Led芯片研磨、減薄的保護層及其應(yīng)用和制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED芯片研磨、減薄的保護層及其應(yīng)用和制備方法，通過在LED研磨、減薄工藝過程中，對芯片正面在壓蠟前先涂布一層保護層，此保護層不但提高了該過程芯片外觀的良率，同時提高了后續(xù)封裝等良率。
【專利說明】LED芯片研磨、減薄的保護層及其應(yīng)用和制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于LED芯片制備領(lǐng)域，涉及LED芯片研磨、減薄的保護層及其應(yīng)用和制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一片2英寸的襯底片經(jīng)在MOCVD內(nèi)外延磊晶，生長成帶有發(fā)光層、P層、N層等的芯片，經(jīng)芯片前工藝制備完成P極、N極及發(fā)光區(qū)(ΙΤ0)等，在LED芯片后工藝的制備過程中需要先對芯片下表面(襯底部分)進行研磨和拋光，以此來提高芯片的一般制備工藝先把芯片正表面(電極側(cè)的表面)通過石蠟及一定的壓力固定在陶瓷盤上，然后對芯片進行研磨，減薄到所需厚度進行拋光，在此過程中，固定在陶瓷盤上的芯片背面與研磨輪、拋光盤相互有著緊密接觸式的摩擦，在摩擦的過程中研磨輪、拋光盤會對芯片產(chǎn)生一定的應(yīng)力。由于石蠟是半透明物質(zhì)，與芯片的顏色非常相似，在研磨減薄拋光工藝后，對芯片正表面的石蠟需要進行清洗去除，但如何鑒別蠟是否完全清洗干凈一直是業(yè)內(nèi)亟待解決的問題，因蠟的殘余會嚴(yán)重影響下續(xù)工藝的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的發(fā)明人通過無數(shù)次實驗發(fā)現(xiàn)，在芯片研磨、減薄的過程中為降低芯片正表面的外觀損傷，在芯片研磨、減薄前先在芯片正表面涂布一層保護層后，再通過石蠟及一定的壓力固定在陶瓷盤上，而后對芯片進行研磨、減薄到所需的厚度進行拋光等處理，示意圖見圖1，可以有效降低原研磨、減薄工藝的芯片正表面的損傷率。
[0004]上述所述在芯片研磨、減薄前先在芯片正表面涂布一層保護層，通過發(fā)明人實驗發(fā)現(xiàn)該保護層優(yōu)選光阻劑。
[0005]上述所述在芯片研磨、減薄前先在芯片正表面涂布一層保護層，通過發(fā)明人實驗發(fā)現(xiàn)該保護層優(yōu)選正光阻劑或負(fù)光阻劑。
[0006]上述所述在芯片研磨、減薄前先在芯片正表面涂布一層保護層，通過發(fā)明人實驗發(fā)現(xiàn)該保護層的厚度選自大于5 μ m小于15 μ m之間。優(yōu)選10 μ m±2.5 μ m之間，更優(yōu)選10 μ m±0.5 μ m 之間。
[0007]本發(fā)明的發(fā)明人在制備保護層時，通過將LED芯片在研磨減薄壓蠟前放置于光阻涂布機上，將光阻滴入芯片正表面中間，設(shè)置涂布機第一道轉(zhuǎn)速在2000±250dpm之間，時間在10± 1.5秒之間，使光阻劑均勻涂布于芯片正表面，第二道轉(zhuǎn)速在3500±250dpm之間，時間在50±5秒之間，使光阻劑能在芯片表面快速風(fēng)干凝固。
[0008]將光阻滴入芯片正表面中間，優(yōu)選設(shè)置涂布機第一道轉(zhuǎn)速在2000±250dpm之間，時間在10± 1.5秒之間，使光阻劑均勻涂布于芯片正表面，把芯片N極填平并使芯片正表面平整，第二道轉(zhuǎn)速在3500± IOOdpm之間，時間在50±2秒之間，使光阻劑能在芯片表面快速風(fēng)干凝固。
[0009]將光阻滴入芯片正表面中間，更優(yōu)選設(shè)置涂布機第一道轉(zhuǎn)速為2000dpm，時間為10秒，使光阻劑均勻涂布于芯片正表面，第二道轉(zhuǎn)速為3500dpm，時間為50秒，使光阻劑能在芯片表面快速風(fēng)干凝固。
[0010]控制上述工藝中保護層的厚度為大于5 μ m小于15 μ m之間。優(yōu)選10 μ m±2.5 μ m之間，更優(yōu)選10 μ m±0.5 μ m之間。
[0011]本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在LED芯片研磨、減薄后把LED芯片從陶瓷盤上取下來后，需要對芯片表面的石蠟進行除蠟處理，因石蠟是無色透明，在原工藝中對芯片表面的石蠟是否清除干凈，一直沒有評判方法，導(dǎo)致很多時候芯片表面還有殘臘時就進入了下一道工序，嚴(yán)重影響了后續(xù)工藝的質(zhì)量。本發(fā)明人通過芯片的保護層發(fā)現(xiàn)，在研磨、減薄前對芯片正表面涂布光阻劑后再通過石蠟與陶瓷盤固定，而后在除蠟的過程中，因光阻劑的介入，如果石蠟去除不干凈，將在芯片表面留下明顯印記，如圖2芯片殘蠟示意圖。所以本發(fā)明的保護層可用于判斷LED芯片研磨、減薄后芯片表面除蠟是否完全的依據(jù)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]本發(fā)明中附圖僅為了對本發(fā)明進一步解釋，不得作為本發(fā)明發(fā)明范圍的限制。
[0013]附圖1芯片通過涂布保護層后經(jīng)石蠟固定于陶瓷盤的剖面示意圖 附圖2芯片殘蠟示意圖1為芯片，2為保護層，3為石蠟，4為陶瓷盤，5為殘蠟示意圖【具體實施方式】
[0014]本發(fā)明的實施例僅為對本發(fā)明進行解釋，便于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
能實施本發(fā)明，不得作為本發(fā)明發(fā)明范圍的限制。
[0015]實施例1
取待研磨、減薄的芯片，放置于光阻涂布機上，將光阻滴入芯片正表面中間，設(shè)置涂布機第一道轉(zhuǎn)速在2000dpm左右，時間在10秒左右，使光阻劑均勻涂布于芯片正表面，第二道轉(zhuǎn)速在3500左右，時間在50左右，使芯片表面的光阻劑能快速風(fēng)干凝固。控制光阻劑的厚度在10 μ m左右，再把涂布光阻劑的芯片通過石蠟及一定的壓力固定在陶瓷盤上，而后對芯片進行研磨、減薄到所需的厚度進行拋光等處理，示意圖見圖1，光阻層的介入可以有效降低原研磨、減薄工藝的芯片正表面的損傷率。在對芯片研磨、減薄處理后續(xù)進行除蠟，通過芯片表面光阻劑的顏色顯示，來判斷石蠟是否去除完全。
[0016]實施例2
取待研磨、減薄的芯片，放置于光阻涂布機上，將光阻滴入芯片正表面中間，設(shè)置涂布機第一道轉(zhuǎn)速在2000dpm左右，時間在10秒左右，使光阻劑均勻涂布于芯片正表面，第二道轉(zhuǎn)速在3500dpm左右，時間在50秒左右，使芯片表面的光阻劑能快速風(fēng)干凝固。分別控制光阻劑的厚度為 4.5 μ m、5 μ m、7.5 μ m、9.5 μ m、10 μ m、10.5 μ m、12.5 μ m、15 μ m、15.5 μ m左右，再把涂布光阻劑的芯片通過石蠟及一定的壓力固定在陶瓷盤上，而后對芯片進行研磨、減薄到所需的厚度進行拋光等處理，光阻層的介入可以有效降低原研磨、減薄工藝的芯片正表面的損傷率。經(jīng)實驗光阻劑的厚度為4.5μπι時其良率基本沒有提高，光阻劑的厚度為5 μ m時其良率提高50%，光阻劑的厚度為7.5 μ m時其良率提高90%，光阻劑的厚度為9.5μπι、10μπι、1(λ 5μπι、12.5μπι、15μπι、15.5μπι時在研磨、減薄工藝中沒有任何芯片因研磨、減薄而正表面損傷，但光阻層太厚會引入新問題，1、成本增高與良率的提升比例不協(xié)調(diào)；2、光阻層太厚導(dǎo)致綁定在陶瓷盤上的芯片不穩(wěn)定，容易移位元，增加了研磨過程中的難度。
[0017]綜上所述保護層的厚度選自大于5μπι小于15μπι之間。優(yōu)選10 μ m± 2.5 μ m之間，更優(yōu)選10 μ m±0.5 μ m之間。
【權(quán)利要求】
1.一種LED芯片研磨、減薄的保護層，其特征在于保護層選自光阻。
2.如權(quán)利要求1所述的保護層，其特征在于所述的保護層為光阻，包括正光阻與負(fù)光阻。
3.如權(quán)利要求1所述的保護層，其特征在于所述的保護層位于芯片正表面。
4.如權(quán)利要求1所述的保護層，其特征在于光阻厚度大于5μ m小于15 μ m之間。
5.如權(quán)利要求1所述的保護層，其特征在于光阻厚度為10μ m±2.5 μ m之間。
6.如權(quán)利要求1所述的保護層，其特征在于光阻厚度為10μπι±0.5μπι之間。
7.如權(quán)利要求1-6任一項權(quán)利要求所述保護層在LED芯片研磨、減薄中的應(yīng)用。
8.如權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于用于LED芯片研磨、減薄工藝過程中研磨、減薄后判斷除臘完全的依據(jù)。
9.如權(quán)利要求1-6任一項權(quán)利要求所述保護層的制備方法，其特征在于將LED芯片在研磨減薄壓蠟前放置于光阻涂布機上，將光阻滴入芯片正表面中間，設(shè)置涂布機第一道轉(zhuǎn)速在2000±250dpm之間，時間在10± 1.5秒之間，第二道轉(zhuǎn)速在3500±250dpm之間，時間在50 ±5秒之間。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于涂布機第一道轉(zhuǎn)速為2000dpm，時間為10秒，第二道轉(zhuǎn)速為3500dpm，時間為50秒。
【文檔編號】H01L33/00GK103855253SQ201210494838
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月29日
【發(fā)明者】鐘馨葦, 林志強, 莊文榮, 孫明 申請人:江蘇漢萊科技有限公司