu)120由多個單元限定，從而能夠增強(qiáng)亮度。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115在其頂部形成有包括多個突起13的第三圖案部分和包括多個凹部14的第四圖案部分，凹部14的尺寸等于或小于第三圖案部分的突起13的尺寸的50%。由于第三圖案部分和第四圖案部分具有微凹凸結(jié)構(gòu)，所以可以改變?nèi)肷涔獾呐R界角。因此，可以增加通過發(fā)光結(jié)構(gòu)120的上部所提取的光的量。在發(fā)光結(jié)構(gòu)120與磷光體層165之間可以設(shè)置有透射樹脂層160，但實(shí)施方案不限于此。透射樹脂層160可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115上以及凹部14中。圖40是示出根據(jù)第十八實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)截面圖。在第九實(shí)施方案的下述描述中，將使用與第一實(shí)施方案所述的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記來表示相同的構(gòu)件或結(jié)構(gòu)，并且將省略其詳細(xì)描述以避免冗余。參照圖40，在發(fā)光結(jié)構(gòu)120下設(shè)置有反射電極層130和第二電極焊墊132，并且反射電極層130在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下用作歐姆電極和反射電極。第二電極焊墊132具有分層形狀或圖案形狀。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115下設(shè)置有第一電極焊墊134。第一電極焊墊134與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115接觸，并接合在第一電極接合層136與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層115之間。第一電極接合層136接合在第一電極焊墊134與第一連接電極141之間以電連接第一電極焊墊134與第一連接電極141。第一電極接合層136包括第一接合電極136A和在第一接合電極136A下的第二接合電極136B。第一接合電極136A接合至第一電極焊墊134,第二接合電極136B接合在第一連接電極141與第一接合電極136A之間。第一電極焊墊134具有材料和厚度與第二電極焊墊132的堆疊結(jié)構(gòu)的材料和厚度相同的結(jié)構(gòu)，在下文中將對其進(jìn)行描述。例如，第一電極焊墊134和第二電極焊墊132包括粘合層、在粘合層下的反射層、在反射層下的擴(kuò)散阻擋層和在擴(kuò)散阻擋層下的接合層。第一電極接合層136接合在第一連接電極141與第一電極焊墊134之間，以增強(qiáng)第一連接電極141與第一電極焊墊134之間的接合性能。第一電極接合層136的第一接合電極136A與接合至第一連接電極141的第二接合電極136B接合,使得能夠提高第一連接電極141的物理接合性能和電連接性能。反射電極層130形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層119下，第二電極焊墊132形成在反射型電極層130下。反射電極層130的底表面面積可以等于或小于第二電極焊墊132的頂表面面積，但實(shí)施方案不限于此。第二電極接合層138形成在第二電極焊墊132與第二連接電極143之間，以提高第二電極焊墊132與第二連接電極143之間的接合強(qiáng)度。第二電極接合層138連接第二電極焊墊132與第二連接電極143。第二電極接合層138包括第三接合電極138A和在第三接合電極138A下的第四接合電極138B。第三接合電極138A接合至第二電極焊墊132，第四接合電極138B接合在第二連接電極143與第三接合電極138A之間。第二電極接合層138接合在第二連接電極143與第二電極焊墊132之間，以增強(qiáng)第二連接電極143與第二電極焊墊132之間的接合性能。第一電極焊墊134用作第一電極，第二電極焊墊132用作第二電極。圖41是示出具有圖26的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的截面視圖。參照圖41，發(fā)光器件封裝件201包括本體211、安裝于本體211中的第一引線電極215和第二引線電極217、模制構(gòu)件219和發(fā)光器件101。
本體211是通過使用高反射性樹脂(例如，PPA)、聚合材料或塑性材料中的一種注塑模制的，并且可以制備為具有單層或多層的襯底。本體211包括具有開放頂表面的腔212，其中腔212的側(cè)壁212A傾斜或垂直于腔212的底表面。第一引線電極215和第二引線電極217設(shè)置在腔212中，使得第一引線電極215與第二引線電極217彼此間隔開。根據(jù)前述實(shí)施方案的發(fā)光器件100通過倒裝方案接合至第一引線電極215和第二引線電極217上。詳細(xì)地，發(fā)光器件101的第一連接電極141接合至第一引線電極215，發(fā)光器件101的第二連接電極143接合至第二引線電極217。第一引線電極215的頂表面與發(fā)光器件100的底表面(即，第一連接電極141、第二連接電極143和支撐構(gòu)件151的底表面)之間的距離可以等于第二引線電極217的頂表面與發(fā)光器件100的底表面之間的距離，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件101的支撐構(gòu)件151設(shè)置在第一引線電極215和第二引線電極217上，以通過支撐構(gòu)件151的整個表面散發(fā)熱。模制構(gòu)件219形成在腔212中。模制構(gòu)件219包括透射樹脂材料如硅或樹脂環(huán)氧樹脂。模制構(gòu)件219可以進(jìn)一步包括磷光體材料。從發(fā)光器件100產(chǎn)生的大多數(shù)光通過發(fā)光器件100的頂表面和側(cè)邊提取，并且所提取的光通過模制構(gòu)件219散射到外部。如圖26所示，由于第三圖案部分和第四圖案部分，可以增加通過發(fā)光器件100的頂表面所提取的光的量，從而能夠減少發(fā)光器件101中的光損失?？梢栽诎l(fā)光器件封裝件201中安裝一個或多個發(fā)光器件，但實(shí)施方案不限于此。如果在發(fā)光器件封裝件中安裝圖31所示的具有磷光體層的發(fā)光器件，則可以不向模制構(gòu)件219中添加磷光體材料。此外，可以向模制構(gòu)件219中添加彼此不同的各種磷光體材料或者發(fā)出類似的顏色的磷光體材料〈照明系統(tǒng)〉根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以應(yīng)用于照明系統(tǒng)。照明系統(tǒng)包括其中排列有多個發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。照明系統(tǒng)包括圖42和圖43所示的顯示裝置，圖44所示的光單元、照明燈、信號燈、車輛前燈和電子顯示器。圖42是示出具有根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的顯示裝置的分解立體圖。參照圖42，根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置1000包括導(dǎo)光板1041、給導(dǎo)光板1041提供光的發(fā)光模塊1031、在導(dǎo)光板1041下的反射構(gòu)件1022、在導(dǎo)光板1041上的光學(xué)片1051、在光學(xué)片1051上的顯示面板1061以及容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構(gòu)件1022的底蓋1011，但實(shí)施方案不限于此。底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041、光學(xué)片1051可以定義為光單元1050。導(dǎo)光板1041散射從發(fā)光模塊1031提供的光以提供平面光。導(dǎo)光板1041可以包括透明材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包括丙烯酸基樹脂如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)樹脂、PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)樹脂、PC(聚碳酸脂)樹脂、COC(環(huán)狀烯烴共聚物)樹脂以及PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)樹脂中的一種。發(fā)光模塊1031設(shè)置在導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)上以給導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)提供光。發(fā)光模塊1031用作顯不器件的光源。
至少一個發(fā)光模塊1031設(shè)置為從導(dǎo)光板1041的一側(cè)直接或間接地提供光。發(fā)光模塊1031可以包括板1033以及根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件100。發(fā)光器件或發(fā)光器件100布置在板1033上，但是彼此以預(yù)定間隔間隔開。板1033可以包括含電路圖案(未示出)的印刷電路板(PCB)。此外，板1033可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或者柔性PCB (FPCB)以及普通PCB，但實(shí)施方案不限于此。如果發(fā)光器件100安裝在底蓋1011的側(cè)面或者散熱板上，則可以省略板1033。散熱板與底蓋1011的頂表面部分地接觸。此外，發(fā)光器件100布置為使得將發(fā)光器件100的光的發(fā)出的出光面與導(dǎo)光板1041在板1033上間隔開預(yù)定距離，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件100可以直接或間接地為作為導(dǎo)光板1041的一側(cè)的入光面提供光，但實(shí)施方案不限于此。反射構(gòu)件1022可以設(shè)置在導(dǎo)光板1041下。反射構(gòu)件1022將向下傳播通過導(dǎo)光板1041的底表面的光反射到顯示面板1061，從而增強(qiáng)光單元1050的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以包括PET、PC和PVC樹脂，但是不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作底蓋1011的頂表面，但實(shí)施方案不限于此。底蓋1011可以在其中容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構(gòu)件1022。為此，底蓋1011具有頂表面開口的盒形容納部1012，但實(shí)施方案不限于此。底蓋1011可以與頂蓋(未示出)耦接，但實(shí)施方案不限于此。底蓋1011可以通過使用金屬材料或者樹脂材料形成，并且可以通過使用壓制工藝或者擠出工藝來制造。此外，底蓋1011可以包括金屬材料或具有良好熱導(dǎo)率的非金屬材料，但實(shí)施方案不限于此。例如，顯示面板1061是IXD面板，其包括彼此相對的第一透明基板和第二透明基板以及介于第一基板與第二基板之間的液晶層。顯示面板1061的至少一個表面可以附接有起偏光片，但實(shí)施方案不限于此。顯示面板1061通過允許光穿過來顯示信息。顯示器件1000可以應(yīng)用于各種移動終端、筆記本電腦的監(jiān)視器、便攜式電腦的監(jiān)視器以及電視機(jī)。光學(xué)片1051設(shè)置在顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間，并且包括至少一個透射片。例如，光學(xué)片1051包括選自擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片和增亮片中的至少一種。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光匯聚到顯示面板1061上，增亮片通過重新利用損失的光來增強(qiáng)亮度。此外，顯示面板1061上可以設(shè)置有保護(hù)片，但實(shí)施方案不限于此。導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以設(shè)置在發(fā)光模塊1031的光路中作為光學(xué)構(gòu)件,但實(shí)施方案不限于此。圖43是示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置的截面視圖。參照圖43，顯示裝置1100包括:底蓋1152、在其上排列發(fā)光器件100的板1120、光學(xué)構(gòu)件1154和顯不面板1155。板1120和發(fā)光器件100可以構(gòu)成發(fā)光模塊1160。此外,底蓋1152、至少一個發(fā)光模塊1160和光學(xué)構(gòu)件1154可以構(gòu)成光單元。底蓋1152可以設(shè)置有容納部1153，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光模塊1160包括板1120、排列在板1120上的多個發(fā)光器件100、或發(fā)光器件 100。光學(xué)構(gòu)件1154可以包括選自透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和垂直棱鏡片以及增亮片中的至少一種。導(dǎo)光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)?？梢允÷詫?dǎo)光板。擴(kuò)散片擴(kuò)散入射光，水平和垂直棱鏡片將入射光匯聚到顯示面板1061上，增亮片通過重新利用損失的光來增強(qiáng)亮度。光學(xué)構(gòu)件1154設(shè)置在發(fā)光模塊1160上以將從發(fā)光模塊1160發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為平面光。圖44是示出具有根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的光單元的分解立體圖。參照圖44，光單元1500可以包括殼1510、包括在殼1510中的發(fā)光模塊1530、包括在殼1510中并從外部光源供電的接線端子1520。優(yōu)選地，殼1510可以由具有良好隔熱性的材料(例如，金屬材料或樹脂材料)形成。發(fā)光模塊1530可以包括板1532、安裝在板1532上的至少一個根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件100。發(fā)光器件100可以包括以矩陣構(gòu)造彼此間隔開預(yù)定距離設(shè)置的多個發(fā)光器件封裝件。板1532可以是其上印刷有電路圖案的絕緣襯底，并且可以包括例如印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB、FR-4基板等。此外，板1532可以由能夠有效地反射光的材料形成，并且板1532的表面可以形成為能夠有效地反射光的顏色如白色或銀色。板1532上可以安裝至少一個發(fā)光器件100。各個發(fā)光器件100可以包括至少一個發(fā)光二極管(LED)芯片。LED芯片可以包括發(fā)出紅光、綠光、藍(lán)光或白光的彩色LED以及發(fā)出紫外光(UV)的UV LED。發(fā)光模塊1530可以具有各種發(fā)光器件的組合，以獲得期望的顏色和亮度。例如，發(fā)光模塊1530可以具有白光LED、紅光LED以及綠光LED的組合，以獲得高的顯色指數(shù)(CRI)。接線端子1520可以電連接至發(fā)光模塊1530以供電。接線端子1520可以旋擰并耦接至插座型外部電源，但是本公開不限于此。例如，接線端子1520可以制作成管腳類型并且插入到外部電源中，或者可以通過電源線連接至外部電源。制造根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法包括以下步驟:在襯底上形成包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)使得部分地暴露出第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成反射電極層；在反射電極層和發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成絕緣層；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成第一電極并在反射電極層上形成第二電極；在第一電極上形成第一連接電極并在第二電極上形成第二連接電極；在絕緣層上形成支撐層，使得支撐層具有對應(yīng)于第一連接電極和第二連接電極的頂表面的高度；在形成支撐層之后移除襯底；蝕刻其中襯底被移除的發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面以形成具有凹形和凸形中的至少一個的第三圖案部分和發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面和突起上具有微凹凸結(jié)構(gòu)的第四圖案部分，微凹凸結(jié)構(gòu)的寬度小于第三圖案部分的突起的寬度，其中在支撐構(gòu)件中形成有陶瓷基散熱劑。制造根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的方法包括以下步驟:在襯底上形成包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)使得部分地暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成反射電極層；在反射電極層和發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成絕緣層。在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上形成第一電極并在反射電極層上形成第二電極；在第一電極上形成第一連接電極并在第二電極上形成第二連接電極；在絕緣層上形成支撐層，使得支撐層具有對應(yīng)于第一連接電極和第二連接電極的頂表面的高度；蝕刻襯底的底表面以形成具有凹形和凸形中的至少一個的第一圖案部分和在襯底的頂表面和第一圖案部分上具有微凹凸結(jié)構(gòu)的第二圖案部分，第二圖案部分的尺寸小于第一圖案部分的尺寸，其中在支撐構(gòu)件中形成有陶瓷基散熱劑。實(shí)施方案具有下述效果。根據(jù)實(shí)施方案，能夠在倒裝安裝方案中改進(jìn)發(fā)光器件的安裝工藝。根據(jù)實(shí)施方案，在晶片水平封裝發(fā)光器件，使得能夠省略封裝工藝，從而減少制造步驟。根據(jù)實(shí)施方案，能夠提高發(fā)光器件的光提取效率。根據(jù)實(shí)施方案，能夠提高發(fā)光器件的光散射效率。根據(jù)實(shí)施方案，襯底的頂表面上設(shè)置有尺寸彼此不同的凹凸結(jié)構(gòu)，使得能夠提高光提取效率。根據(jù)實(shí)施方案，發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面上設(shè)置有尺寸彼此不同的凹凸結(jié)構(gòu)，使得能夠提高光提取效率。根據(jù)實(shí)施方案，能夠提高通過倒裝方案安裝的具有發(fā)光器件的發(fā)光裝置、顯示器件和照明器件的可靠性。本說明書中對于“一個實(shí)施方案”、“實(shí)施方案”、“示例實(shí)施方案”等的任意引用表示結(jié)合實(shí)施方案描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或者特性包括在本發(fā)明的至少一個實(shí)施方案中。本說明書中的各個位置出現(xiàn)的這樣的措辭并非都涉及相同的實(shí)施方案。此外，在結(jié)合任意實(shí)施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認(rèn)為將這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性與實(shí)施方案的其它特征、結(jié)構(gòu)或特性結(jié)合在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍內(nèi)。雖然已參照大量示意性實(shí)施方案描述了實(shí)施方案，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)設(shè)計(jì)出大量其它修改和實(shí)施方案。更具體地，可以在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對主題組合設(shè)置的部件和/或設(shè)置進(jìn)行各種變化和修改。除了部件和/或設(shè)置方面的變化和修改，替選用途對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括: 透射襯底； 設(shè)置在所述透射襯底的頂表面上并且包括多個突起的第一圖案部分； 設(shè)置在所述透射襯底的頂表面上并且包括多個凹部的第二圖案部分，每個凹部的寬度小于每個突起的寬度； 設(shè)置在所述透射襯底下并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)； 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的第一電極； 在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層； 在所述反射電極層下的第二電極； 在所述第一電極下的·第一連接電極； 在所述第二電極下的第二連接電極；以及 設(shè)置在所述第一電極和所述第一連接電極周圍以及在所述第二電極和所述第二連接電極周圍并且包括陶瓷基散熱劑的絕緣支撐構(gòu)件。
2.權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述多個凹部分別設(shè)置在所述突起上。
3.權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述多個突起具有半球形狀。
4.權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述多個突起以規(guī)則的間隔布置，所述凹部以不規(guī)則的間隔布置。
5.權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述多個凹部中的每一個的寬度對應(yīng)于所述多個突起中的每一個的寬度的50%或更小。
6.權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中所述多個突起中的每一個的寬度在0.Ιμπι至10 μ m的范圍內(nèi)。
7.權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括在所述透射襯底上的磷光體層，其中所述磷光體層的一部分設(shè)置在所述多個凹部中。
8.權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，還包括在所述透射襯底與所述磷光體層之間的透射樹脂層。
9.權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述襯底的底表面上的多個突起。
10.權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述陶瓷基散熱劑包括以下中的至少之一:含Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中的至少之一的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物。
11.權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述支撐構(gòu)件的底表面與所述第一連接電極和所述第二連接電極的底表面布置在相同的水平平面上。
12.權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述反射電極層包括: 與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)接觸的歐姆接觸層； 在所述歐姆接觸層下的反射層；和 在所述反射層下的第一擴(kuò)散阻擋層； 其中所述第一電極和所述第二電極中的至少之一包括: 接合在所述第一擴(kuò)散阻擋層下的第一粘合層； 在所述第一粘合層下的第二擴(kuò)散阻擋層；和在所述第二擴(kuò)散阻擋層下的第一接合層。
13.權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，還包括: 接合在所述第一電極與所述第一連接電極之間的第一電極接合層；和 接合在所述第二電極與所述第二連接電極之間的第二電極接合層。
14.權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極接合層包括: 接合至所述第一電極的第一接合電極；和 接合在所述第一連接電極與所述第一接合電極之間的第二接合電極，并且 所述第二電極接合層包括: 接合至所述第二電極的第三接合電極；和 接合在所述第二連接電極與所述第三接合電極之間的第四接合電極。
15.—種發(fā)光器件,包括: 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的有源層； 在所述有源層下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 設(shè)置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上并且包括多個突起的第一圖案部分； 設(shè)置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上并且包括多個凹部的第二圖案部分，每個凹部的寬度小于每個突起的寬 度； 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的第一電極； 在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層； 在所述反射電極層下的第二電極； 在所述第一電極下的第一連接電極； 在所述第二電極下的第二連接電極；以及 設(shè)置在所述第一電極和所述第一連接電極周圍以及在所述第二電極和所述第二連接電極周圍并且包括陶瓷基散熱劑的絕緣支撐構(gòu)件。
16.權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中每個凹部的寬度對應(yīng)于所述多個突起中的每一個的寬度的50%或更小。
17.權(quán)利要求權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其中所述多個突起中的每一個的寬度在μπι至3μηι的范圍內(nèi)。
18.權(quán)利要求15至17中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述陶瓷基散熱劑包括以下中的至少之一:含Al、Cr、S1、T1、Zn和Zr中的至少之一的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物。
19.權(quán)利要求15至17中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述支撐構(gòu)件的底表面與所述第一連接電極和所述第二連接電極的底表面布置在相同的水平平面上，并且 所述發(fā)光器件還包括: 包括接合在所述第一電極與所述第一連接電極之間的多個接合電極的第一電極接合層；以及 包括接合在所述第二電極與所述第二連接電極之間的多個接合電極的第二電極接合層。
20.一種發(fā)光裝置，包括: 發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括形成在所述發(fā)光器件的下部的支撐構(gòu)件以及暴露于所述支撐構(gòu)件的底表面的第一連接電極和第二連接電極； 多個引線框，所述發(fā)光器件的所述第一連接電極和所述第二連接電極安裝在所述多個引線框上；以及 本體，所述引線框安裝在所述本體上， 其中所述發(fā)光器件包括: 透射襯底； 設(shè)置在所述透射襯底的頂表面上并且包括多個突起的第一圖案部分； 設(shè)置在所述透射襯底的頂表面上并且包括多個凹部的第二圖案部分，每個凹部的寬度小于每個突起的寬度； 設(shè)置在所述透射襯底下并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)； 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與所述第一連接電極之間的第一電極； 在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層；以及在所述反射電極層與所述第二連接電極之間的第二電極，以及其中所述支撐構(gòu)件設(shè)置在 所述第一電極和所述第一連接電極周圍以及在所述第二電極和所述第二連接電極周圍并且包括陶瓷基散熱劑，并且 其中所述發(fā)光器件的所述第一連接電極和所述第二連接電極與所述支撐構(gòu)件的底表面具有對應(yīng)于所述引線框的頂表面的間隔。
全文摘要
本發(fā)明涉及發(fā)光器件以及具有該發(fā)光器件的發(fā)光裝置。根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件包括透射襯底；包括多個突起的第一圖案部分；包括多個凹部的第二圖案部分，每個凹部的寬度小于每個突起的寬度；設(shè)置在透射襯底下并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層以及在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的第一電極；在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層下的反射電極層；在反射電極層下的第二電極；在第一電極下的第一連接電極；在第二電極下的第二連接電極；以及設(shè)置在第一電極和第一連接電極周圍以及第二電極和第二連接電極周圍并且包括陶瓷基散熱劑的絕緣支撐構(gòu)件。
文檔編號H01L33/22GK103117347SQ20121046654
公開日2013年5月22日 申請日期2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者姜弼根, 崔熙石, 崔錫范, 李珠源, 黃德起, 韓伶妵 申請人:Lg伊諾特有限公司