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電子封裝外殼的制作方法

文檔序號:7146115閱讀:396來源:國知局
專利名稱:電子封裝外殼的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及電子封裝技術領域。
背景技術
以往的電子封裝外殼包括鎳鍍層和鍍金層。電子封裝外殼需要在420°C時燒結硅芯片。在420°C高溫作用下,硅芯片中的硅會擴散到電子封裝外殼的鎳鍍層中,導致鎳鍍層脆化開裂,芯片從外殼焊接區(qū)表面脫落;鍍金層一般厚度為3微米,經(jīng)歷300°C,30min的烘烤過程,外殼鍍鎳層中的鎳會擴散至外殼表面的鍍金層中,導致鍍金層顏色發(fā)紅(目檢),從而影響鍍金層的功能及應用。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種電子封裝外殼,通過在鍍鎳層和頂部鍍金層之間設置鍍鎳鈷層,可有效防止外殼鍍層結構中出現(xiàn)鎳鍍層脆性開裂問題,并大大地減少了鎳向頂部鍍金層的擴散,提高和保證了頂部鍍金層的功能和應用的可靠性,提高了電子封裝外殼的應用可靠性;同時還可節(jié)省貴重金屬黃金的用量。為解決上述技術問題,本發(fā)明所采取的技術方案是一種電子封裝外殼,包括外殼基層、設于外殼基層上的鍍鎳層和設于鍍鎳層上的頂部鍍金層;還包括設于鍍鎳層和頂部鍍金層之間的鍍鎳鈷層。優(yōu)選的,所述鍍鎳鈷層和鍍鎳層之間還設有中間鍍金層。優(yōu)選的,所述鍍鎳鈷層的厚度為1-3微米。優(yōu)選的,所述頂部鍍金層的厚度為I. 8微米。采用上述技術方案所產(chǎn)生的有益效果在于在電子封裝外殼鍍層中引入鎳鈷鍍層后,鎳鈷鍍層可以防止硅的熱擴散,從而防止外殼鍍層結構中出現(xiàn)鎳鍍層脆性開裂的問題;同時,還大大地減少了鎳向頂部鍍金層的擴散,有效提高了頂部鍍金層的功能和應用的可靠性。本發(fā)明能大大提高電子封裝外殼的應用可靠性,同時還可節(jié)省貴重金屬黃金的用量。如,鍍鎳鈷層的電子封裝外殼,鍍鎳鈷層厚度為1-3微米,頂部鍍金層厚度為I. 8微米,經(jīng)歷300°C,30min的烘烤過程,由于大大減緩和減少了鎳向鍍金層的擴散,故頂部鍍金層顏色正常,頂部鍍金層功能應用不受影響,從而提高外殼應用的可靠性。


圖I是本發(fā)明實施例I的結構示意圖。圖2是本發(fā)明實施例2的結構示意圖。附圖中1、外殼基體;2、鍍鎳層;3、鍍鎳鈷層;4、頂部鍍金層;5、中部鍍金層。
具體實施例方式下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
實施例1,如圖I所示,本發(fā)明公開了一種電子封裝外殼,電子封裝外殼是電子封裝過程中使用的封裝裝置,電子封裝的作用在于安放固定內置芯片,保護集成電路內置芯片,增強內置芯片環(huán)境適應的能力,并且集成電路芯片上的鉚點也就是接點,是焊接到封裝管殼的引腳上的,現(xiàn)有的一種電子封裝外殼包括外殼基體I、設于外殼基體I上的鍍鎳層2和設于鍍鎳層2上的頂部鍍金層4 ;由于電子封裝外殼在具體使用過程中需要在420°C時燒結硅芯片,在420°C高溫作用下,硅芯片中的硅會擴散到電子封裝外殼的鍍鎳層中,導致鎳鍍層脆化開裂,芯片從外殼焊接區(qū)表面脫落;未加入鎳鈷鍍層的電子封裝外殼,鍍金層厚度3微米,經(jīng)歷300°C,30min的烘烤過程,外殼鍍鎳層中的鎳會擴散至外殼表面的頂部鍍金層中,導致頂部鍍金層顏色發(fā)紅(目檢),影響頂部鍍金層功能應用,本發(fā)明所披露的一種電子封裝外殼還包括設于鍍鎳層2和頂部鍍金層4之間的鍍鎳鈷層3 ;所述鍍鎳鈷層3的厚度為1-3微米,鍍層順序自內向外依次為外殼基體,鍍鎳層,鍍鎳鈷層和頂部鍍金層,由于鍍鎳鈷層較為穩(wěn)定,有效防止鍍鎳層中的鎳擴散到頂部鍍金層中,進而確保電子封裝外殼使用可靠性。所述鍍鎳鈷層3的厚度可以為I微米或者3微米,頂部鍍金層的厚度為I. 8微米;未加入鎳鈷鍍層的電子封裝外殼的鍍金層厚度3微米,經(jīng)歷300°C,30min的烘烤過程,鍍鎳層中的鎳會擴散至外殼表面的頂部鍍金層中,導致頂部鍍金層顏色發(fā)紅(目檢),影響鍍金層功能應用。加入鎳鈷鍍層的電子封裝外殼,鍍金層厚度調整為I. 8微米,經(jīng)歷300°C,30min的烘烤過程,減緩和減少了鎳向鍍金層的擴散,外殼鍍金層顏色正常(目檢),鍍金層功能應用不受影響,從而提高外殼應用可靠性,同時節(jié)約黃金用量。實施例2,如圖2所示,本實施例與實施例I之間的區(qū)別在于所述鍍鎳鈷層3和鍍鎳層2之間還設有中部鍍金層5。綜上所述,本發(fā)明通過在電子封裝外殼鍍層結構中引入鍍鎳鈷層,形成全新的電子封裝外殼鍍層結構,提高外殼應用可靠性。本發(fā)明中的鍍層實現(xiàn)方法如下第一步進行外殼基體鍍前處理,包括使用洗潔精溶液、化學去油溶液、鉻酸溶液、亞硫酸鈉溶液、硫酸溶液以及鹽酸溶液進行清潔、去油和酸洗,完成鍍前處理后進行預鍍鎳,進一步完成鍍鎳和鍍鎳鈷層,鍍鎳鈷層中鈷原子含量控制在15% 30% (原子比),最后在鍍鎳鈷層上面完成頂部鍍金層,當然也可以在鍍鎳鈷層之前進行中部鍍金層的作業(yè),通過設置鍍鎳鈷層,提高電子封裝外殼應用可靠性落。
權利要求
1.一種電子封裝外殼,包括外殼基體(I)、設于外殼基體(I)上的鍍鎳層(2)和設于鍍鎳層(2)上的頂部鍍金層(4);其特征在于還包括設于鍍鎳層(2)和頂部鍍金層(4)之間的鍍鎳鈷層(3)。
2.根據(jù)權利要求I所述的電子封裝外殼,其特征在于所述鍍鎳鈷層(3)和鍍鎳層(2)之間還設有中部鍍金層(5)。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的電子封裝外殼,其特征在于所述鍍鎳鈷層(3)的厚度為1-3微米。
4.根據(jù)權利要求3所述的電子封裝外殼,其特征在于所述頂部鍍金層(4)的厚度為I.8微米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子封裝外殼,涉及電子封裝技術領域。包括外殼基體、設于外殼基體上的鍍鎳層和設于鍍鎳層上的頂部鍍金層;還包括設于鍍鎳層和頂部鍍金層之間的鍍鎳鈷層。本發(fā)明通過在鍍鎳層和鍍金層之間設置鍍鎳鈷層,可有效防止外殼鍍層結構中出現(xiàn)鍍鎳層脆性開裂問題,并大大地減少了鎳向頂部鍍金層的擴散,提高和保證了頂部鍍金層的功能和應用的可靠性,提高了電子封裝外殼的應用可靠性;同時還可節(jié)省貴重金屬黃金的用量。
文檔編號H01L23/02GK102945835SQ201210486038
公開日2013年2月27日 申請日期2012年11月26日 優(yōu)先權日2012年11月26日
發(fā)明者劉圣遷, 陶建中, 姚全斌 申請人:中國電子科技集團公司第十三研究所
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