專利名稱：一種鏡面顯示基板、及其制造方法和液晶鏡面顯示基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容式內(nèi)置觸摸屏，尤其涉及一種內(nèi)置觸摸的一種鏡面顯示基板、及其制造方法和液晶鏡面顯示基板。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有電氣和電子設(shè)備采 用了以下5種類型的觸摸屏技術(shù)電阻式、表面電容式、投射電容式、表面聲波式和紅外線式，其中前三種適合用于移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品，后兩種技術(shù)生成的觸摸屏有的太昂貴有的體積太大，因此不適合上述應(yīng)用。采用以上任何一種觸摸屏技術(shù)的系統(tǒng)都由一個(gè)感應(yīng)裝置、它與電子控制電路的互連裝置和控制電路本身構(gòu)成。鏡面顯示是最近才出現(xiàn)的一種新型顯示設(shè)備，這種新型設(shè)備的結(jié)構(gòu)是一臺智能平板搭配一面半反半透的鏡面，它可以在你用鏡子的同時(shí)也可以從鏡面中看到今天的天氣情況或者體重等等信息。目前還沒有商用的產(chǎn)品的出現(xiàn)，但是我們從它的新意上可以看出，它的市場前景是光明的。目前市場上出現(xiàn)了一些半反半透手機(jī)貼膜，這種貼膜可以讓手機(jī)成為一面鏡子，同時(shí)又可以顯示畫面。其原理與鏡面顯示器原理相同。索尼最新發(fā)表的智能手機(jī)Xperia sola(MT27i)引入了全新的MagicfIoatingtouch (懸浮觸摸)技術(shù)，它可以讓用戶手指在不接觸手機(jī)的情況下對屏幕進(jìn)行觸摸操作。不過這項(xiàng)技術(shù)還處在試驗(yàn)階段，暫時(shí)只有Xperia sola內(nèi)置的瀏覽器和動(dòng)態(tài)桌面支持該技術(shù)，用戶可以不接觸屏幕而進(jìn)行網(wǎng)頁的瀏覽，或與桌面互動(dòng)。之后這一技術(shù)將公開給開發(fā)者共第三方應(yīng)用使用。可以預(yù)見到，將來會(huì)有更多新奇的應(yīng)用和游戲應(yīng)用到這項(xiàng)技術(shù)。懸浮觸控是通過在一個(gè)電容觸摸屏幕上，同時(shí)運(yùn)行自電容和互電容來實(shí)現(xiàn)的?；ル娙萦糜谕瓿烧５挠|碰感應(yīng)，包括多點(diǎn)觸控，自電容用于檢測懸停在上方的手指。由于懸浮觸控技術(shù)依賴于自電容，因此不可能實(shí)現(xiàn)懸浮多點(diǎn)觸控。也就是說，當(dāng)進(jìn)行懸浮操作時(shí)，屏幕不支持多點(diǎn)觸控。屏幕只能在接觸觸碰情況下實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控。目前鏡面顯示器作為一種新型顯示器，由于其既可以作為顯示器使用有具有鏡面反光的效果，可以給使用者帶來全新的使用體驗(yàn)，因此也成為一些公司關(guān)注的焦點(diǎn)。但目前的鏡面顯示器主要還是用顯示屏+鏡面或者顯示屏+觸摸感應(yīng)裝置+鏡面的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)存在以下缺點(diǎn)I、厚度大。由于采用簡單的疊層結(jié)構(gòu)，厚度大是顯而易見的。2、顯示器亮度要求高。鏡面的特點(diǎn)是透光率和反光率之和小于I (鏡面存在光吸收)，目前為了形成優(yōu)秀的鏡面效果，一般反光率在90%以上，那么透光率就在10%以下。從顯示器出來的光經(jīng)過鏡面10%以下的透光率之后還要有優(yōu)秀的顯示效果，就需要顯示屏的顯示亮度達(dá)到原來的10倍以上。而背光源提高10倍以上亮度還能保證均勻性，是非常困難的事。3、觸摸功能不夠完善。根據(jù)目前現(xiàn)有的鏡面顯示技術(shù)來看，觸控技術(shù)采用RF距離感應(yīng)器，距離感應(yīng)產(chǎn)生的觸摸感應(yīng)是一維的，只能通過距離來實(shí)現(xiàn)對鏡面的控制，對顯示器的觸摸控制單一，無法實(shí)現(xiàn)多種功能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示一種內(nèi)置觸摸的液鏡面顯示基板、及其制造方法和液晶鏡面顯示基板，本發(fā)明通過將電容式內(nèi)置觸控技術(shù)應(yīng)用到顯示面板上，減小鏡面觸摸屏厚度，提高了背光源利用率，同時(shí)觸控功能更加適應(yīng)當(dāng)下的主流，實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的觸控體驗(yàn)。本發(fā)明提供一種鏡面顯示基板，該顯示基板包括底部基板；觸摸電路裝置，設(shè)置于所述底部基板之上，包括觸摸端 子和觸摸感測電極；絕緣層，設(shè)置于所述觸摸電路裝置之上；陣列電路裝置，包括縱橫交錯(cuò)的多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線、與相應(yīng)的掃描線和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線電性連接的多個(gè)TFT器件、以及陣列端子，設(shè)置于所述絕緣層之上，其中，所述觸摸端子和陣列端子同時(shí)引出，且本鏡面顯示基板的底部基板位于使用者一側(cè)。其中，所述觸摸電路裝置包括設(shè)置于所述底部基板上的多個(gè)第一導(dǎo)電層；設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層上的第一絕緣層；設(shè)置于所述第一絕緣層之上的多個(gè)第二導(dǎo)電層；設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層之上的第二絕緣層；設(shè)置于所述第二絕緣層之上的第三導(dǎo)電層。其中，所述觸摸電路裝置包括整面鋪設(shè)于所述底部基板上的第一導(dǎo)電層、設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層之上的第一絕緣層、以及設(shè)置于所述第一絕緣層之上的第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層為兩層整面相對的電極層。本發(fā)明提供一種液晶鏡面顯示基板，包括上述的鏡面顯示基板、CF基板、以及夾設(shè)于鏡面顯示基板和CF基板之間的液晶，所述鏡面顯示基板為TFT基板。本發(fā)明提供一種鏡面顯示基板的制造方法，其特征在于，該顯示基板位于使用者一側(cè)，所述鏡面顯示基板的制造方法如下首先在底部基板上形成第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣膜；形成與第一導(dǎo)電層垂直的第二導(dǎo)電層；在第二導(dǎo)電層上形成第二絕緣膜；形成覆蓋第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層；在第三導(dǎo)電層上形成絕緣層，在絕緣層上開設(shè)接觸孔；形成掃描線和柵極；在掃描線上形成絕緣保護(hù)層；形成位于柵極上方的半導(dǎo)體層；形成數(shù)據(jù)線以及源漏極，數(shù)據(jù)線位于第二導(dǎo)電層的上方；形成絕緣保護(hù)層，在絕緣保護(hù)層上形成接觸孔；形成像素電極。本發(fā)明提供一種鏡面顯示基板的制造方法，其特征在于，該顯示基板位于使用者一側(cè)，所述鏡面顯示基板的制造方法如下首先在底部基板覆蓋一層第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣膜；形成與第一導(dǎo)電層相對的第二導(dǎo)電層；
在第二導(dǎo)電層上形成絕緣層；形成掃描線和柵極；在掃描線上形成絕緣保護(hù)層；形成位于柵極上方的半導(dǎo)體層；形成的數(shù)據(jù)線以及源漏極，數(shù)據(jù)線位于第二導(dǎo)電層的上方；形成絕緣保護(hù)層，在絕緣保護(hù)層上形成接觸孔；形成像素電極。本發(fā)明通過在TFT基板上形成觸摸電路裝置，使用時(shí)將TFT側(cè)向上，具有如下優(yōu)
占-
^ \\\ ·I.將觸摸電路裝置設(shè)計(jì)為在TFT側(cè)，與成熟的TFT成膜工藝結(jié)合，簡單可靠。2.本發(fā)明與鏡面顯示相結(jié)合，形成內(nèi)置電容式觸摸的鏡面顯示器。3.本發(fā)明與懸浮觸控模式相結(jié)合，就可以做到在不觸碰鏡面(弄臟鏡面)的情況下就可以控制鏡面。4.本發(fā)明選擇對TFT側(cè)固有的金屬反光進(jìn)行消光處理，形成與CF側(cè)相當(dāng)?shù)娘@示效
果O5.本發(fā)明將觸摸電路裝置的屏蔽電場層與陣列電路裝置的像素電極層之間形成的電容利用成存儲(chǔ)電容，形成大存儲(chǔ)電容的同時(shí)，提高開口率。


圖I所示為本發(fā)明的液晶顯示基板的平面示意圖；圖2為圖I所不的液晶顯不基板的TFT基板的結(jié)構(gòu)不意圖；圖3所示為液晶顯示基板的觸摸電路裝置的具體結(jié)構(gòu)示意圖；圖4所示為圖3所示的觸摸電路裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5所示為圖3所示的觸摸電路裝置的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖3所示的觸摸電路裝置形成觸摸電容的示意圖；圖7a為圖3所示的觸摸電路裝置的第一導(dǎo)電層與掃描線結(jié)合的電路示意圖；圖7b為圖3所示的觸摸電路裝置的第二導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線結(jié)合的電路示意圖；圖8a至圖8h所示為TFT基板制造步驟示意圖；圖9a為本發(fā)明第二實(shí)施例的第一導(dǎo)電層與掃描線結(jié)合的電路示意圖；圖9b為本發(fā)明第二實(shí)施例的第二導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線結(jié)合的電路示意10為本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯不基板結(jié)構(gòu)不意圖；圖11為本發(fā)明第三實(shí)施例的觸摸電路裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為發(fā)明第四實(shí)施例的液晶顯示基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為發(fā)明第六實(shí)施例的液晶顯示基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖14為發(fā)明第七實(shí)施例的液晶顯示基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖15為發(fā)明第八實(shí)施例的觸摸電路裝置無觸摸的電路示意圖；圖16為發(fā)明第八實(shí)施例的觸摸電路裝置有觸摸的電路示意圖；圖17為本發(fā)明第九實(shí)施例的鏡面顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。圖I至圖8h是本發(fā)明的第一實(shí)施例圖I所示為本發(fā)明液晶鏡面顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖,本液晶鏡面顯示基板包括相對的TFT基板I和CF基板2、以及設(shè)于TFT基板I和CF基板2之間的液晶LC，所述CF基板2上設(shè)有色阻21 (如R、G、B三色)，本液晶鏡面顯示基板在使用時(shí)將TFT基板I位于使用者的一側(cè)，即背光源22從CF基板2中進(jìn)入，從TFT基板I出去。如圖2，本TFT基板I內(nèi)設(shè)有觸摸電路裝置10，TFT基板I由下至上依序包括底 部基板30、位于底部基板30上的觸摸電路裝置10、位于觸摸電路裝置10上的絕緣層40、位于絕緣層40上的陣列電路裝置50，使用時(shí)，底部基板30位于使用者一側(cè)。所述陣列電路裝置50包括縱橫交錯(cuò)的掃描線51和數(shù)據(jù)線53、分別與掃描線和數(shù)據(jù)線電性連接的TFT器件、像素電極、公共電極以及遮光線。由于TFT基板I本身具有鏡面的功效，在TFT基板I中設(shè)置觸摸電路裝置10，并將TFT基板I的底部基板30位于使用者的一側(cè)，使本液晶鏡面顯示基板成為帶有觸摸功能的鏡面顯示器。如圖3，所述觸摸電路裝置10由下至上依序包括位于底部基板30上的第一導(dǎo)電層11、位于第一導(dǎo)電層11上的第一絕緣膜12、位于第一絕緣膜12上的第二導(dǎo)電層13、位于第二導(dǎo)電層13上的第二絕緣膜14、以及位于第二絕緣膜14上的第三導(dǎo)電層15。所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層13和第三導(dǎo)電層13均通過磁控濺射的方法在底部基板30上形成的。在本實(shí)施例中，如圖4至圖6，第一導(dǎo)電層11為觸摸電路裝置10的橫向觸摸電極11，第二導(dǎo)電層13為觸摸電路裝置10的縱向觸摸電極13，第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13在空間上縱橫交錯(cuò)；第三導(dǎo)電層15為觸摸電路裝置10的公共電極層，第三導(dǎo)電層15為整面設(shè)置，第三導(dǎo)電層15其在空間上覆蓋在第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13上，并位于對應(yīng)于陣列電路裝置50的下方，該第三導(dǎo)電層15與陣列電路裝置50的像素電極形成的電容作為存儲(chǔ)電容。公共電極層分別與橫向觸摸電極11和縱向觸摸電極13之間形成電容，當(dāng)手指或其他導(dǎo)電觸摸液晶顯示基板時(shí)，在觸摸電路裝置10內(nèi)部產(chǎn)生電容，繼而將觸摸電路裝置10集成在TFT基板I內(nèi)。如圖7a和圖7b,所述第一導(dǎo)電層11設(shè)有第一觸摸感測電極110,所述第一觸摸感測電極110引出第一觸摸端子111 ;所述第二導(dǎo)電層13設(shè)有第二觸摸感測電極130，所述第二觸摸感測電極130引出第二觸摸端子131 ;所述陣列電路裝置50設(shè)有陣列端子，所述觸摸端子與相應(yīng)的陣列端子同時(shí)引出，實(shí)現(xiàn)觸摸電路裝置10與陣列電路裝置50具有相同的電位。所述陣列端子包括第一陣列端子510和第二陣列端子530，所述第一陣列端子510由掃描線51上引出的，所述第二陣列端子530由數(shù)據(jù)線53上引出的；其中，所述第一陣列端子510與第一觸摸端子110均通過接觸孔(圖未示)連接至柵極驅(qū)動(dòng)器60 (即所述第一陣列端子510與第一觸摸端子110同時(shí)引出并連接至柵極驅(qū)動(dòng)器60)，所述第二陣列端子530與第二觸摸端子130均通過接觸孔(圖未示)連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器70 (即所述第二陣列端子530與第二觸摸端子130同時(shí)引出并連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器70)，且，所述第一陣列端子510、第二陣列端子530、第一觸摸端子110、第二觸摸端子130均是同時(shí)引出的。由于第一陣列端子510與第一觸摸端子110均通過接觸孔位于柵極驅(qū)動(dòng)器60的一側(cè)，所述第二陣列端子530與第二觸摸端子130均通過接觸孔(圖未示)位于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器70的一側(cè)，從而實(shí)現(xiàn)觸摸電路裝置10與陣列電路裝置50具有相同的電位。在本實(shí)施例中，相鄰的多個(gè)第一觸摸感測電極110共同引出一第一觸摸端子111, 相鄰的多個(gè)第二觸摸感測電極130共同引出一第二觸摸端子131，圖7a和圖7b的第一觸摸感測電極110和第二觸摸感測電極130均是每三個(gè)感測電極引出一個(gè)觸摸端子。由于觸摸電路裝置10的第一觸摸感測電極110和第二觸摸感測電極130都非常薄和細(xì)，故需要將相鄰的多個(gè)第一觸摸感測電極110和第二觸摸感測電極130組成一個(gè)觸摸電阻。本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層13由反光的材料制成(如Al、Mo、Ti等)或由透光的材料制成(如Al、Ag等)；第三導(dǎo)電層15由透光材料制成，如ITO或膜厚小于50nm的Al或Ag等材料。所述第一導(dǎo)電層11的寬度不小于所述陣列電路裝置50的掃描線的寬度，所述第二導(dǎo)電層13的寬度不小于所述陣列電路裝置50的數(shù)據(jù)線寬度，可以使得陣列電路裝置50的金屬走線不能遮住第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13，從而第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13反光。本實(shí)施例中形成的內(nèi)置電容式觸摸屏由于第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13具有反光特性，控制所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層的走線形狀或者膜厚，可以調(diào)整反光效率，從而形成特定透過率的鏡面顯示器。由于觸摸電路裝置10位于TFT基板I內(nèi)，故本液晶鏡面顯示基板使用時(shí)，如圖1，需將TFT基板I側(cè)朝上，CF基板2側(cè)朝下，即背光源22位于CF基板2的下方，背光源22依序通過CF基板2、液晶LC、TFT基板I的陣列電路裝置50、TFT基板I的觸摸電路裝置10、底部基板30射出。圖8a至圖8h為本TFT基板I的制造過程步驟一如圖8a，首先在底部基板30上形成第一導(dǎo)電層11，即形成橫向觸摸電極。步驟二 在第一導(dǎo)電層11上形成第一絕緣膜12。步驟三如圖Sb，形成與第一導(dǎo)電層11垂直的第二導(dǎo)電層13，即形成縱向觸摸電極。步驟四在第二導(dǎo)電層13上形成第二絕緣膜14。步驟五如圖Sc，形成覆蓋第一導(dǎo)電層11與第二導(dǎo)電層13的第三導(dǎo)電層15，即形成公共電極層。步驟六在第三導(dǎo)電層15上形成絕緣層40，在絕緣層40上開設(shè)接觸孔。步驟七如圖8d，形成陣列電路裝置50的掃描線51和柵極，該掃描線51位于第三導(dǎo)電層15的上方，且通過絕緣層40上的接觸孔將COM電位送到觸摸電路裝置10的第三導(dǎo)電層15上。步驟八在掃描線51上形成絕緣保護(hù)層。步驟九如圖Se，形成位于柵極上方的硅島52，即形成半導(dǎo)體層52。步驟十如圖8f，形成陣列電路裝置50的數(shù)據(jù)線53以及源漏極54、55，數(shù)據(jù)線53位于第二導(dǎo)電層13的上方。步驟十一如圖Sg，形成絕緣保護(hù)層(圖未示)，在位于漏極55上方的絕緣保護(hù)層上形成接觸孔56。步驟十二 如圖8h，形成通過接觸孔56與漏極55連接的像素電極57。 上述只是簡述本TFT基板I的制造步驟，其他包括本步驟一至步驟十二的，都屬于本TFT基板I的保護(hù)范疇。本發(fā)明通過在TFT基板上形成觸摸電路裝置，使用時(shí)將TFT側(cè)向上，具有如下優(yōu)
占-
^ \\\ ·I.將觸摸電路裝置設(shè)計(jì)為在TFT側(cè)，與成熟的TFT成膜工藝結(jié)合，簡單可靠。2.本發(fā)明與鏡面顯示相結(jié)合，形成內(nèi)置電容式觸摸的鏡面顯示器。3.本發(fā)明與懸浮觸控模式相結(jié)合，就可以做到在不觸碰鏡面(弄臟鏡面)的情況下就可以控制鏡面。4.本發(fā)明選擇對TFT側(cè)固有的金屬反光進(jìn)行消光處理，形成與CF側(cè)相當(dāng)?shù)娘@示效
果O5.本發(fā)明將觸摸電路裝置的屏蔽電場層與陣列電路裝置的像素電極層之間形成的電容利用成存儲(chǔ)電容，形成大存儲(chǔ)電容的同時(shí)，提高開口率。圖9a和圖9b是本發(fā)明的第二實(shí)施例的示意圖，與上述第一實(shí)施例區(qū)別點(diǎn)為每一第一觸摸感測電極110和第二觸摸感測電極130分別引出一相應(yīng)的觸摸端子。由于觸摸電路裝置10的第一觸摸感測電極110和第二觸摸感測電極130都非常粗和厚，故只需一第一觸摸感測電極110引出一第一觸摸端子111，一第二觸摸感測電極130引出一第二觸摸端子131。圖10是本發(fā)明的第三實(shí)施例的示意圖，由于第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層13位于所述陣列電路裝置的掃描線51和數(shù)據(jù)線53的下方，所述第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13寬度不小于所述陣列電路裝置中遮光線(圖未示)、掃描線51或數(shù)據(jù)線53走線寬度(圖9中第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13寬度大于所述陣列電路裝置中金屬走線的寬度)，本第三實(shí)施例與上述第一實(shí)施例不同的是第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層13均由黑色不反光材料制成，如Cr、Cr/Cr0x雙層金屬等；第三導(dǎo)電層15為透光材料制成，如ITO等。一方面，由于第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13為黑色，其特性為使得TFT側(cè)不反光；另一方，第一導(dǎo)電層11和第二導(dǎo)電層13寬度不小于所述陣列電路裝置中遮光線(圖未示)、掃描線51或數(shù)據(jù)線53走線寬度，這樣可以使得橫向觸摸走線(第一導(dǎo)電層11)與縱向觸摸走線(第一導(dǎo)電層13)的寬度控制在可以遮住陣列電路裝置40的金屬走線反射光的程度，形成了與CF基板2的BM相同的效果。圖11和圖12是本發(fā)明的第四實(shí)施例的示意圖，本第四實(shí)施例與上述第一實(shí)施例區(qū)別的是觸摸電路裝置10由兩層整面相對的電極層構(gòu)成，形成表面電容式觸摸屏，在本第四實(shí)施例中，所述觸摸電路裝置10由下至上依序包括位于底部基板30上的第一導(dǎo)電層11’、位于第一導(dǎo)電層11’上的第一絕緣膜12’、位于第一絕緣膜12’上的第二導(dǎo)電層13’。在本第四實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層11’、第二導(dǎo)電層13’均為整面平鋪于底部基板30上，第一導(dǎo)電層11’、第二導(dǎo)電層13’沒有設(shè)置鏤空設(shè)計(jì)；所述第一導(dǎo)電層11’和第二導(dǎo)電層13’均由ITO等可透光材料形成、或者第一導(dǎo)電層11’材料為可透光材料制成，如如膜厚小于50nm的Al或Ag等；第二導(dǎo)電層13’為透光材料制成，如ITO等。以下為本TFT基板I的制造過程(同時(shí)可參閱圖8d至圖8h)步驟一首先在底部基板30上整面平鋪一層第一導(dǎo)電層11’。步驟二 在第一導(dǎo)電層11’上形成第一絕緣膜12’。步驟三形成與第一導(dǎo)電層11’相對的第二導(dǎo)電層13’，該第二導(dǎo) 電層13’也是整面平鋪形成的。步驟四在第二導(dǎo)電層13’上形成絕緣層40。步驟五如圖8d，形成陣列電路裝置50的掃描線51和柵極，該掃描線51位于第二導(dǎo)電層13’的上方，且通過絕緣層40上的接觸孔將COM電位送到觸摸電路裝置10的第二導(dǎo)電層13’上。步驟六在掃描線51上形成絕緣保護(hù)層。步驟七如圖Se，形成位于柵極上方的硅島52，即形成半導(dǎo)體層52。步驟八如圖8f，形成陣列電路裝置50的數(shù)據(jù)線53以及源漏極54、55，數(shù)據(jù)線53位于第二導(dǎo)電層13的上方。步驟九如圖Sg，形成絕緣保護(hù)層(圖未示)，在位于漏極55上方的絕緣保護(hù)層上形成接觸孔56。步驟十如圖8h，形成通過接觸孔56與漏極55連接的像素電極57。上述只是簡述本TFT基板I的制造步驟，其他包括本步驟一至步驟十的，都屬于本TFT基板I的保護(hù)范疇。本第四實(shí)施例中，通過形成的內(nèi)置表面電容式觸摸屏可利用第一導(dǎo)電層11’具有反光特性，控制所述第一導(dǎo)電層膜厚，可以調(diào)整反光效率，從而形成特定透過率的鏡面顯示器。本發(fā)明的第五實(shí)施例的不意圖，與上述第一實(shí)施例區(qū)別的是第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層13材料為反光材料制成，如Al、Mo、Ti等；第三導(dǎo)電層15為可透光材料制成，如Al、Ag等，第三導(dǎo)電層15為薄膜金屬層。本第五實(shí)施例中形成的內(nèi)置電容式觸摸屏由于第一導(dǎo)電層11、第二導(dǎo)電層13、第三導(dǎo)電層15具有反光特性，第三導(dǎo)電層15還具有透光特性，控制所述第三導(dǎo)電層膜厚，可以調(diào)整反光效率，形成特定透過率的鏡面顯示器。圖13是本發(fā)明的第六實(shí)施例的示意圖，本第六實(shí)施例與上述第一實(shí)施例區(qū)別的是由于本液晶顯示基板使用時(shí)，TFT基板I側(cè)朝上，CF基板2側(cè)朝下，故在TFT基板2的底部基板30的表面貼有圓偏光片60，圓偏光片具有對反射光的消光效果，使得TFT側(cè)向上時(shí)具有與CF向上時(shí)相當(dāng)?shù)娘@示效果。圖14是本發(fā)明的第七實(shí)施例的示意圖，本第七實(shí)施例與上述第一實(shí)施例區(qū)別的是在觸摸電路裝置10上增加一層絕緣有機(jī)膜70，即在第三導(dǎo)電層15上增加一層絕緣有機(jī)膜70,該有機(jī)膜70厚大于Ium,再在絕緣有機(jī)膜上形成絕緣膜40,在所述絕緣膜40上形成陣列電路裝置50 ;或者在觸摸電路裝置10的第三導(dǎo)電層15上形成絕緣膜40，再在絕緣膜40上形成一層絕緣有機(jī)膜70，最后在絕緣有機(jī)膜70上形成陣列電路裝置50，該絕緣有機(jī)膜70厚大于lum。絕緣有機(jī)膜的使用增加了第三導(dǎo)電層15與陣列電路裝置50的距離，使得第三導(dǎo)電層15與陣列電路裝置50之間電容減小，減小了第三導(dǎo)電層15與陣列電路裝置50之間的影響，提高觸控靈敏度和顯示驅(qū)動(dòng)能力。圖15和圖16是本發(fā)明的第八實(shí)施例的示意圖，本第八實(shí)施例與上述第一實(shí)施例區(qū)別的是在所述觸摸電路裝置的分析IC上做一些改進(jìn)，利用橫向感應(yīng)電極和縱向感應(yīng)電極之間的電容，在手指等靠近上述電容時(shí)會(huì)改變上述電容大小，實(shí)現(xiàn)觸控，此觸控方式可以實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)觸控。與此同時(shí)，如圖15和圖16，利用橫向感應(yīng)電極與手指之間的電容，在手機(jī)等靠近或遠(yuǎn)離時(shí)，電容變化，可以實(shí)現(xiàn)橫向的觸摸感應(yīng)；利用縱向觸摸走線與手指之間的電容，在手指等靠近或遠(yuǎn)離時(shí)，電容變化，可以實(shí)現(xiàn)縱向的觸摸感應(yīng)；縱橫兩個(gè)方向的觸摸感應(yīng)交叉 形成一點(diǎn)，即可實(shí)現(xiàn)觸控。此觸控方式由于手指和整條觸摸感應(yīng)電極之間形成電容，電容較大，可以實(shí)現(xiàn)懸浮觸控，即手指在距離面板還有一定距離時(shí)即可實(shí)現(xiàn)觸控。此種方式由于不需要與面板直接接觸，就不會(huì)對鏡面顯示形成污染，可以應(yīng)用于鏡面顯示的懸浮觸控。圖17是本發(fā)明的第九實(shí)施例的示意圖，本第九實(shí)施例與上述第一實(shí)施例區(qū)別的是本發(fā)明鏡面顯示基板為OLED基板，其不需要CF基板和液晶，其他結(jié)構(gòu)域液晶的TFT基板基本相似，在此不重復(fù)敘述。
權(quán)利要求
1.一種鏡面顯示基板，其特征在于，該顯示基板包括 底部基板； 觸摸電路裝置，設(shè)置于所述底部基板之上，包括觸摸感測電極和由觸摸感測電極引出的觸摸端子； 絕緣層，設(shè)置于所述觸摸電路裝置之上； 陣列電路裝置，包括縱橫交錯(cuò)的多個(gè)掃描線和多個(gè)數(shù)據(jù)線、與相應(yīng)的掃描線和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線電性連接的多個(gè)TFT器件、以及陣列端子，設(shè)置于所述絕緣層之上，其中，所述觸摸端子和相應(yīng)的陣列端子同時(shí)引出，且本鏡面顯示基板的底部基板位于使用者一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鏡面顯示基板，其特征在于，所述觸摸電路裝置包括 設(shè)置于所述底部基板上的多個(gè)第一導(dǎo)電層； 設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層上的第一絕緣層； 設(shè)置于所述第一絕緣層之上的多個(gè)第二導(dǎo)電層； 設(shè)置于所述第二導(dǎo)電層之上的第二絕緣層； 設(shè)置于所述第二絕緣層之上的第三導(dǎo)電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鏡面顯示基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層為觸摸電路裝置的橫向電極，所述第二導(dǎo)電層為觸摸電路裝置的縱向電極，所述第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層在空間上縱橫交錯(cuò)，所述第三導(dǎo)電層整面設(shè)置于第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鏡面顯示基板，其特征在于，所述鏡面顯示基板還包括柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器；所述觸摸感測電極包括第一觸摸感測電極和第二觸摸感測電極，所述第一觸摸感測電極位于第一導(dǎo)電層上，所述第二觸摸感測電極位于第二導(dǎo)電層上，所述觸摸端子包括第一觸摸端子和第二觸摸端子，所述第一觸摸感測電極引出第一觸摸端子，所述第二觸摸感測電極引出第二觸摸端子；所述每一陣列端子包括一第一陣列端子和一第二陣列端子，所述第一陣列端子由掃描線上引出的，所述第二陣列端子由數(shù)據(jù)線上引出的；其中，所述第一陣列端子與第一觸摸端子均通過接觸孔連接至柵極驅(qū)動(dòng)器，所述第二陣列端子與第二觸摸端子也均通過接觸孔連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鏡面顯示基板，其特征在于，相鄰的多個(gè)第一導(dǎo)電層共同引出一第一觸摸端子，相鄰的多個(gè)第二導(dǎo)電層共同引出一第二觸摸端子。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鏡面顯示基板，其特征在于，所述第三導(dǎo)電層為可透光材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鏡面顯示基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的寬度不小于相應(yīng)的掃描線的寬度，所述第二導(dǎo)電層的寬度不小于相應(yīng)的數(shù)據(jù)線寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的內(nèi)置觸摸的液晶顯示基板，其特征在于，陣列電路裝置還包括像素電極，第三導(dǎo)電層與像素電極形成的電容作為存儲(chǔ)電容。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鏡面顯示基板，其特征在于，所述觸摸電路裝置包括整面鋪設(shè)于所述底部基板上的第一導(dǎo)電層、設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層之上的第一絕緣層、以及設(shè)置于所述第一絕緣層之上的第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層為兩層整面相對的電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鏡面顯示基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均由可透光材料形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鏡面顯示基板，其特征在于，還包括在所述觸摸電路裝置與絕緣層之間設(shè)有一層絕緣有機(jī)膜，絕緣有機(jī)膜厚大于lum。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鏡面顯示基板，其特征在于，在所述底部基板與陣列電路裝置相反的一側(cè)上設(shè)有圓偏光片。
13.一種液晶鏡面顯示基板，其特征在于包括權(quán)利要求1-12所述的鏡面顯示基板、CF基板、以及夾設(shè) 于鏡面顯示基板和CF基板之間的液晶，所述鏡面顯示基板為TFT基板。
14.一種鏡面顯示基板的制造方法，其特征在于，該顯示基板的底部基板位于使用者一偵牝所述鏡面顯示基板的制造方法如下 首先在底部基板上形成第一導(dǎo)電層； 在第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣膜； 形成與第一導(dǎo)電層垂直的第二導(dǎo)電層； 在第二導(dǎo)電層上形成第二絕緣膜； 形成覆蓋第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層； 在第三導(dǎo)電層上形成絕緣層，在絕緣層上開設(shè)接觸孔； 形成掃描線和柵極； 在掃描線上形成絕緣保護(hù)層； 形成位于柵極上方的半導(dǎo)體層； 形成數(shù)據(jù)線以及源漏極，數(shù)據(jù)線位于第二導(dǎo)電層的上方； 形成絕緣保護(hù)層，在絕緣保護(hù)層上形成接觸孔； 形成像素電極。
15.一種鏡面顯示基板的制造方法，其特征在于，該顯示基板的底部基板位于使用者一偵牝所述鏡面顯示基板的制造方法如下 首先在底部基板覆蓋一層第一導(dǎo)電層； 在第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣膜； 形成與第一導(dǎo)電層相對的第二導(dǎo)電層； 在第二導(dǎo)電層上形成絕緣層； 形成掃描線和柵極； 在掃描線上形成絕緣保護(hù)層； 形成位于柵極上方的半導(dǎo)體層； 形成的數(shù)據(jù)線以及源漏極，數(shù)據(jù)線位于第二導(dǎo)電層的上方； 形成絕緣保護(hù)層，在絕緣保護(hù)層上形成接觸孔； 形成像素電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鏡面顯示基板、及其制造方法和液晶鏡面顯示基板，使用時(shí)，TFT基板位于使用者一側(cè)，所述TFT基板包括底部基板；觸摸電路裝置；絕緣層；陣列電路裝置，所述觸摸電路裝置包括第一導(dǎo)電層；第一絕緣層；第二導(dǎo)電層；第二絕緣層；設(shè)置第三導(dǎo)電層。本發(fā)明通過在TFT基板上形成觸摸電路裝置，使用時(shí)將TFT側(cè)向上，具有如下優(yōu)點(diǎn)將觸摸電路裝置設(shè)計(jì)為在TFT側(cè)，與成熟的TFT成膜工藝結(jié)合，簡單可靠，本發(fā)明選擇對TFT側(cè)固有的金屬反光進(jìn)行消光處理，形成與CF側(cè)相當(dāng)?shù)娘@示效果。
文檔編號H01L21/77GK102967976SQ20121050594
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者馬群剛, 吳劍龍 申請人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司