半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，其中該半導(dǎo)體封裝件包括：半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底上方的接觸焊盤、位于接觸焊盤上方的互連層、形成在接觸焊盤和互連層之間的鈍化層、位于互連層上方的凸塊以及位于互連層和鈍化層上方并覆蓋凸塊的下部的保護(hù)層。保護(hù)層包括彎曲表面區(qū)。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代集成電路由數(shù)百萬的有源器件(諸如晶體管和電容器)組成。這些器件最初相互隔離，但隨后互連在一起以形成功能電路。典型的互連結(jié)構(gòu)包括諸如金屬線(配線)的橫向互連件和諸如通孔和接觸件的垂直互連件。互連越來越多地確定現(xiàn)代集成電路的性能和密度。在互連結(jié)構(gòu)的頂部上，在對應(yīng)芯片的表面上形成并露出接合焊盤。通過接合焊盤進(jìn)行電連接以將芯片連接至封裝襯底或另一個(gè)管芯。接合焊盤可用于引線接合或倒裝芯片接合。倒裝芯片封裝利用凸塊來建立芯片的輸入/輸出(I/o)焊盤和封裝件的襯底或引線框之間的電接觸。在結(jié)構(gòu)上，凸塊實(shí)際上包含凸塊自身和位于凸塊與I/o焊盤之間的“凸塊下金屬”(UBM)。當(dāng)前，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝(WLCSP)因?yàn)槠涞统杀竞拖鄬唵蔚墓に嚩粡V泛使用，并且在WLCSP技術(shù)中使用焊球置放或焊球滴落工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包括:半導(dǎo)體襯底；接觸焊盤，位于半導(dǎo)體襯底上方；互連層，位于接觸焊盤上方；鈍化層，形成在接觸焊盤和互連層之間；凸塊，位于互連層上方；以及保護(hù)層，具有頂面，并且位于互連層和鈍化層上方并覆蓋凸塊的下部；其中，保護(hù)層包括彎曲表面區(qū)。
[0004]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝件還包括位于鈍化層和互連層之間的聚合物層。
[0005]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝件還包括位于保護(hù)層和互連層之間的聚合物層。
[0006]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝件還包括位于凸塊和互連層之間的金屬化層。
[0007]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝件還包括位于半導(dǎo)體襯底和接觸焊盤之間的介電層。
[0008]優(yōu)選地，凸塊直接位于接觸焊盤的上方。
[0009]優(yōu)選地，保護(hù)層的頂面包括最高點(diǎn)和最低點(diǎn)，并且水平線與形成在最低點(diǎn)和最高點(diǎn)之間的斜線之間的角度在約10度和約50度之間。
[0010]優(yōu)選地，保護(hù)層的頂面包括最低點(diǎn)和最高點(diǎn)，并且最低點(diǎn)和最高點(diǎn)之間的距離在會(huì)勺5 μ m和會(huì)勺40 μ m之間。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包括:半導(dǎo)體襯底；接觸焊盤，位于半導(dǎo)體襯底上方；互連層，位于接觸焊盤上方；鈍化層，形成在接觸焊盤和互連層之間；凸塊，位于互連層上方；以及模塑料層，具有頂面，并且位于互連層和鈍化層上方并覆蓋凸塊的下部；其中，模塑原料層的頂面包括彎曲表面區(qū)和平坦表面區(qū)，彎曲表面區(qū)位于凸塊和所述平坦表面區(qū)之間。
[0012]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝件還包括位于鈍化層和互連層之間的聚合物層。
[0013]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝件還包括位于模塑料層和互連層之間的聚合物層。
[0014]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝件還包括位于凸塊和互連層之間的金屬化層。[0015]優(yōu)選地，該半導(dǎo)體封裝件還包括位于半導(dǎo)體襯底和接觸焊盤之間的介電層。
[0016]優(yōu)選地，凸塊直接位于所述接觸焊盤上方。
[0017]優(yōu)選地，模塑料層的頂面包括最低點(diǎn)和最高點(diǎn)，并且最低點(diǎn)和最高點(diǎn)之間的距離在約5 μ m和約40 μ m之間。
[0018]優(yōu)選地，模塑料層的頂面包括最低點(diǎn)和最高點(diǎn)，并且水平線與形成在最低點(diǎn)和最高點(diǎn)之間的斜線之間的角度在約10度和約50度之間。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種形成器件的方法，包括:在襯底上方形成互連件；形成電連接至互連件的凸塊；用液體模塑料覆蓋凸塊，液體模塑料具有位于凸塊之上的頂面；向下擠壓液體模塑料的頂面同時(shí)進(jìn)行固化，從而形成固化模塑料，固化模塑料具有包括第一平坦區(qū)和第二彎曲區(qū)的頂面，第二彎曲區(qū)與凸塊的形狀一致；以及去除第二彎曲區(qū)的一部分以露出凸塊。
[0020]優(yōu)選地，向下擠壓液體模塑料的頂面包括:在液體模塑料的頂面上形成剝離膜；向剝離膜施加壓力以推動(dòng)液體模塑料向下；以及在固化液體模塑料之后去除剝離膜。
[0021]優(yōu)選地，去除第二彎曲區(qū)的一部分以露出凸塊包括蝕刻固化模塑料。
[0022]優(yōu)選地，蝕刻固化模塑料去除了第二彎曲區(qū)的一部分，并且在蝕刻步驟之后保留第二彎曲區(qū)的第二部分，第二部分具有小于約I μ m的厚度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0024]圖2是圖1所示凸塊和保護(hù)層的放大圖；
[0025]圖3至圖7是根據(jù)實(shí)施例的示出處于在圖1所示凸塊周圍形成保護(hù)層的各個(gè)中間階段的截面圖；
[0026]圖8是根據(jù)另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；
[0027]圖9是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖；以及
[0028]圖10是根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]應(yīng)該理解，以下公開提供了許多不同的用于實(shí)施各個(gè)實(shí)施例的不同特征的實(shí)施例或?qū)嵗Ｒ韵旅枋龅牟考团渲玫木唧w實(shí)例用以簡化本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式來體現(xiàn)，而不應(yīng)該理解為限于本文所提出的實(shí)施例；恰恰相反，提供這些實(shí)施例以使本說明書更周密和完整，以及向本領(lǐng)域的技術(shù)人員完整地表達(dá)本發(fā)明。然而，顯然，可在沒有這些具體描述的情況下來實(shí)行一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。
[0030]在圖中，為了清楚而放大了層和區(qū)域的厚度和寬度。圖中類似的參考標(biāo)號(hào)表示類似的器件。圖中示出的元件和區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，因此圖中示出的相關(guān)尺寸或間隔不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0031]圖1是根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的截面圖。
[0032]參見圖1，半導(dǎo)體封裝件100包括半導(dǎo)體襯底10，在半導(dǎo)體襯底10上順序形成互連結(jié)構(gòu)12、鈍化層18和22、緩沖層24和28以及保護(hù)層34。半導(dǎo)體封裝件100還包括在互連結(jié)構(gòu)12上順序形成并與其電連接的接觸焊盤20、后鈍化互連(PPI)層26、凸塊下金屬化(UBM)層30和凸塊32。
[0033]例如，半導(dǎo)體襯底10可包括摻雜或未摻雜的體硅或者絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底上的有源層?？梢跃A級(jí)規(guī)?；蛐酒?jí)規(guī)模提供半導(dǎo)體襯底10。還可使用其它襯底，諸如多層襯底或梯度襯底。半導(dǎo)體襯底10可具有在其上形成的電路。電路可以是適用于特定應(yīng)用的任意類型的電路。在一些實(shí)施例中，電路包括各種N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)和/或P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)器件，諸如晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔絲等，它們被互連以執(zhí)行一種或多種功能。這些功能可包括存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、處理結(jié)構(gòu)、傳感器、放大器、配電、輸入/輸出電路等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，僅為了說明的目的而提供以上實(shí)例來進(jìn)一步解釋一些說明性實(shí)施例的應(yīng)用但不用于以任何方式限制本發(fā)明。針對給定的應(yīng)用可適當(dāng)?shù)厥褂闷渌娐贰?br> [0034]互連結(jié)構(gòu)20形成在半導(dǎo)體襯底10上以使電路彼此互連并提供外部電連接。互連結(jié)構(gòu)20包括一個(gè)或多個(gè)金屬間介電(MD)層14和相關(guān)聯(lián)的金屬化層16。在實(shí)施例中，通過諸如旋涂、化學(xué)汽相沉積(CVD)和/或等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD)的任何適當(dāng)?shù)姆椒?，頂D層14中的至少一個(gè)由低K介電材料形成，如磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、氟化硅玻璃(FSG)、SiOxCy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、硅碳材料、它們的化合物、它們合成物、它們的組合等。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)蝕刻停止層(未示出)可位于相鄰的IMD層14之間。在一些實(shí)施例中，金屬化層16中的至少一個(gè)由銅或銅合金、或其它金屬形成。如圖1所示，根據(jù)實(shí)施例，金屬化層16是在最頂部的MD層14中或上形成并圖案化的頂部金屬層16a，以提供外部電連接。在一些實(shí)施例中，最頂部的MD層由介電材料形成，諸如氮化硅、氧化硅、非摻雜硅玻璃等。
[0035]在互連結(jié)構(gòu)12上形成并圖案化的鈍化層包括第一鈍化層18和第二鈍化層22。在實(shí)施例中，第一鈍化層18形成在互連結(jié)構(gòu)12上，然后對其進(jìn)行圖案化以形成露出頂部金屬層16的一部分的第一開口 18a。通過諸如CVD、PVD等的任何適當(dāng)方法，第一鈍化層18可由介電材料形成，例如氮化硅、氧化硅、非摻雜硅玻璃、氮氧化硅或非多孔材料。
[0036]接觸焊盤20形成在第一鈍化層18的第一開口 18a中以電連接頂部金屬層16。在實(shí)施例中，接觸焊盤20可在第一鈍化層18上延伸。在一些實(shí)施例中，接觸焊盤20由導(dǎo)電材料形成，諸如鋁、鋁銅、鋁合金、銅、銅合金等。
[0037]第二鈍化層22形成在第一鈍化層18和接合焊盤20上，然后圖案化第二鈍化層22以形成露出接觸焊盤20的一部分的第二開口 22a。在一些實(shí)施例中，通過諸如CVD、PVD等的任何適當(dāng)方法，第二鈍化層22由介電材料形成，諸如無摻雜硅玻璃(USG)、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、或非多孔材料。在實(shí)施例中，形成并圖案化第二鈍化層22以覆蓋接觸焊盤20的外圍部分，并通過第二開口 22a露出接觸焊盤20的中心部分。第一鈍化層18和第二鈍化層22可以是單層或疊層。在圖1中，僅為了說明的目的示出單層的第一鈍化層18和單層的第二鈍化層22。同樣地，其它實(shí)施例可包括任何數(shù)量的鈍化層。在圖1所示的實(shí)施例中，第二開口 22a小于第一開口 18a。在其它實(shí)施例中，第二開口 22a等于或大于第一開口18a。
[0038]第一緩沖層24形成在第二鈍化層22和接觸焊盤20上，然后圖案化第一緩沖層24以形成露出接觸焊盤20的一部分的第三開口 24a。在實(shí)施例中，第一緩沖層24是聚合物層，諸如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)等的聚合物材料。在圖I所示的實(shí)施例中，第三開口 24a小于第二開口 22a。在其它實(shí)施例中，第三開口 24a等于或大于第二開口 22a。
[0039]PPI層26包括在第三開口 24a中形成并電連接至接觸焊盤20的至少一個(gè)金屬化層。在實(shí)施例中，PPI層26沿第三開口 24的底部和側(cè)壁形成以與接觸焊盤20的露出部分物理接觸。在一些實(shí)施例中，在第三開口 24a中形成的PPI層26延伸至第一緩沖層24的頂面。PPI層26的形成方法可包括沉積、光刻膠涂布、光刻、濕或干蝕刻等。在一些實(shí)施例中，PPI層26包括使用電鍍、化學(xué)鍍、濺射、化學(xué)汽相沉積方法等形成的銅、鋁、銅合金或其它移動(dòng)導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施例中，PPI層26包括銅層或銅合金層。
[0040]第二緩沖層28形成在第一緩沖層24和PPI層26上，然后圖案化第二緩沖層28以形成露出PPI層26的一部分的第四開口 28a。在實(shí)施例中，第二緩沖層28是聚合物層，諸如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)等的聚合物材料。在圖1所示的實(shí)施例中，第四開口 28a大于第三開口 24a。在其他實(shí)施例中，第四開口 28a等于或小于第三開口 24a。
[0041]UBM層30包括在第四開口 28a中形成并電連接至PPI層26的至少一個(gè)金屬化層。在實(shí)施例中，UBM層30沿第四開口 28a的底部和側(cè)壁形成以與PPI層26的露出部分物理接觸。在一些實(shí)施例中，在第四開口 28a中形成的UBM層30延伸至第二緩沖層28的頂面。UBM層30的形成方法可包括沉積、光刻膠涂布、光刻、濕或干蝕刻等。在一些實(shí)施例中，UBM層30包括至少一個(gè)金屬化層，其包括鈦(Ti)、鉭(Ta)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、銅、銅合金、鎳(Ni)、錫(Sn)、金(Au)或它們的組合。在一些實(shí)施例中，UBM層30包括至少一個(gè)含Ti層和至少一個(gè)含Cu層。
[0042]凸塊32形成在UBM層30上，并且直接位于接觸焊盤16上方。在實(shí)施例中，凸塊32由導(dǎo)電材料形成，包括焊料、CiuNi或Au。在一些實(shí)施例中，凸塊32是焊接凸塊，其可通過將焊球附接至UBM層30或者在回流工藝之前使用光刻技術(shù)電鍍焊料材料來形成。在實(shí)施例中，焊接凸塊具有大于約200μπι的直徑。在一些實(shí)施例中，焊料凸塊包括無鉛預(yù)焊接層、SnAg或焊料材料(包括錫、鉛、銀、銅、鎳、鉍、或它們的組合的合金)。
[0043]保護(hù)層34涂覆在第二緩沖層28上，其中凸塊32被部分埋入保護(hù)層34。在實(shí)施例中，保護(hù)層34與凸塊32的下部32L物理接觸，而凸塊32的上部32U被露出并從保護(hù)層34的頂面34Τ突出。在一些實(shí)施例中，凸塊32的下部32L的高度在凸塊32的總高度的約1/4到3/4之間。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層34與第二緩沖層28和/或UBM層30物理接觸。在實(shí)施例中，保護(hù)層34是模塑料層。在一些實(shí)施例中，保護(hù)層34是聚合物層，諸如環(huán)氧樹月旨、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)等。根據(jù)實(shí)施例，保護(hù)層34的厚度T在約20 μ m和約120 μ m的范圍之間。例如，厚度T為約60?80μπι、80?IOOym或100?120 μ m。在半導(dǎo)體封裝件100中，凸塊32被直接放置在接觸焊盤20之上，并且在凸塊32周圍涂覆保護(hù)層34。這樣可以產(chǎn)生具有更好的可靠性性能和增加的熱疲勞壽命的堅(jiān)固封裝件，并且例如與激光穿過模塑料通孔工藝相比，其具有縮短生產(chǎn)周期和減少加工成本的優(yōu)點(diǎn)。
[0044]圖2是圖1所示凸塊和保護(hù)層的放大圖。在至少一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)層34的頂面34T包括位于凸塊32周圍的彎曲表面區(qū)34C。在另一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)層34的頂面34T還包括與彎曲表面區(qū)34C相鄰的平坦表面區(qū)34P，但是平坦表面區(qū)34P沒有與凸塊32物理接觸。在另一實(shí)施例中，保護(hù)層34的頂面34T具有與凸塊32物理接觸的最高點(diǎn)34H和最低點(diǎn)34L,其中，兩個(gè)點(diǎn)34H和34L之間的距離D在約5μηι和約40μηι之間，以及第一線LI (最高點(diǎn)34Η和最低點(diǎn)34L之間的斜線)和第二線L2 (水平線)之間的角度Θ在約10度和約50度之間。如本文所使用的，水平為相對術(shù)語，即，其是指該線與襯底的主平面平行。可以理解，水平不是意味著參考一些絕對基準(zhǔn)，諸如地球表面。在一些實(shí)施例中，距離D小于保護(hù)層34的厚度Τ。
[0045]圖3至圖7示出了處于根據(jù)實(shí)施例的在圖1所示凸塊周圍形成保護(hù)層的各個(gè)中間階段的截面圖。
[0046]保護(hù)層34的形成從圖3所示的步驟開始，其中，液體模塑料34a被涂覆在第二緩沖層28和凸塊32上。接下來，參看圖4，在實(shí)施例中，剝離膜36或軟材料可涂覆在液體模塑料34a上。向液體模塑原料34a上的剝離膜36施加壓力，使得如圖5所示凸塊32的一部分被壓入剝離膜36。此外，在剝離膜36上施加的壓力可將一些液體模塑料向下推。當(dāng)向推擠凸塊32和液體模塑料34a的剝離膜36施加壓力時(shí)，可執(zhí)行固化以固化和凝固液體模塑料34a。此后，如圖6所示，剝離膜36脫離模塑料34b，模塑料34b現(xiàn)在以固體形式覆蓋所得到結(jié)構(gòu)中的凸塊32的下部32L。為了去除模塑料層34b的殘留物，如圖7所示，執(zhí)行蝕刻步驟38。在一些實(shí)施例中，在蝕刻步驟38之后，剩余在凸塊32上的模塑料層34b的殘留物34R具有小于約I μ m的厚度。
[0047]圖8是根據(jù)另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件200的截面圖。將省略與圖1中的描述相同或相似部分的說明。在半導(dǎo)體封裝件200中，凸塊32形成在第四開口 28a中并與PPI層26的露出部分物理接觸，沒有形成圖1所示的UBM層30。在實(shí)施例中，凸塊32填充第四開口 28a并延伸至第二緩沖層28的頂面。
[0048]圖9是根據(jù)另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件300的截面圖。將省略與圖1中的描述相同或相似部分的說明。在半導(dǎo)體封裝件300中，凸塊32形成在PPI層26的露出部分上，而省略圖1所示的第二緩沖層28和UBM層30的形成。因此，保護(hù)層34形成在第一保護(hù)層24上以環(huán)繞凸塊32的下部32L。在實(shí)施例中，保護(hù)層34與PPI層26物理接觸。半導(dǎo)體封裝300可實(shí)現(xiàn)更小的形狀系數(shù)并具有縮短制造周期及減少加工成本的優(yōu)點(diǎn)。
[0049]圖10是根據(jù)另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件400的截面圖。將省略與圖1中的描述相同或相似部分的說明。在半導(dǎo)體封裝件400中，省略了圖1所示的第一緩沖層24、第二緩沖層28和UBM層30的形成，因此，PPI層26形成在第二開口 22a中以物理接觸接觸焊盤20的露出部分，且凸塊32形成在PPI層26上。在實(shí)施例中，PPI層26延伸至第二鈍化層22的頂面，使得在凸塊32和第二鈍化層22之間形成PPI層26。因此，保護(hù)層34形成在第二鈍化層22上以環(huán)繞凸塊32的下部32L。在實(shí)施例中，保護(hù)層34與PPI層26物理接觸。半導(dǎo)體封裝件400可實(shí)現(xiàn)更小的形狀系數(shù)并具有縮短制造周期和減少加工成本的優(yōu)點(diǎn)。
[0050]根據(jù)一些實(shí)施例，一種封裝件包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底上方的接觸焊盤、位于接觸焊盤上方的互連層、形成在接觸焊盤和互連層之間的鈍化層、位于互連層上方的凸塊以及位于互連層和鈍化層上方并覆蓋凸塊的下部的保護(hù)層。保護(hù)層包括彎曲表面區(qū)。
[0051]根據(jù)一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底上方的接觸焊盤、位于接觸焊盤上方的互連層、形成在接觸焊盤和互連層之間的鈍化層、位于互連層上方的凸塊以及位于互連層和鈍化層上方并覆蓋凸塊的下部的模塑料層。模塑料層的頂面包括彎曲表面區(qū)和平坦表面區(qū)。彎曲表面區(qū)定位在凸塊和平坦表面區(qū)之間。
[0052]根據(jù)一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝件包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底上方的接觸焊盤、位于接觸焊盤上方的互連層、形成在接觸焊盤和互連層之間的鈍化層、位于互連層上方的凸塊以及位于互連層和鈍化層上方并覆蓋凸塊的下部的保護(hù)層。保護(hù)層包括圍繞凸塊的下部的彎曲表面區(qū)。保護(hù)層的最低點(diǎn)和最高點(diǎn)之間的距離小于保護(hù)層的厚度。
[0053]雖然本發(fā)明具體地示出和描述了關(guān)于它的實(shí)例和實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，可以有許多本發(fā)明的實(shí)施例變型。雖然已經(jīng)詳細(xì)描述實(shí)施例和其特征，應(yīng)該理解，在不背離本實(shí)施例的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種改變、替換及變更。
[0054]以上方法實(shí)施例示出示例性步驟，但它們不一定需要按所示的順序執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的精神和范圍，可視情況而定增加、替換、改變順序、和/或去除步驟。組合不同的權(quán)利要求的實(shí)施例和/或不同實(shí)施例在本發(fā)明的范圍之內(nèi)，且對本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀本發(fā)明后將是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 接觸焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方； 互連層，位于所述接觸焊盤上方； 鈍化層，形成在所述接觸焊盤和所述互連層之間； 凸塊，位于所述互連層上方；以及 保護(hù)層，具有頂面，并且位于所述互連層和所述鈍化層上方并覆蓋所述凸塊的下部； 其中，所述保護(hù)層包括彎曲表面區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括位于所述鈍化層和所述互連層之間的聚合物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括位于所述保護(hù)層和所述互連層之間的聚合物層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括位于所述凸塊和所述互連層之間的金屬化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括位于所述半導(dǎo)體襯底和所述接觸焊盤之間的介電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半`導(dǎo)體封裝件，其中，所述凸塊直接位于所述接觸焊盤的上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述保護(hù)層的所述頂面包括最高點(diǎn)和最低點(diǎn)，并且水平線與形成在所述最低點(diǎn)和所述最高點(diǎn)之間的斜線之間的角度在約10度和約50度之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述保護(hù)層的所述頂面包括最低點(diǎn)和最聞點(diǎn)，并且所述最低點(diǎn)和所述最聞點(diǎn)之間的距尚在約5 μ m和約40 μ m之間。
9.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 接觸焊盤，位于所述半導(dǎo)體襯底上方； 互連層，位于所述接觸焊盤上方； 鈍化層，形成在所述接觸焊盤和所述互連層之間； 凸塊，位于所述互連層上方；以及 模塑料層，具有頂面，并且位于所述互連層和所述鈍化層上方并覆蓋所述凸塊的下部; 其中，所述模塑原料層的所述頂面包括彎曲表面區(qū)和平坦表面區(qū)，所述彎曲表面區(qū)位于所述凸塊和所述平坦表面區(qū)之間。
10.一種形成器件的方法，包括: 在襯底上方形成互連件； 形成電連接至所述互連件的凸塊； 用液體模塑料覆蓋所述凸塊，所述液體模塑料具有位于所述凸塊之上的頂面； 向下擠壓所述液體模塑料的所述頂面同時(shí)進(jìn)行固化，從而形成固化模塑料，所述固化模塑料具有包括第一平坦區(qū)和第二彎曲區(qū)的頂面，所述第二彎曲區(qū)與所述凸塊的形狀一致；以及去除所述第二彎曲區(qū)的一部 分以露出所述凸塊。
【文檔編號(hào)】H01L23/498GK103633059SQ201210479913
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年11月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月24日
【發(fā)明者】呂文雄, 鄭明達(dá), 吳逸文, 蔡鈺芃, 杜家瑋, 劉重希 申請人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司