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半導(dǎo)體器件的制作方法

文檔序號:7145688閱讀:143來源:國知局
專利名稱:半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù),尤其涉及適用于多條引線周邊配置在封裝體的背面的半導(dǎo)體器件的有效技術(shù)。
背景技術(shù)
在薄型QFN封裝中,俯視觀察時,以基島的側(cè)邊與固定在該基島上的半導(dǎo)體芯片的側(cè)邊一致的方式配置而成的構(gòu)造被例如日本特開2010-177272號公報(專利文獻(xiàn)I)所公開。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-177272號公報發(fā)明內(nèi)容
在S0N(Small Outline Nonleaded Package)型半導(dǎo)體器件和 QFN(Quad FlatNonleaded Package)型半導(dǎo)體器件等、成為外部端子的引線從封裝體的下表面(安裝面)露出的構(gòu)造中,為了不使該引線從封裝體脫落(剝落),例如上述專利文獻(xiàn)I所示,優(yōu)選在引線的周緣部(側(cè)面及前端面)形成層差部(突出部、檐部)。
通過本申請發(fā)明人的研究探明了將該層差部設(shè)置在引線的兩側(cè)(引線的延伸方向的兩側(cè)面)時尤為有效。
但是,近年來,隨著半導(dǎo)體器件的小型化或多管腳化,彼此相鄰的引線的間隔變小(窄),因此難以像上述專利文獻(xiàn)I那樣在引線的兩側(cè)(兩側(cè)面)形成層差部。即,若彼此相鄰的引線的間隔變窄,則難以實(shí)現(xiàn)上述專利文獻(xiàn)I那樣的在引線的周緣部(側(cè)面)形成層差部的構(gòu)造。
本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化或多管腳化的技術(shù)。
另外,本發(fā)明的其他目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的防引線脫落對策的技術(shù)。
本申請發(fā)明的其他技術(shù)課題和新的特征能夠從本說明書的記載和附圖中得以明確。
簡單說明用于解決本申請所公開的技術(shù)課題的手段中、具有代表性的實(shí)施方式的概要如下。
具有代表性的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件包括:芯片焊盤;多條引線;半導(dǎo)體芯片,其搭載在芯片焊盤的上表面;多條導(dǎo)線,其用于電連接半導(dǎo)體芯片的多個電極焊盤和多條引線;封裝體,其用于封固半導(dǎo)體芯片和多條導(dǎo)線。多條引線在多條引線的各自的延伸方向上還分別具有:位于內(nèi)側(cè)端面?zhèn)鹊牡贗部分;和與第I部分相比位于外側(cè)端面?zhèn)鹊牡?部分,另外,在第I側(cè)面的第I部分形成有第I層差部,在第2側(cè)面的第2部分形成有第2層差部。再有,在第I側(cè)面的第2部分沒有形成第I層差部和第2層差部,在第2側(cè)面的第I部分沒有形成第I層差部和第2層差部。
發(fā)明效果
簡單說明根據(jù)本申請公開的發(fā)明中具有代表性的實(shí)施方式所得到的效果如下。能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化或多管腳化。另外,能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的防引線脫落對策。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖。圖2是透過封裝體而示出圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖3是表示圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的仰視圖。圖4是表示圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的側(cè)視圖。圖5是表示沿圖2的A-A線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖6是表示圖2的W部的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖7是表示沿圖6的C-C線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖8是表示沿圖6的D-D線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖9是表示沿圖6的E-E線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖10是表示沿圖6的F-F線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖11是表示在圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中所使用的引線框架的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖12是表示沿圖11的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖13是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的芯片焊接后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖14是表示沿圖13的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖15是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的導(dǎo)線接合后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖16是表示沿圖15的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖17是表示圖15的X部的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖18是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的樹脂注塑后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖19是表示沿圖18的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖20是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中切割時的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖21是表示沿圖20的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖22是透過封裝體而示出本發(fā)明實(shí)施方式I的變形例I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖23是表示與圖22的Y部對應(yīng)的、導(dǎo)線接合結(jié)束后的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖24是透過封裝體而示出本發(fā)明實(shí)施方式I的變形例2的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖25是表示與圖24的Z部對應(yīng)的、導(dǎo)線接合結(jié)束后的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖26是透過封裝體而示出本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖。圖27是表示本發(fā)明的變形例I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的剖視圖。
圖28是表示圖27所示的半導(dǎo)體器件的組裝中的導(dǎo)線接合后的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖29是表示沿圖28的G-G線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖30是透過封裝體而示出本發(fā)明的變形例2的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖31是表示沿圖30的A-A線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖32是表示圖30的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的仰視圖。圖33是透過封裝體而 示出本發(fā)明的變形例3的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖34是表示圖33的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的側(cè)視圖。附圖標(biāo)記說明I半導(dǎo)體芯片Ia表面(主面)Ib背面Ic電極焊盤2引線框架2a引線2aa上表面2ab下表面2b外部2c、2ca懸垂引線2d芯片焊盤2 da上表面2db下表面2e內(nèi)部2f外側(cè)端面2g內(nèi)側(cè)端面2h、2i側(cè)面2j中央引線2k前端部2m后端部2n、2p、2q 層差部2r伸出面2s器件區(qū)域2t框部2u幅寬部2v導(dǎo)線接合部2w延伸方向3導(dǎo)線4封裝體4a側(cè)面
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件,其特征在于,包括: 芯片焊盤; 多條懸垂引線,其用于支承所述芯片焊盤; 多條引線,其配置在所述多條懸垂引線之間; 半導(dǎo)體芯片,其搭載在所述芯片焊盤的上表面,具有:主面、形成于所述主面的多個電極焊盤、以及與所述主面為相反側(cè)的背面; 多條導(dǎo)線,其分別電連接所述半導(dǎo)體芯片的所述多個電極焊盤和所述多條引線;封裝體,其以使得所述多條引線的各自的下表面露出的方式封固所述半導(dǎo)體芯片和所述多條導(dǎo)線, 所述多條引線分別具有:從所述封裝體露出的所述下表面;與所述下表面為相反側(cè)的上表面;位于所述上表面與所述下表面之間且與所述芯片焊盤相對的內(nèi)側(cè)端面;位于所述內(nèi)側(cè)端面的相反側(cè)且從所述封裝體露出的外側(cè)端面;位于所述上表面與所述下表面之間且位于所述內(nèi)側(cè)端面與所述外側(cè)端面之間的第I側(cè)面;與所述第I側(cè)面為相反側(cè)的第2側(cè)面,而且,所述多條引線在所述多條引線的各自的延伸方向上還分別具有:位于所述內(nèi)側(cè)端面?zhèn)鹊牡贗部分;和與所述第1部分相比位于所述外側(cè)端面?zhèn)鹊牡?部分, 在所述第I側(cè)面的所述第1部分、且在與所述下表面相比靠所述上表面?zhèn)刃纬捎械贗層差部, 在所述第2側(cè)面的所 述第2部分、且在與所述下表面相比靠所述上表面?zhèn)刃纬捎械?層差部, 在所述第I側(cè)面的所述第2部分沒有形成所述第I層差部和第2層差部, 在所述第2側(cè)面的所述第I部分沒有形成所述第I層差部和第2層差部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 在所述多條引線的各自的所述第I部分的所述下表面,形成有與所述內(nèi)側(cè)端面相連的第3層差部。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 所述第3層差部向所述芯片焊盤的方向的伸出量分別大于所述第I層差部向相鄰的所述引線的方向的伸出量和所述第2層差部向相鄰的所述引線的方向的伸出量。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 所述封裝體的平面形狀為四邊形,所述多條引線在俯視觀察時沿所述封裝體的各邊各配置有奇數(shù)條, 在所述各邊上,以相對于所述奇數(shù)條的所述引線中的中央引線為線對稱的方式形成有所述多條引線的各自的所述第I層差部及所述第2層差部。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 在所述中央引線的內(nèi)側(cè)端部形成有俯視觀察時幅寬的幅寬部。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 形成有所述第I層差部的所述第I側(cè)面位于所述導(dǎo)線的延伸方向側(cè)。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 關(guān)于所述各邊的所述奇數(shù)條的所述引線中的、除配置在所述中央的所述引線以外的引線,各所述引線的內(nèi)側(cè)端部俯視觀察時的形狀以沿著所述導(dǎo)線的延伸方向的方式彎曲。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 所述封裝體的平面形狀為四邊形,所述多條引線在俯視觀察時沿所述封裝體的各邊各配置有偶數(shù)條, 在所述各邊上,關(guān)于所述偶數(shù)條的所述引線,各引線的所述第I層差部及所述第2層差部相對于所述偶數(shù)條的所述引線的排列方向分別以同一朝向形成。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 所述多條引線分別通過蝕刻加工而形成。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于, 形成于所述多條引線的各自的所述第2側(cè)面的所述第2部分的所述第2層差部在所述封裝體 的內(nèi)部終結(jié)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化或多管腳化。QFN(5)具有芯片焊盤(2d);半導(dǎo)體芯片(1),其搭載在芯片焊盤(2d)上;多條引線(2a),其配置在半導(dǎo)體芯片(1)周圍;多條導(dǎo)線(3),其用于電連接半導(dǎo)體芯片(1)的多個電極焊盤(1c)和多條引線(2a);和封裝體(4),其用于封固半導(dǎo)體芯片(1)和多條導(dǎo)線(3),在QFN(5)中,在各引線(2a)的左右兩側(cè)的錯開位置處形成層差部(2n、2p),使與相鄰引線(2a)的層差部(2n、2p)的位置錯開,由此縮小引線間的間隙而實(shí)現(xiàn)QFN(5)的小型化或多管腳化。
文檔編號H01L23/49GK103137592SQ20121047064
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者沼崎雅人 申請人:瑞薩電子株式會社
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