專利名稱：陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay,簡稱TFT-LCD)具有體積小，功耗低，無輻射等特點(diǎn)，近年來得到迅速發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。TFT-IXD的主體結(jié)構(gòu)包括對盒的陣列基板和彩膜基板，其中，陣列基板上形成有柵線、數(shù)據(jù)線、以及以矩陣形式排列的薄膜晶體管和像素電極。TFT-LCD的顯示原理為以薄膜晶體管作為開關(guān)對液晶施加驅(qū)動電場來控制液晶的旋轉(zhuǎn)，從而控制TFT-LCD的顯示過程。其中，驅(qū)動電場由像素電極和透明公共電極產(chǎn)生。根據(jù)驅(qū)動電場的 方向?qū)FT-IXD分為以橫向電場作為驅(qū)動電場的TFT-IXD (如IPS型TFT-IXD)、以縱向電場作為驅(qū)動電場的TFT-IXD(如TN型TFT-IXD和ITN型TFT-IXD)、以及以多維電場作為驅(qū)動電場的 TFT-LCD (如ADS 型 TFT-LCD )。其中，ADS(或稱 AD-SDS, ADvanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠廣生旋轉(zhuǎn)，從而提聞了液晶工作效率并增大了透光效率。聞級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提聞TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。對于以橫向電場或多維電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD,其透明公共電極和公共電極線均形成在陣列基板上，透明公共電極和公共電極線相連接，共同形成公共電極阻抗網(wǎng)絡(luò)。且由于公共電極線在工藝上一般與柵金屬線同時(shí)形成，兩者同層分布，之間有一定的間距，但為了盡量提高顯示屏的透過率，公共電極線一般比較細(xì)，導(dǎo)致阻抗較大；同時(shí)公共電極線和數(shù)據(jù)線存在交疊電容，且數(shù)據(jù)線與透明公共電極之間還存在耦合電容，數(shù)據(jù)信號會對公共電極網(wǎng)絡(luò)的電壓產(chǎn)生串?dāng)_，影響公共電極網(wǎng)絡(luò)電壓的均勻性及穩(wěn)定性，進(jìn)而影響液晶上的實(shí)際電壓差值，影響顯示畫面。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明主要是提供一種陣列基板制造方法，用以解決以橫向電場或多維電場作為驅(qū)動電場的TFT-LCD陣列基板上公共電極線與柵線同層分布，公共電極線較細(xì)，導(dǎo)致阻抗較大，且公共電極線和數(shù)據(jù)線之間存在交疊電容、數(shù)據(jù)線與透明公共電極之間存在耦合電容，導(dǎo)致數(shù)據(jù)信號對公共電極網(wǎng)絡(luò)電壓產(chǎn)生串?dāng)_的問題。本發(fā)明還提供一種由上述陣列基板制造方法制造的陣列基板，因該陣列基板的公共電極線與柵線不同層分布，公共電極線較寬，自身阻抗小，同時(shí)數(shù)據(jù)線與公共電極線之間無交疊電容，且數(shù)據(jù)線與透明公共電極的間距變大，其耦合電容減小，使得公共電極網(wǎng)絡(luò)電壓均勻、穩(wěn)定，提高了顯示質(zhì)量。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種包含上述陣列基板的顯示裝置，使得該顯示裝置的顯示質(zhì)量良好。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括以下步驟SI、在一襯底基板上形成包括透明公共電極圖案和公共電極線圖案；S2、在完成步驟SI的襯底基板上形成一公共電極絕緣層薄膜；S3、在完成步驟S2的襯底基板上形成包括柵極圖案和柵線圖案；S4、在完成步驟S3的襯底基板上依次形成柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案；S5、在完成步驟S4的襯底基板上形成一鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖案，所述鈍化層過孔位于所述漏極的上方；S6、在完成步驟S5的襯底基板上形成包括像素電極圖案，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏極連接。如上所述的陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，所述步驟S4具體包括在完成步驟S3的襯底基板上依次形成所述柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜；采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層圖案；在所述有源層圖案上形成所述源漏金屬層薄膜；采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工 藝在所述源漏金屬層薄膜上形成包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極的圖案，以及在所述有源層上形成位于所述源極和漏極之間的溝道。如上所述的陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，所述步驟S4具體包括在完成步驟S3的襯底基板上依次形成所述柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬層薄膜；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案，以及在所述有源層上形成位于所述源極和漏極之間的溝道。如上所述的陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，所述采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案，以及在所述有源層上形成位于所述源極和漏極之間的溝道包括在所述源漏金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述源極和漏極的圖案之間的溝道區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖案以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少；通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和半導(dǎo)體層薄膜，形成包括有源層的圖案；通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬層薄膜；通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜，暴露出該區(qū)域的半導(dǎo)體層薄膜，形成位于所述源極和漏極之間的溝道；剝離剩余的光刻膠，在所述源漏金屬層薄膜上形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案。如上所述的陣列基板的制造方法，優(yōu)選的 是，所述步驟S5具體為在完成步驟S4的襯底基板上形成鈍化層薄膜，采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成包括鈍化層過孔的圖案，所述鈍化層過孔位于所述漏極的上方；所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏極連接。如上所述的陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，所述步驟SI具體包括在所述襯底基板上依次形成透明導(dǎo)電層薄膜和公共電極線金屬層薄膜；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括所述透明公共電極圖案和公共電極線圖案。如上所述的陣列基板的制造方法，優(yōu)選的是，所述采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括所述透明公共電極圖案和公共電極線圖案包括在所述公共電極線金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述公共電極線的圖案所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述透明公共電極圖案所在的區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖案以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少；通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的公共電極線金屬層薄膜和透明導(dǎo)電層薄膜；通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的公共電極線金屬
層薄膜；通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的公共電極線金屬層薄膜，暴露出該區(qū)域的透明導(dǎo)電層薄膜，形成透明公共電極的圖案；剝離剩余的光刻膠，在所述公共電極線金屬層薄膜上形成包括公共電極線的圖案。本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、透明公共電極和公共電極線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管，其中，所述公共電極線與所述柵線之間形成有公共電極絕緣層。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線在水平面上的交疊區(qū)域位于所述柵線兩側(cè)。如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述透明公共電極形成在所述公共電極線下方。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。(三)有益效果本發(fā)明所提供的陣列基板制造方法對現(xiàn)有的以橫向電場或多維電場作為驅(qū)動的TFT-LCD陣列基板制造工藝進(jìn)行了改進(jìn)，使得公共電極線與柵線不同層分布，從而在不影響光透過率的前提下，可以提高公共電極線的線寬，降低了公共電極線的阻抗，有利于公共電極電壓的均勻性和電壓波動的快速衰減。同時(shí)還使得數(shù)據(jù)線與公共電極線之間無交疊電容，且數(shù)據(jù)線與透明公共電極的間距變大，其耦合電容減小，顯著降低了數(shù)據(jù)信號對公共電極網(wǎng)絡(luò)電壓的串?dāng)_，進(jìn)而使公共電極電壓均勻、穩(wěn)定，大大提高了顯示質(zhì)量。



圖I至圖5為本發(fā)明實(shí)施例一中陣列基板的制造方法示意圖；圖6為圖5沿A-A的剖視圖； 圖7為圖5沿B-B的剖視圖其中，I :透明公共電極；2 :公共電極線；3 :柵線；4 :數(shù)據(jù)線；5 :源極；6 :漏極；7 像素電極；8 :襯底基板；9 :公共電極線絕緣層薄膜；10 :柵絕緣層薄膜；11 :半導(dǎo)體層薄膜；12 :摻雜半導(dǎo)體層薄膜；13 :鈍化層薄膜；14 :鈍化層過孔；101 :透明公共電極區(qū)域；102 :公共電極線區(qū)域；103 :數(shù)據(jù)線區(qū)域；104 :源極區(qū)域；105 :漏極區(qū)域；106 :像素電極區(qū)域；107 溝道區(qū)域。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例一下面結(jié)合圖I至圖5，對本發(fā)明中陣列基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板制造方法包括SI、在一襯底基板上形成包括透明公共電極圖案和公共電極線圖案；如圖6和圖7所不，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板制造在一襯底基板8之上,襯底基板8通常是一玻璃基板、一石英基板或一透明樹脂基板。在襯底基板8上形成包括透明公共電極I的圖案和公共電極線2的圖案。具體的，首先，在襯底基板8上依次形成透明導(dǎo)電層薄膜(圖中未示出)和公共電極線金屬層薄膜(圖中未示出)，本實(shí)施例中可以采用沉積、涂敷或?yàn)R射等工藝在襯底基板8上依次形成該透明導(dǎo)電層薄膜和公共電極線金屬層薄膜，其中，該透明導(dǎo)電層薄膜包含透明公共電極區(qū)域101，公共電極線金屬層薄膜包含公共電極線區(qū)域102。為形成透明公共電極1，優(yōu)選該透明導(dǎo)電層薄膜為透明金屬氧化物材料，如氧化銦錫、氧化銦鋅；而公共電極線金屬層薄膜則可以為一鎢(W)層、一鉻(Cr)層或其他導(dǎo)電金屬層。然后，通過構(gòu)圖工藝形成包括透明公共電極I的圖案和公共電極線2的圖案。本實(shí)施例中優(yōu)選采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括透明公共電極I的圖案和公共電極線2的圖案。該構(gòu)圖工藝具體可以包括首先，在上述公共電極線金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠(圖中未示出)，一般是涂覆光敏膠(簡稱PR膠)。接著，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于公共電極線2的圖案所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于透明公共電極I的圖案所在的區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖案以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少，如光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠的曝光景深為50 %，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠的曝光景深為0，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠的曝光景深為100 %。然后，進(jìn)行第一次刻蝕工藝，優(yōu)選通過濕刻法完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域下方的公共電極線金屬層薄膜和透明導(dǎo)電層薄膜。同時(shí)，第一道刻蝕工藝也對透明公共電極區(qū)域101和公共電極線區(qū)域102上方的光刻膠起到一個減薄過程。之后，通過灰化工藝處理去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠即透明公共電極區(qū)域101上殘留的光刻膠，暴露出該區(qū)域的公共電極線金屬層薄膜。
進(jìn)行第二次刻蝕工藝，可以采用濕刻法刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的透明公共電極區(qū)域101上方的公共電極線金屬層薄膜，暴露出該區(qū)域的透明導(dǎo)電層薄膜，形成透明公共電極I的圖案。最后，剝離剩余的光刻膠，在公共電極線金屬層薄膜上形成包括公共電極線2的圖案。另外，透明公共電極I圖案和公共電極線2圖案也可以采用普通掩模板通過兩次構(gòu)圖工藝形成。該構(gòu)圖工藝具體為通過涂覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等工藝，以分別形成透明公共電極I和公共電極線2的圖案。此種情況下，只要保證透明公共電極I的圖案和公共電極線2的圖案有直接接觸搭接區(qū)域即可，而不必限定兩者的上下位置關(guān)系O優(yōu)選的，透明公共電極I的結(jié)構(gòu)為板狀或者狹縫狀。S2、在完成步驟SI的襯底基板上形成一公共電極絕緣層薄膜；在完成步驟SI的襯底基板8上形成一公共電極絕緣層薄膜9。其中，公共電極絕緣層薄膜9可以為氮化硅介電層或氧化硅介電層或氮化硅和氧化硅的復(fù)合介電層。S3、在完成步驟S2的襯底基板上形成包括柵極圖案和柵線圖案；在完成步驟S2的襯底基板上形成柵金屬層薄膜(圖中未示出)，具體的，可以通過沉積、涂敷或?yàn)R射工藝在公共電極絕緣層薄膜9上形成該柵金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝在該柵金屬層薄膜上形成柵極圖案(圖中未示出)和柵線圖案3。其中，柵極可以位于柵線3上，也可以連接?xùn)啪€3。本實(shí)施例中優(yōu)選柵極為柵線3的一部分，且位于薄膜晶體管的溝道區(qū)域107下方。該構(gòu)圖工藝具體為通過涂覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等工藝，以形成包括柵線3和柵極的圖案，優(yōu)選采用濕刻法進(jìn)行刻蝕。其中，該柵金屬層薄膜可以為一鎢(W)層、一鉻(Cr)層或其他導(dǎo)電金屬層。S4、在完成步驟S3的襯底基板上依次形成柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案；其中，有源層包括半導(dǎo)體層薄膜11和摻雜半導(dǎo)體層薄膜12，且摻雜半導(dǎo)體層薄膜12位于半導(dǎo)體層薄膜11上方，即半導(dǎo)體層11位于柵絕緣層薄膜10和摻雜半導(dǎo)體層薄膜12之間。并在有源層上形成包括薄膜晶體管溝道區(qū)域的圖案，在源漏金屬層薄膜上形成包括源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線圖案；
而數(shù)據(jù)線圖案4、源極圖案5、漏極圖案6和溝道區(qū)域圖案(圖中未示出)可以通過多次構(gòu)圖工藝形成，也可以通過一次構(gòu)圖工藝形成，下面將分別介紹這兩種構(gòu)圖工藝的具體過程。通過多次構(gòu)圖工藝形成包括有源層圖案、數(shù)據(jù)線4圖案、源極5圖案、漏極6圖案和溝道區(qū)域圖案的具體過程可以包括首先，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、涂敷、濺射等方法依次在完成步驟S3的襯底基板8上形成柵絕緣層薄膜(圖中未示出)和半導(dǎo)體層薄膜11和摻雜半導(dǎo)體層薄膜12。之后，采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層圖案，其中，有源層包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，并且有源層位于柵絕緣層薄膜10上并位于柵極的上方。具體的，首先在摻雜半導(dǎo)體層薄膜12上形成一光刻膠層(圖中未示出)，一般是通過涂覆光敏膠形成光刻膠層，然后采用普通掩膜版進(jìn)行曝光，曝光后進(jìn)行顯影，顯影結(jié)束后，可以采用干刻法完全刻蝕掉沒有形成圖案的區(qū)域下方的半導(dǎo)體層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜，之后剝離 PR膠，形成有源層圖案。然后，在有源層圖案上形成源漏金屬層薄膜(圖中未示出)，采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝在源漏金屬層薄膜上形成包括數(shù)據(jù)線4圖案、源極5圖案和漏極6圖案，并且在有源層上形成位于源極5和漏極6之間的溝道。具體的，在源漏金屬層薄膜上涂覆光敏膠，采用普通掩膜版進(jìn)行曝光，沒有形成圖案區(qū)域和溝道區(qū)域107上方的光刻膠被完全去除掉，然后顯影，顯影結(jié)束后，可以采用濕刻法完全刻蝕掉沒有形成圖案區(qū)域下方的源漏金屬層薄膜以及溝道區(qū)域107上方的源漏金屬層薄膜，再通過干刻法刻蝕掉溝道區(qū)域107上方的摻雜半導(dǎo)體層12和一定厚度的半導(dǎo)體層11，形成溝道圖案，然后剝離剩余的光刻膠膠，形成包括數(shù)據(jù)線4圖案、源極5圖案和漏極6圖案，以及在有源層上形成溝道圖案。其中，溝道圖案位于有源層的溝道區(qū)域107，源極圖案5位于有源層的源極區(qū)域104上方，漏極圖案6位于有源層的漏極區(qū)域105上方。通過一次構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線4圖案、源極5圖案、漏極6圖案和溝道區(qū)域圖案的具體過程可以包括在完成步驟S3的襯底基板8上依次形成柵絕緣層薄膜10、半導(dǎo)體層薄膜11、摻雜半導(dǎo)體層薄膜12和源漏金屬層薄膜，其中，摻雜半導(dǎo)體層薄膜12位于半導(dǎo)體層薄膜11上方，即摻雜半導(dǎo)體層薄膜12位于半導(dǎo)體層11薄膜和源漏金屬層薄膜之間。具體的，首先可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、涂敷、濺射等方法依次在完成步驟S3的襯底基板8上形成柵絕緣層薄膜10和半導(dǎo)體層薄膜11和摻雜半導(dǎo)體層薄膜12，然后可以采用磁控濺射或熱蒸鍍等方法在摻雜半導(dǎo)體層薄膜12上形成源漏金屬層薄膜。其中，半導(dǎo)體層薄膜11和摻雜半導(dǎo)體層薄膜12包含源極區(qū)域104、漏極區(qū)域105和溝道區(qū)域107，源漏金屬層薄膜包含數(shù)據(jù)線區(qū)域103。接下來采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層圖案、數(shù)據(jù)線4圖案、源極5圖案和漏極6圖案，以及在有源層薄膜上形成位于源極5和漏極6之間的溝道。該構(gòu)圖工藝具體可以包括首先，在源漏金屬層薄膜上涂覆形成一層光刻膠(圖中未示出)。接著，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于源極5、漏極6和數(shù)據(jù)線4的圖案所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于源極5和漏極6的圖案之間的溝道區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖案以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少，如光刻膠半保留區(qū)域光刻膠的曝光景深可以為50 %，光刻膠完全保留區(qū)域光刻膠的曝光景深可以為0，光刻膠完全去除區(qū)域光刻膠的曝光景深為100 %。然后，進(jìn)行第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域下方的源漏金屬層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜12和半導(dǎo)體層薄膜11。具體的，優(yōu)選通過濕刻法先刻蝕掉沒有光刻膠的區(qū)域下方的源漏金屬層薄膜，再通過干刻法刻蝕掉其下的摻雜半導(dǎo)體層薄膜12和半導(dǎo)體層薄膜11，形成包括有源層的圖案。同時(shí)，干刻法對光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠起到一個減薄過程。
之后，通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬層薄膜。具體的，通過灰化處理去除光刻膠半保留區(qū)域即溝道區(qū)域107上方的光刻膠，暴露出位于光刻膠半保留區(qū)域下方的源漏金屬層薄膜。再通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和一定厚度的半導(dǎo)體層薄膜，暴露出該區(qū)域的半導(dǎo)體層薄膜，形成位于源極5和漏極6之間的溝道圖案。具體的，可以通過濕刻法刻蝕掉其上的源漏金屬層薄膜，再通過干刻法刻蝕掉其上的摻雜半導(dǎo)體層薄膜12和一定厚度的半導(dǎo)體層薄膜11，形成溝道圖案，其中，溝道圖案位于有源層的溝道區(qū)域107。最后，剝離剩余的光刻膠，在源漏金屬層薄膜上形成包括數(shù)據(jù)線4圖案、源極5圖案和漏極6圖案。其中，數(shù)據(jù)線4圖案位于有源層的數(shù)據(jù)線區(qū)域103上方，源極圖案5位于有源層的源極區(qū)域104上方，漏極圖案6位于有源層的漏極區(qū)域105上方。S5、在完成步驟S4的襯底基板上形成一鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖案，所述鈍化層過孔位于所述漏極的上方；首先可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、涂敷等方法在源漏金屬層薄膜上形成一鈍化層薄膜13。然后采用普通掩膜版通過構(gòu)圖工藝在鈍化層薄膜13上形成包括鈍化層過孔14圖案，其中，鈍化層過孔圖案14位于漏極6的上方。具體可以為在鈍化層薄膜13上涂覆一層光刻膠，采用普通掩膜版進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕以及剝離光刻膠，以在鈍化層薄膜13上形成包括鈍化層過孔14的圖案。其中，鈍化層薄膜13可以為氮化硅介電層或氧化硅介電層或氮化硅和氧化硅的復(fù)合介電層。S6、在完成步驟S5的襯底基板上形成包括像素電極圖案，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏極連接。在完成步驟S5的襯底基板8上形成包括像素電極7圖案具體可以包括首先，可以通過磁控濺射或熱蒸鍍等方法在完成步驟S5的襯底基板8上形成一像素電極層薄膜(圖中未示出)，其中，像素電極層薄膜包含像素電極區(qū)域106，且像素電極區(qū)域106位于鈍化層過孔圖案14上方。然后，采用普通掩膜版通過構(gòu)圖工藝在像素電極層薄膜上形成像素電極圖案7。具體的，在像素電極層薄膜上涂覆光刻膠，采用普通掩膜版進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，以及剝離光刻膠，以在像素電極層薄膜上形成像素電極7圖案，其中，像素電極7位于像素電極區(qū)域106，并通過鈍化層過孔14與漏極6連接。優(yōu)選的，像素電極7的結(jié)構(gòu)為狹縫狀。由以上實(shí)施例可以看出，本發(fā)明所提供的陣列基板制造方法對現(xiàn)有的以橫向電場或多維電場作為驅(qū)動的TFT-LCD陣列基板制造工藝進(jìn)行了改進(jìn)，使得公共電極線與柵線不同層分布，從而在不影響光透過率的前提下，可以提高公共電極線的線寬，降低了公共電極線的阻抗，有利于公共電極電壓的均勻性和電壓波動的快速衰減。同時(shí)還使得數(shù)據(jù)線與公共電極線之間無交疊電容，且數(shù)據(jù)線與透明公共電極的間距變大，其耦合電容減小，顯著降低了數(shù)據(jù)信號對公共電極網(wǎng)絡(luò)電壓的串?dāng)_，進(jìn)而使公共電極電壓均勻、穩(wěn)定，大大提高了顯示質(zhì)量。實(shí)施例二
本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的柵線3、數(shù)據(jù)線4、透明公共電極I和公共電極線2，柵線3和數(shù)據(jù)線4限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極7和薄膜晶體管，其中，公共電極線2與所述柵線3之間形成有公共電極絕緣層9，使得公共電極線2與柵線3不同層分布，從而可以提高公共電極線2的線寬，降低了公共電極線的阻抗，有利于公共電極電壓的均勻性和電壓波動的快速衰減。其中，公共電極線2與數(shù)據(jù)線4在水平面上的交疊區(qū)域位于柵線3的兩側(cè)。上述結(jié)構(gòu)使得數(shù)據(jù)線4與公共電極線2之間無直接交疊區(qū)域，因此公共電極線2和數(shù)據(jù)線4之間不存在交疊電容。本實(shí)施例中優(yōu)選透明公共電極I形成在公共電極線2下方，增大了數(shù)據(jù)線4與透明公共電極I的間距，減小數(shù)據(jù)線4與透明公共電極I之間的耦合電容，降低了公共電極線2的阻抗和數(shù)據(jù)信號對透明公共電極I電壓的串?dāng)_，因此，顯示質(zhì)量得到了提高。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，其包括實(shí)施例二中的陣列基板，提高了顯示裝置的顯示質(zhì)量。其中，顯示裝置可以為液晶面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟 51、在一襯底基板上形成包括透明公共電極圖案和公共電極線圖案； 52、在完成步驟SI的襯底基板上形成一公共電極絕緣層薄膜； 53、在完成步驟S2的襯底基板上形成包括柵極圖案和柵線圖案； 54、在完成步驟S3的襯底基板上依次形成柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案； 55、在完成步驟S4的襯底基板上形成一鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過孔的圖案，所述鈍化層過孔位于所述漏極的上方； 56、在完成步驟S5的襯底基板上形成包括像素電極圖案，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟S4具體包括 在完成步驟S3的襯底基板上依次形成所述柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜；采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層圖案； 在所述有源層圖案上形成所述源漏金屬層薄膜；采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝在所述源漏金屬層薄膜上形成包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極的圖案，以及在所述有源層上形成位于所述源極和漏極之間的溝道。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟S4具體包括 在完成步驟S3的襯底基板上依次形成所述柵絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和源漏金屬層薄膜； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案，以及在所述有源層上形成位于所述源極和漏極之間的溝道。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案，以及在所述有源層上形成位于所述源極和漏極之間的溝道包括 在所述源漏金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述源極和漏極的圖案之間的溝道區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖案以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少； 通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和半導(dǎo)體層薄膜，形成包括有源層的圖案； 通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬層薄膜；通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層薄膜和摻雜半導(dǎo)體層薄膜，暴露出該區(qū)域的半導(dǎo)體層薄膜，形成位于所述源極和漏極之間的溝道； 剝離剩余的光刻膠，在所述源漏金屬層薄膜上形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟S5具體為在完成步驟S4的襯底基板上形成鈍化層薄膜，采用普通掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝在所述鈍化層薄膜上形成包括鈍化層過孔的圖案，所述鈍化層過孔位于所述漏極的上方； 所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟SI具體包括 在所述襯底基板上依次形成透明導(dǎo)電層薄膜和公共電極線金屬層薄膜； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括所述透明公共電極圖案和公共電極線圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過一次構(gòu)圖工藝形成包括所述透明公共電極圖案和公共電極線圖案包括 在所述公共電極線金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版曝光，使光刻膠形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述公共電極線的圖案所在區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)于所述透明公共電極圖案所在的區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖案以外的區(qū)域；顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度減少； 通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的公共電極線金屬層薄膜和透明導(dǎo)電層薄膜； 通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的公共電極線金屬層薄膜； 通過第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠半保留區(qū)域的公共電極線金屬層薄膜，暴露出該區(qū)域的透明導(dǎo)電層薄膜，形成透明公共電極的圖案； 剝離剩余的光刻膠，在所述公共電極線金屬層薄膜上形成包括公共電極線的圖案。
8.—種陣列基板，包括形成在襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、透明公共電極和公共電極線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述公共電極線與所述柵線之間形成有公共電極絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線在水平面上的交疊區(qū)域位于所述柵線兩側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的陣列基板，其特征在于，所述透明公共電極形成在所述公共電極線下方。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8-10任一所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。該陣列基板的制造方法對現(xiàn)有的以橫向電場或多維電場作為驅(qū)動的TFT-LCD陣列基板制造工藝進(jìn)行了改進(jìn)，使得公共電極線與柵線不同層分布，從而在不影響光透過率的前提下，可以提高公共電極線的線寬，降低了公共電極線的阻抗，有利于公共電極電壓的均勻性和電壓波動的快速衰減。同時(shí)還使得數(shù)據(jù)線與公共電極線之間無交疊電容，且數(shù)據(jù)線與透明公共電極的間距變大，其耦合電容減小，顯著降低了數(shù)據(jù)信號對公共電極網(wǎng)絡(luò)電壓的串?dāng)_，進(jìn)而使公共電極電壓均勻、穩(wěn)定，大大提高了顯示質(zhì)量。
文檔編號H01L21/84GK102969282SQ20121046656
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月16日
發(fā)明者劉冬, 陳維濤, 郝昭慧, 李承珉 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司